JPS6315547B2 - - Google Patents
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- JPS6315547B2 JPS6315547B2 JP54061778A JP6177879A JPS6315547B2 JP S6315547 B2 JPS6315547 B2 JP S6315547B2 JP 54061778 A JP54061778 A JP 54061778A JP 6177879 A JP6177879 A JP 6177879A JP S6315547 B2 JPS6315547 B2 JP S6315547B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H10P70/15—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only
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- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Gas Separation By Absorption (AREA)
- Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は亜若しくは次亜ハロゲン酸塩の濃度制
御方法に関し、更に詳しくは例えば屎尿、下水処
理場、養鶏、養豚揚、各種工場等において発生す
る各種悪臭成分を含有する悪臭ガスを処理する際
に用いる洗浄用の亜若しくは次亜ハロゲン酸塩溶
液中の該塩の濃度を制御する方法に関する。
御方法に関し、更に詳しくは例えば屎尿、下水処
理場、養鶏、養豚揚、各種工場等において発生す
る各種悪臭成分を含有する悪臭ガスを処理する際
に用いる洗浄用の亜若しくは次亜ハロゲン酸塩溶
液中の該塩の濃度を制御する方法に関する。
従来斯かる亜若しくは次亜ハロゲン酸塩等の濃
度を制御する方法として例えば近紫外吸光光度法
や電量法が知られている。しかし近紫外吸光光度
法ではもともと装置が高価なうえ、例えば次亜塩
素酸イオン（ClO-）の吸光度がPH及び温度の影
響を受けるため、検出部を高濃度アルカリに保持
しなければならないという欠点がある。従つてこ
の方法では高濃度アルカリ溶液を必要とし、検出
部前の混合槽の取付け、PH管理等の付帯設備等の
面でも不利である。また電量法ではやはり検出電
極に対するPHの影響が著しく検出部のPHを高く保
持する必要がある上に、水の濁り等による検出部
へのスケールの付着或いは液温度による影響が著
しいという欠点がある。
度を制御する方法として例えば近紫外吸光光度法
や電量法が知られている。しかし近紫外吸光光度
法ではもともと装置が高価なうえ、例えば次亜塩
素酸イオン（ClO-）の吸光度がPH及び温度の影
響を受けるため、検出部を高濃度アルカリに保持
しなければならないという欠点がある。従つてこ
の方法では高濃度アルカリ溶液を必要とし、検出
部前の混合槽の取付け、PH管理等の付帯設備等の
面でも不利である。また電量法ではやはり検出電
極に対するPHの影響が著しく検出部のPHを高く保
持する必要がある上に、水の濁り等による検出部
へのスケールの付着或いは液温度による影響が著
しいという欠点がある。
そこで本発明者は斯かる従来法の欠点を解決す
るために、被制御溶液に直接酸化還元電位計（以
下酸化還元電位をORPと略記する）を接続して、
該被制御溶液中の亜若しくは次亜ハロゲン酸塩の
濃度を制御する方法（直接ORP制御方法という）
について検討を行つた。しかしながら直接ORP
制御方法では上記ハロゲン酸塩の濃度の変化によ
るORP変化は殆どなく、従つて数ｍＶの電位変
化により制御しなければならず、工業的なレベル
で操作することは不可能であり、よつて任意の濃
度に制御することが困難であつた。
るために、被制御溶液に直接酸化還元電位計（以
下酸化還元電位をORPと略記する）を接続して、
該被制御溶液中の亜若しくは次亜ハロゲン酸塩の
濃度を制御する方法（直接ORP制御方法という）
について検討を行つた。しかしながら直接ORP
制御方法では上記ハロゲン酸塩の濃度の変化によ
るORP変化は殆どなく、従つて数ｍＶの電位変
化により制御しなければならず、工業的なレベル
で操作することは不可能であり、よつて任意の濃
度に制御することが困難であつた。
本発明者は斯かる問題点に鑑み亜若しくは次亜
ハロゲン酸塩を含む被制御溶液の濃度を制御する
方法につき鋭意研究を継続して行ない、間接
ORP測定方法を利用する濃度制御方法、即ち被
制御溶液の一部を取り出し、これに酸化還元反応
試薬を混合してORPを測定する濃度制御方法に
ついて種々検討を行つた。その結果、斯かる間接
ORP制御方法で使用可能な種々の酸化還元反応
試薬のうち、特にNa2SO3、Na2S2O3、H2O2等が
水酸化物によるスケールの生成や毒性などの問題
点もなく有用であるが、Na2SO3を用いた場合、
該Na2SO3濃度の経時変化が著しく連続制御する
場合の試薬として不適当であり、Na2S2O3も経時
変化は少ないが、液PHにより例えばClO-との反
応比率が異なるため、PHを厳密に一定状態に保つ
必要があり制御用試薬として使用する場合に問題
があることが判り、一方H2O2を用いる場合にも、
H2O2溶液のPHが問題となり、余りPHが高くなる
とH2O2の解離平衡によりHO2 -を生じるため反応
が進行しなくなり、またPHが低いと反応速度が遅
くなり短時間での反応が望めなくなり、且つ被制
御溶液のPHにより当量点変動が著しく、ORP制
御設定点が定まらないため制御困難となることが
判明した。しかしながら更に研究を続けたとこ
ろ、酸化還元反応試薬としてのH2O2溶液に緩衝
剤を添加することにより被制御溶液のPHによる当
量点変動が著しく抑制され、且つ緩衝剤の添加に
より同時にH2O2溶液のPHを特定の範囲に保つこ
とにより制御誤差を著しく少なくできることを見
い出した。本発明は斯かる新規な知見に基づき完
成されたものである。
ハロゲン酸塩を含む被制御溶液の濃度を制御する
方法につき鋭意研究を継続して行ない、間接
ORP測定方法を利用する濃度制御方法、即ち被
制御溶液の一部を取り出し、これに酸化還元反応
試薬を混合してORPを測定する濃度制御方法に
ついて種々検討を行つた。その結果、斯かる間接
ORP制御方法で使用可能な種々の酸化還元反応
試薬のうち、特にNa2SO3、Na2S2O3、H2O2等が
水酸化物によるスケールの生成や毒性などの問題
点もなく有用であるが、Na2SO3を用いた場合、
該Na2SO3濃度の経時変化が著しく連続制御する
場合の試薬として不適当であり、Na2S2O3も経時
変化は少ないが、液PHにより例えばClO-との反
応比率が異なるため、PHを厳密に一定状態に保つ
必要があり制御用試薬として使用する場合に問題
があることが判り、一方H2O2を用いる場合にも、
H2O2溶液のPHが問題となり、余りPHが高くなる
とH2O2の解離平衡によりHO2 -を生じるため反応
が進行しなくなり、またPHが低いと反応速度が遅
くなり短時間での反応が望めなくなり、且つ被制
御溶液のPHにより当量点変動が著しく、ORP制
御設定点が定まらないため制御困難となることが
判明した。しかしながら更に研究を続けたとこ
ろ、酸化還元反応試薬としてのH2O2溶液に緩衝
剤を添加することにより被制御溶液のPHによる当
量点変動が著しく抑制され、且つ緩衝剤の添加に
より同時にH2O2溶液のPHを特定の範囲に保つこ
とにより制御誤差を著しく少なくできることを見
い出した。本発明は斯かる新規な知見に基づき完
成されたものである。
即ち本発明は、亜若しくは次亜ハロゲン酸塩の
濃度制御をすべき被制御溶液の一部を取り出し、
これに緩衝剤の添加によりPHを６〜12に調節した
過酸化水素溶液を混合し、該混合液の酸化還元電
位を測定することにより、亜若しくは次亜ハロゲ
ン酸塩の濃度制御を行うことを特徴とする亜若し
くは次亜ハロゲン酸塩の濃度制御方法に係る。
濃度制御をすべき被制御溶液の一部を取り出し、
これに緩衝剤の添加によりPHを６〜12に調節した
過酸化水素溶液を混合し、該混合液の酸化還元電
位を測定することにより、亜若しくは次亜ハロゲ
ン酸塩の濃度制御を行うことを特徴とする亜若し
くは次亜ハロゲン酸塩の濃度制御方法に係る。
本発明の濃度制御方法を使用することにより各
種の悪臭成分を含有する有害、悪臭ガスを有効に
且つ洗浄用の被制御溶液の損失を殆ど伴うことな
く除去することのできる、被制御溶液を提供する
ことができる。上記悪臭成分としては例えばアン
モニア、アミン類、低級脂肪酸、硫化水素、メル
カプタン類、チオエーテル類、二硫化アルキル、
アルデヒド類等を例示できる。
種の悪臭成分を含有する有害、悪臭ガスを有効に
且つ洗浄用の被制御溶液の損失を殆ど伴うことな
く除去することのできる、被制御溶液を提供する
ことができる。上記悪臭成分としては例えばアン
モニア、アミン類、低級脂肪酸、硫化水素、メル
カプタン類、チオエーテル類、二硫化アルキル、
アルデヒド類等を例示できる。
本発明で濃度制御の対象となる亜若しくは次亜
ハロゲン酸塩としては例えば亜塩素酸、亜臭素
酸、亜沃素酸等の亜ハロゲン酸のアルカリ金属塩
若しくはアルカリ土類金属塩又は次亜塩素酸、次
亜臭素酸、次亜沃素酸等の次亜ハロゲン酸のアル
カリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩を挙げる
ことができ、就中亜塩素酸ソーダ、次亜塩素酸ソ
ーダ、次亜臭素酸ソーダ等の濃度制御に適用され
る。
ハロゲン酸塩としては例えば亜塩素酸、亜臭素
酸、亜沃素酸等の亜ハロゲン酸のアルカリ金属塩
若しくはアルカリ土類金属塩又は次亜塩素酸、次
亜臭素酸、次亜沃素酸等の次亜ハロゲン酸のアル
カリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩を挙げる
ことができ、就中亜塩素酸ソーダ、次亜塩素酸ソ
ーダ、次亜臭素酸ソーダ等の濃度制御に適用され
る。
本発明の方法において使用される過酸化水素溶
液は、水溶液が好ましく、緩衝剤を添加すること
によりそのPHを６〜12の範囲に保つことが必要で
ある。更には該PHを６〜10の範囲に保つことによ
り、ORP滴定における滴定誤差を±５％以内と
することができ、より好ましい。また上記PH範囲
を８〜10とする場合には滴定誤差を更に小さくす
ることができ、より一層好ましい。また本発明で
は緩衝剤を加えたH2O2溶液を用いることにより、
被制御溶液のPHに基づく当量点変動の影響を受け
ることが少なく、該変動を100ｍＶの範囲内に抑
えることができ、制御誤差を小さくできる。また
上記過酸化水素溶液として、例えばソーダ石灰、
アスカライト、ピロガロール、塩化カルシウム等
でその開口部をシールした容器中に貯えた過酸化
水素溶液を使用する場合には、経時変化も一層少
なく、被制御溶液のPH変化に対しても殆ど影響を
受けず、酸化還元反応試薬として最も優れたもの
である。
液は、水溶液が好ましく、緩衝剤を添加すること
によりそのPHを６〜12の範囲に保つことが必要で
ある。更には該PHを６〜10の範囲に保つことによ
り、ORP滴定における滴定誤差を±５％以内と
することができ、より好ましい。また上記PH範囲
を８〜10とする場合には滴定誤差を更に小さくす
ることができ、より一層好ましい。また本発明で
は緩衝剤を加えたH2O2溶液を用いることにより、
被制御溶液のPHに基づく当量点変動の影響を受け
ることが少なく、該変動を100ｍＶの範囲内に抑
えることができ、制御誤差を小さくできる。また
上記過酸化水素溶液として、例えばソーダ石灰、
アスカライト、ピロガロール、塩化カルシウム等
でその開口部をシールした容器中に貯えた過酸化
水素溶液を使用する場合には、経時変化も一層少
なく、被制御溶液のPH変化に対しても殆ど影響を
受けず、酸化還元反応試薬として最も優れたもの
である。
本発明で使用する緩衝剤としては酸化還元反応
試薬であるH2O2及び被制御溶液例えばNaClO溶
液と反応しないもので、弱酸あるいは弱塩基とそ
れらの共役塩基あるいは共役酸との混合水溶液が
広く使用可能であり、例えばホウ砂、ホウ酸、ホ
ウ酸一水素塩等のホウ酸塩、リン酸一水素塩、リ
ン酸二水素塩等のリン酸塩、クエン酸ナトリウム
等のクエン酸塩、或いはこれ等とNaOH、HCl等
との混合物等を使用できる。本発明では斯かる緩
衝剤を使用して６〜12、好ましくは６〜10、より
好ましくは８〜10の範囲のPHを有するH2O2溶液
を調製するのが良く、このためには例えばホウ砂
を用いる場合には酸化還元反応試薬中における濃
度が約0.005〜0.2M／となる範囲が好ましい。
試薬であるH2O2及び被制御溶液例えばNaClO溶
液と反応しないもので、弱酸あるいは弱塩基とそ
れらの共役塩基あるいは共役酸との混合水溶液が
広く使用可能であり、例えばホウ砂、ホウ酸、ホ
ウ酸一水素塩等のホウ酸塩、リン酸一水素塩、リ
ン酸二水素塩等のリン酸塩、クエン酸ナトリウム
等のクエン酸塩、或いはこれ等とNaOH、HCl等
との混合物等を使用できる。本発明では斯かる緩
衝剤を使用して６〜12、好ましくは６〜10、より
好ましくは８〜10の範囲のPHを有するH2O2溶液
を調製するのが良く、このためには例えばホウ砂
を用いる場合には酸化還元反応試薬中における濃
度が約0.005〜0.2M／となる範囲が好ましい。
本発明において被制御溶液である亜若しくは次
亜ハロゲン酸塩溶液中における全塩濃度は、
ORP滴定誤差の見地から約20wt／ｖ％以下が好
ましく、更には約5wt／ｖ％以下がより好まし
い。ここで全塩濃度とは脱臭反応により生ずる
Na2SO4、NaClその他反応生成塩、水中に存在
する塩、次亜塩等に存在する塩などの濃度を意味
するものであり、次亜塩等に含まれる有効塩素濃
度とは無関係のものである。また被制御溶液のPH
はORP変化及び滴定誤差の見地から５〜13、よ
り好ましくは７〜11が望ましいが、更には有害ガ
スを洗浄する場合の含有CO2の問題或いは例えば
NaClOの解離平衡の関係より7.8〜10の範囲が特
に好ましい。
亜ハロゲン酸塩溶液中における全塩濃度は、
ORP滴定誤差の見地から約20wt／ｖ％以下が好
ましく、更には約5wt／ｖ％以下がより好まし
い。ここで全塩濃度とは脱臭反応により生ずる
Na2SO4、NaClその他反応生成塩、水中に存在
する塩、次亜塩等に存在する塩などの濃度を意味
するものであり、次亜塩等に含まれる有効塩素濃
度とは無関係のものである。また被制御溶液のPH
はORP変化及び滴定誤差の見地から５〜13、よ
り好ましくは７〜11が望ましいが、更には有害ガ
スを洗浄する場合の含有CO2の問題或いは例えば
NaClOの解離平衡の関係より7.8〜10の範囲が特
に好ましい。
本発明の制御方法をより具体的に説明する。
一般に酸化還元当量反応は、式
Nox・Vox＝NRed・VRed
［式中、Noxは酸化剤の規定濃度、NRedは還元
剤の規定濃度、Voxは酸化剤の容量、VRedは還
元剤の容量を示す。］ で表わされる。
剤の規定濃度、Voxは酸化剤の容量、VRedは還
元剤の容量を示す。］ で表わされる。
今、被制御溶液の制御すべき設定濃度をNox
規定、その一部取り出す送液量をVox（ml）とす
る。一方、被制御溶液と混合する前記特定PHの過
酸化水素溶液を上記式の関係を満たす様に濃度を
NRed規定に調整しておく。NRedは任意に定め
得るが、例えばVoxと過酸化水素溶液の送液量
VRedの関係がVox＝VRedであれば、Nox＝
NRedとなるようにNRed規定濃度を定めれば良
い。
規定、その一部取り出す送液量をVox（ml）とす
る。一方、被制御溶液と混合する前記特定PHの過
酸化水素溶液を上記式の関係を満たす様に濃度を
NRed規定に調整しておく。NRedは任意に定め
得るが、例えばVoxと過酸化水素溶液の送液量
VRedの関係がVox＝VRedであれば、Nox＝
NRedとなるようにNRed規定濃度を定めれば良
い。
上記式の関係が成立する反応電位が当量電位で
あり、別途確認して置く。被制御溶液と過酸化水
素溶液との混合液の電位をORP電極により検出
したときに、被制御溶液の濃度が所定の過酸化水
素の濃度よりも濃い場合、例えば上記例でNox
≧NRedの状態では当量電位以上の電位が示さ
れ、この場合には供給液の送液のための制御回路
が作動しないようにしておく。一方、被制御溶液
の濃度が悪臭ガス処理等により消費されて該過酸
化水素の濃度よりも薄くなつた場合、例えば上記
例でNox＜NRedの状態では、当量電位未満の電
位が示され、この場合には制御回路が作動し供給
液が被制御溶液内に送液され、被制御溶液の濃度
が増加し、Nox＝NRedの状態に復起すると制御
回路を介して送供液の送液が停止する。
あり、別途確認して置く。被制御溶液と過酸化水
素溶液との混合液の電位をORP電極により検出
したときに、被制御溶液の濃度が所定の過酸化水
素の濃度よりも濃い場合、例えば上記例でNox
≧NRedの状態では当量電位以上の電位が示さ
れ、この場合には供給液の送液のための制御回路
が作動しないようにしておく。一方、被制御溶液
の濃度が悪臭ガス処理等により消費されて該過酸
化水素の濃度よりも薄くなつた場合、例えば上記
例でNox＜NRedの状態では、当量電位未満の電
位が示され、この場合には制御回路が作動し供給
液が被制御溶液内に送液され、被制御溶液の濃度
が増加し、Nox＝NRedの状態に復起すると制御
回路を介して送供液の送液が停止する。
このようにして、被制御溶液の一部を過酸化水
素溶液と混合して酸化還元反応させることによ
り、その反応電位と当量電位の関係から被制御溶
液の濃度を予め定められた設定濃度に制御するも
のである。特に、本発明においては、過酸化水素
溶液のPHを前記特定範囲内に調整していることに
より、制御誤差が著しく少ない。
素溶液と混合して酸化還元反応させることによ
り、その反応電位と当量電位の関係から被制御溶
液の濃度を予め定められた設定濃度に制御するも
のである。特に、本発明においては、過酸化水素
溶液のPHを前記特定範囲内に調整していることに
より、制御誤差が著しく少ない。
本発明の間接ORP制御による亜若しくは次亜
ハロゲン酸塩高濃度溶液即ち供給液の供給方法と
しては、２点設定電位を用いて２点間による
ORP制御の方法、１点制御による方法でかつ制
御信号ONの時点から一定時間タイマーにより供
給する方法、１点制御だけでON、OFF供給する
方法等任意の方法を採用することができる。また
被制御溶液の汚れに対してはフイルターを通過さ
せることにより防ぐことができる。又、イオウ化
合物とNaClOとの反応により生ずるコロイド状
イオウに対してもフイルターの効果は十分であ
り、コロイド状イオウ1000ppmでも十分過が可
能である。
ハロゲン酸塩高濃度溶液即ち供給液の供給方法と
しては、２点設定電位を用いて２点間による
ORP制御の方法、１点制御による方法でかつ制
御信号ONの時点から一定時間タイマーにより供
給する方法、１点制御だけでON、OFF供給する
方法等任意の方法を採用することができる。また
被制御溶液の汚れに対してはフイルターを通過さ
せることにより防ぐことができる。又、イオウ化
合物とNaClOとの反応により生ずるコロイド状
イオウに対してもフイルターの効果は十分であ
り、コロイド状イオウ1000ppmでも十分過が可
能である。
本発明の制御方法は他の種々の面に応用又は転
用することが可能である。例えば亜塩素酸
（ClO2）を含有する有害ガスをH2O2溶液で洗浄
処理する場合のH2O2溶液の濃度制御に酸化還元
反応試薬としてNaClO溶液を用いて本発明方法
を使用したり、或いは窒素酸化物（NOx）を含
有する有害ガスを亜塩素酸ソーダ（NaClO2）含
有水溶液で洗浄する場、NaClO2の濃度を一定範
囲内に保つため本発明の制御方法を用いたりする
ことができる。
用することが可能である。例えば亜塩素酸
（ClO2）を含有する有害ガスをH2O2溶液で洗浄
処理する場合のH2O2溶液の濃度制御に酸化還元
反応試薬としてNaClO溶液を用いて本発明方法
を使用したり、或いは窒素酸化物（NOx）を含
有する有害ガスを亜塩素酸ソーダ（NaClO2）含
有水溶液で洗浄する場、NaClO2の濃度を一定範
囲内に保つため本発明の制御方法を用いたりする
ことができる。
以下に本発明の好ましい実施の態様を第１図に
示したフローシートに従い説明する。
示したフローシートに従い説明する。
被制御溶液１はフイルター２を通り循環する。
被制御溶液の一部は定量ポンプ３の作動により、
フイルターを通過したのち脱泡槽４で気液分離さ
れ、混合槽５へ送られる。一方、予め定められた
設定濃度の被制御溶液と当量反応する濃度の酸化
還元反応試薬６も定量ポンプにより被制御溶液と
同時に同量が混合槽へ送られ、反応した時の
ORPが検出電極により連続してORPメータ７に
より測定される。この場合、送液量が同量である
のでポンプが一台で済むという利点が得られる。
被制御溶液中の亜若しくは次亜ハロゲン酸塩が悪
臭ガス洗浄装置１０に循環することにより消費さ
れ、その濃度が低下し、所定の制御濃度に達する
とORPの大きな変化が生ずる。ORP制御電位を
所定電位に設定しておけば、その電位に達すると
制御回路８が働き、亜若しくは次亜ハロゲン酸塩
高濃度溶液である供給液９が注入され制御濃度を
保つようになつている。
被制御溶液の一部は定量ポンプ３の作動により、
フイルターを通過したのち脱泡槽４で気液分離さ
れ、混合槽５へ送られる。一方、予め定められた
設定濃度の被制御溶液と当量反応する濃度の酸化
還元反応試薬６も定量ポンプにより被制御溶液と
同時に同量が混合槽へ送られ、反応した時の
ORPが検出電極により連続してORPメータ７に
より測定される。この場合、送液量が同量である
のでポンプが一台で済むという利点が得られる。
被制御溶液中の亜若しくは次亜ハロゲン酸塩が悪
臭ガス洗浄装置１０に循環することにより消費さ
れ、その濃度が低下し、所定の制御濃度に達する
とORPの大きな変化が生ずる。ORP制御電位を
所定電位に設定しておけば、その電位に達すると
制御回路８が働き、亜若しくは次亜ハロゲン酸塩
高濃度溶液である供給液９が注入され制御濃度を
保つようになつている。
以下に本発明を実施例を挙げて説明する。
実施例 １
第１図に記載したフローシートに従つて下記要
領で次亜塩素酸ナトリウムの濃度制御を行つた。
領で次亜塩素酸ナトリウムの濃度制御を行つた。
制御方法：１点設定による間接ORP制御方法
被制御溶液：NaClO、PH＝５
酸化還元反応試薬：クエン酸ソーダ0.06M／と
NaOHを添加した0.0226規定H2O2水溶液、PH
＝６ 上記被制御溶液中のNaClOの制御濃度（有効
塩素）を800ppm、制御ORPを＋500ｍＶと設定
する。次いで1M／のNa2SO3水溶液を用いて
該被制御溶液の濃度を変化させながら、制御可能
な上限及び下限濃度を調べたところそれぞれ
890ppm及び820ppmであつた。
NaOHを添加した0.0226規定H2O2水溶液、PH
＝６ 上記被制御溶液中のNaClOの制御濃度（有効
塩素）を800ppm、制御ORPを＋500ｍＶと設定
する。次いで1M／のNa2SO3水溶液を用いて
該被制御溶液の濃度を変化させながら、制御可能
な上限及び下限濃度を調べたところそれぞれ
890ppm及び820ppmであつた。
実施例 ２
被制御溶液のPHを８〜10にコントロールし、酸
化還元反応試薬としてホウ砂を0.01M／添加し
たPH＝９の0.0282規定H2O2水溶液を用い、制御
濃度1000ppm、制御ORP＋400ｍＶに設定し、被
制御溶液の濃度変化を行うためにH2Sを2000〜
21000ppm含有した空気を用いた以外は実施例１
と同様にして実験を行つた。制御可能な上下限濃
度はそれぞれ1070ppm及び980ppmであつた。尚
H2O2水溶液はソーダ石灰でシールしたものを用
いた。
化還元反応試薬としてホウ砂を0.01M／添加し
たPH＝９の0.0282規定H2O2水溶液を用い、制御
濃度1000ppm、制御ORP＋400ｍＶに設定し、被
制御溶液の濃度変化を行うためにH2Sを2000〜
21000ppm含有した空気を用いた以外は実施例１
と同様にして実験を行つた。制御可能な上下限濃
度はそれぞれ1070ppm及び980ppmであつた。尚
H2O2水溶液はソーダ石灰でシールしたものを用
いた。
実施例 ３
被制御溶液のPHを９にコントロールし、酸化還
元反応試薬としてホウ砂を0.01M／添加したPH
＝９の0.197規定H2O2水溶液を用い、制御濃度
7000ppm、制御ORP＋400ｍＶに設定し、被制御
溶液の濃度変化を行うためにH2Sを4000〜
18000ppm含有した空気を用いた以外は実施例１
と同様にして実験を行つた。制御可能な上下限濃
度はそれぞれ7100ppm及び7000ppmであつた。尚
H2O2水溶液はソーダ石灰でシールしたものを用
いた。
元反応試薬としてホウ砂を0.01M／添加したPH
＝９の0.197規定H2O2水溶液を用い、制御濃度
7000ppm、制御ORP＋400ｍＶに設定し、被制御
溶液の濃度変化を行うためにH2Sを4000〜
18000ppm含有した空気を用いた以外は実施例１
と同様にして実験を行つた。制御可能な上下限濃
度はそれぞれ7100ppm及び7000ppmであつた。尚
H2O2水溶液はソーダ石灰でシールしたものを用
いた。
実施例 ４
被制御溶液のPHを12にコントロールし、酸化還
元反応試薬としてクエン酸ソーダ0.06M／と
NaOHを添加したPH＝６の0.0226規定H2O2水溶
液を用い、制御濃度800ppm、制御ORP＋400ｍ
Ｖに設定した以外は実施例１と同様にして実験を
行つた。制御可能な上下限濃度はそれぞれ
950ppm及び780ppmであつた。尚H2O2水溶液は
アスカライトでシールしたものを用いた。
元反応試薬としてクエン酸ソーダ0.06M／と
NaOHを添加したPH＝６の0.0226規定H2O2水溶
液を用い、制御濃度800ppm、制御ORP＋400ｍ
Ｖに設定した以外は実施例１と同様にして実験を
行つた。制御可能な上下限濃度はそれぞれ
950ppm及び780ppmであつた。尚H2O2水溶液は
アスカライトでシールしたものを用いた。
実施例 ５
被制御溶液のPHを12にコントロールし、酸化還
元反応試薬としてホウ砂0.08M／とNaOHを添
加したPH＝12の0.0226規定H2O2水溶液を用い、
制御濃度800ppm、制御ORP＋200ｍＶに設定し
た以外は実施例１と同様にして実験を行つた。制
御可能な上下限濃度はそれぞれ1010ppm及び
940ppmであつた。尚H2O2水溶液はアスカライト
でシールしたものを用いた。
元反応試薬としてホウ砂0.08M／とNaOHを添
加したPH＝12の0.0226規定H2O2水溶液を用い、
制御濃度800ppm、制御ORP＋200ｍＶに設定し
た以外は実施例１と同様にして実験を行つた。制
御可能な上下限濃度はそれぞれ1010ppm及び
940ppmであつた。尚H2O2水溶液はアスカライト
でシールしたものを用いた。
実施例 ６
被制御溶液のPHを13にコントロールし、酸化還
元反応試薬としてホウ砂を0.01M／添加したPH
＝９の0.0282規定H2O2水溶液を用い、制御濃度
1000ppm、制御ORP＋400ｍＶに設定した以外は
実施例１と同様にして実験を行つた。制御可能な
上下限濃度はそれぞれ1200ppm及び1100ppmであ
つた。
元反応試薬としてホウ砂を0.01M／添加したPH
＝９の0.0282規定H2O2水溶液を用い、制御濃度
1000ppm、制御ORP＋400ｍＶに設定した以外は
実施例１と同様にして実験を行つた。制御可能な
上下限濃度はそれぞれ1200ppm及び1100ppmであ
つた。
実施例 ７
被制御溶液のPHを13にコントロールし、酸化還
元反応試薬としてホウ砂を0.08M／添加したPH
＝12の0.0282規定H2O2水溶液を用い、制御濃度
1000ppm、制御ORP＋200ｍＶに設定した以外は
実施例１と同様にして実験を行つた。制御可能な
上下限濃度はそれぞれ1600ppm及び1500ppmであ
つた。
元反応試薬としてホウ砂を0.08M／添加したPH
＝12の0.0282規定H2O2水溶液を用い、制御濃度
1000ppm、制御ORP＋200ｍＶに設定した以外は
実施例１と同様にして実験を行つた。制御可能な
上下限濃度はそれぞれ1600ppm及び1500ppmであ
つた。
参考例 １
本発明における酸化還元反応試薬である過酸化
水素溶液をシール剤でシールしたときのシール効
果を調べた。即ち緩衝剤としてホウ砂0.01M／
を加えたH2O2の貯槽から該H2O2溶液を一定の割
合で連続吸引し、その際該貯槽の吸引開口部をソ
ーダ石灰でシールした場合とシールせず大気開放
した場合のH2O2濃度の減少率を第２図に示す。
該図より連続吸引して５日経過した時点での減少
率は前者（実線）で２％であるのに対し、後者
（点線）では10％であり、シール剤を用いた場合
には用いていない場合に比し５倍もシール効果が
優れていた。
水素溶液をシール剤でシールしたときのシール効
果を調べた。即ち緩衝剤としてホウ砂0.01M／
を加えたH2O2の貯槽から該H2O2溶液を一定の割
合で連続吸引し、その際該貯槽の吸引開口部をソ
ーダ石灰でシールした場合とシールせず大気開放
した場合のH2O2濃度の減少率を第２図に示す。
該図より連続吸引して５日経過した時点での減少
率は前者（実線）で２％であるのに対し、後者
（点線）では10％であり、シール剤を用いた場合
には用いていない場合に比し５倍もシール効果が
優れていた。
第１図は本発明のハロゲン酸塩の制御方法の好
ましい実施態様を示すフローシートである。 第１図において、１は被制御溶液、２はフイル
ター、３は定量ポンプ、４は脱泡槽、５は混合
槽、６は酸化還元反応試薬、７はORPメータ、
８は制御回路、９は供給液、１０は悪臭ガス洗浄
装置である。 第２図は、本発明における酸化還元反応試薬を
シール剤でシールしたときのシール効果を示すグ
ラフである。
ましい実施態様を示すフローシートである。 第１図において、１は被制御溶液、２はフイル
ター、３は定量ポンプ、４は脱泡槽、５は混合
槽、６は酸化還元反応試薬、７はORPメータ、
８は制御回路、９は供給液、１０は悪臭ガス洗浄
装置である。 第２図は、本発明における酸化還元反応試薬を
シール剤でシールしたときのシール効果を示すグ
ラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 亜若しくは次亜ハロゲン酸塩の濃度制御をす
べき被制御溶液の一部を取り出し、これに緩衝剤
の添加によりPHを６〜12に調節した過酸化水素溶
液を混合し、該混合液の酸化還元電位を測定する
ことにより、亜若しくは次亜ハロゲン酸塩の濃度
制御を行うことを特徴とする亜若しくは次亜ハロ
ゲン酸塩の濃度制御方法。 ２ 上記過酸化水素溶液のPHが６〜10である特許
請求の範囲第１項に記載の濃度制御方法。 ３ 上記過酸化水素溶液のPHが８〜10である特許
請求の範囲第２項に記載の濃度制御方法。 ４ 上記過酸化水素溶液として、ソーダ石灰、ア
スカライト、ピロガロール、塩化カルシウム等で
その開口部をシールした容器中に貯えた過酸化水
素溶液を用いることを特徴とする特許請求の範囲
第１〜３項のいずれかに記載の濃度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6177879A JPS55154452A (en) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Concentration controlling method of halogen acid salt |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6177879A JPS55154452A (en) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Concentration controlling method of halogen acid salt |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55154452A JPS55154452A (en) | 1980-12-02 |
| JPS6315547B2 true JPS6315547B2 (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=13180881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6177879A Granted JPS55154452A (en) | 1979-05-18 | 1979-05-18 | Concentration controlling method of halogen acid salt |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55154452A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3909915A1 (de) * | 1989-03-25 | 1990-09-27 | Philips Nv | Verfahren zum stabilisieren von reinigungsbaedern fuer si-scheiben, insbesondere fuer halbleiterbauelemente |
| DE4414925A1 (de) * | 1994-04-28 | 1995-11-02 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit |
| EA019684B1 (ru) | 2009-01-26 | 2014-05-30 | Эм-Ай Эл.Эл.Си. | Устройство для титрования катионообменной емкости |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152862A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-26 | Teijin Ltd | Flame-retardant resin composition |
-
1979
- 1979-05-18 JP JP6177879A patent/JPS55154452A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55154452A (en) | 1980-12-02 |
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