JPS63149392A - 電解Ｎｉめつき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、電解Ｎｉめっき方法に関する。

（従来の技術と発明が解決しようとする問題点）一般に
Ｍｏ上へのＮｉめっき等は、電子管部品で種々用いられ
ているが、最近、ｉ４ワートランジスタ等のヒートシン
クに、Ｍｏ板がＩＣ素子と熱膨張率の有利性から、Ｃｕ
板に代って使用され℃いる。

この場合、Ｍｏ板のヒートシンクにＩＣ素子を半田マウ
ントするためには、電解Ｎｉめっき等の皮膜が必要であ
る。そし℃、半田マウントの信頼性を上げるためには、
ある程度以上のめっき厚が要求されＭｏ板上の厚めつき
は、めっきのフクレ、剥れ等の密着不良が発生し、めっ
き方法とし℃安定したものではない。

この発明は、密着性の優れたＮｉめっき皮膜が得られる
電解Ｎｉめっき方法を提供することを目的とする。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） この発明は、脱脂した後エツチングし、Ｎｉストライク
めっきを０．２〜１．０μｍ施した後、水素還元雰囲気
で８５０〜９２０℃で熱処理し、更に、Ｎｉストライク
めっき熱処理を行なった後、Ｎｉめっきを行なう電解Ｎ
ｉめつき方法である。

（作用） この発明によれば、０．２〜１．　ＯｔｔｍのＮｉスト
ライクめっき層は、８５０〜９２０℃の熱処理によＦ）
　Ｍｏ上に拡散される。更に、同じ処理を繰り返すこと
により、Ｍｏの表面ではＮｉ成分が多くなって、この上
にＮｉめっき皮膜を形成させることが可能となり、密着
性の良好なＮｉめつき皮膜が得られる。

（実施例） 以下、図面を参照し℃、この発明の一実施例を詳細に説
明する。

この発明におい℃、めっきに供した試料は１２ｍ×１２
■×厚さ１．２　ｔｘｍのＭｏ板であり、数量は５ｏｏ
ｏ個である。

先ず、トリクレン脱脂後、赤血塩３００１／１３、苛性
ソーダ１００１！／ｌの水溶液でなるエツチング液で篭
で１分間処理し、表面をエツチングする。

この後、塩酸３０チ溶液で中和した後、水洗し、バレル
めっき装置に投入する。

この後、ウッドのＮｉストライクめっき液で３ｖ３０〜
４０Ａで、３０分間Ｎｉストライクめっきを行なう。

この後、水洗乾燥し、９００℃の水素還元雰囲気で１０
分間の熱処理を行なう。

更に、塩酸処理後、同じＮｉストライクめっき全行ない
、更に熱処理を行なった。

この前処理の終了したＭｏ板を塩酸処理し、Ｎｉストラ
イクめっきを行ない、ワット浴のＮｉめっき液でバレル
めっき装置に℃電解Ｎｉめっ＠を行ない、８〜９μｍの
めっき厚を確保した。

この後の９００℃の耐熱テストでも、フクレ、剥れ等の
密着不良は起きなかった。

尚、この中間めっき層はＮｉに限らず、Ｃｕ、Ａｕでも
よい。

［発明の効果］ この発明によれば、Ｍｏ板の表面にめっき皮膜と密着性
のよい中間層を拡散形成させているので、Ｎｉめっき厚
８〜９＃ｌという厚いめっきを施しても、後工程で課せ
られる半田マウント等の熱に対して耐え得るＮｉめっき
皮膜を得ることができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｍｏ上にＮｉめっき皮膜を形成する電解Ｎｉめっ
   き方法において、 先ず、上記Ｍｏ上にＮｉストライクめっき層を０．２〜
   １．０μｍ形成した後、８５０〜９２０℃の水素還元雰
   囲気で熱処理を施し、再度、同じ条件でＮｉストライク
   めっき、熱処理を施した後、上記Ｎｉめっき皮膜を形成
   することを特徴とする電解Ｎｉめっき方法。
2. （２）上記Ｎｉストライクめっき、熱処理の工程を複数
   回繰返す特許請求の範囲第１項記載の電解Ｎｉめっき方
   法。