JPS6315431A - 半導体装置製造用モ−ルド金型 - Google Patents
半導体装置製造用モ−ルド金型Info
- Publication number
- JPS6315431A JPS6315431A JP16025586A JP16025586A JPS6315431A JP S6315431 A JPS6315431 A JP S6315431A JP 16025586 A JP16025586 A JP 16025586A JP 16025586 A JP16025586 A JP 16025586A JP S6315431 A JPS6315431 A JP S6315431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- abutting surface
- molds
- semiconductor device
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は半導体装4製逍用モールド金型において、一対
の型のうち一方の型にのみ四部を形成し、他方の型は平
坦面とし、型合せが不要な構成とし、且つ該他方の型は
共用化し、上記一方の型だけを交換して、型番の異なる
半導体装置の成形に対応しうる構成としたものである。
の型のうち一方の型にのみ四部を形成し、他方の型は平
坦面とし、型合せが不要な構成とし、且つ該他方の型は
共用化し、上記一方の型だけを交換して、型番の異なる
半導体装置の成形に対応しうる構成としたものである。
本発明は半導体装置製造用モールド金型に関する。
第8図は従来の半導体装置製造用モールド金型1の構造
を示す。図中、2は上型、3は下型であり、夫々の突き
合せ面2a、3aに凹部2b。
を示す。図中、2は上型、3は下型であり、夫々の突き
合せ面2a、3aに凹部2b。
2G、3b、3cが形成しである。上下の型2゜3は、
半導体チップ4が固着されたリードフレーム5を問に挟
んで、且つ凹部2bと3b、及び2Cと3Cとを相対向
させて組み合わされている。
半導体チップ4が固着されたリードフレーム5を問に挟
んで、且つ凹部2bと3b、及び2Cと3Cとを相対向
させて組み合わされている。
四部2bと3bとがキ11ビティ6、凹部2Cと3Cと
がキ11ビティ7を形成する。
がキ11ビティ7を形成する。
8はタブレット投入口、91,1各型2.3に埋め込ま
れたヒータである。
れたヒータである。
その内部に半導体チップ4をリードフレーム5の一部と
共に支持し、樹脂が充填される4−ヤビティ6.7は、
型2の凹部2b (2C)と型3の凹部3b(3c)と
が相対向して形成するものであり、以下に述べる問題点
があった。
共に支持し、樹脂が充填される4−ヤビティ6.7は、
型2の凹部2b (2C)と型3の凹部3b(3c)と
が相対向して形成するものであり、以下に述べる問題点
があった。
まず、成形に際しての型合せの際には、凹部2b (2
c)と凹部3b(3c)とが正確に相対向するように、
型2.3を精度良く位置合せする必要があり、型合せ作
業が困難であるという問題点があった。
c)と凹部3b(3c)とが正確に相対向するように、
型2.3を精度良く位置合せする必要があり、型合せ作
業が困難であるという問題点があった。
また、半導体装置の型番毎に、専用の上型と下型とより
なるモールド金型を用意する必要があり、コストがかさ
むという問題点があった。
なるモールド金型を用意する必要があり、コストがかさ
むという問題点があった。
また、型番の異なる半導体装置を製造するに際しては、
成形態に取り付けられている上型と下型との両方を交換
する必要があり、交換に時間がかかり、しかも上記のよ
うに困難な型合せ作業を必要とするという問題点があっ
た。
成形態に取り付けられている上型と下型との両方を交換
する必要があり、交換に時間がかかり、しかも上記のよ
うに困難な型合せ作業を必要とするという問題点があっ
た。
〔問題点を解決ηるための手段〕
本発明は、半導体チップをこれが固着されたリードフレ
ームと共に樹脂封止する一対の型よりなる半導体装置製
造用モールド金型において、該一対の型のうち、一方の
型のみにその突ぎ合せ面に四部を形成し、 他方の型は、その突き合せ面を実質上平坦面とした構成
である。
ームと共に樹脂封止する一対の型よりなる半導体装置製
造用モールド金型において、該一対の型のうち、一方の
型のみにその突ぎ合せ面に四部を形成し、 他方の型は、その突き合せ面を実質上平坦面とした構成
である。
この構成は、型合せを不要とし、且つ上記他方の型につ
いては製造しようとする半導体装置の種類を迎えても共
通に使用可能とし、金型の設置及び取り苔えの作業性を
向上させ、しから上記一方の望についてだけ半導体装l
の種類に応じて用意づれば足り、金型コストの低減が図
られる。
いては製造しようとする半導体装置の種類を迎えても共
通に使用可能とし、金型の設置及び取り苔えの作業性を
向上させ、しから上記一方の望についてだけ半導体装l
の種類に応じて用意づれば足り、金型コストの低減が図
られる。
第1図は本発明の一実施例になる半導体装置製造用モー
ルド金型10を示す。図中、11は上型、12は下型で
ある。上型11の突き合せ面11aには凹部11b、1
1cが形成しである。下型12の突ぎ合せ面12aには
凹部は形成されておらず、突き合せ面12aは実質上平
坦面12bとなっている。
ルド金型10を示す。図中、11は上型、12は下型で
ある。上型11の突き合せ面11aには凹部11b、1
1cが形成しである。下型12の突ぎ合せ面12aには
凹部は形成されておらず、突き合せ面12aは実質上平
坦面12bとなっている。
凹部11b(11c)がその開口を平坦面12bにより
塞がれてギャビテイ13.14を形成している。
塞がれてギャビテイ13.14を形成している。
型11.12の間には、第2図(A)、(B)。
(C)に示す、半導体チップ15が固着されてワイヤボ
ンディングされた立体形状のリードフレーム16が挟ま
れており、半導体チップ15及びリード16aがキャビ
ティ13.14内に支持されている。
ンディングされた立体形状のリードフレーム16が挟ま
れており、半導体チップ15及びリード16aがキャビ
ティ13.14内に支持されている。
タブレッ1− (図示せず)を投入口17内に投入して
プランジj+ (図示Uず)で押圧することにより、樹
脂がランチ及びゲート(共に図示せず)を通してキャビ
ティ13.14内に充填され、半導体チップ15がリー
ドフレーム16の一部と共に樹脂1・1止される。この
後、型11.12を離して成形品をモールド金型10よ
り取り外し、リードフレームを切断することにより、第
3図乃至第5図に示すように、リード16aが樹脂パッ
ケージ18内でこの高さ方向に屈曲しており、この一端
側16a−1が端子として樹脂パッケージ18の下面に
露出して且つ両側に延出した格上の半導体装置19が得
られる。
プランジj+ (図示Uず)で押圧することにより、樹
脂がランチ及びゲート(共に図示せず)を通してキャビ
ティ13.14内に充填され、半導体チップ15がリー
ドフレーム16の一部と共に樹脂1・1止される。この
後、型11.12を離して成形品をモールド金型10よ
り取り外し、リードフレームを切断することにより、第
3図乃至第5図に示すように、リード16aが樹脂パッ
ケージ18内でこの高さ方向に屈曲しており、この一端
側16a−1が端子として樹脂パッケージ18の下面に
露出して且つ両側に延出した格上の半導体装置19が得
られる。
第1図より分かるように、モールド金型10は、キャビ
ティ13.14が、上型11の凹部11b(11c)と
下型12の平坦面12bとにより形成される構成である
ため、キャごティを形成するための上型11と下型12
との型合せは実v1的に不要となり、型11.12の成
形橢への取(44)は容易に且つ作業性良く行ないうる
。
ティ13.14が、上型11の凹部11b(11c)と
下型12の平坦面12bとにより形成される構成である
ため、キャごティを形成するための上型11と下型12
との型合せは実v1的に不要となり、型11.12の成
形橢への取(44)は容易に且つ作業性良く行ないうる
。
また、下型12については凹部が形成されていないため
、これに凹部を形成した構成に比べて下型12自体の構
造が簡単となり且つ¥lJ造コフコスト価となる。これ
により、モールド金型10も、第8図の従来のモールド
金型1に比べて構造が簡単となって且つ安価となる。
、これに凹部を形成した構成に比べて下型12自体の構
造が簡単となり且つ¥lJ造コフコスト価となる。これ
により、モールド金型10も、第8図の従来のモールド
金型1に比べて構造が簡単となって且つ安価となる。
次に、第3図の半導体装置19とは型番の異なる第7図
に示す形状の半導体装置20を製造しようとする場合の
、モールド金型10の変更について説明する。
に示す形状の半導体装置20を製造しようとする場合の
、モールド金型10の変更について説明する。
この場合には、第6図に示す半導体装釘製造用モールド
金型21を使用する。このモールド金型20は、第1図
の下型12は変えずにそのまま使用し、上型11だけを
突き合せ面23aに第6図中の樹脂パッケージ22に対
応した形状の凹部23bを有する上型23に変更した構
造である。
金型21を使用する。このモールド金型20は、第1図
の下型12は変えずにそのまま使用し、上型11だけを
突き合せ面23aに第6図中の樹脂パッケージ22に対
応した形状の凹部23bを有する上型23に変更した構
造である。
このときにも、上型23と下型12との型合せは不要で
ある。また下型12は取り外さずに固定したままであり
、上型11だけを交換すればよく、このことによっても
、モールド金型を取り苔える作業は容易に行なわれる。
ある。また下型12は取り外さずに固定したままであり
、上型11だけを交換すればよく、このことによっても
、モールド金型を取り苔える作業は容易に行なわれる。
このモールド金型10を使用して、第6図に示す形状の
半導体装置20が製造される。
半導体装置20が製造される。
なお、第1図及び第7図中、24は型内に埋め込まれた
ヒータである。
ヒータである。
上記より分かるように本実施例のモールド金型によれば
、下型12が共用化されるため、製造しようとする半導
体装■の種類の数だけ、上型と下型とを対として用意す
る必要はなく、上記種類毎に上型だ【ノを用意すればよ
く、金型コストを低減しうる。
、下型12が共用化されるため、製造しようとする半導
体装■の種類の数だけ、上型と下型とを対として用意す
る必要はなく、上記種類毎に上型だ【ノを用意すればよ
く、金型コストを低減しうる。
本発明によれば、組み合わされてモールド金型を構成す
る一対の型のうち、一方にのみ凹部を形成し、他方は平
坦面とし、キャビティを実質上上記の凹部のみにより形
成する構成であるため、型ずれの心配がなく、型合せが
不要となり、成形はへの取り付けを容易に行なうことが
出来、しかも上記他方の型は共用化し、上記一方の型の
みを複数種類用意すれば足り、金型コストの低減を図る
ことが出来、しかも製造しようとする半導体装置の種類
に応じてモールド金型を取り替える作業を能率良く行な
うことが出来るという特長を有する。
る一対の型のうち、一方にのみ凹部を形成し、他方は平
坦面とし、キャビティを実質上上記の凹部のみにより形
成する構成であるため、型ずれの心配がなく、型合せが
不要となり、成形はへの取り付けを容易に行なうことが
出来、しかも上記他方の型は共用化し、上記一方の型の
みを複数種類用意すれば足り、金型コストの低減を図る
ことが出来、しかも製造しようとする半導体装置の種類
に応じてモールド金型を取り替える作業を能率良く行な
うことが出来るという特長を有する。
第1図は本発明の半導体装置tJ造用モールド金型の一
実施例を示す図、 第2図(A)は第1図のモールド金型に挟み込まれる半
導体チップが固着されたリードフレームの平面図、 第2図(B)、(C)は夫々第2図(A)中IIB−I
IB線、I[C−1f(JJに沿う断面矢視図、第3図
は第1図のモールド金型により製造された半導体装置の
斜視図、 第4図及び第5図は夫々第3図中IV −IV線及び■
−v線に沿う断面矢視図、 第6図は、第1図中下型は共用し、上型だけを交換して
構成したモールド金型を示す図、第7図は第6図のモー
ルド金型により製造された半導体装置の斜視図、 第8図は従来の半導体装置製造用モールド金型を示す図
である。 図において、 10.21は半導体装置製造用上−ルド金型、11.2
3は上型、 11a、12a、23aは突き合せ面、11b、11c
、23bは凹部、 12は下型、 12bは平坦面、 13.14はキャビティ、 15は半導体チップ、 16はリードフレーム、 18.22は樹脂パッケージ、 19.20は半導体装置である。 10牢番岑ト1製編用 一4=−1し)づ=ピ覧L 19牛稼惨妓量 CB) )、−11C (C) (A) 峯3図yv+−vt霧象I:姶り手r噴t(刺し団第4
図 19判1本に1 13uミq”rv−v 課−、i う#−“’rffi
’Jミi)嘔1!、1コ臣;[第5図 12bv退面 第6図 親半本体妖l 第1図 上 第8図
実施例を示す図、 第2図(A)は第1図のモールド金型に挟み込まれる半
導体チップが固着されたリードフレームの平面図、 第2図(B)、(C)は夫々第2図(A)中IIB−I
IB線、I[C−1f(JJに沿う断面矢視図、第3図
は第1図のモールド金型により製造された半導体装置の
斜視図、 第4図及び第5図は夫々第3図中IV −IV線及び■
−v線に沿う断面矢視図、 第6図は、第1図中下型は共用し、上型だけを交換して
構成したモールド金型を示す図、第7図は第6図のモー
ルド金型により製造された半導体装置の斜視図、 第8図は従来の半導体装置製造用モールド金型を示す図
である。 図において、 10.21は半導体装置製造用上−ルド金型、11.2
3は上型、 11a、12a、23aは突き合せ面、11b、11c
、23bは凹部、 12は下型、 12bは平坦面、 13.14はキャビティ、 15は半導体チップ、 16はリードフレーム、 18.22は樹脂パッケージ、 19.20は半導体装置である。 10牢番岑ト1製編用 一4=−1し)づ=ピ覧L 19牛稼惨妓量 CB) )、−11C (C) (A) 峯3図yv+−vt霧象I:姶り手r噴t(刺し団第4
図 19判1本に1 13uミq”rv−v 課−、i う#−“’rffi
’Jミi)嘔1!、1コ臣;[第5図 12bv退面 第6図 親半本体妖l 第1図 上 第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体チップをこれが固着されたリードフレームと共に
樹脂封止する一対の型よりなる半導体装置製造用モール
ド金型において、 該一対の型のうち、一方の型(11、23)のみにその
突き合せ面(11a、23a)に凹部(11b、11c
、23b)を形成し、 他方の型(12)は、その突き合せ面(12a)を実質
上平坦面(12b)とした構成を特徴とする半導体装置
製造用モールド金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16025586A JPS6315431A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置製造用モ−ルド金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16025586A JPS6315431A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置製造用モ−ルド金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315431A true JPS6315431A (ja) | 1988-01-22 |
Family
ID=15711048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16025586A Pending JPS6315431A (ja) | 1986-07-08 | 1986-07-08 | 半導体装置製造用モ−ルド金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6315431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06280464A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Toyo Kensetsu Kk | 竪孔用水中掘削機の挿入方法および装置 |
| US6000924A (en) * | 1996-01-24 | 1999-12-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Pressurized underfill encapsulation of integrated circuits |
| US6146919A (en) * | 1997-07-09 | 2000-11-14 | Micron Technology, Inc. | Package stack via bottom leaded plastic (BLP) packaging |
-
1986
- 1986-07-08 JP JP16025586A patent/JPS6315431A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06280464A (ja) * | 1993-03-29 | 1994-10-04 | Toyo Kensetsu Kk | 竪孔用水中掘削機の挿入方法および装置 |
| US6000924A (en) * | 1996-01-24 | 1999-12-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Pressurized underfill encapsulation of integrated circuits |
| US6146919A (en) * | 1997-07-09 | 2000-11-14 | Micron Technology, Inc. | Package stack via bottom leaded plastic (BLP) packaging |
| US6188021B1 (en) | 1997-07-09 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Package stack via bottom leaded plastic (BLP) packaging |
| US6213747B1 (en) * | 1997-07-09 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Package stack via bottom leaded plastic (BLP) packaging |
| US6265660B1 (en) | 1997-07-09 | 2001-07-24 | Micron Technology, Inc. | Package stack via bottom leaded plastic (BLP) packaging |
| US6537051B2 (en) | 1997-07-09 | 2003-03-25 | Micron Technology, Inc. | Encapsulation mold with a castellated inner surface |
| US6899534B2 (en) | 1997-07-09 | 2005-05-31 | Micron Technology, Inc. | Mold assembly for a package stack via bottom-leaded plastic (blp) packaging |
| US7094046B2 (en) | 1997-07-09 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Mold assembly for a package stack via bottom-leaded plastic (BLP) packaging |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2564707B2 (ja) | 電子部品用リードフレームにおけるモールド部のマルチ式成形方法及び成形装置 | |
| JPH0560656B2 (ja) | ||
| US5454705A (en) | Semiconductor mold having cavity blocks with cavities on top and bottom surfaces | |
| JPS6315431A (ja) | 半導体装置製造用モ−ルド金型 | |
| JPS61292330A (ja) | 半導体樹脂封止装置 | |
| US5071612A (en) | Method for sealingly molding semiconductor electronic components | |
| JPH01138724A (ja) | 半導体装置のモールド方法および装置 | |
| JPH065645A (ja) | 半導体素子の樹脂成形方法 | |
| JPS5994428A (ja) | 半導体用樹脂封止金型 | |
| JPS6058813A (ja) | 成形型 | |
| JPS6237120A (ja) | モ−ルド金型およびモ−ルド方法 | |
| JPS5921050A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04196330A (ja) | 半導体樹脂封止装置 | |
| JPH023299B2 (ja) | ||
| JPH04179131A (ja) | 樹脂封止金型 | |
| JP2628685B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000158493A (ja) | 射出成形装置および方法 | |
| JP2664945B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止金型 | |
| JPH06254910A (ja) | 電子部品の樹脂封止用金型 | |
| JP4493170B2 (ja) | プラスチックパッケージの製造方法 | |
| JPH01157539A (ja) | リードフレームの樹脂封止用のトランスファ成形用金型 | |
| JP3592880B2 (ja) | パッケージ型電子部品及びその製造方法 | |
| JP2950782B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0233509B2 (ja) | Jushifushigatahandotaisochomoorudokanagata | |
| JPS59165636A (ja) | 樹脂封止用金型 |