JPS6314452Y2 - - Google Patents
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- JPS6314452Y2 JPS6314452Y2 JP2569581U JP2569581U JPS6314452Y2 JP S6314452 Y2 JPS6314452 Y2 JP S6314452Y2 JP 2569581 U JP2569581 U JP 2569581U JP 2569581 U JP2569581 U JP 2569581U JP S6314452 Y2 JPS6314452 Y2 JP S6314452Y2
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- film
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- capacitors
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- Expired
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は機械的強度を補強した薄膜コンデンサ
に関する。
に関する。
タンタル薄膜集積回路はアルミナなどからなる
磁器基板の上にスパツタリング法によりタンタル
（Ta）或は窒化タンタル（Ta2N）などの薄膜を
所定の厚さに柝出させ、この上に真空蒸着法によ
つて電極或は導体金属となる金属薄膜層を作り、
写真蝕刻技術（ホトリソグラフイ）によりパター
ン形成と選択エツチングを行い、薄膜よりなるコ
ンデンサ、抵抗などよりなる微少回路を形成した
ものである。
磁器基板の上にスパツタリング法によりタンタル
（Ta）或は窒化タンタル（Ta2N）などの薄膜を
所定の厚さに柝出させ、この上に真空蒸着法によ
つて電極或は導体金属となる金属薄膜層を作り、
写真蝕刻技術（ホトリソグラフイ）によりパター
ン形成と選択エツチングを行い、薄膜よりなるコ
ンデンサ、抵抗などよりなる微少回路を形成した
ものである。
こゝでTa薄膜コンデンサはTa薄膜／Ta2O5酸
化皮膜／金属電極の構成により作られている。
化皮膜／金属電極の構成により作られている。
すなわちアルミナなどの磁器基板上にTaをス
スパタリング法により厚さ5000Å程度に柝出させ
た後、公知の写真蝕刻技術（ホトリソグラフイ）
によりコンデンサ回路のパターン形成を行い、ホ
トレジストの膜明けされたコンデンサパターン部
に電解酸化の手法により酸化タンタル（Ta2O5）
よりなる酸化皮膜を形成する。
スパタリング法により厚さ5000Å程度に柝出させ
た後、公知の写真蝕刻技術（ホトリソグラフイ）
によりコンデンサ回路のパターン形成を行い、ホ
トレジストの膜明けされたコンデンサパターン部
に電解酸化の手法により酸化タンタル（Ta2O5）
よりなる酸化皮膜を形成する。
こゝで電解酸化は燐酸（H3PO4）水溶液など
を化成液とし、酸化皮膜を形成すべき金属（この
場合Ta）を陽極、また白金（Pt）などを陰極と
して必要とする耐圧値に等しい直流電圧を印加す
ることによりこれに対応する厚さの酸化皮膜（こ
の場合Ta2O5）を成長させる方法である。
を化成液とし、酸化皮膜を形成すべき金属（この
場合Ta）を陽極、また白金（Pt）などを陰極と
して必要とする耐圧値に等しい直流電圧を印加す
ることによりこれに対応する厚さの酸化皮膜（こ
の場合Ta2O5）を成長させる方法である。
次にかゝる酸化皮膜の上に対極としてニクロム
（NiCr）と金（Au）よりなる電極用金属を真空
蒸着したる後再び写真蝕刻技術により電極パター
ン形成することによりTa薄膜コンデンサができ
上る。
（NiCr）と金（Au）よりなる電極用金属を真空
蒸着したる後再び写真蝕刻技術により電極パター
ン形成することによりTa薄膜コンデンサができ
上る。
こゝでTa薄膜集積回路は受動素子として薄膜
抵抗および薄膜コンデンサより構成されている
が、機械的な強度について言えばコンデンサは抵
抗器に較べ格段に劣つている。
抵抗および薄膜コンデンサより構成されている
が、機械的な強度について言えばコンデンサは抵
抗器に較べ格段に劣つている。
この理由は両部品について障害モードはコンデ
ンサは短絡であり、抵抗器の場合は断線である
が、薄膜集積回路の電極に使用されるNi・Crお
よびAu蒸着膜の厚さは数千Åに過ぎず、集積回
路の取り扱いの過程での他の基板とのズレ或はキ
ズによつても電極金属が薄いため破損し易く或は
発生する歪により酸化皮膜内の電界強度に差を生
じ、短絡し易い状態となる。
ンサは短絡であり、抵抗器の場合は断線である
が、薄膜集積回路の電極に使用されるNi・Crお
よびAu蒸着膜の厚さは数千Åに過ぎず、集積回
路の取り扱いの過程での他の基板とのズレ或はキ
ズによつても電極金属が薄いため破損し易く或は
発生する歪により酸化皮膜内の電界強度に差を生
じ、短絡し易い状態となる。
一方、抵抗器の場合は電極部に部分的な破損が
起るとしてもこれが断線に到ることは稀である。
起るとしてもこれが断線に到ることは稀である。
本考案の目的は薄膜コンデンサの接触損傷など
に対する機械的な強度を高める点にあり、そのた
めパターン形成用として使用したレジスト膜を剥
離することなくそのまゝ存続させてこれをコンデ
ンサの保護膜として用いるもので、勿論剥離後に
再度保護膜を形成してもよい。
に対する機械的な強度を高める点にあり、そのた
めパターン形成用として使用したレジスト膜を剥
離することなくそのまゝ存続させてこれをコンデ
ンサの保護膜として用いるもので、勿論剥離後に
再度保護膜を形成してもよい。
以下実施例について本考案を説明する。
考案者等は長さ20mm、幅９mmよりなるアルミナ
基板の上に化成電圧120V、静電容量5000PFのコ
ンデンサを４個づつ設けたものを準備し、これに
ついてレジスト保護膜の有無、レジストの最適膜
厚、レジスト硬化温度などの影響を調べた。なお
こゝで使用したレジストはポジ型のレジスト
OFPRである。
基板の上に化成電圧120V、静電容量5000PFのコ
ンデンサを４個づつ設けたものを準備し、これに
ついてレジスト保護膜の有無、レジストの最適膜
厚、レジスト硬化温度などの影響を調べた。なお
こゝで使用したレジストはポジ型のレジスト
OFPRである。
こゝで保護効果を比較する方法としては試料各
５個づつを２mm径の磁器ボールと共にボールミル
に入れ１分間40回転の速度で回転させることによ
り機械的衝撃を与えた。
５個づつを２mm径の磁器ボールと共にボールミル
に入れ１分間40回転の速度で回転させることによ
り機械的衝撃を与えた。
第１図および第２図はこの結果であつて横軸に
はボールミルの回転時間をまたは縦軸は第１図の
場合は漏れ電流値をアンペア／フアラツド、
（Ａ／Ｆ）の形でまた第２図は良品率を示してあ
る。
はボールミルの回転時間をまたは縦軸は第１図の
場合は漏れ電流値をアンペア／フアラツド、
（Ａ／Ｆ）の形でまた第２図は良品率を示してあ
る。
両図において保護膜を備えない従来試料１は１
分間後取り出した状態で全数のコンデンサが短絡
していた。一方、レジストを被覆し充分に加熱し
た試料２は16分間に互つて機械的衝撃を加えたに
も関わらず漏れ電流について増加の現象は現われ
ていない。
分間後取り出した状態で全数のコンデンサが短絡
していた。一方、レジストを被覆し充分に加熱し
た試料２は16分間に互つて機械的衝撃を加えたに
も関わらず漏れ電流について増加の現象は現われ
ていない。
なおこゝで使用したレジストOFPRの硬化条件
は115℃以上225℃で25分間の加熱である。
は115℃以上225℃で25分間の加熱である。
一方このレジストについての予備可熱条件であ
る115℃、30分の加熱をした試料３は保護膜の付
着状態が充分でなく徐々に短絡数が増し、また残
存コンデンサの漏れ電流値も増加し、８分後にお
いては全数が短縮するに到つた。このことは不充
分な硬化処理においては保護膜としては余り保護
効果がないことが判る。
る115℃、30分の加熱をした試料３は保護膜の付
着状態が充分でなく徐々に短絡数が増し、また残
存コンデンサの漏れ電流値も増加し、８分後にお
いては全数が短縮するに到つた。このことは不充
分な硬化処理においては保護膜としては余り保護
効果がないことが判る。
次にレジスト保護膜の膜厚としては最小限1μ
ｍ以上の膜厚が必要でありこれ以上厚くしても有
意差はないが、この膜厚の条件は写真蝕刻法に使
用するレジスト膜厚と同じであり、つまりパター
ン形成に用いたレジスト膜をそのまゝ除去するこ
となく保護膜として用いればよいことになる。
ｍ以上の膜厚が必要でありこれ以上厚くしても有
意差はないが、この膜厚の条件は写真蝕刻法に使
用するレジスト膜厚と同じであり、つまりパター
ン形成に用いたレジスト膜をそのまゝ除去するこ
となく保護膜として用いればよいことになる。
本考案はTa薄膜集積回路の取り扱い中におい
て短絡がコンデンサ部で生じ易いことから、この
対策としてコンデンサのパターン形成に使用する
レジスト膜をそのまゝ保護膜として用いるもの
で、この処理によりコンデンサの信頼度を高める
ことができる。
て短絡がコンデンサ部で生じ易いことから、この
対策としてコンデンサのパターン形成に使用する
レジスト膜をそのまゝ保護膜として用いるもの
で、この処理によりコンデンサの信頼度を高める
ことができる。
第１図はボールミルにより機械的衝撃を与えた
場合の回転時間と試料の漏れ電流との関係また第
２図はボールミルの回転時間と良品率との関係で
ある。 図において、１は保護膜のない従来試料、２は
レジスト膜をつけた本考案にかゝる試料、３はレ
ジスト膜の硬化が不充分な試料。
場合の回転時間と試料の漏れ電流との関係また第
２図はボールミルの回転時間と良品率との関係で
ある。 図において、１は保護膜のない従来試料、２は
レジスト膜をつけた本考案にかゝる試料、３はレ
ジスト膜の硬化が不充分な試料。
Claims (1)
- 薄膜コンデンサパターン形成用のレジスト膜を
除去せずに保護膜として用いたことを特徴とする
薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2569581U JPS6314452Y2 (ja) | 1981-02-25 | 1981-02-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2569581U JPS6314452Y2 (ja) | 1981-02-25 | 1981-02-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57138325U JPS57138325U (ja) | 1982-08-30 |
| JPS6314452Y2 true JPS6314452Y2 (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=29823389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2569581U Expired JPS6314452Y2 (ja) | 1981-02-25 | 1981-02-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6314452Y2 (ja) |
-
1981
- 1981-02-25 JP JP2569581U patent/JPS6314452Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57138325U (ja) | 1982-08-30 |
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