JPS63147548A - 脱硝触媒の調製法 - Google Patents

脱硝触媒の調製法

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JPS63147548A
JPS63147548A JP62171728A JP17172887A JPS63147548A JP S63147548 A JPS63147548 A JP S63147548A JP 62171728 A JP62171728 A JP 62171728A JP 17172887 A JP17172887 A JP 17172887A JP S63147548 A JPS63147548 A JP S63147548A
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JP
Japan
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catalyst
drying
tio2
forming body
capacity
Prior art date
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Pending
Application number
JP62171728A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshikuni Sera
世良 俊邦
Shigeaki Mitsuoka
光岡 薫明
Yoshiaki Obayashi
良昭 尾林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 じめとする各種化学装置に付設する燃焼炉、製鉄プラン
゛ト、及びディーゼルエンジンやタービンの如き内燃機
関等からの排ガス中に含有される窒素酸化物(以下NO
 Xと略称する)を効果的かつ経済的に還元し無害化す
る脱硝触媒の調製法に関するものである。特に、本発明
はNOxの他に触媒被毒となうやすい硫黄酸化物(以下
SOxと略称する)や煤じんを含有する排ガスに適用し
てアンモニアN H sを還元剤として適度の温度下で
NOXを接触還元し、窒素N,と水HsOに転化して無
害化除去するに当り、上記被毒成分の影響を受けずに効
率良くその機能を発揮するとともに、亜硫酸ガスSO2
の三酸化硫黄S03への酸化反応を抑制する触媒を提供
するものでちる。
従来よシアナターゼ型の酸化チタ/TiQ,、酸化タン
グステンWO,を主成分に五酸化バナジウムV20,を
少量添加するのが良いことを本発明者も提言しておシ、
その他TIOf 、N+60 −v+Osなども既に触
媒組成特許として多数出願されている。
これに対し、不発明者は、触媒調製法の観点から、ダス
トを含有する徘ガス中のNOxを除去する触媒として多
用されているハニカム状触媒で脱硝性能を高く維持し、
かつ脱硝装置の後流機器におけろ酸性硫安による腐食と
:4塞を極力低減させるためにSO,S化性能を抑制す
る脱硝触媒の調整法な見出したものである。
まず、触媒における脱硝反応は接ガス部の表面から10
0μ程度、性能安定性の面からは高々200μもあれば
十分であることがムライト質あるいはコージュライト質
のハニカム状基材に触媒成分を付着担持させたコート型
の触媒のテストで確認できた。(第1図参照) 又、Soが排ガス中のOlの存在下でSoに転化する副
反応は脱硝反応の如きガス拡散律速でなく、触媒自体も
Sα酸化反応を抑制していることがら曽媒層全体におけ
る反応律速で進んでいることがコート型触媒での反応解
析を行うことで明らかとなった。
従って、以上の解析結果を触媒成分だけで構成されてい
るソリッド型触媒に利用すると、rlo、、WO,を触
媒形成層に均一に分布させ、Sα酸化反応に敏感で脱硝
活性にも優れているV、O。
?接ガス表iから高々200μ以内にできるだけ多く分
布させるのが良いことがわかる。石炭焚ボイラ排ガスは
多量の砂じんのようなダストを含有しておシ、これに適
用する触媒は耐マモウ性の賦与も重視せねばならず先述
のコート型触媒よυソリッド型触媒の方が触媒層力;厚
いことから多用されている。。
以下において、本発明では・・ニカム状のソリッド型触
媒で説明するが、粒状、円柱状などの触媒でも当然本発
明を適用でき、また、コート型触媒でも更に表面層近く
にV、O,を担持させることでさらに低So、酸化能に
することが可能である。
一般的に触媒では耐マモウ性を賦与するために成形体を
600−650℃の高温で焼成しているが、■0.共存
状態では■、0.がTi01のアナターゼ型をルチル型
に変質させるため、本発明ではTlα成形体あるいは7
 i 0.− WOsの混練成形体を高温焼成後、■□
○、を含浸法で担持させている。
そしてV、0.を担持さ、せる時に本発明の調製法を用
いることでV、 O,を成形体の表層近くにたくさん分
布させることが可能となる。
その調製法はTlo、、WOsからなるハニカム成形体
内部での化学反応によりV= Osを該成形体の表層近
くに濃厚担持させるものである。即ちT + Or、W
αから成る成形体を希酸処理して、次いで表層近くの水
分を風乾ちるいは熱風乾燥の併用にニジ一部除いてバナ
ジウムのアミン溶解液:二浸漬させて酸とアルカリの中
和反応を利用することにより該成形体の表層近くにVr
 O−を担持させる方法である。ここで使用するバナジ
ウムのアミン溶解液はメタバナジンaアンモニウムなジ
ェタノールアミンのようなアミノアルコールあるいはモ
ノメチルアミンなどで加熱溶解させたものでちる。又こ
こで使用する希酸としては1酵、硫酸、酢酸、/ユウ酸
などがあろうなお、該ヴ形体内部での中和反応な利用す
る方法としては該成形体をアンモニア水で処理後、半乾
状聾:こしてシュウ酸バナジルや硫酸バナジルのような
バナジウムを含有する酸溶液(C浸漬させる方法も考え
られるが、アンモニアは気相になシやすく、通常の調製
法では該成形体内部にアンモニアとして封じこめておく
ことは困難であることから実用的ではない。
本発明者らはすてにrio、、wo3、v、osから成
る・・ニカム触媒組成&TiO,に対してVJOsを2
〜lQwt%、V、O,を005〜3w?%にするのが
高い脱硝性能と低いSo、酸化性能を得るのに好ましい
として提案している。(特願昭53−077818 >
しかし、本発明によると脱硝活性て有効な〕・二刀ム成
形体の表面層(〜200μ)でのV、○、担持濃度を高
めることだけで脱硝性能を低下させることなく、S 0
1 TJ化性能を低減させることが可能となる。
以下実施例により本発明を具体的に述べる。
〔実施例1〕 硫酸チタニルを原料にして製造されたアナターゼ型のT
io、と°警vO,から愼るハニカム成形体(穴の形状
;正方形、目開きi 6. O冨m、壁厚;1.35窮
11)をIN希硫酸溶液に浸漬後、50℃で1時間乾燥
させ、メタバナジン酸アンモニウムをモノエタノールア
ミンで加熱溶解した溶液に浸漬させる。次いで通常の方
法により110℃で10時間乾燥させて450℃で3時
間焼成することによりrlo、9o部WO!10部に対
してv、o、 o、 s部含有するハニカム触媒Aを得
た。また比較触媒として前述のハニカム成形体をシュウ
酸バナジル溶液シて浸漬後室温で1日風乾して、次いで
常温から5゛C/−で昇温する乾燥機にて5時間乾燥さ
せ、さらに450’Cで3時間焼成した触媒Bを調製し
た。
触媒A%Bのバナジウム濃度分布を調べるためにX線マ
イクロアナライザーで線分析したところ第2図に示すよ
うに触媒Aはハニカム成形体の表層近くでVが高濃度に
分布しているのに対し触媒Bは全体にほぼ均一に分布し
1いる。
さらに触媒A、Bの活性を調べるためにボイラ排ガスを
使用して第1表の試験条件で脱硝性能、SO3酸化性能
を測定した結果第2表に示すように触媒Aは触媒Bに比
べて高活性かつ低5O1s化性能を有していることがわ
かった。
第1表 第2表 以上述べたように、本発明方法によると、成形体表面層
の■−〇S濃度を故意に増加させることで、従来のT 
’Os  W Os  V 20s触媒と比べて高活性
でかつ低5O1s化性能を有する脱硝触媒を提供するこ
とが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は脱硝反応に有効な触媒層厚さの説明図、第2図
及び第3区は触媒A及びBにおけるWとVの濃度分布の
説明図である。 第10 +00      200      300触媒層厚
2(/) 第20          第3図 助六B

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. WO_3がTiO_2に対して2〜12wt%、V_2
    O_5がTiO_2に対して0.1〜3wt%、残部が
    TiO_2からなる触媒の調製法においてTiO_2と
    WO_3の混練成形体を酸性溶液に浸漬して半乾燥させ
    、次にバナジウム含有アルカリ性溶液に浸漬して乾燥さ
    せたのち焼成することを特徴とする脱硝触媒の調製法。
JP62171728A 1987-07-09 1987-07-09 脱硝触媒の調製法 Pending JPS63147548A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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