JPS63156065A - ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 - Google Patents
ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法Info
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- JPS63156065A JPS63156065A JP61300748A JP30074886A JPS63156065A JP S63156065 A JPS63156065 A JP S63156065A JP 61300748 A JP61300748 A JP 61300748A JP 30074886 A JP30074886 A JP 30074886A JP S63156065 A JPS63156065 A JP S63156065A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野]
この発明は、例えば圧電1体、オプトエレクトロニクス
材料、誘電体、半導体、センサ等の機能性セラミックス
として使用されるジルコニウムを含むペロブスカイトセ
ラミックスの製造方法に関する。
材料、誘電体、半導体、センサ等の機能性セラミックス
として使用されるジルコニウムを含むペロブスカイトセ
ラミックスの製造方法に関する。
ペロブスカイト系機能性セラミックスにあっては、ジル
コニウムを含有するものが極めて多い。
コニウムを含有するものが極めて多い。
そして、このようなペロブスカイト系セラミックスを構
成する原料粉末の中で、特にジルコニア原料粉末は極め
て凝集し昌いものである。
成する原料粉末の中で、特にジルコニア原料粉末は極め
て凝集し昌いものである。
したがって、このような性質を有するジルコニア原料粉
末を使用して、乾式法によってペロブスカイト原料粉末
を作製するようにしても、高密度で且つ高度な機能を発
揮させることのできる機能セラミックスを得ることが困
難である。
末を使用して、乾式法によってペロブスカイト原料粉末
を作製するようにしても、高密度で且つ高度な機能を発
揮させることのできる機能セラミックスを得ることが困
難である。
[発明が解決しようとする問題点]
この発明は」二記のような点に鑑みなされたもので、特
に分散性の良好なサブミクロン級の変成ジルコニア原料
粉末が作製されるようにし、この原料粉末を用いて通常
の乾式法によって紀焼結性でRつ高かさ密度の各種ペロ
ブスカイト粉末が合成されるようにして、高性能で且つ
高密度のジルコニウムを含むペロブスカイト系機能性セ
ラミックスの製造方法を提供しようとするものである。
に分散性の良好なサブミクロン級の変成ジルコニア原料
粉末が作製されるようにし、この原料粉末を用いて通常
の乾式法によって紀焼結性でRつ高かさ密度の各種ペロ
ブスカイト粉末が合成されるようにして、高性能で且つ
高密度のジルコニウムを含むペロブスカイト系機能性セ
ラミックスの製造方法を提供しようとするものである。
[問題点を解決するための手段]
すなわち、この発明に係る製造方法にあっては、ペロブ
スカイト化合物を構成するジルコニウム以外の少なくと
も一成分の適量と、ジルコニウム溶液との混合溶液を作
り、加水分解反応を行なってゾルを形成し、これを乾燥
して仮焼するものであり、この仮焼物にさらに目的の組
成となるように化合物を混合して500〜1300℃で
仮焼する。
スカイト化合物を構成するジルコニウム以外の少なくと
も一成分の適量と、ジルコニウム溶液との混合溶液を作
り、加水分解反応を行なってゾルを形成し、これを乾燥
して仮焼するものであり、この仮焼物にさらに目的の組
成となるように化合物を混合して500〜1300℃で
仮焼する。
このようにして得られた仮焼物の粉末は、成形し700
〜1700℃で焼成するものであり、これによってジル
コニウムを含むペロブスカイトセラミックが得られるよ
うになるものである。
〜1700℃で焼成するものであり、これによってジル
コニウムを含むペロブスカイトセラミックが得られるよ
うになるものである。
[作用]
上記のようなペロブスカイトセラミックの製造方法にあ
っては、一般式ABO3(但し、Aは酸素12配合金属
元素、Bは酸素6配合金属元素を示す)で示されるジル
コニウム(B位置)を含むペロブスカイトセラミックの
乾式法による製造過程において、ペロブスカイト化合物
を構成するジルコニウム以外の少なくとも一成分の適量
とジルコニウム溶液との混合溶液(水溶液またはアルコ
ール溶液)を作り、加水分解反応を行なうことによって
ゾルを形成し、乾燥後に700〜1300℃で焼成すよ
うにしている。このようにすると、凝集の極めて少ない
サブミクロン単位の粉末(変成ジコニャ粉末)となし得
ることが判明した。そして、これを原料として、目的と
するペロブスカイト組成の残りの構成部分の化合物を乾
式法によって混合し焼成することによって、サブミクロ
ン級の粉末特性の優れた原料粉末が得られるようになり
、これを成形し焼成することによって焼結助剤なしに極
めて高密度のペロブスカイトセラミックか得られるよう
になる。
っては、一般式ABO3(但し、Aは酸素12配合金属
元素、Bは酸素6配合金属元素を示す)で示されるジル
コニウム(B位置)を含むペロブスカイトセラミックの
乾式法による製造過程において、ペロブスカイト化合物
を構成するジルコニウム以外の少なくとも一成分の適量
とジルコニウム溶液との混合溶液(水溶液またはアルコ
ール溶液)を作り、加水分解反応を行なうことによって
ゾルを形成し、乾燥後に700〜1300℃で焼成すよ
うにしている。このようにすると、凝集の極めて少ない
サブミクロン単位の粉末(変成ジコニャ粉末)となし得
ることが判明した。そして、これを原料として、目的と
するペロブスカイト組成の残りの構成部分の化合物を乾
式法によって混合し焼成することによって、サブミクロ
ン級の粉末特性の優れた原料粉末が得られるようになり
、これを成形し焼成することによって焼結助剤なしに極
めて高密度のペロブスカイトセラミックか得られるよう
になる。
ここで、上記一般式ABO3で示されるペロブスカイト
化合物のA成分としては、例えばPb1Ba、、Ca、
SrおよびLa等の希土類元素があげられる。またB成
分としては、ジルコニウムの他、例えばTI、Mg、S
c、Hr、Th、W。
化合物のA成分としては、例えばPb1Ba、、Ca、
SrおよびLa等の希土類元素があげられる。またB成
分としては、ジルコニウムの他、例えばTI、Mg、S
c、Hr、Th、W。
Nb、Ta、Cr、Mo、Mn5FO,C0%Ni 、
Cd 、 AI!、Sn、As、Bi等が上げられる
。
Cd 、 AI!、Sn、As、Bi等が上げられる
。
尚、この発明にあっては、これらのA成分とB成分のモ
ル比が1、Oより高い値あるいは低い値にずらしたもの
も含む。
ル比が1、Oより高い値あるいは低い値にずらしたもの
も含む。
また、ペロブスカイト系機能性セラミックスにおいては
、その焼結性や特性を改汲するものであるため、一般に
微温の助剤を添加するのが通例であり、これらの助剤は
第1、第2の工程で適当に添加すればよいものである。
、その焼結性や特性を改汲するものであるため、一般に
微温の助剤を添加するのが通例であり、これらの助剤は
第1、第2の工程で適当に添加すればよいものである。
ジルコニウム溶液を作製するための化合物としては、オ
キシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、塩化
ジルコニウム、および金属ジルコニウム等があげられる
。
キシ塩化ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、塩化
ジルコニウム、および金属ジルコニウム等があげられる
。
ジルコニウム溶液に溶解するペロブスカイトの構成成分
とその量は、構成成分の添加によって最終的に得られる
ジルコニア粉末のa集を抑制し得られるもの、またペロ
ブスカイト機能性セラミックスに共通して含まれる成分
であることが好ましい。得られたゾルの仮焼温度は70
0〜1300℃である。この仮焼温度が700℃より低
いと凝集が顕著に起り、1300℃を越えると粒子が粗
大化する傾向にある。このようにして得られた仮焼物に
、ジルコニウム以外の構成成分の不足分を補充するよう
になるもので、この場合いずれの化合物粉末(主として
酸化物)の粒度はサブミクロン級のものを使用する。但
し、酸化鉛粉末は粗大粒径のものを使用しても、得られ
るペロブスカイト粉末の特性にほとんど影響を与えない
。
とその量は、構成成分の添加によって最終的に得られる
ジルコニア粉末のa集を抑制し得られるもの、またペロ
ブスカイト機能性セラミックスに共通して含まれる成分
であることが好ましい。得られたゾルの仮焼温度は70
0〜1300℃である。この仮焼温度が700℃より低
いと凝集が顕著に起り、1300℃を越えると粒子が粗
大化する傾向にある。このようにして得られた仮焼物に
、ジルコニウム以外の構成成分の不足分を補充するよう
になるもので、この場合いずれの化合物粉末(主として
酸化物)の粒度はサブミクロン級のものを使用する。但
し、酸化鉛粉末は粗大粒径のものを使用しても、得られ
るペロブスカイト粉末の特性にほとんど影響を与えない
。
これらの混合物の仮焼温度は、pbを含む場合、Baあ
るいはSrを場合、さらにNoやTaを含む場合とで、
500〜1300℃の範囲で大幅に変化する。要するに
、固相反応がほぼまたは完全に完了する最低温度以上で
、且つ顕著な粒子成長が生じない最高温度範囲であるこ
とが必要である。
るいはSrを場合、さらにNoやTaを含む場合とで、
500〜1300℃の範囲で大幅に変化する。要するに
、固相反応がほぼまたは完全に完了する最低温度以上で
、且つ顕著な粒子成長が生じない最高温度範囲であるこ
とが必要である。
このようにして得られた粉末を成形し焼結するものであ
るが、この焼結温度は前記の混合物の仮焼温度と同様に
その構成、成分の種類によって異なる。一般的に700
〜1700℃の範囲である。
るが、この焼結温度は前記の混合物の仮焼温度と同様に
その構成、成分の種類によって異なる。一般的に700
〜1700℃の範囲である。
700℃より低いとpbを含むペロブスカイトでも焼結
が不十分であり、1700℃を越えると粒子が粗大化し
たり、あるいは構成成分の揮発が起こるようになる。
が不十分であり、1700℃を越えると粒子が粗大化し
たり、あるいは構成成分の揮発が起こるようになる。
[実施例1]
四塩化チタン水溶液(1,3317)/m01濃度)4
3.57ccとオキシ塩化ジルコニウム水溶液(1,1
46)/mol濃度)150ccとを混合する。この混
合水溶液を100℃で100時間保持することで、T1
’十とZr4+を含むゾルを形成する。このゾルを洗浄
し、乾燥した後1100℃で仮焼して(T1 ・Zr
)02の0.2 0.8 粉末を作製した。この粉末の平均粒径は0.32μmで
あった。
3.57ccとオキシ塩化ジルコニウム水溶液(1,1
46)/mol濃度)150ccとを混合する。この混
合水溶液を100℃で100時間保持することで、T1
’十とZr4+を含むゾルを形成する。このゾルを洗浄
し、乾燥した後1100℃で仮焼して(T1 ・Zr
)02の0.2 0.8 粉末を作製した。この粉末の平均粒径は0.32μmで
あった。
上記仮焼粉末3.5779gと市販のTi 02微粉末
1.4981g、Bb O粉末(平均粒径15μm)1
1.16gとを、ボールミルで一昼夜混合した後、74
0℃で1時間仮焼してpb(Zr ・TI)03粉末
を得るもので、この0.5 0.5 平均粒径は0.32μmであった。このようにして得ら
れた粉末を1 ton /eat2で成形してタブレッ
トを形成するもので、このタブレットは鉛蒸気、酸素ガ
ス共存の雰囲気のもとに1200℃で1時間焼結する。
1.4981g、Bb O粉末(平均粒径15μm)1
1.16gとを、ボールミルで一昼夜混合した後、74
0℃で1時間仮焼してpb(Zr ・TI)03粉末
を得るもので、この0.5 0.5 平均粒径は0.32μmであった。このようにして得ら
れた粉末を1 ton /eat2で成形してタブレッ
トを形成するもので、このタブレットは鉛蒸気、酸素ガ
ス共存の雰囲気のもとに1200℃で1時間焼結する。
このようにして得られた試料タブレットの密度は7.9
5に達し、これは理論密度に極めて近い値である。
5に達し、これは理論密度に極めて近い値である。
[比較例]
上記実施例と対比するための比較例について述べる。
市販のPb O,Ti 02 、Zr 02粉末をpb
(Zr −TI )03の組成になるように配合0
.5 0.5 し、ボールミルで一昼夜混合した後、850℃で2時間
仮焼した。この仮焼粉末を1 ton / am2で成
形した後−り記実施例1と同様に焼結した。
(Zr −TI )03の組成になるように配合0
.5 0.5 し、ボールミルで一昼夜混合した後、850℃で2時間
仮焼した。この仮焼粉末を1 ton / am2で成
形した後−り記実施例1と同様に焼結した。
このようにして得られた比較例セラミックスの密度は6
.5程度であり、また仮焼時の粉末の平均粒径は2.3
μmであった。
.5程度であり、また仮焼時の粉末の平均粒径は2.3
μmであった。
[実施例2]
実施例1と同様に作製した(TI −Z「 )0.2
0.R O2粉末2.8639g、市販のTi O2微粒子1.
1985g、Pb O粉末11.16g。
0.R O2粉末2.8639g、市販のTi O2微粒子1.
1985g、Pb O粉末11.16g。
Nb o5微粒子0.8861g、水酸化コバルトを7
50℃で焼成してC004粉末 0.2675gを、ボールミルで一昼夜混合した後、7
50℃で1時間仮焼する。そして、0.4Pb TI
O30,4Pb Zr 03の三成分系圧電セラミック
ス用粉末を得るようにした。
50℃で焼成してC004粉末 0.2675gを、ボールミルで一昼夜混合した後、7
50℃で1時間仮焼する。そして、0.4Pb TI
O30,4Pb Zr 03の三成分系圧電セラミック
ス用粉末を得るようにした。
このまセラミックス粉末の平均粒径は
0.39μmであった。そして、この粉末は1 ton
/ 0m2で成形し、1200℃で1時間鉛蒸気、酸
素ガス共存雰囲気のもとで焼結する。このようにして得
られたセラミックスの密度は7.93であり、理論密度
に極めて近いものであった。
/ 0m2で成形し、1200℃で1時間鉛蒸気、酸
素ガス共存雰囲気のもとで焼結する。このようにして得
られたセラミックスの密度は7.93であり、理論密度
に極めて近いものであった。
[比較例2]
市販(7)Pb O,Nb 05 、Tl 02 、Z
r 02.03−0.4Pb Ti 03−0.4P
b Zr 03の組成となるように混合する。この混合
物は、ボールミルで一昼夜混合した後800℃で2時間
仮焼し、このようにして得られた仮焼粉末は1 ton
/ 0m2で成形し、鉛蒸気および酸素ガスの共存雰
囲気のもとに1200℃で1時間焼結するもので、これ
によって得られたセラミックスの密度は6.8であった
。
r 02.03−0.4Pb Ti 03−0.4P
b Zr 03の組成となるように混合する。この混合
物は、ボールミルで一昼夜混合した後800℃で2時間
仮焼し、このようにして得られた仮焼粉末は1 ton
/ 0m2で成形し、鉛蒸気および酸素ガスの共存雰
囲気のもとに1200℃で1時間焼結するもので、これ
によって得られたセラミックスの密度は6.8であった
。
尚、仮焼してiすられた粉末は大きな凝集体からなり、
平均粒径は特定することができなかった。
平均粒径は特定することができなかった。
[発明の効果]
以上のようにこの発明に係るセラミックスの製造方法に
あっては、第1の工程によってペロブスカイト化合物の
構成成分の一種以上を含むジルコニア粉末(変成ジルコ
ニア粉末)は、二次粒子の極めて少ないサブミクロン粒
子とすることができる。したがって、これを使用するこ
とによって、以後は単なる乾式法によって容品にサブミ
クロン級のペロブスカイト原料粉末が得られるようにな
り、さらにこれを原料として理論密度の極めて近い高密
度のセラミックスが得られるようになるものである。
あっては、第1の工程によってペロブスカイト化合物の
構成成分の一種以上を含むジルコニア粉末(変成ジルコ
ニア粉末)は、二次粒子の極めて少ないサブミクロン粒
子とすることができる。したがって、これを使用するこ
とによって、以後は単なる乾式法によって容品にサブミ
クロン級のペロブスカイト原料粉末が得られるようにな
り、さらにこれを原料として理論密度の極めて近い高密
度のセラミックスが得られるようになるものである。
また、仮焼によって得られる変成ジルコニア粉末が充分
に分散されたものとして得られるものであるため、仮焼
物の粉砕工程を特に必要としないで、原料粉末が提供さ
れるようになる。
に分散されたものとして得られるものであるため、仮焼
物の粉砕工程を特に必要としないで、原料粉末が提供さ
れるようになる。
上記仮焼変成ジルコニア粉末から乾式法によって得られ
るペロブスカイト粉末も、単分散状態で得られるもので
、違って粉砕工程を除いても充分易焼結性を有し且つ高
かさ密度の特性を釘するものである。
るペロブスカイト粉末も、単分散状態で得られるもので
、違って粉砕工程を除いても充分易焼結性を有し且つ高
かさ密度の特性を釘するものである。
極めて高密度のものを要求されるペロブスカイト系機能
性セラミックスをホットプレスやHIP(熱間ガス圧焼
結)等の操作を省略して単なる固相焼結によって、且つ
焼結助剤を必ずしも必要とせずして、理論密度に極めて
近い高密度のセラミックスが得られるようになる。
性セラミックスをホットプレスやHIP(熱間ガス圧焼
結)等の操作を省略して単なる固相焼結によって、且つ
焼結助剤を必ずしも必要とせずして、理論密度に極めて
近い高密度のセラミックスが得られるようになる。
そして、優れた粉末特性ををする変成ジルコニア粉末を
大量生産することによって、数限りないジルコニアを含
むペロブスカイト原料粉末および高性能ペロブスカイト
系機能性セラミックスを極めて容易に且つ安価に供給で
きるようになるものである。
大量生産することによって、数限りないジルコニアを含
むペロブスカイト原料粉末および高性能ペロブスカイト
系機能性セラミックスを極めて容易に且つ安価に供給で
きるようになるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ペロブスカイト化合物を構成するジルコニウム以外の
少なくとも一成分の適量と、ジルコニウム溶液との混合
液を作り、加水分解反応を行なってゾルを形成し、この
ゾルを乾燥した後700〜1300℃で仮焼する第1の
工程と、 この工程で得られた仮焼物と、目的とするペロブスカイ
ト組成の残りの構成成分の化合物を混合し、この混合物
を500〜1300℃で仮焼する第2の工程と、 この第2の工程で得られた仮焼物の粉末を成形し、70
0〜1700℃で焼成する第3の工程と、 を具備したことを特徴とするジルコニウムを含むペロブ
スカイトセラミックスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300748A JPH0818867B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 |
| US07/418,740 US4990324A (en) | 1986-12-17 | 1989-10-04 | Method for producing two-component or three-component lead zirconate-titanate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300748A JPH0818867B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63156065A true JPS63156065A (ja) | 1988-06-29 |
| JPH0818867B2 JPH0818867B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=17888623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61300748A Expired - Lifetime JPH0818867B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | ジルコニウムを含むペロブスカイトセラミツクスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818867B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992002471A1 (es) * | 1990-07-30 | 1992-02-20 | Ercros S.A. | Procedimiento para la preparacion de materiales ceramicos piezoelectricos de pztn |
| JP4853885B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2012-01-11 | 国立大学法人 岡山大学 | イオンセンサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4382103B2 (ja) | 2007-02-26 | 2009-12-09 | 富士通株式会社 | キャパシタ素子、半導体装置、およびキャパシタ素子の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6051664A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-23 | 日本特殊陶業株式会社 | チタン酸ジルコン酸鉛系磁器の製造法 |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP61300748A patent/JPH0818867B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6051664A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-23 | 日本特殊陶業株式会社 | チタン酸ジルコン酸鉛系磁器の製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992002471A1 (es) * | 1990-07-30 | 1992-02-20 | Ercros S.A. | Procedimiento para la preparacion de materiales ceramicos piezoelectricos de pztn |
| JP4853885B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2012-01-11 | 国立大学法人 岡山大学 | イオンセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0818867B2 (ja) | 1996-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |