JPH02302016A - タンタル薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
タンタル薄膜コンデンサの製造方法Info
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- JPH02302016A JPH02302016A JP12372189A JP12372189A JPH02302016A JP H02302016 A JPH02302016 A JP H02302016A JP 12372189 A JP12372189 A JP 12372189A JP 12372189 A JP12372189 A JP 12372189A JP H02302016 A JPH02302016 A JP H02302016A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はタンタル薄膜コンデンサの製造方法に関し、特
に混成集積回路の肩品質で信頼性のあるタンタル薄膜コ
ンデンサの製造方法に関する。
に混成集積回路の肩品質で信頼性のあるタンタル薄膜コ
ンデンサの製造方法に関する。
従来のタンタル薄膜コンデンサの製造方法は、第２図（
ａ）〜（ｄ）に示すように、絶縁基板１１上に一定出力
で形成したタンタル系薄膜１２を所望のパターンにフォ
トレジスト及びエツチング処理で形成した後、そのパタ
ーンのコンデンサとなるべき部分を酸性溶液中で一定電
圧で陽極酸化し、Ｔａ２Ｏ５膜に変換し、次に良導電性
金属からなる対向電極パターン１５を形成し、最終的に
２５０℃の大気中で５時間の熱処理を施していた。
ａ）〜（ｄ）に示すように、絶縁基板１１上に一定出力
で形成したタンタル系薄膜１２を所望のパターンにフォ
トレジスト及びエツチング処理で形成した後、そのパタ
ーンのコンデンサとなるべき部分を酸性溶液中で一定電
圧で陽極酸化し、Ｔａ２Ｏ５膜に変換し、次に良導電性
金属からなる対向電極パターン１５を形成し、最終的に
２５０℃の大気中で５時間の熱処理を施していた。
上述した従来の製造方法では、絶縁基板上にタンタル系
薄膜を一定出力で形成していた為、そのタンタル系薄膜
を陽極酸化して製造したタンタル薄膜コンデンサの耐熱
性の向上を図ることは困難であった。
薄膜を一定出力で形成していた為、そのタンタル系薄膜
を陽極酸化して製造したタンタル薄膜コンデンサの耐熱
性の向上を図ることは困難であった。
本発明の目的は、従来のタンタル薄膜コンデンサの耐熱
性を更に向上することが可能となり、同時に容量密度の
増加も得られるタンタル薄膜コンデンサの製造方法を提
供することにある。
性を更に向上することが可能となり、同時に容量密度の
増加も得られるタンタル薄膜コンデンサの製造方法を提
供することにある。
本発明のタンタル薄膜コンデンサの製造方法は、絶縁基
板上に形成したタンタル系薄膜を所望のパターンに形成
する工程と、前記パターンの一部を酸性溶液中で＠極酸
化しＴａ２Ｏ５膜に変換する工程と、更に対向電極パタ
ーンを形成する工程とを有するタンタル薄膜コンデンサ
の製造方法において、前記タンタル薄膜を高スパッタ出
力と低スパッタ出力で形成し、タンタル薄膜の２層膜を
形成する工程と、前記低スパッタ出力で形成されたタン
タル薄膜層を陽極酸化する工程とを有することを特徴と
して構成される。
板上に形成したタンタル系薄膜を所望のパターンに形成
する工程と、前記パターンの一部を酸性溶液中で＠極酸
化しＴａ２Ｏ５膜に変換する工程と、更に対向電極パタ
ーンを形成する工程とを有するタンタル薄膜コンデンサ
の製造方法において、前記タンタル薄膜を高スパッタ出
力と低スパッタ出力で形成し、タンタル薄膜の２層膜を
形成する工程と、前記低スパッタ出力で形成されたタン
タル薄膜層を陽極酸化する工程とを有することを特徴と
して構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ） ５（ｄ）は本発明の一実施例を説明するために
工程順に示したタンタル薄膜コンデンサの断面図である
。第２図は従来のタンタル薄膜コンデンサの製造方法を
示す断面図であり、第３図は本発明と従来のタンタル薄
膜コンデンサの耐熱特性を示すものである。
（ａ） ５（ｄ）は本発明の一実施例を説明するために
工程順に示したタンタル薄膜コンデンサの断面図である
。第２図は従来のタンタル薄膜コンデンサの製造方法を
示す断面図であり、第３図は本発明と従来のタンタル薄
膜コンデンサの耐熱特性を示すものである。
まず、第１図（ａ）に示すように、セラミック又はガラ
ス等の絶縁基板１にマグネトロンスパッタでまずスパッ
ター出力３に７でαＴａ膜２を約３０００人形成し、続
いて出力ｏ、２ＫＷでαＴａ膜３を約１０００人形成す
る。次に、第１図（ｂ）に示すように公知のフォトレジ
スト及びエツチング処理によりαＴａＴａ膜３を所望の
パターンに形成する。次に、第１図（ｃ）に示すように
、ポジ型フォトレジストを１４μ塗布し、１００℃３０
分間のプリベークを施し、露光現像した後、そのポジ型
レジストの密着性を向上させるために１１０℃、３０分
のボストベークを行い所望するレジストパターンを形成
し、露出部ａＴａ面を０．０１％クエン酸溶液中で電圧
１００■一定電圧で２時間陽極酸化を施し、Ｔａ２Ｏ５
膜４に変換し、次いでレジストパターンは公知のレジス
ト剥離処理で除去する。次に、第１図（ｄ）に示すよう
に、前記基板上にマグネトロンスパッタによりＮｉＣｒ
−Ｐｄ−Ａｕ構成膜５を形成し、フォトレジスト及びエ
ツチング処理により対向電極パターンを形成する。
ス等の絶縁基板１にマグネトロンスパッタでまずスパッ
ター出力３に７でαＴａ膜２を約３０００人形成し、続
いて出力ｏ、２ＫＷでαＴａ膜３を約１０００人形成す
る。次に、第１図（ｂ）に示すように公知のフォトレジ
スト及びエツチング処理によりαＴａＴａ膜３を所望の
パターンに形成する。次に、第１図（ｃ）に示すように
、ポジ型フォトレジストを１４μ塗布し、１００℃３０
分間のプリベークを施し、露光現像した後、そのポジ型
レジストの密着性を向上させるために１１０℃、３０分
のボストベークを行い所望するレジストパターンを形成
し、露出部ａＴａ面を０．０１％クエン酸溶液中で電圧
１００■一定電圧で２時間陽極酸化を施し、Ｔａ２Ｏ５
膜４に変換し、次いでレジストパターンは公知のレジス
ト剥離処理で除去する。次に、第１図（ｄ）に示すよう
に、前記基板上にマグネトロンスパッタによりＮｉＣｒ
−Ｐｄ−Ａｕ構成膜５を形成し、フォトレジスト及びエ
ツチング処理により対向電極パターンを形成する。
最後にコンデンサの安定化を目的に２５０℃大気中で５
時間の熱処理を施し、タンタル薄膜コンデンサを完成す
る。
時間の熱処理を施し、タンタル薄膜コンデンサを完成す
る。
以上説明したように本発明は、αＴａ膜をマグネトロン
スパッタで形成する際下部パターンとなるαＴａ膜に対
しＴａ２Ｏ膜に変換するαＴａ膜のスパッタ出力を低げ
αＴａ膜の結晶構造をち密にすることでＴａ２Ｏ５膜が
安定し、しかも低山カスバッタのためＴａ膜中のＮ２含
量が増すため第３図に示すように、従来の薄膜コンデン
サに対し耐熱性が向上する。
スパッタで形成する際下部パターンとなるαＴａ膜に対
しＴａ２Ｏ膜に変換するαＴａ膜のスパッタ出力を低げ
αＴａ膜の結晶構造をち密にすることでＴａ２Ｏ５膜が
安定し、しかも低山カスバッタのためＴａ膜中のＮ２含
量が増すため第３図に示すように、従来の薄膜コンデン
サに対し耐熱性が向上する。
又、前記した如（αＴａ膜がち密なため、０゜０１％ク
エン酸溶液で陽極酸化でのＴａ２Ｏ５形成速度が遅くな
り従来の薄膜コンデンサより容量密度は７％増加するタ
ンタル薄膜コンデンサの製造が可能となる。
エン酸溶液で陽極酸化でのＴａ２Ｏ５形成速度が遅くな
り従来の薄膜コンデンサより容量密度は７％増加するタ
ンタル薄膜コンデンサの製造が可能となる。
図面の簡単な説明
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示したタンタル薄膜コンデンサの断面図、
第２図は従来のタンタル薄膜コンデンサの製造方法を説
明するための工程断面図、第３図は本発明と従来の薄膜
コンデンサの耐熱性特性の比較図である。
めに工程順に示したタンタル薄膜コンデンサの断面図、
第２図は従来のタンタル薄膜コンデンサの製造方法を説
明するための工程断面図、第３図は本発明と従来の薄膜
コンデンサの耐熱性特性の比較図である。
１．１１・・・絶縁基板、２．１２・・・斎出カスバッ
タのＴａ膜、３・・・低山カスバッタのＴａ膜、４゜１
４＝−Ｔａ２Ｏ５膜、！５−Ｎ ｉ Ｃｒ −Ｐｄ −
Ａｕ構成膜。
タのＴａ膜、３・・・低山カスバッタのＴａ膜、４゜１
４＝−Ｔａ２Ｏ５膜、！５−Ｎ ｉ Ｃｒ −Ｐｄ −
Ａｕ構成膜。
Claims (1)
- 絶縁基板上に形成したタンタル系薄膜を所望のパターン
に形成する工程と、前記パターンの一部を酸性溶液中で
陽極酸化しＴａ＿２Ｏ＿５膜に変換する工程と、更に対
向電極パターンを形成する工程とを有するタンタル薄膜
コンデンサの製造方法において、前記タンタル薄膜を高
スパッタ出力と低スパッタ出力で形成しタンタル薄膜の
２層膜を形成する工程と、前記低スパッタ出力で形成さ
れたタンタル薄膜層を陽極酸化する工程とを有すること
を特徴とするタンタル薄膜コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12372189A JPH02302016A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | タンタル薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12372189A JPH02302016A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | タンタル薄膜コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302016A true JPH02302016A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14867720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12372189A Pending JPH02302016A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | タンタル薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02302016A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319097A (zh) * | 2014-04-01 | 2015-01-28 | 扬州日精电子有限公司 | 一种金属化薄膜电容器的制造方法 |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP12372189A patent/JPH02302016A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104319097A (zh) * | 2014-04-01 | 2015-01-28 | 扬州日精电子有限公司 | 一种金属化薄膜电容器的制造方法 |
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