JPS63155594A - 薄膜ｅｌ素子用タ−ゲツトの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子用タ−ゲツトの製造方法Info
- Publication number
- JPS63155594A JPS63155594A JP61301298A JP30129886A JPS63155594A JP S63155594 A JPS63155594 A JP S63155594A JP 61301298 A JP61301298 A JP 61301298A JP 30129886 A JP30129886 A JP 30129886A JP S63155594 A JPS63155594 A JP S63155594A
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- JP
- Japan
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- target
- zns
- activator
- thin film
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の
製造に係り、特に発光層の形成に好適なＺｎＳ系ターゲ
ットの製造に関する。
製造に係り、特に発光層の形成に好適なＺｎＳ系ターゲ
ットの製造に関する。
■ミＬ索子の発光層形成に用いられるＺｎＳ系ターゲッ
トの従来のｙＲ造方法としては、次に挙げる方法が知ら
れている。
トの従来のｙＲ造方法としては、次に挙げる方法が知ら
れている。
（１）ＺｎＳの結晶性粉末に所定の付活剤を加え混合後
、中性或いは還元性雰囲気下で高温焼成を施こし、付活
剤を均一に拡散させる。次にこの焼成体の粉末にＰＶＡ
等の結着剤を添加してからプレス機を用いてペレット状
に加圧成型する最後にこのペレットを高温で焼結してタ
ーゲットを得る（特公昭５２−１０３５８など）、。
、中性或いは還元性雰囲気下で高温焼成を施こし、付活
剤を均一に拡散させる。次にこの焼成体の粉末にＰＶＡ
等の結着剤を添加してからプレス機を用いてペレット状
に加圧成型する最後にこのペレットを高温で焼結してタ
ーゲットを得る（特公昭５２−１０３５８など）、。
（２） （１，）と同様にして得た、付活されたＺｎ
Ｓ系粉末をプレス成型治具に充填し、治具ごと中性雰囲
気上高温に保持し、同時に治具に圧力を加えながら焼結
を進めターゲットを得る（ホットプレス法）、。
Ｓ系粉末をプレス成型治具に充填し、治具ごと中性雰囲
気上高温に保持し、同時に治具に圧力を加えながら焼結
を進めターゲットを得る（ホットプレス法）、。
以上の方法で得られるターゲットのカサ密度（ターゲッ
トの重数と体積の比をターゲツト材の比重で除したもの
を％表示）は約６０％以上であり１例えばＥ＋３（エレ
クトロンビーム）蒸着用としては充分な実用性はυａえ
ている。しがし上記従来技術はペレットの成型プロセス
或いはターゲット化の焼成プロセスで生起する不純物の
混入という点については配慮がされておらず、このため
高純度なターゲットの製造が困難で、それ故高輝度なＥ
ＬＪ子が得にくいという問題があった。上記（１）の方
法では主としてペレットの成型プロセスが問題となる。
トの重数と体積の比をターゲツト材の比重で除したもの
を％表示）は約６０％以上であり１例えばＥ＋３（エレ
クトロンビーム）蒸着用としては充分な実用性はυａえ
ている。しがし上記従来技術はペレットの成型プロセス
或いはターゲット化の焼成プロセスで生起する不純物の
混入という点については配慮がされておらず、このため
高純度なターゲットの製造が困難で、それ故高輝度なＥ
ＬＪ子が得にくいという問題があった。上記（１）の方
法では主としてペレットの成型プロセスが問題となる。
即ち、成型時に高圧が必要となるためプレス治具には金
属を使わざるを得ないが、この治具から金属不純物によ
る汚染がある。又結着剤ＰＶＡに含まれる炭素や酸素に
よる汚染もある。（２）の方法では焼成中にプレス治具
から種種の不純物の取り込みが考えられる。
属を使わざるを得ないが、この治具から金属不純物によ
る汚染がある。又結着剤ＰＶＡに含まれる炭素や酸素に
よる汚染もある。（２）の方法では焼成中にプレス治具
から種種の不純物の取り込みが考えられる。
本発明の目的は上記従来技術では達成できない高純度な
ＺｎＳ系ターゲットの製造法を提供することにある。
ＺｎＳ系ターゲットの製造法を提供することにある。
ｒ問題点を解決するための手段〕
上記目的は、ＺｎＳの合成原料としてＺｎ○。
Ｚ ｎ ＣＯｓ及びＺｎ５Ｏａ等の非硫化物を用い、ま
ずこれらを極小圧力で成型体とした後に、Ｈ２Ｓ雰囲気
で硫化してターゲット化を行うという新規なＰ’清方法
により達成される。従来法では常温プレスの際、０．５
−１．ｏｔｏｎ／ｃｍ２の高圧を必要とするが、本発明
法では、硫化反応に伴なう焼結度が大きいために成型圧
が非常に小さくて済み、およそ２０ｋｇ／ｃｍ２程度で
充分である。従ってプレス治具の材質が金属である必要
はなく１石英やダイフロン等の非金属材を用いることが
できる。この結果、従来技術で問題となっていた、特に
遷移金属等による汚染のない高純度なターゲットが容易
に得られる。
ずこれらを極小圧力で成型体とした後に、Ｈ２Ｓ雰囲気
で硫化してターゲット化を行うという新規なＰ’清方法
により達成される。従来法では常温プレスの際、０．５
−１．ｏｔｏｎ／ｃｍ２の高圧を必要とするが、本発明
法では、硫化反応に伴なう焼結度が大きいために成型圧
が非常に小さくて済み、およそ２０ｋｇ／ｃｍ２程度で
充分である。従ってプレス治具の材質が金属である必要
はなく１石英やダイフロン等の非金属材を用いることが
できる。この結果、従来技術で問題となっていた、特に
遷移金属等による汚染のない高純度なターゲットが容易
に得られる。
Ｃ作用〕
本発明の！１１２造法の特徴は、従来法がＺｎ又はＳ原
子の自己拡散により緻密化を図るのに対し、Ｚｎ○等か
ら７． ｎ Ｓへの転化に伴なう効率の良い焼結作用を
利用している点にある。これは一般に成長相拡散と呼ば
れる非常に早い拡散に基づいており、例えばツアイトシ
ュリフト・デア・メタルクンデ、７０巻（１９７９）５
９７ｊ’ｔより、（Ｚ。
子の自己拡散により緻密化を図るのに対し、Ｚｎ○等か
ら７． ｎ Ｓへの転化に伴なう効率の良い焼結作用を
利用している点にある。これは一般に成長相拡散と呼ば
れる非常に早い拡散に基づいており、例えばツアイトシ
ュリフト・デア・メタルクンデ、７０巻（１９７９）５
９７ｊ’ｔより、（Ｚ。
ＭｅｔｏｌＬｋｕｎｄｅ、 Ｂｄ、７０．５９７ （１
９７９）の「成長相における拡散係数の決定」 （”Ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ Ｄｊｆｆ
ｕｓｉｖｉｔｉｅｓ ｉｎ ＧｒｏｗｉｎｇＰｈａｓ
ｅ” ） に論じられている。そこではＺｎＳ粉体同
士の焼結の場合と比較し短時間で緻密化が進み又成分的
にも非常に均質なターゲットが得られる。
９７９）の「成長相における拡散係数の決定」 （”Ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ Ｄｊｆｆ
ｕｓｉｖｉｔｉｅｓ ｉｎ ＧｒｏｗｉｎｇＰｈａｓ
ｅ” ） に論じられている。そこではＺｎＳ粉体同
士の焼結の場合と比較し短時間で緻密化が進み又成分的
にも非常に均質なターゲットが得られる。
本発明の第２の利点はターゲットと硫化前のペレットの
幾何学的寸法が殆んど違わないことである。ＺｎＳを用
いた従来法ではＺｎＳ粒子の焼結一体化により必ずシュ
リンケージ（Ｓｈｒｉｎｋａｇｅ ）と呼ばれる寸法の
縮小が生じ、焼成の温度や時間。
幾何学的寸法が殆んど違わないことである。ＺｎＳを用
いた従来法ではＺｎＳ粒子の焼結一体化により必ずシュ
リンケージ（Ｓｈｒｉｎｋａｇｅ ）と呼ばれる寸法の
縮小が生じ、焼成の温度や時間。
成型圧が縮小度を左右する。このため所定の寸法のター
ゲットを得るためには予備的な検討を行なう必要があっ
た。本発明において寸法変化が小さいのはＺｎＯとＺｎ
Ｓで結晶格子の大きさに差があるためである。即ちＶｚ
ｎｓ／ Ｖｚｎｏ二１．１９ であり（ただしＶは結晶
ｍ位胞の体積）焼結によるシュリンケージとＺｎＳ生成
に伴う体積増大分が巧みに相殺されるからである。
ゲットを得るためには予備的な検討を行なう必要があっ
た。本発明において寸法変化が小さいのはＺｎＯとＺｎ
Ｓで結晶格子の大きさに差があるためである。即ちＶｚ
ｎｓ／ Ｖｚｎｏ二１．１９ であり（ただしＶは結晶
ｍ位胞の体積）焼結によるシュリンケージとＺｎＳ生成
に伴う体積増大分が巧みに相殺されるからである。
さらに本発明の第３の利点として裳造プロセスの簡略化
をあげることができる。＃、未来法は■７、 ｎ Ｓ母
体に発光性を付与するための付活剤の拡散プロセスと、
＠緻密化を図るための焼結プロセスとの２段階の工程が
必要であるが、本発明では１回の焼成プロセスで良質な
ターゲットを得ることができる。これは、前述した速い
成長相拡散が付活剤にも効果的に作用するからで、付活
剤の濃度分布の一様なターゲットが短時間で得られる訳
である。
をあげることができる。＃、未来法は■７、 ｎ Ｓ母
体に発光性を付与するための付活剤の拡散プロセスと、
＠緻密化を図るための焼結プロセスとの２段階の工程が
必要であるが、本発明では１回の焼成プロセスで良質な
ターゲットを得ることができる。これは、前述した速い
成長相拡散が付活剤にも効果的に作用するからで、付活
剤の濃度分布の一様なターゲットが短時間で得られる訳
である。
以下、本発明の実施例を第１表、第１図、第２図及び第
３図により説明する。
３図により説明する。
実施例（１）
高純度ＺｎＯ粉末４０．６８４ｇ と高純度ＭｎＳ○
４・Ｈ２０粉末１．１８３０ｇ を乾式で均密に混合
し、この混合体を内径１５φ、Ａ“６さ５０１１１Ｎの
石英製ダイスに充填した後、軽く圧力を加えて厚さ約８
ｍｍのペレットに成型した。次にペレットを石英製ボー
トに収め、Ｈ２Ｓ ガスを流した石英管の中で焼成し
た。焼成の温度は１０００°Ｃ１１−（ｘ Ｓ ガス
の流敬は毎分２００ｃｃである。
４・Ｈ２０粉末１．１８３０ｇ を乾式で均密に混合
し、この混合体を内径１５φ、Ａ“６さ５０１１１Ｎの
石英製ダイスに充填した後、軽く圧力を加えて厚さ約８
ｍｍのペレットに成型した。次にペレットを石英製ボー
トに収め、Ｈ２Ｓ ガスを流した石英管の中で焼成し
た。焼成の温度は１０００°Ｃ１１−（ｘ Ｓ ガス
の流敬は毎分２００ｃｃである。
Ｚｎ○から７． ｎ Ｓへの転化は、第１図に示す様に
約２時間でほぼ完了することがわかった。第１図の縦軸
は硫化率を表わしており、これはＺ ｎ Ｓへの転化比
率を電域変化から求めたものであるが。
約２時間でほぼ完了することがわかった。第１図の縦軸
は硫化率を表わしており、これはＺ ｎ Ｓへの転化比
率を電域変化から求めたものであるが。
７、 ｎ Ｓの生成についてはＸ線粉末回折により同時
に検討した。２時間焼成した試料の回折パターンにはＺ
ｎＯの残留回折線は殆んど認められず、ＺｎＳの鮮鋭な
回折線だけになっていて結晶性の良いＺｎＳの生成が確
認できた。
に検討した。２時間焼成した試料の回折パターンにはＺ
ｎＯの残留回折線は殆んど認められず、ＺｎＳの鮮鋭な
回折線だけになっていて結晶性の良いＺｎＳの生成が確
認できた。
焼成済みのターゲットは非常に固く焼きしまっており、
カサ密度は約６０％であった。また外観は白色を呈し、
コアや色ムラもなくさらにＭｎの拡散ムラに起因した橙
色の斑点も見られず均質なものである。
カサ密度は約６０％であった。また外観は白色を呈し、
コアや色ムラもなくさらにＭｎの拡散ムラに起因した橙
色の斑点も見られず均質なものである。
上記の方法で得たターゲットを試料１．母体原料と付活
剤の組み合せを第１表の様に変えて同様に焼成したター
ゲットを試料２〜５．従来の常温プレス法によるターゲ
ットを試料６として、第１表にカサ密度とＥｌ、１１１
１度の相対比較を示す。輝度評価に用いた薄膜ＥＬ素子
は、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層をＹ２０＋１絶縁層ではさんだ
三層構造からなり、各層はすべてＩ’： Ｈ蒸着法によ
り作成した。第２図には、これらの素子の発光スペクト
ル分布の代表例を示した。第１表から明らかな様に、本
実施例のターゲットを用いたＥＩ、素子の輝度は従来の
常温プレス法によるターゲットを用いた場合（試料６）
を大幅に上回り、最大６０％以上の向上を示した。
剤の組み合せを第１表の様に変えて同様に焼成したター
ゲットを試料２〜５．従来の常温プレス法によるターゲ
ットを試料６として、第１表にカサ密度とＥｌ、１１１
１度の相対比較を示す。輝度評価に用いた薄膜ＥＬ素子
は、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層をＹ２０＋１絶縁層ではさんだ
三層構造からなり、各層はすべてＩ’： Ｈ蒸着法によ
り作成した。第２図には、これらの素子の発光スペクト
ル分布の代表例を示した。第１表から明らかな様に、本
実施例のターゲットを用いたＥＩ、素子の輝度は従来の
常温プレス法によるターゲットを用いた場合（試料６）
を大幅に上回り、最大６０％以上の向上を示した。
なお、第１表のＺ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎターゲットから
発光層を形成する際には単発電子銃を用いたが、これと
は別に、二連電子銃を用いて付活剤を含まないＺｎＳと
Ｍｎ金属とを同時蒸着した後、真空中で５５０℃、１時
間以上アニールする方法によっても透明な発光層が得ら
れ、かつ第１表の試料６と比較して高い輝度が得られる
ことを確認した。
発光層を形成する際には単発電子銃を用いたが、これと
は別に、二連電子銃を用いて付活剤を含まないＺｎＳと
Ｍｎ金属とを同時蒸着した後、真空中で５５０℃、１時
間以上アニールする方法によっても透明な発光層が得ら
れ、かつ第１表の試料６と比較して高い輝度が得られる
ことを確認した。
ここで付活剤を含まないＺｎＳのターゲット化にはＺｎ
○粉末のみを常温で成型し硫化する方法を用いたが、成
型法ならびに硫化法は本実施例の口頭で述べたものと全
く同じである。
○粉末のみを常温で成型し硫化する方法を用いたが、成
型法ならびに硫化法は本実施例の口頭で述べたものと全
く同じである。
第１表、各種ターゲット間のカサ密度、ＥＩ、輝度の比
較実施例（２） 高純度ＺｎＯ粉末６１．０２６ｇ と高開度ＴｂＦ
ａＬ、６１９ｇ を乾式で均密に混合した後、グイフロ
ン製プレス治具を用いて直径２０ｍｍ、厚さ約１０＋＋
＋ｍのペレットとした。次にこのペレットに実施例（１
）で述べた焼成を施こし、Ｔｂ付活ＺｎＳの均質なター
ゲットを得た。ＴｂＦａ をＴ ｍ Ｆ ３で置き換え
たターゲットも用意し、これらのターゲットから実施例
（１）と同じ方法でＥＬ：Ｍ子を作成した。発光層をＴ
’ｏ付活とした素子では緑色。
較実施例（２） 高純度ＺｎＯ粉末６１．０２６ｇ と高開度ＴｂＦ
ａＬ、６１９ｇ を乾式で均密に混合した後、グイフロ
ン製プレス治具を用いて直径２０ｍｍ、厚さ約１０＋＋
＋ｍのペレットとした。次にこのペレットに実施例（１
）で述べた焼成を施こし、Ｔｂ付活ＺｎＳの均質なター
ゲットを得た。ＴｂＦａ をＴ ｍ Ｆ ３で置き換え
たターゲットも用意し、これらのターゲットから実施例
（１）と同じ方法でＥＬ：Ｍ子を作成した。発光層をＴ
’ｏ付活とした素子では緑色。
１・：ｕ付活では赤色またＴｍ付活では青色の明かるい
発光をそれぞれ示すことがわかった。そして輝度は、い
ずれの素子の場合でも、従来法によるターゲットから作
られた素子を大幅に上回ることが確認できた。
発光をそれぞれ示すことがわかった。そして輝度は、い
ずれの素子の場合でも、従来法によるターゲットから作
られた素子を大幅に上回ることが確認できた。
実施例（３）
’１’ ｂ付活ＺｎＳのスパッタリング用ターゲットを
以下の手順で作成した。まず実施例（２）の方法で得た
混合粉末を外径１５５１１ＩＩＯ１内径１５０ｍ＋＋＋
。
以下の手順で作成した。まず実施例（２）の方法で得た
混合粉末を外径１５５１１ＩＩＯ１内径１５０ｍ＋＋＋
。
深さ１０ＩｎＩＩ＋の石英シャーレに均一にかつ上面が
平ガ１になる様に充層した０次にシャーレ内径よりやや
径の小さい石英ディスクにて粉体に軽く圧力を加えた後
、シャーレを石英管に収め実施例（１）と同様のプロセ
スで焼成を行なった。その結果、−直径約３．５０ ｍ
１ｌｌｔ Ｊ’Ｘさ約６ｍｍの均質で、カサ密度も実施
例（１）と同程度のターゲットが得られた。
平ガ１になる様に充層した０次にシャーレ内径よりやや
径の小さい石英ディスクにて粉体に軽く圧力を加えた後
、シャーレを石英管に収め実施例（１）と同様のプロセ
スで焼成を行なった。その結果、−直径約３．５０ ｍ
１ｌｌｔ Ｊ’Ｘさ約６ｍｍの均質で、カサ密度も実施
例（１）と同程度のターゲットが得られた。
この１’ ｂ付活剤ＺｎＳターゲットを用いて発光層を
スパッタリング後、ＹｚＯδ絶縁層をＦ Ｂ蒸着法で作
成したＥＴ、素子は、第３図の様な発光スペクトル分布
を示し、また輝度は従来法になるスバツリングターゲッ
トを用いた場合を約５０％上回った。
スパッタリング後、ＹｚＯδ絶縁層をＦ Ｂ蒸着法で作
成したＥＴ、素子は、第３図の様な発光スペクトル分布
を示し、また輝度は従来法になるスバツリングターゲッ
トを用いた場合を約５０％上回った。
以上の実施例では硫化性雰囲気を保つために、Ｈｚ Ｓ
ガスを用いる場合を述べたが、Ｃ８ｚガス或いはＣ
＋５２などの還元硫化剤を用いても、これらの実施例と
同様の結果を得ることができる。
ガスを用いる場合を述べたが、Ｃ８ｚガス或いはＣ
＋５２などの還元硫化剤を用いても、これらの実施例と
同様の結果を得ることができる。
また実施例で述べた付活剤以外のＥＬ発光性付活剤を用
いた場合も、或いは実施例で述べた付活剤に更に発光を
強める目的で共付活剤を加えた場合にも、本発明の製法
が有効であることは発明の原理から明らかである。
いた場合も、或いは実施例で述べた付活剤に更に発光を
強める目的で共付活剤を加えた場合にも、本発明の製法
が有効であることは発明の原理から明らかである。
以」―述べてきた！２法で得ら九るＺｎＳ系ターゲット
は、付活剤を含まないＺｎＳ系ターゲットと付活剤を含
むＺｎＳ系蛍光体ターゲットに大別できる。前者は多元
蒸着の際のＺｎＳ系母体の蒸発源として利用でき、別に
３！２置した付活剤の蒸発源と併用して簿膜の厚さ方向
の発光イオン濃度分布を意図的に変化させる場合或いは
発光イオン種を選択して多色の発光を実現させる場合に
有用である。また、後者は単色の発光層を形成させる場
合に有用である。これらのターゲットの原料は先に述べ
た７、 ｎ ｏ 、 ７． ｎ ＣＯ３、７，ｎ ＳＯ
４のいずれであってもよいが、室温で凝集性の大きいＺ
ｎＯは成型性ならびに短時間硫化の点ですぐれている。
は、付活剤を含まないＺｎＳ系ターゲットと付活剤を含
むＺｎＳ系蛍光体ターゲットに大別できる。前者は多元
蒸着の際のＺｎＳ系母体の蒸発源として利用でき、別に
３！２置した付活剤の蒸発源と併用して簿膜の厚さ方向
の発光イオン濃度分布を意図的に変化させる場合或いは
発光イオン種を選択して多色の発光を実現させる場合に
有用である。また、後者は単色の発光層を形成させる場
合に有用である。これらのターゲットの原料は先に述べ
た７、 ｎ ｏ 、 ７． ｎ ＣＯ３、７，ｎ ＳＯ
４のいずれであってもよいが、室温で凝集性の大きいＺ
ｎＯは成型性ならびに短時間硫化の点ですぐれている。
なお、７． ｎ Ｓ系ターゲッ１〜の母体組成物はＺｎ
Ｓのみに限定されない、ＺｎＳにＺ ｎ Ｓ ｃを少駄
固溶させたＺｎ （Ｓ、Ｓｅ）について６本製法はそ
のまま適用できる。
Ｓのみに限定されない、ＺｎＳにＺ ｎ Ｓ ｃを少駄
固溶させたＺｎ （Ｓ、Ｓｅ）について６本製法はそ
のまま適用できる。
本発明によれば、従来よりもハ；純度で均質なＺｎＳ系
ターゲットを簡略化されたプロセスで製造できるので、
１’、Ｌ素子の高炉変化を達成できるとともに、素子の
￥Ａ造コストの低減化をもたらすなどの効果がある。
ターゲットを簡略化されたプロセスで製造できるので、
１’、Ｌ素子の高炉変化を達成できるとともに、素子の
￥Ａ造コストの低減化をもたらすなどの効果がある。
第１図は、本発明の実施例における硫化率と坑成時間の
関係曲線図、第２図は、Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎＥ Ｌ
素子の発光スペクトル分布図、第３図は、ＺｎＳ：Ｔｂ
ＴａＥＬの発光スペクトル分布図である。 ￥１図 ′！Ｊ２０ 発晃渫＋（ｎｍ） 第３図 発１う味員・ｍン
関係曲線図、第２図は、Ｚ ｎ Ｓ ： Ｍ ｎＥ Ｌ
素子の発光スペクトル分布図、第３図は、ＺｎＳ：Ｔｂ
ＴａＥＬの発光スペクトル分布図である。 ￥１図 ′！Ｊ２０ 発晃渫＋（ｎｍ） 第３図 発１う味員・ｍン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）薄膜ＥＬ用ＺｎＳ系ターゲツトの製造工程において
、ＺｎＳ系母体の合成原料としてＺｎＯ，ＺｎＣＯ＿３
またはＺｎＳＯ＿４を用い、該原料と発光性付活剤とを
混合して成型体となし、該成型体を硫化性雰囲気下で焼
結することを特徴とする薄膜ＥＬ素子用ターゲツトの製
造方法。 ２）付活剤を含まぬ原料成型体を硫化性雰囲気下で焼結
することを特徴とする薄膜ＥＬ素子用ターゲツトの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301298A JPH0744070B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 薄膜ｅｌ素子用タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301298A JPH0744070B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 薄膜ｅｌ素子用タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155594A true JPS63155594A (ja) | 1988-06-28 |
| JPH0744070B2 JPH0744070B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=17895154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61301298A Expired - Lifetime JPH0744070B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 薄膜ｅｌ素子用タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744070B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5014710A (ja) * | 1973-06-08 | 1975-02-17 | ||
| JPS58102486A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-18 | 富士通株式会社 | Ｅｌ層の形成方法 |
| JPS61104585A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | 富士通株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61301298A patent/JPH0744070B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5014710A (ja) * | 1973-06-08 | 1975-02-17 | ||
| JPS58102486A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-18 | 富士通株式会社 | Ｅｌ層の形成方法 |
| JPS61104585A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | 富士通株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0744070B2 (ja) | 1995-05-15 |
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