JPH03241733A - 気体成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 エピタキシャル成長用、特に有機金属気相成長に適する
気相成長装置に関し、 サセプタ上の基板の温度の均一性を高めて、大面積にわ
たって均一な組成の結晶を成長させることを目的とし、 高周波磁界発生用コイルの軸がサセプタの基板搭載面に
対して平行してサセプタを貫くように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、エピタキシャル成長用、特に有機金属気相成
長に適する気相成長装置に関する。

〔従来の技術〕

一般に、高周波磁界によって導電性物体に発生する渦電
流は、磁束の周辺にそって流れるので、ジュール熱は導
電性物体の周辺部にそって発生する。

従来の高周波磁界によって加熱される縦型気相成長装置
は、高周波磁界発生用コイルの軸が円形サセプタの回転
軸に沿って平行しているので、磁界の方向がサセプタの
基板搭載面に対して直角となり、サセプタの円周にそっ
て渦電流が発生し、サセプタの温度は中央部が周辺部よ
り低くなり、その上に搭載する基板も温度が不均一とな
る。そのため基板面に衝突して反応するガスの反応量も
不均一となり、エピタキシャル成長相の組成および膜厚
が不均一となる欠点がある。

（１） （２） 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明は、高周波磁界によって加熱される気相成長装置
のサセプタの温度を均一にして、エピタキシャル結晶の
組成の均一性を高めて、大面積にわたって均一な組成を
成長させることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題は、高周波磁界によって加熱されるサセプタを
有する気相成長装置であって、高周波磁界発生用コイル
の軸が、サセプタの基板搭載面に対して平行して、サセ
プタを通るように配置されていることを特徴とする装置
によって達成することができる。

〔作　用〕

第１図に示すように、サセプタ１はカーボンディスクで
あって、高周波磁界を発生するコイル２の軸はサセプタ
１の基板搭載面に対して平行してサセプタを貫いている
。カーボンサセプタ１で発生する渦電流は、サセプタ１
の円周方向ではなく、第２図で示すように、Ａ−Ａ’線
断面内でその周辺に沿って発生するので、ジュール熱は
サセプタ断面の表面で均一に発生し、サセプタ、従って
その上の基板の温度の均一性を高めることができる。

〔実施例〕

第３図は本発明の気相反応装置の要部の構成を示す断面
図であり、図中、第１図で示したものと同一のものは同
一の記号で示しである。反応ガス導入口５から、反応用
の原料ガスを反応管６内に導入する。サセプタ１は直径
７ｃｍ、厚み４ｃｍのカーボンディスクである。高周波
磁界発生用コイル２はその直径が２５ｃｍであり、コイ
ル２の軸がサセプタ１の基板搭載面に平行して、サセプ
タ１を貫くように配置しである。反応ガス導入口５から
原料ガスのトリメチルインジウム：トリエチルガリウム
：アルシン：ホスフィンの５　：　１　ニア５　：１５
００混合ガスを５ＱＳＣＣＭ、キャリアガス水素を８０
００ＳＣＣＭを圧力５０Ｔｏｒｒで導入し、コイルに出
力１０Ｋｗ、周波（３） （４） 数１０ＫＨｚの高周波電流を通した。サセプタの基板搭
載面に近い部分の温度は６００℃であった。基板上にエ
ピタキシャル成長したインジウムガリウムヒ素りん結晶
はその厚みおよび組成の均一性をほぼ保つことができた
。

〔発明の効果〕

本発明の気相成長装置によれば、気相成長において基板
の温度、ひいてはその上に成長する大面積の結晶の組成
の均一性に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図であり、第２図は第１図の
サセプタのＡ−Ａ’線断面図であり、第３図は本発明の
気相成長装置の要部を示す断面である。 １・・・サセプタ、　２・・・高周波磁界発生用コイル
、３・・・磁束の方向、４・・・渦電流の流れ、５・・
・ガス導入口、６・・・反応管。 （５） 本発明の原理説明図 第 図 ４」ヒコを］ト３ 第１因のサセプタのＡ−Ａ’線断面図 第２図 １・・・サセプタ ２０番コイル ３・・・磁束の方向 ４・・・渦電流の流れ 本発明の気相成長装置の要部断面図 第３図 ５・・・ガス等入口 ６・・・反応管

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、高周波磁界によって加熱されるサセプタを有する気
   相成長装置であって、高周波磁界発生用コイルの軸が、
   サセプタの基板搭載面に対して平行して、サセプタを貫
   くように配置されていることを特徴とする装置。