JPS63151016A - 横型気相成長装置 - Google Patents
横型気相成長装置Info
- Publication number
- JPS63151016A JPS63151016A JP29760186A JP29760186A JPS63151016A JP S63151016 A JPS63151016 A JP S63151016A JP 29760186 A JP29760186 A JP 29760186A JP 29760186 A JP29760186 A JP 29760186A JP S63151016 A JPS63151016 A JP S63151016A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- susceptor
- main body
- fork
- furnace main
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は横型気相成長装置に関し、特に横型炉本体に改
良ｆｔｍした横型気相成長装置に係わる。
良ｆｔｍした横型気相成長装置に係わる。
（従来の技術〕
従来、化合物半導体に成長層を形成する横型気相成長装
置としては、例えば第２図に示すものが知られてｂる。
置としては、例えば第２図に示すものが知られてｂる。
図中の１は、横型炉本体である。この炉本体１の長手方
向の一端部（左端部）には原料ガス２を導入する導入口
３が設けられ、また炉本体ノの他端部の上方には排気口
４が設けられている。前記炉本体１内には１石英板４を
傾斜して支持するフォーク５が設けられている。このフ
ォーク５は炉本体１に対してとり出し自在である。前記
石英板４上には、結晶基板６を載置するサセプタ７が設
けられている。この前記炉本体１の外周でかつ篩記サセ
プタ６の周囲に位置する部分には、高周波誘導加熱コイ
ル８が設けられている。
向の一端部（左端部）には原料ガス２を導入する導入口
３が設けられ、また炉本体ノの他端部の上方には排気口
４が設けられている。前記炉本体１内には１石英板４を
傾斜して支持するフォーク５が設けられている。このフ
ォーク５は炉本体１に対してとり出し自在である。前記
石英板４上には、結晶基板６を載置するサセプタ７が設
けられている。この前記炉本体１の外周でかつ篩記サセ
プタ６の周囲に位置する部分には、高周波誘導加熱コイ
ル８が設けられている。
上記構造の装置においては、原料ガス２が前記サセプタ
ｚ上の結晶基板６に吹きつけられる。このとき、結晶基
板６は前記加熱コイル８によりあたためられているため
、ガスは熱分解を起こし、結晶基板６上にエピタキシャ
ル層が成長する。ま九、反応ガスは流れを乱すことなく
流れる。
ｚ上の結晶基板６に吹きつけられる。このとき、結晶基
板６は前記加熱コイル８によりあたためられているため
、ガスは熱分解を起こし、結晶基板６上にエピタキシャ
ル層が成長する。ま九、反応ガスは流れを乱すことなく
流れる。
しかしながら、従来の横型気相成長装置によれば、ガス
の流れは結晶基板６面内に均一に当たらないため、エピ
タキシャル成長層はＸ部のように導入口３の中心と同じ
高さの基板位置を中心にして盛υ上がる。すなわち、エ
ピタキシャル層に不均一性を生じさせる。
の流れは結晶基板６面内に均一に当たらないため、エピ
タキシャル成長層はＸ部のように導入口３の中心と同じ
高さの基板位置を中心にして盛υ上がる。すなわち、エ
ピタキシャル層に不均一性を生じさせる。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情を鑑みてなされ念もので。
膜厚の均一性のよい良質なエピタキシャル層が得られる
横型気相成長装置を提供することを目的とする。
横型気相成長装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明は、横型炉本体と、この炉本体に出入自在に設け
られたフォークと、この７オークの先端部に傾斜して設
けられこの傾斜面に化合物半導体基板をセットするサセ
プタと、前記炉本体の長手方向に設けられた原料ガス導
入用のガス導入口と、前記サセプタの斜め上部に位置す
る前記炉本体に設けられた排気口とを具備することを要
旨とする。
られたフォークと、この７オークの先端部に傾斜して設
けられこの傾斜面に化合物半導体基板をセットするサセ
プタと、前記炉本体の長手方向に設けられた原料ガス導
入用のガス導入口と、前記サセプタの斜め上部に位置す
る前記炉本体に設けられた排気口とを具備することを要
旨とする。
（作用）
本発明によれば、ガス排気口をサセプタの斜め上部に位
置する横型炉本体に設けることによシ、ガスの流れがウ
ェハ（結晶基板）面上に沿って無駄なく均一に流れ、良
質なエピタキシャル層を得ることができる。また、ウェ
ルが大口径化した場合でも良質なエピタキシャル層が得
られ、従来と比べ歩留シが向上する。
置する横型炉本体に設けることによシ、ガスの流れがウ
ェハ（結晶基板）面上に沿って無駄なく均一に流れ、良
質なエピタキシャル層を得ることができる。また、ウェ
ルが大口径化した場合でも良質なエピタキシャル層が得
られ、従来と比べ歩留シが向上する。
（実施例）
図中の１１は、横型炉本体である。この炉本体１ノの長
手方向の一端部（左端部）には、原料ガス１２を導入す
るガス導入口１３が設けられている。前記炉本体１１内
には１石英板１４を傾斜させて支持するフォーク１５が
設けられている。このフォーク１５は炉本体１１に出し
入シ自由である。前記石英板１４上には、例えばＧａＡ
ｓからなる結晶基板１６を載置するサセプタ１７が設け
られている。このサセプタ１７のヱ下斜め方向には接合
部１８が設けられ、サセプタ１７間に介在させたＯリン
グ１９によシ原料ガス１２の漏れを防いでいる。このサ
セプタ１７の斜め上方に位置する前記炉本体１１には、
ガス排気口２０が設けられている。前記炉本体１１の外
周でかつ前記サセプタ１７の周囲に位置する部分には、
高周波誘導加熱コイル２１が設けられている。なお、図
中の２２はＨ２加圧ガス２３ｔ−炉本体１ノ内に導入す
るガス導入口である。このガス導入口２２にＨ２加圧ガ
ス２３を導入して加圧することによシ、炉本体１１内を
完全に密閉する。ここで、前記Ｈ２加圧ｆス２３は、例
えば反応ガスよシ２．０倍程度に加圧しである。
手方向の一端部（左端部）には、原料ガス１２を導入す
るガス導入口１３が設けられている。前記炉本体１１内
には１石英板１４を傾斜させて支持するフォーク１５が
設けられている。このフォーク１５は炉本体１１に出し
入シ自由である。前記石英板１４上には、例えばＧａＡ
ｓからなる結晶基板１６を載置するサセプタ１７が設け
られている。このサセプタ１７のヱ下斜め方向には接合
部１８が設けられ、サセプタ１７間に介在させたＯリン
グ１９によシ原料ガス１２の漏れを防いでいる。このサ
セプタ１７の斜め上方に位置する前記炉本体１１には、
ガス排気口２０が設けられている。前記炉本体１１の外
周でかつ前記サセプタ１７の周囲に位置する部分には、
高周波誘導加熱コイル２１が設けられている。なお、図
中の２２はＨ２加圧ガス２３ｔ−炉本体１ノ内に導入す
るガス導入口である。このガス導入口２２にＨ２加圧ガ
ス２３を導入して加圧することによシ、炉本体１１内を
完全に密閉する。ここで、前記Ｈ２加圧ｆス２３は、例
えば反応ガスよシ２．０倍程度に加圧しである。
上記実施例によれば、サセプタ１７の斜め上方に位置す
る炉本体１１にガス排気口２０を設け。
る炉本体１１にガス排気口２０を設け。
かつガス導入口２２よりＨ２加圧ガス２３を炉本体１ノ
内のフォーク側に流しながらフォーク１５に支持された
石英板１４ 、 Ｏ！Ｊング１９及び接合部１８により
反応ガスを他へ流れないように密封した構造となってい
るため、ガス流を自然に結晶基板面内に均一に流すこと
ができる。従って、前記結晶基板１６上に盛シ上がりの
ない均一性のよいエピタキシャル層２４を形成できる。
内のフォーク側に流しながらフォーク１５に支持された
石英板１４ 、 Ｏ！Ｊング１９及び接合部１８により
反応ガスを他へ流れないように密封した構造となってい
るため、ガス流を自然に結晶基板面内に均一に流すこと
ができる。従って、前記結晶基板１６上に盛シ上がりの
ない均一性のよいエピタキシャル層２４を形成できる。
また、上記ガス導入口２２よシ導入されるガスがＨ２で
あるため、これがたとえ結晶基板１６側に漏れても反応
用のキャリアガスのＨ′２と同じであり、結晶基板１６
に悪影響を及ばさない。
あるため、これがたとえ結晶基板１６側に漏れても反応
用のキャリアガスのＨ′２と同じであり、結晶基板１６
に悪影響を及ばさない。
［発明の効果コ
以上詳述した如く本発明によれば、膜厚の均一性のよい
良質なエピタキシャル層が得られ、ウェハが大口径化し
ても有用な横型気相成長ｖｃ１１１を提供できる。
良質なエピタキシャル層が得られ、ウェハが大口径化し
ても有用な横型気相成長ｖｃ１１１を提供できる。
第１図は本発明の一実画例に係る横型気相成長装置の説
明図、第２図は従来の横型気相成長装置の説明図である
。 １１・・・横型炉本体、１２・・・原料ガス、１３゜２
２・・・ガス導入口、１４・・・石英板、１５・・・フ
ォーク、１６・・・結晶基板、１７・・・サセプタ、１
８・・・接合部、１９・・・Ｏリング、２０・・・ガ゛
ス排気口、２１・・・高周波誘導加熱コイル、２３・・
・Ｈ２加圧ガス、２４・・・エピタキシャル層。 出願人代理人 弁理士 鉛工 武 彦 第１図
明図、第２図は従来の横型気相成長装置の説明図である
。 １１・・・横型炉本体、１２・・・原料ガス、１３゜２
２・・・ガス導入口、１４・・・石英板、１５・・・フ
ォーク、１６・・・結晶基板、１７・・・サセプタ、１
８・・・接合部、１９・・・Ｏリング、２０・・・ガ゛
ス排気口、２１・・・高周波誘導加熱コイル、２３・・
・Ｈ２加圧ガス、２４・・・エピタキシャル層。 出願人代理人 弁理士 鉛工 武 彦 第１図
Claims (1)
- 横型炉本体と、この炉本体に出入自在に設けられたフォ
ークと、このフォークの先端部に傾斜して設けられこの
傾斜面に化合物半導体基板をセットするサセプタと、前
記炉本体の長手方向に設けられた原料ガス導入用のガス
導入口と、前記サセプタの斜め上部に位置する前記炉本
体に設けられたガス排気口とを具備することを特徴とす
る横型気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29760186A JPS63151016A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 横型気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29760186A JPS63151016A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 横型気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151016A true JPS63151016A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0556854B2 JPH0556854B2 (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=17848671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29760186A Granted JPS63151016A (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 横型気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63151016A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193323A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | 半導体気相成長装置 |
| JPS6266622A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP29760186A patent/JPS63151016A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193323A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Nec Corp | 半導体気相成長装置 |
| JPS6266622A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0556854B2 (ja) | 1993-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |