JPS63152123A - 浸漬式の液処理装置 - Google Patents

浸漬式の液処理装置

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Publication number
JPS63152123A
JPS63152123A JP61300652A JP30065286A JPS63152123A JP S63152123 A JPS63152123 A JP S63152123A JP 61300652 A JP61300652 A JP 61300652A JP 30065286 A JP30065286 A JP 30065286A JP S63152123 A JPS63152123 A JP S63152123A
Authority
JP
Japan
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cup
liquid
wafer
housing part
tightly
Prior art date
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Pending
Application number
JP61300652A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Hirakawa
修 平河
Minoru Ota
実 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP61300652A priority Critical patent/JPS63152123A/ja
Publication of JPS63152123A publication Critical patent/JPS63152123A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体製造装置に関し、特にフォトレジスト
膜の塗布や現像装置に適用して好適な半導体製造装置に
関する。
(従来の技術) 一般に、半導体製造装置の製造工程において被処理基板
全面が一様に被着される工程、例えばフォトレジスト膜
の現像装置としては、製造工程の無人化、連続処理等の
見地から被処理基板を1枚ずつ処理する枚葉式のスピン
現像装置が使用されている。
この枚葉式のスピン現像装置においては1通常液吐出ノ
ズルあるいはスプレー等により現像液を基板上に滴下し
て液盛りするのであるが、表面張力の作用により基板上
に盛り得る液量には限度があり、またノズルやスプレー
にて液吐出した場合、基板上での液むらや吐出液の基板
への衝撃は防ぎ得ない。
また、近年使用されるようになった現像液として、解像
度を向上させるために界面活性剤を添加したものや表面
張力の低い液が使用される傾向があり、基板上に表面張
力の作用のみにより必要量の現像液を盛ることが困難と
なったため、浸漬式の現像装置が望まれていた。
上記の点を考慮した装置として、例えば第5図に示すよ
うに実開昭60−52622号公報にて開示された装置
がある。
第5図において、3はウェハホルダ、4はこのウェハホ
ルダの内面に設けられた段部、5はウェハ、6は現像液
であり、ウェハ5の下面周辺部と段部4を液密に接触さ
せウェハ5上に現像液6を盛って、浸漬処理を行なうも
のである。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、前記の開示された装置においては、ウェハホル
ダ3の内側に設けられた段部4に現像液6を盛るため、
現像後ウェハ5を高速回転しウェハ5の上面に図示しな
いリンス液を吹きつけてウェハ5を洗浄する際に、飛び
敗ったリンス液等が段部4に付着し現像液6と混ざり、
現像むらが生じやすい。
また、現像終了後の現像液6の排液手段として、ウェハ
5をウェハホルダ3の段部4から浮かすことにより現像
液6をウェハホルダ3内周部に流し排液孔7から排液す
る構成であるため、現像液6がウェハ5周辺裏面部に付
着残存しやすく、かつウェハチャツク2下部より浸透し
筒状部8を通りモータ9にかかる懸念があるのは避は難
い。
さらに、排液孔7はウェハホルダ3内部に設けられた構
成のため構造上の制約を受け、排液孔7の面積を大きく
とれず排出速度が遅いという問題がある。
本発明は前記のような事情に対処してなされたもので、
被処理基板がクリーンで処理むらが少なく、信頼性およ
びスループットが高い、枚葉処理に適した浸漬式の半導
体製造装置を提供しようとするものである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) すなわち本発明は、被処理基板の下面周辺部と液密に接
触する第1のカップと、この第1のカップと液密に接触
し、側壁を構成する第2のカップとを備え、前記第1の
カップと前記第2のカップとを相対的に上下動可能に構
成することにより、前記第1のカップおよび第2のカッ
プを液密に接触した状態のカップに処理液を溜めて処理
する手段を有することを特徴とする。
(作 用) 本発明の半導体製造装置では、被処理基板と第1のカッ
プ、第1のカップと第2のカップをそれぞれ液密に接触
させたとき容器の働きをし、被処理基板と第1のカップ
が容器の底部、第2のカップが容器の側壁の働きをする
。そのため被処理基板上にこの基板が浸漬するのに充分
な量の処理液を盛ることができるので、処理むらや吐出
液の被処理基板への衝撃のない浸漬式の処理ができる。
また、第1のカップと第2のカップとを相対的に上下動
することにより、両カップ間に広い面積の空間を確保で
きるため排液の排出処理を迅速に行うことができると共
に、この空間に被処理基板から外に向う排気の流れを形
成することにより被処理基板から外に向う排気の流れを
形成することにより被処理基板にリンス液等のミストが
付着するのを防止でき、クリーンでスループットの高い
処理が可能となる。
(実施例) 以下1本発明の半導体製造装置を現像装置に適用した実
施例を図面を参照して説明する。
収容部鉦は下カップ14と上カップ15とからなり、こ
の収容部U内には例えば真空チャック等によリウエハ5
を吸着保持するウェハチャック12が設けられており、
このウェハチャック12は固定部31に取付固定された
モータ30によって回転自在しこ取着されている。
また、上記収容部Hの外部にはこの収容部Uを昇降制御
する昇降駆動部用が設けられている。この昇降駆動部用
は、固定部31に取付固定され収容部Uを昇降するため
の主エアシリンダ32と、この主エアシリンダ32の主
ロッド33の先端に取付けられ、収容部Uを昇降する昇
降金具34と、この昇降金具34に取付固定され下カッ
プ14を昇降する副エアシリンダ35とから構成されて
いる。
一方、上記下カップ14は上記ウェハチャック12の周
囲を取り囲むドーナツ状に構成されており、この下カッ
プ14の内側上部にはウェハ5の裏面を洗浄するための
裏面洗浄ノズル26が設けられ、洗浄液がウェハ5の外
周方向に流出するように構成之れ、洗浄液流入口25に
内通している。
さらに、下カップ14の上面にはウェハ5の下面周辺部
を真空吸着することにより液密にシールする下シール部
13例えばシリコンゴムが、下バツクアツプリング16
によって固定されている。そして。
この下シール部13と下バツクアツプリング16には真
空吸引のための吸引口が設けられており、真空吸引孔2
0と共に真空吸引接続口17に連通し、真空吸引可能に
構成されている。
下カップ14の下面内部には、現像液6の排液が下カッ
プ14の下面内側に流入するのを防ぐため仕切板29が
環状に設けられ、下カップ14の下面外側には現像液6
を排液するための排液管28が設けられている。また、
仕切板29の内側には、気体を排出する排気管24が設
けられ図示しない排気装置に接続されている。
下カップ14の上方には、この下カップ14を取り囲む
ように上カップ15が配置されており、この上カップ1
5の内側には浸漬用現像液6を供給するための多数の液
吐出口21と、浸漬処理後、現像液を強制的に排液する
ための多数の吸引排液口27と。
現像液6を一定の温度に保つための温水等を循環する環
状の温潤水流路22とが設けられている。
また、上カップ15の内側下部には、下カップ14と真
空吸引孔20により液密にシールする上シール部18が
環状に設けられ、この上シール部18は上バツクアップ
リング19により上カップ15に固定されている。
さらに、ウェハチャック12の下には、洗浄液等の付着
した下カップ14を迅速に乾燥するために多数の乾燥ノ
ズル38が設けられており、この乾燥ノズル38から吹
出した気体が下ガップ14の上面に吹きつけられるよう
構成されている。
そして上記構成の現像装置では次のようにして浸漬現像
処理を行う。
先ず、第3図に示すように図示しない搬送装置によりウ
ェハチャック12にウェハ5を載置し吸着保持する。こ
のとき、下カップ14と上カップ15は最下位の位置に
あり、通常この状態に位置している。
次に第4図に示すように、主エアシリンダ32が作動し
て主ロッド33が伸び、この主ロッド33に取付けられ
た昇降金具34が上昇し上カップ15を最上位に上昇さ
せると同時に、下カップ14を昇降金具34に取付固定
された作動していない副エアシリンダ35により、下カ
ップ14の下シール部13がウェハ5の裏面より僅かに
低い位置になるまで上昇させる。
そして、第1図に示すように副エアシリンダ35が作動
して副ロッド36が伸張し下カップ14が上昇する。次
に第2図に示すように、下カップ14が上昇すると下シ
ール部13がウェハ5の裏面に当接しウェハ5を真空吸
引してウェハ5と下シール部13を液密にシールすると
共に、ウェハ5をウェハチャック12から持ち上げる。
さらに下カップ14が上昇すると、真空吸引孔20の周
辺部と上シール部18が当接し真空吸引により上シール
部18と下カップ14とを液密にシールする。
上記のようにウェハ5と下カップ14.下カップ14と
上カップ15を液密にシールした状態に保ち、液吐出口
21から温調水等により保温された現像液6を、上カッ
プ15の内側全周より均一に大量に吐出させ、第1図に
示すようにウェハ6を浸漬現像する。
所定時間浸漬現像後、副エアシリンダ35の作動を停止
し副ロッド36が縮少すると下カップ14が下降し、上
シール部18で液密にシールされていた上カップ15と
下カップ14を切り離し、現像液6を自然落下により下
カップ14の内側外周部に向って流し排液管28により
排液する。
この場合、上カップ15と下カツプ14間には排液に際
し充分な開口面積が得られるので排液速度を著しく速く
でき、また排液の落下する方向が下カップ14の外周部
に向うものであるためモータ30側に流れてしまう可能
性はない。
さらに副ロッド36が縮少し下カップ14が下降すると
、第4図に示すように、ウェハ5はウェハチャック12
に載置され、また下シール部■3により液密にシールさ
れていたウェハ5と下カップ14は切り離される。
この状態で、モータ30を作動させウェハ5を高速回転
することによりウェハ5上に残存する現像液6を振り切
ると同時に、図示しないリンスノズルよりリンス液をウ
ェハ5上に滴下し、現像停止およびウェハ5表面のリン
スを行う。
また、洗浄液流入口25から洗浄液を流入し、IA面洗
浄ノズル26からウェハ5の外周部に向けて洗浄液を流
出させ、ウェハ5の裏面に付着した現像液等を洗浄する
と共に、排気管24から排気を行う。
なお、ウェハ5の回転により振り切られる現像液6やリ
ンス液、裏面洗浄液等は、上カップ15の内側に設けら
れた傾斜部23に当り下方へと落ち、また排気管24に
より排気しているので上カップ15と下カップ14との
開口部分には、上方から下方へ向うJト気流24aが形
成されるため、リンス液等の飛散ミストがウェハ5方面
へ向うことを防止することができる。
上記のリンスおよび裏面洗浄が終了後も一定時間つエバ
5を回転しウェハ5を乾燥させる。
乾燥終了後、主エアシリンダ32の作動を停止し主ロッ
ド33を縮少させ収容部双を下降させ第3図に示すよう
に最初の位置にする。
そして排気流24aを利用して、下カップ14の上面等
に付着したリンス液等を自然乾燥させる。
この実施例では、下カップ14と上カップ15を液密に
シールする上シール部18を上カップI5に設けたが、
この上シール部18は下カップ14に設は上カップ15
面を平面で構成してもよい。ただし、下カップ14の排
液が流れる部分に上シール部18を設けるので排液性が
低下するのは避は難く、この実施例のように上カップ1
5に設けるのが望ましい。
収容部Uを昇降する手段についても、この実施例のエア
シリンダ使用に限定されるものではなく。
昇降できる機構のものであれば、他のどのような手段を
用いても構わない。
また、現像液6の排液方法としては、前記の自然落下に
よるものだけではなく、例えば上カップ15の吸引排液
口27より現像終了後に強制的に排液してもよい。この
方法によれば、現像液6をほぼ全て回収することが可能
であり、リンス液の混入かない純粋な現像液6を回収再
利用することもできる。
さらに、下カップ14を排気流24aを利用して自然乾
燥させるに際し、乾燥ノズル38を併用し例えば窒素(
N2)等の気体を矢印38aで示すように下カップ14
上面方向へ強制的に流出させることにより、より速やか
に下カップ14を乾燥させることができる。
なお、現像速度は温度依存性が高く、現像中での温度変
化を防ぐのに、この実施例のように熱容量が大きく現像
液6に対する熱伝導を支配する上カップ15を利用すれ
ば、温調の効果は向上する。
また、上カップ15と下カップ14とを上シール部18
を吸引することにより液密に接触させているが、上カッ
プ15の重量が充分な場合には、上シール部18を例え
ばOリングとし吸引せずに液密に接触させることも可能
である。
上記実施例では現像装置に適用した例について説明した
が、被処理基板の一方全面が一様に被着される手段であ
れば何れにも適用でき1例えばコーターすなわち、レジ
スト塗布装置に適用してもよい。
〔発明の効果〕
上述のように本発明の製造装置によれば、被処理基板が
クリーンで、処理むらがなく、信頼性およびスループッ
トの優れた処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造装置の一実施例を示す構成図、第
2図は第1図のAの部分拡大説明図、第3図は第1図の
原位置状態の説明図、第4図は第1図の動作途中を示す
説明図、第5図は従来の半導体装置を示す構成図。 5・・・ウェハ        6・・・現像液12・
・・ウェハチャック    13・・・下シール部14
・・・下カップ       15・・・上カップ16
・・・下バツクアツプリング 17・・・真空吸引接続
口18・・・上シール部      19・・上バツク
アップリング20・・・真空吸引孔      21・
・・液吐出口22・・・温調水流路      23・
・・傾斜部24・・・排気管        25・・
・洗浄液流入口26・・・裏面洗浄ノズル    27
・・・吸引排液口28・・・排液管        2
9・・・仕切板30・・・モータ        31
・・・固定部32・・主エアシリンダ    33・・
・主ロッド34・・・昇降金具       35・・
・副エアシリンダ36・・・副ロッド       昇
・・・収容部38・・・乾燥ノズル      洩・・
・昇降駆動部特許出願人  東京エレクトロン株式会社
↓ 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被処理基板の下面周辺部と液密に接触する第1のカップ
    と、この第1のカップと液密に接触し、側壁を構成する
    第2のカップとを備え、前記第1のカップと前記第2の
    カップとを相対的に上下動可能に構成することにより、
    前記第1のカップおよび第2のカップを液密に接触した
    状態のカップに処理液を溜めて処理する手段を有するこ
    とを特徴とする半導体製造装置。
JP61300652A 1986-12-17 1986-12-17 浸漬式の液処理装置 Pending JPS63152123A (ja)

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JP61300652A JPS63152123A (ja) 1986-12-17 1986-12-17 浸漬式の液処理装置

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0290844U (ja) * 1988-12-30 1990-07-18
JPH02194618A (ja) * 1989-01-24 1990-08-01 Tokyo Electron Ltd 回転処理装置
JPH02252238A (ja) * 1989-03-25 1990-10-11 Tokyo Electron Ltd 基板の洗浄装置
JPH0374837A (ja) * 1989-08-17 1991-03-29 Tokyo Electron Ltd 被処理体の現像方法
JPH04155915A (ja) * 1990-10-19 1992-05-28 Fujitsu Ltd 被処理基板の現像方法
JP2014501043A (ja) * 2010-11-30 2014-01-16 シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト ウェーハ又はダイの処理方法

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