JPS63157148A - ポジ型レジスト膜及びそのレジストパターンの形成方法 - Google Patents
ポジ型レジスト膜及びそのレジストパターンの形成方法Info
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- JPS63157148A JPS63157148A JP61304981A JP30498186A JPS63157148A JP S63157148 A JPS63157148 A JP S63157148A JP 61304981 A JP61304981 A JP 61304981A JP 30498186 A JP30498186 A JP 30498186A JP S63157148 A JPS63157148 A JP S63157148A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
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- G03F7/167—Coating processes; Apparatus therefor from the gas phase, by plasma deposition
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レジスト膜及びそのレジストパターンの形成
方法、特にドライプロセスに適用可能なレジスト膜及び
そのレジストパターンの形成方法に関する。
方法、特にドライプロセスに適用可能なレジスト膜及び
そのレジストパターンの形成方法に関する。
従来の技術
集積回路の微細加工にレジストプロセスが応用されて久
しいが、回路の高集積化に伴ない年々高度な微細加工法
が要求されてきている。
しいが、回路の高集積化に伴ない年々高度な微細加工法
が要求されてきている。
これに対して、従来より用いられてきたレジストプロセ
スの多くは、ウェットプロセスを含むため、好適な微細
レジストパターンを形成するには欠点が多いものであっ
た。即ち、レジストプロセスは、大別して、レジスト膜
形成工程、潜像形成工程および現像工程より成るが、ウ
ェットプロセスにおけるレジスト膜形成工程においては
、レジスト材料を高度に精製し、組成、濃度、粘度、分
散法等の調整により均質な塗液を調製し、かつ、塗工法
、重合法等の調整により均等な膜厚を有する薄膜を形成
する必要があるため、工程の複雑化、高コスト化、収率
の低下を招く。また、その現像工程においては、現像液
あるいはリンス液として有機溶剤またはアルカリ永溶液
等の薬剤を必要とするため、レジスト膜の膨潤作用によ
る解像度低下を発生する。ざらに、薬品使用による安全
性の低下、乾燥過程あるいは搬送過程における塵埃の付
着によるパターン欠陥の発生などの欠点を有する。
スの多くは、ウェットプロセスを含むため、好適な微細
レジストパターンを形成するには欠点が多いものであっ
た。即ち、レジストプロセスは、大別して、レジスト膜
形成工程、潜像形成工程および現像工程より成るが、ウ
ェットプロセスにおけるレジスト膜形成工程においては
、レジスト材料を高度に精製し、組成、濃度、粘度、分
散法等の調整により均質な塗液を調製し、かつ、塗工法
、重合法等の調整により均等な膜厚を有する薄膜を形成
する必要があるため、工程の複雑化、高コスト化、収率
の低下を招く。また、その現像工程においては、現像液
あるいはリンス液として有機溶剤またはアルカリ永溶液
等の薬剤を必要とするため、レジスト膜の膨潤作用によ
る解像度低下を発生する。ざらに、薬品使用による安全
性の低下、乾燥過程あるいは搬送過程における塵埃の付
着によるパターン欠陥の発生などの欠点を有する。
このような欠点を解消するため、最近ではドライプロセ
スによるレジストパターンの形成が注目されてきている
。その−例である電子ビーム描画用レジスト膜としては
、例えば、ＰＭＭＡ （ＫＴ工、ＤＵＰＯＮＴ等製）
、０ＥＢＲＩ○３０（東京応化製）、ＣＦ３（東京応化
製） 、ＥＢＲ９（東し製） 、ＦＢＭ （ダイキン製
）、ＰＭ（ＭＩＣＲＯＩＭＡＧＥ製） 、ＰＢＳ （Ｍ
ＥＡＤ ＴＥＣＨ製）、１３５０ （ＨＯＥＣＨＳＴ
５ＨＩＰＬＥＹ製） 、ＲＥ５０００Ｐ （日立製
）等が挙げられる。
スによるレジストパターンの形成が注目されてきている
。その−例である電子ビーム描画用レジスト膜としては
、例えば、ＰＭＭＡ （ＫＴ工、ＤＵＰＯＮＴ等製）
、０ＥＢＲＩ○３０（東京応化製）、ＣＦ３（東京応化
製） 、ＥＢＲ９（東し製） 、ＦＢＭ （ダイキン製
）、ＰＭ（ＭＩＣＲＯＩＭＡＧＥ製） 、ＰＢＳ （Ｍ
ＥＡＤ ＴＥＣＨ製）、１３５０ （ＨＯＥＣＨＳＴ
５ＨＩＰＬＥＹ製） 、ＲＥ５０００Ｐ （日立製
）等が挙げられる。
しかしながら、前記電子ビーム描画用レジスト膜は、い
ずれも十分に高い感度を有するものとはいえず、ドライ
エツチングに対する耐久性も十分なものではなかった。
ずれも十分に高い感度を有するものとはいえず、ドライ
エツチングに対する耐久性も十分なものではなかった。
一方、通常のレジストプロセスにおいては、描画部のレ
ジスト膜が現像により残存するネガ型レジスト膜と非描
画部のレジスト膜が現像により残存するポジ型レジスト
膜とを目的に応じて使い分ける必要があり、従ってレジ
スト材料においてもネガ型とポジ型の二種類を適宜選択
して用いなければならないという問題点があった。
ジスト膜が現像により残存するネガ型レジスト膜と非描
画部のレジスト膜が現像により残存するポジ型レジスト
膜とを目的に応じて使い分ける必要があり、従ってレジ
スト材料においてもネガ型とポジ型の二種類を適宜選択
して用いなければならないという問題点があった。
そこで、本発明は、電子ビーム描画法等のドライエツチ
ング法を用いたレジストプロセスにおいて待望されるレ
ジスト膜の高感度化と耐エツチング性の向上を目的とす
るものである。
ング法を用いたレジストプロセスにおいて待望されるレ
ジスト膜の高感度化と耐エツチング性の向上を目的とす
るものである。
さらに、本発明は、ネガ型及びポジ型のレジストプロセ
スに適用できるレジスト膜の提供を目的とする。
スに適用できるレジスト膜の提供を目的とする。
、１点を ゛するための手
本発明のレジスト膜は、前記目的を達成するために、弗
素含有メタクリレート及び弗素含有アクリレートのうち
の少なくとも−っを真空中グロー放電によりプラズマ重
合せしめた有機重合膜からなることを特徴とするもので
ある。
素含有メタクリレート及び弗素含有アクリレートのうち
の少なくとも−っを真空中グロー放電によりプラズマ重
合せしめた有機重合膜からなることを特徴とするもので
ある。
ざらに本発明のレジストパターンの形成方法は、弗素含
有メタクリレート及び弗素含有アクリレートのうちの少
なくとも一つを真空中グロー放電によりプラズマ重合せ
しめた有機重合膜に電子ビームを照射して潜像を形成す
る工程と、この潜像をプラズマエツチングにより現像す
る工程とを含むことを特徴とするものである。
有メタクリレート及び弗素含有アクリレートのうちの少
なくとも一つを真空中グロー放電によりプラズマ重合せ
しめた有機重合膜に電子ビームを照射して潜像を形成す
る工程と、この潜像をプラズマエツチングにより現像す
る工程とを含むことを特徴とするものである。
本発明における有機重合膜の作製には、弗素含有メタク
リレート及び弗素含有アクリレートのうちの少な°くと
も一つが用いられる。弗素含有メタクリレート及び弗素
含有アクリレートとしては、例えば、２，２．２−）リ
フルオロエチルメタクリレートｃＨ２＝ｃ（ＣＨ３）Ｃ
ＯＯＣＨ２ＣＦ３．２．２，３．３−テトラフルオロプ
ロピルメタクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ
２（ＣＦ２）２Ｈ，ＬＨ，ＩＨ，５Ｈ−オクタフルオロ
ペンチルメタクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００Ｃ
Ｈ２（ＣＦ２）４Ｈ，ＬＨ，ＬＨ，２Ｈ，２Ｈ−へブタ
デカフルオロデシルメタクリレートｃＨ２＝ｃ（ＣＨ３
）Ｃ００（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆ、２，２．２−ト
リフルオロエチルアクリレートＣＨ２＝ ＣＨＣ００Ｃ
Ｈ２ＣＦ ３．２，２，３．３−テトラフルオロプロピ
ルアクリレートＣＨ２＝ＣＨＣ００ＣＨ２（ＣＦ２）２
Ｈ，ＬＨ，ＬＨ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルアクリ
レ−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）４Ｈ，ＬＨ
，ＬＨ，２Ｈ，２Ｈ−へブタデカフルオロデシルアクリ
レートＣＨ２＝ＣＨＣ０○（ＣＨ２） ２（ＣＦ２）８
Ｆ等が挙げられる。これらの有機化合物の相状態は常温
常圧において液体または固体であるが、加熱あるいは減
圧等により容易に融解を経て気化でき、従って本発明に
おけるプラズマ重合反応はプラズマＣＶＤの常法を用い
て容易に行なうことが可能である。例えば、気相状態に
ある弗素含有メタクリレート及び弗素含有アクリレート
のうちの少なくとも一つを減圧下で放電分解し、発生し
たプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性種あるいは荷電
種を基板上に拡散、電気力、あるいは磁気力等により誘
導し、基板上での再結合反応により固相として堆積きせ
る、いわゆるプラズマＣＶＤ反応から重合生成きれる。
リレート及び弗素含有アクリレートのうちの少な°くと
も一つが用いられる。弗素含有メタクリレート及び弗素
含有アクリレートとしては、例えば、２，２．２−）リ
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ロピルメタクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ
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デカフルオロデシルメタクリレートｃＨ２＝ｃ（ＣＨ３
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リフルオロエチルアクリレートＣＨ２＝ ＣＨＣ００Ｃ
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ルアクリレートＣＨ２＝ＣＨＣ００ＣＨ２（ＣＦ２）２
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レ−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）４Ｈ，ＬＨ
，ＬＨ，２Ｈ，２Ｈ−へブタデカフルオロデシルアクリ
レートＣＨ２＝ＣＨＣ０○（ＣＨ２） ２（ＣＦ２）８
Ｆ等が挙げられる。これらの有機化合物の相状態は常温
常圧において液体または固体であるが、加熱あるいは減
圧等により容易に融解を経て気化でき、従って本発明に
おけるプラズマ重合反応はプラズマＣＶＤの常法を用い
て容易に行なうことが可能である。例えば、気相状態に
ある弗素含有メタクリレート及び弗素含有アクリレート
のうちの少なくとも一つを減圧下で放電分解し、発生し
たプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性種あるいは荷電
種を基板上に拡散、電気力、あるいは磁気力等により誘
導し、基板上での再結合反応により固相として堆積きせ
る、いわゆるプラズマＣＶＤ反応から重合生成きれる。
この有機重合膜の膜厚は、０．０１μｍ乃至１０μｍで
あることが好ましい。膜厚が０．０１μｍより薄いと、
耐エツチング性が必ずしも保証されなくなる。膜厚が１
０μｍより厚いと、有機重合膜形成、描画及びエツチン
グ等に長時間を要し、生産性の面で好ましくない。また
、この有機重合膜の堆積速度は、０．００１μｍ／分乃
至０．５μｍ／分とすることが好ましい。堆積速度が０
．００１μｍ／分より低いと、この有機重合膜からなる
レジスト膜の電子ビーム照射に対する感度が低下し好ま
しくない。堆積速度が０．５μｍ／分より高いと有機重
合膜の成膜性が低下し、いわゆる荒れた膜となり、基板
表面の被覆性が低下し好ましくない。この有機重合膜の
膜厚は、成膜時間の調整により容易に制御可能である。
あることが好ましい。膜厚が０．０１μｍより薄いと、
耐エツチング性が必ずしも保証されなくなる。膜厚が１
０μｍより厚いと、有機重合膜形成、描画及びエツチン
グ等に長時間を要し、生産性の面で好ましくない。また
、この有機重合膜の堆積速度は、０．００１μｍ／分乃
至０．５μｍ／分とすることが好ましい。堆積速度が０
．００１μｍ／分より低いと、この有機重合膜からなる
レジスト膜の電子ビーム照射に対する感度が低下し好ま
しくない。堆積速度が０．５μｍ／分より高いと有機重
合膜の成膜性が低下し、いわゆる荒れた膜となり、基板
表面の被覆性が低下し好ましくない。この有機重合膜の
膜厚は、成膜時間の調整により容易に制御可能である。
また、有機重合膜の堆積速度は、使用するプラズマＣＶ
Ｄ装置の形態により制御量の差異はあるが、堆積速度を
高くするには、例えば、前記有機化合物の流量を増やす
、印加電力を高くする、印加電力の周波数を低くする、
基板温度を低くする等の手段、あるいはこれらの手段の
組合せを用いることにより容易に制御可能である。
Ｄ装置の形態により制御量の差異はあるが、堆積速度を
高くするには、例えば、前記有機化合物の流量を増やす
、印加電力を高くする、印加電力の周波数を低くする、
基板温度を低くする等の手段、あるいはこれらの手段の
組合せを用いることにより容易に制御可能である。
こうして作製された有機重合膜は、そのままネガ型レジ
スト膜として使用することが可能であるが、成膜後、四
弗化炭素プラズマ照射を行なうことにより、ポジ型レジ
スト膜として使用することも可能である。四弗化炭素プ
ラズマ照射処理時間は、プラズマ条件並びに有機重合膜
の膜厚により調整が必要であるが、概ね１分乃至３０分
程度が適当である。また、四弗化炭素プラズマ照射は、
有機重合膜作製に用いたプラズマＣＶＤ装置をそのまま
用いて行なうことが可能である。
スト膜として使用することが可能であるが、成膜後、四
弗化炭素プラズマ照射を行なうことにより、ポジ型レジ
スト膜として使用することも可能である。四弗化炭素プ
ラズマ照射処理時間は、プラズマ条件並びに有機重合膜
の膜厚により調整が必要であるが、概ね１分乃至３０分
程度が適当である。また、四弗化炭素プラズマ照射は、
有機重合膜作製に用いたプラズマＣＶＤ装置をそのまま
用いて行なうことが可能である。
この有機重合膜における四弗化炭素プラズマ照射による
ネガポジ反転の現象は、本発明者らにおいても不明確で
はあるが、四弗化炭素プラズマにより炭素原子あるいは
弗素原子が有機重合膜中に取り込まれたか、または四弗
化炭素プラズマにより真空装置に常用されるステンレス
製部材中の原子がスパッタにより有機重合膜表面に付着
したことに起因するものと推定きれる。
ネガポジ反転の現象は、本発明者らにおいても不明確で
はあるが、四弗化炭素プラズマにより炭素原子あるいは
弗素原子が有機重合膜中に取り込まれたか、または四弗
化炭素プラズマにより真空装置に常用されるステンレス
製部材中の原子がスパッタにより有機重合膜表面に付着
したことに起因するものと推定きれる。
本発明のレジストパターンの形成方法において、潜像形
成工程には、電子ビーム描画の常法、例えば、ベクター
スキャン方式、あるいはラスタースキャン方式等を用い
る。電子ビームには、例えば、ポイント電子ビーム、固
定成形電子ビームあるいは可変成形電子ビーム等を用い
ることができる。また、本発明における現体工程には、
プラズマによるドライエツチングを用いる。
成工程には、電子ビーム描画の常法、例えば、ベクター
スキャン方式、あるいはラスタースキャン方式等を用い
る。電子ビームには、例えば、ポイント電子ビーム、固
定成形電子ビームあるいは可変成形電子ビーム等を用い
ることができる。また、本発明における現体工程には、
プラズマによるドライエツチングを用いる。
また、本発明における有機重合膜は、前述したポジ型か
らネガ型に変更することも可能である。
らネガ型に変更することも可能である。
この場合、前記ポジ型とした有機重合膜に、描画時より
も強い電子ビームを均一に照射することによって、この
有機重合膜をネガ型に変更できる。
も強い電子ビームを均一に照射することによって、この
有機重合膜をネガ型に変更できる。
以上のように、本発明においてはウェットプロセスを全
く用いることなくネガポジ任意のレジストパターンを形
成することが可能である。
く用いることなくネガポジ任意のレジストパターンを形
成することが可能である。
次に、本発明における有機重合膜の形成およびドライエ
ツチングについて図面を参照して説明する。
ツチングについて図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係わるレジスト膜形成及びドライエツ
チング装置を示す。図中（７０１）〜（７０６）は常温
において気相状態にあるエツチングガス、ボンバードガ
ス、及び、キャリアガス等を密封した第１乃至第６タン
クで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）〜
（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（７
１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１）
は常温において液相または固相状態にある弗素含有メタ
クリレート或は弗素含有アクリレートを封入した第１乃
至第３容器で、各々の容器は気化のため第１乃至第３温
調器（７２２）〜（７２４）により与熱可能であり、ざ
らに各々の容器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７
２７）と第７乃至第９流量制御器（７２８）〜（７３０
）に接続されている。これらのガスは混合器（７３１）
で混合された後、主管（７３２）を介して反心室（７３
３）に送り込まれる。途中の配管は、常温において液相
状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結
しないように、適宜配置された配管加熱器（７３４）に
より、与熱可能とされている。反応室内には接地電極（
７３５）と電力印加電極（７３６）が対向して設置きれ
、各々の電極は電極加熱器（７３７）により与熱可能と
されている。電力印加電極（７３６）には、高周波電力
用整合器（７３８）を介して高周波電源（７３９）、低
周波電力用整合器（７４０）を介して低周波電源（７４
１）、ローパスフィルタ（７４２）を介して直流電源（
７４３）が接続されており、接続選択スイッチ（７４４
）により周波数の異なる電力が印加可能とされている。
チング装置を示す。図中（７０１）〜（７０６）は常温
において気相状態にあるエツチングガス、ボンバードガ
ス、及び、キャリアガス等を密封した第１乃至第６タン
クで、各々のタンクは第１乃至第６調節弁（７０７）〜
（７１２）と第１乃至第６流量制御器（７１３）〜（７
１８）に接続されている。図中（７１９）〜（７２１）
は常温において液相または固相状態にある弗素含有メタ
クリレート或は弗素含有アクリレートを封入した第１乃
至第３容器で、各々の容器は気化のため第１乃至第３温
調器（７２２）〜（７２４）により与熱可能であり、ざ
らに各々の容器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７
２７）と第７乃至第９流量制御器（７２８）〜（７３０
）に接続されている。これらのガスは混合器（７３１）
で混合された後、主管（７３２）を介して反心室（７３
３）に送り込まれる。途中の配管は、常温において液相
状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結
しないように、適宜配置された配管加熱器（７３４）に
より、与熱可能とされている。反応室内には接地電極（
７３５）と電力印加電極（７３６）が対向して設置きれ
、各々の電極は電極加熱器（７３７）により与熱可能と
されている。電力印加電極（７３６）には、高周波電力
用整合器（７３８）を介して高周波電源（７３９）、低
周波電力用整合器（７４０）を介して低周波電源（７４
１）、ローパスフィルタ（７４２）を介して直流電源（
７４３）が接続されており、接続選択スイッチ（７４４
）により周波数の異なる電力が印加可能とされている。
反応室（７３３）内の圧力は圧力制御弁（７４５）によ
り調整可能であり、反応室（７３３）内の減圧は、排気
系選択弁（７４６）を介して、分子ターボポンプ（７４
７） 、油回転ポンプ（７４８）、或は、冷却除外装置
（７４９） 、メカニカルブースターポンプ（７５０）
、油回転ポンプ（７４８）により行なわれる。排ガスに
ついては、ざらに適当な除外装置（７５３）により安全
無害化した後、大気中に排気される。これら排気系配管
についても、常温において液相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされて
いる。反応室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器
（７５１）により与熱可能とされ、内部に配された電極
上に基板（７５２）が設置される。基板（７５２）とし
ては、例えば、シリコンウェハ、ガラス板、樹脂板、金
属板等を使用することが可能である。基板（７５２）は
接地電極（７３５）に固定して配されているが、電力印
加電極（７３６）に固定して配されてもよく、ざらに双
方に配きれてもよい。
り調整可能であり、反応室（７３３）内の減圧は、排気
系選択弁（７４６）を介して、分子ターボポンプ（７４
７） 、油回転ポンプ（７４８）、或は、冷却除外装置
（７４９） 、メカニカルブースターポンプ（７５０）
、油回転ポンプ（７４８）により行なわれる。排ガスに
ついては、ざらに適当な除外装置（７５３）により安全
無害化した後、大気中に排気される。これら排気系配管
についても、常温において液相状態にあった原料化合物
が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配置
された配管加熱器（７３４）により、与熱可能とされて
いる。反応室（７３３）も同様の理由から反応室加熱器
（７５１）により与熱可能とされ、内部に配された電極
上に基板（７５２）が設置される。基板（７５２）とし
ては、例えば、シリコンウェハ、ガラス板、樹脂板、金
属板等を使用することが可能である。基板（７５２）は
接地電極（７３５）に固定して配されているが、電力印
加電極（７３６）に固定して配されてもよく、ざらに双
方に配きれてもよい。
第１図に示した本発明に係わるレジスト膜形成及びドラ
イエツチング装置は、潜像形成のための電子ビーム照射
装置並びに基板の装脱着のための予備室等とゲートバル
ブを介して接続することが可能であり、またそうするこ
とにより全く真空を破ることなく基板上にレジストパタ
ーンを形成することが可能である。
イエツチング装置は、潜像形成のための電子ビーム照射
装置並びに基板の装脱着のための予備室等とゲートバル
ブを介して接続することが可能であり、またそうするこ
とにより全く真空を破ることなく基板上にレジストパタ
ーンを形成することが可能である。
有機重合膜形成に供される反応室は、拡散ポンプにより
予め１０−４乃至１０＝Ｔｏｒｒ程度にまで減圧される
とともに、装置内部に吸着したガスの除去が行なわれ、
真空度の確認がなされる。所定の真空度に達した所で、
予め電極に固定して配されるか、または、ゲートバルブ
を用いて電極まで搬送され固定された基板を、所定の温
度まで昇温する。基板は電力印加電極並びに接地電極の
少なくとも一方に設置されるが、一方だけに設置された
場合においても、両電極共に加熱する方が、電極間を清
浄に保つ上で好ましい。また、基板が設置されない電極
には、交換可能な防着板を予め取り付ける方が、電極間
を清浄に保つ上で好ましい。次いで、第１乃至第３容器
の何れかより、原料ガスを適宜第７乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば低周波
電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を投入する。
予め１０−４乃至１０＝Ｔｏｒｒ程度にまで減圧される
とともに、装置内部に吸着したガスの除去が行なわれ、
真空度の確認がなされる。所定の真空度に達した所で、
予め電極に固定して配されるか、または、ゲートバルブ
を用いて電極まで搬送され固定された基板を、所定の温
度まで昇温する。基板は電力印加電極並びに接地電極の
少なくとも一方に設置されるが、一方だけに設置された
場合においても、両電極共に加熱する方が、電極間を清
浄に保つ上で好ましい。また、基板が設置されない電極
には、交換可能な防着板を予め取り付ける方が、電極間
を清浄に保つ上で好ましい。次いで、第１乃至第３容器
の何れかより、原料ガスを適宜第７乃至第９流量制御器
を用いて定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節
弁により反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が
安定化した後、接続選択スイッチにより、例えば低周波
電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を投入する。
両電極間には放電が開始きれ、時間と共に基板上に固相
の有機重合膜が形成される。ここで、基板あるいは基板
の前処理等によっても異なるが、有機重合膜形成前に、
有機重合膜形成時と同様の操作により、反応室内に第１
乃至第６タンクの何れかよりエツチングガスあるいはボ
ンバードガス等を導入し放電させ、基板表面の浄化ある
いは基板と有機重合膜との密着性の確保を予め図っても
よい。また、反応装置の形態によっても異なるが、両電
極間の放電の安定化あるいは有機重合膜の膜厚の均等化
を図るため、有機重合膜形成反応時に、反応室内に第１
乃至第６タンクの何れかよりキャリアガスを原料ガスと
同時に流入してもよい。キャリアガスとしては、プラズ
マＣＶＤ反応においては常用される、水素ガス、アルゴ
ンガスあるいはヘリウムガス等を用いることができる。
の有機重合膜が形成される。ここで、基板あるいは基板
の前処理等によっても異なるが、有機重合膜形成前に、
有機重合膜形成時と同様の操作により、反応室内に第１
乃至第６タンクの何れかよりエツチングガスあるいはボ
ンバードガス等を導入し放電させ、基板表面の浄化ある
いは基板と有機重合膜との密着性の確保を予め図っても
よい。また、反応装置の形態によっても異なるが、両電
極間の放電の安定化あるいは有機重合膜の膜厚の均等化
を図るため、有機重合膜形成反応時に、反応室内に第１
乃至第６タンクの何れかよりキャリアガスを原料ガスと
同時に流入してもよい。キャリアガスとしては、プラズ
マＣＶＤ反応においては常用される、水素ガス、アルゴ
ンガスあるいはヘリウムガス等を用いることができる。
有機重合膜形成を所定の時間待ない、所望の膜厚が得ら
れた所で放電を一旦停止し、第７乃至第９調節弁を閉じ
、反応室内を充分に排気する。
れた所で放電を一旦停止し、第７乃至第９調節弁を閉じ
、反応室内を充分に排気する。
得られた有機重合膜からなるレジスト膜は、ネガ型レジ
スト膜として次の電子ビーム描画工程に供せられる。こ
こで、電子ビーム描画工程においてポジ型レジスト膜が
必要とされる場合においては、再び有機重合膜形成時と
同様の操作により反応室内に第１乃至第６タンクの何れ
かより四弗化炭素ガスを導入し放電を行なえばよい。こ
のように、わずかの操作によりネガ型およびポジ型レジ
スト膜に成り得ることが、本発明のレジスト膜の最も特
徴とするところの一つである。
スト膜として次の電子ビーム描画工程に供せられる。こ
こで、電子ビーム描画工程においてポジ型レジスト膜が
必要とされる場合においては、再び有機重合膜形成時と
同様の操作により反応室内に第１乃至第６タンクの何れ
かより四弗化炭素ガスを導入し放電を行なえばよい。こ
のように、わずかの操作によりネガ型およびポジ型レジ
スト膜に成り得ることが、本発明のレジスト膜の最も特
徴とするところの一つである。
次いで、本発明のレジスト膜が形成きれた基板を電子ビ
ーム照射装置に移し、常法により描画し、潜像形成を行
なう。
ーム照射装置に移し、常法により描画し、潜像形成を行
なう。
次いで、潜像形成が成された基板を、再び、第１図に示
した本発明に係わるレジスト膜形成及びドライエツチン
グ装置に移し、有機重合膜形成時と同様の操作により反
応室内に第１乃至第６タンクの何れかよりエツチングガ
スを導入し放電を行なうこと１こより現像を行なう。
した本発明に係わるレジスト膜形成及びドライエツチン
グ装置に移し、有機重合膜形成時と同様の操作により反
応室内に第１乃至第６タンクの何れかよりエツチングガ
スを導入し放電を行なうこと１こより現像を行なう。
これら一連の本発明によるレジストパターンの形成方法
により、ウェットプロセスを全く用いることなく、ネガ
像およびポジ像の任意のレジストパターンを容易に得る
ことができる。
により、ウェットプロセスを全く用いることなく、ネガ
像およびポジ像の任意のレジストパターンを容易に得る
ことができる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図に示す本発明に係わるレジスト膜形成及びドライ
エツチング装置において、まず、反応装置（７３３）の
内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空にした後、第７調
節弁（７２５）を解放し、第１容赫（７１９）よりＩＨ
，ＬＨ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレート
ＣＨ２＝ Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２（ＣＦ２）４Ｈガ
スを第１温調器（７２２）温度７５℃の下で、第７流量
制御器（７２８）内へ流入させた。そして流量制御器の
目盛を調整して、ＩＨ，ＬＨ，５Ｈ−オクタフルオロペ
ンチルメタクリレートガスの流量を６．８ｓｅｃｍとな
るように設定して、主管（７３２）より反応室（７３３
）内へ流入した。流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．２５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁
（７４５）を調整した。一方、基板（７５２）としては
、樅１０×横１０×厚０．３ｍｍのシリコンウェハ２枚
を並べて用いて、予め１６０℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（
？４４）により接続しておいた低周波電源（７４１）を
投入し、電力印加電極（７３６）に１０５Ｗａｔｔの電
力を周波数３０ＫＨｚの下で印加して約１００分間プラ
ズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に厚き５μｍ
の有機重合膜を形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。
エツチング装置において、まず、反応装置（７３３）の
内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の高真空にした後、第７調
節弁（７２５）を解放し、第１容赫（７１９）よりＩＨ
，ＬＨ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレート
ＣＨ２＝ Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２（ＣＦ２）４Ｈガ
スを第１温調器（７２２）温度７５℃の下で、第７流量
制御器（７２８）内へ流入させた。そして流量制御器の
目盛を調整して、ＩＨ，ＬＨ，５Ｈ−オクタフルオロペ
ンチルメタクリレートガスの流量を６．８ｓｅｃｍとな
るように設定して、主管（７３２）より反応室（７３３
）内へ流入した。流量が安定した後に、反応室（７３３
）内の圧力が０．２５Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁
（７４５）を調整した。一方、基板（７５２）としては
、樅１０×横１０×厚０．３ｍｍのシリコンウェハ２枚
を並べて用いて、予め１６０℃に加熱しておき、ガス流
量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（
？４４）により接続しておいた低周波電源（７４１）を
投入し、電力印加電極（７３６）に１０５Ｗａｔｔの電
力を周波数３０ＫＨｚの下で印加して約１００分間プラ
ズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に厚き５μｍ
の有機重合膜を形成した。成膜完了後は、電力印加を停
止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気
した。
以上のようにして得られた有機重合膜からなるレジスト
膜につき元素分析を行なったところ、全構成原子に対し
含有される水素原子の量は３１原子％、弗素原子の量は
２４原子％、酸素原子の量は５原子％であった。また、
第２図に示す如き赤外吸収スペクトルを有していた。
膜につき元素分析を行なったところ、全構成原子に対し
含有される水素原子の量は３１原子％、弗素原子の量は
２４原子％、酸素原子の量は５原子％であった。また、
第２図に示す如き赤外吸収スペクトルを有していた。
得られた２枚のレジスト膜の性能を評価するた −めに
、１枚については、まず、電子ビーム蒸着装置（ＪＥＢ
Ｅ−４８Ｎｏ、４１００６ 日本電子社製）に移し、
ソフトフォーカスにてレジスト膜全面に電子ビームを照
射した。このとき、真空度は２．６Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ
以下とした。電子ビーム照射は、温度上昇を防ぐために
２Ｏ秒照射２０秒停止の断続照射を用い、電子照射量が
１ｍＣ／ｃｍ２となるまで行なった。次いで、電子ビー
ム照射したレジスト膜と電子ビーム照射をしなかったレ
ジスト膜の２枚を、再び第１図に示す本発明に係わるレ
ジスト膜形成及びドライエツチング装置に移し、有機重
合膜形成時と同様の操作にて、反応室（７３３）内に第
６タンク（７０６）より酸素ガスを導入し、高周波電源
（７３９）より周波数１３，５６ＭＨｚの高周波電力を
電力印加電極（７３６）に印加し、プラズマエツチング
を行なった。それぞれのレジ反ト膜について、マスクを
施した部分との差をダイヤルゲージにて測定し、電子ビ
ーム照射の有無によるエツチング深ざの差異を観測した
。第３図に結果を示す。第３図中、実線は電子ビームを
照射したレジスト膜のエツチング特性、破線は電子ビー
ムを照射していないレジスト膜のエツチング特性を示し
ている。
、１枚については、まず、電子ビーム蒸着装置（ＪＥＢ
Ｅ−４８Ｎｏ、４１００６ 日本電子社製）に移し、
ソフトフォーカスにてレジスト膜全面に電子ビームを照
射した。このとき、真空度は２．６Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ
以下とした。電子ビーム照射は、温度上昇を防ぐために
２Ｏ秒照射２０秒停止の断続照射を用い、電子照射量が
１ｍＣ／ｃｍ２となるまで行なった。次いで、電子ビー
ム照射したレジスト膜と電子ビーム照射をしなかったレ
ジスト膜の２枚を、再び第１図に示す本発明に係わるレ
ジスト膜形成及びドライエツチング装置に移し、有機重
合膜形成時と同様の操作にて、反応室（７３３）内に第
６タンク（７０６）より酸素ガスを導入し、高周波電源
（７３９）より周波数１３，５６ＭＨｚの高周波電力を
電力印加電極（７３６）に印加し、プラズマエツチング
を行なった。それぞれのレジ反ト膜について、マスクを
施した部分との差をダイヤルゲージにて測定し、電子ビ
ーム照射の有無によるエツチング深ざの差異を観測した
。第３図に結果を示す。第３図中、実線は電子ビームを
照射したレジスト膜のエツチング特性、破線は電子ビー
ムを照射していないレジスト膜のエツチング特性を示し
ている。
電子ビームを照射していないレジスト膜のエツチングレ
イトは約２１０人／ ｓ ｅ ｃであり、照射したレジ
スト膜の約１５０人／ ｓ ｅ ｃに比べ、約１．４倍
のエツチング速度を有しており、このことから好適なネ
ガ型レジスト膜として機能することが確認された。
イトは約２１０人／ ｓ ｅ ｃであり、照射したレジ
スト膜の約１５０人／ ｓ ｅ ｃに比べ、約１．４倍
のエツチング速度を有しており、このことから好適なネ
ガ型レジスト膜として機能することが確認された。
去加創？
実施例１と同様にして、第１図に示す本発明に係わるレ
ジスト膜形成及びドライエツチング装置を用いて、厚き
５μｍの有機重合膜を形成した。
ジスト膜形成及びドライエツチング装置を用いて、厚き
５μｍの有機重合膜を形成した。
成膜完了後は、一旦電力印加を停止し、調節弁を閉じ、
反応室（７３３）内を１Ｏ−５Ｔｏｒｒオーダーにまで
充分に排気した。
反応室（７３３）内を１Ｏ−５Ｔｏｒｒオーダーにまで
充分に排気した。
次いで、第１タンク（７０１）より四弗化炭素ＣＦ ４
ガスを第１流量制祁器（７１３）内へ流入し、流量制御
器の目盛を調整して、四弗化炭素ＣＦ４ガスの流量を６
．８ｓｅｃｍとなるように設定して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が０．ＩＴｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。ガス流量及び圧
力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）
により接続しておいた高周波電源（７３９）を投入し、
電力印加電極（７３６）に１００Ｗａ１１の電力を周波
数１３．５６ＭＨｚの下で印加して約２０分間プラズマ
処理を行ない有機重合膜を形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を
充分に排気した。
ガスを第１流量制祁器（７１３）内へ流入し、流量制御
器の目盛を調整して、四弗化炭素ＣＦ４ガスの流量を６
．８ｓｅｃｍとなるように設定して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が０．ＩＴｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。ガス流量及び圧
力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）
により接続しておいた高周波電源（７３９）を投入し、
電力印加電極（７３６）に１００Ｗａ１１の電力を周波
数１３．５６ＭＨｚの下で印加して約２０分間プラズマ
処理を行ない有機重合膜を形成した。成膜完了後は、電
力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を
充分に排気した。
以上のようにして得られた有機重合膜からなるレジスト
膜につき、実施例１と同様にして電子ビームによる潜像
形成と、酸素プラズマによるドライエツチングとを行な
い、性能を評価した。第４図に結果を示す。第４図中、
実線は電子ビームを照射したレジスト膜のエツチング特
性、破線は電子ビームを照射していないレジスト膜のエ
ツチング特性を示している。電子ビームを照射したレジ
スト膜のエツチングレイトは約１８０人／ ｓ ｅＣで
あり、未照射のレジスト膜の約１４５人／Ｓｅｃに比べ
、約１．３倍のエツチング速度を有しており、このこと
から好適なポジ型レジスト膜として機能することが確認
された。ざらにこのことから、実施例１におけるネガ型
レジスト膜が、四弗化炭素プラズマ処理により容易にポ
ジ型に変更可能であることが確認された。
膜につき、実施例１と同様にして電子ビームによる潜像
形成と、酸素プラズマによるドライエツチングとを行な
い、性能を評価した。第４図に結果を示す。第４図中、
実線は電子ビームを照射したレジスト膜のエツチング特
性、破線は電子ビームを照射していないレジスト膜のエ
ツチング特性を示している。電子ビームを照射したレジ
スト膜のエツチングレイトは約１８０人／ ｓ ｅＣで
あり、未照射のレジスト膜の約１４５人／Ｓｅｃに比べ
、約１．３倍のエツチング速度を有しており、このこと
から好適なポジ型レジスト膜として機能することが確認
された。ざらにこのことから、実施例１におけるネガ型
レジスト膜が、四弗化炭素プラズマ処理により容易にポ
ジ型に変更可能であることが確認された。
実施例３〜５
用いる原料ガスを２．２．２−トリフルオロエチルメタ
クリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏ○ＣＨ２ＣＦ ３
ガス（実施例３） 、２，２．３．３−テトラフルオロ
プロピルメタクリレートｃＨ２＝ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣ
Ｒ２（ＣＦ２）２Ｈガス（実施例４）、ＩＨ，ＬＨ，２
Ｈ，２Ｈ−へブタデカフルオロデシルメタクリレートＣ
Ｈｚ＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏｏ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆ
ガス（実施例５）とすること以外は実施例１と同様にし
て有機重合膜を形成した。得られた有機重合膜からなる
レジスト膜を実施例１と同様のレジストプロセスを用い
て評価したところ、電子ビームを照射していないレジス
ト膜のエツチングレイトは照射したレジスト膜の約１．
３倍（実施例３）、約１．３５倍（実施例４）、約１．
５倍（実施例５）のエツチング速度を有しており、何れ
も好適なネガ型レジスト膜として機能することが確認さ
れた。
クリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏ○ＣＨ２ＣＦ ３
ガス（実施例３） 、２，２．３．３−テトラフルオロ
プロピルメタクリレートｃＨ２＝ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯＣ
Ｒ２（ＣＦ２）２Ｈガス（実施例４）、ＩＨ，ＬＨ，２
Ｈ，２Ｈ−へブタデカフルオロデシルメタクリレートＣ
Ｈｚ＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏｏ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆ
ガス（実施例５）とすること以外は実施例１と同様にし
て有機重合膜を形成した。得られた有機重合膜からなる
レジスト膜を実施例１と同様のレジストプロセスを用い
て評価したところ、電子ビームを照射していないレジス
ト膜のエツチングレイトは照射したレジスト膜の約１．
３倍（実施例３）、約１．３５倍（実施例４）、約１．
５倍（実施例５）のエツチング速度を有しており、何れ
も好適なネガ型レジスト膜として機能することが確認さ
れた。
実施例６〜８
用いる原料ガスを２．２．２−トリフルオロエチルメタ
クリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２ＣＦ ３
ガス（実施例６） 、２，２，３．３−テトラフルオロ
プロピルメタクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００Ｃ
Ｈ２（ＣＦ２）２Ｈガス（実施例７）、ＩＨ，ＬＨ，２
Ｈ，２Ｈ−へブタデカフルオロデシルメタクリレートＣ
Ｈ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏｏ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆ
ガス（実施例８）とすること以外は実施例２と同様にし
て有機重合膜を形成した。得られた有機重合膜からなる
レジスト膜を実施例２と同様のレジストプロセスを用い
て評価したところ、電子ビームを照射したレジスト膜の
エツチングレイトは未照射のレジスト膜の約１．２倍（
実流側３）、約１．２５倍（実施例４）、約１．４５倍
（実施例５）のエツチング速度を有しており、何れも好
適なポジ型レジスト膜として機能することが確認された
。
クリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００ＣＨ２ＣＦ ３
ガス（実施例６） 、２，２，３．３−テトラフルオロ
プロピルメタクリレートＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００Ｃ
Ｈ２（ＣＦ２）２Ｈガス（実施例７）、ＩＨ，ＬＨ，２
Ｈ，２Ｈ−へブタデカフルオロデシルメタクリレートＣ
Ｈ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃｏｏ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆ
ガス（実施例８）とすること以外は実施例２と同様にし
て有機重合膜を形成した。得られた有機重合膜からなる
レジスト膜を実施例２と同様のレジストプロセスを用い
て評価したところ、電子ビームを照射したレジスト膜の
エツチングレイトは未照射のレジスト膜の約１．２倍（
実流側３）、約１．２５倍（実施例４）、約１．４５倍
（実施例５）のエツチング速度を有しており、何れも好
適なポジ型レジスト膜として機能することが確認された
。
実施例ユニ１旦
用いる原料ガスを２．２．２−トリフルオロエチルアク
リレ−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ３ガス（実施例
９） 、２．２．３．３−テトラフルオロプロピルアク
リレートｃＨ２＝ｃＨｃＯＯｃＨ２（ＣＦ２）２Ｈガス
（実施例１０） 、ＬＨ，ＩＨ，５Ｈ−オクタフルオロ
ペンチルアクリレートＣＨ２＝ＣＨＣ００ＣＨ２（ＣＦ
２）４Ｈガス（実施例１１）、ＩＨ，ＬＨ，２Ｈ，２Ｈ
−へブタデカフルオロデシルアクリレ−）ＣＨ２＝ＣＨ
ＣＯＯ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆガス（実施例１２）
とすること以外は実施例１と同様にして有機重合膜を形
成した。得られた有機重合膜からなるレジスト膜を実施
例１と同様のレジストプロセスを用いて評価したところ
、電子ビームを照射していないレジスト膜のエツチング
レイトは照射したレジスト膜の約１．３倍（実施例９）
、約１．３５倍（実施例１０）、１．４倍（実施例１１
）、約１．４５倍（実施例１２）のエツチング速度を有
しており、何れも好適なネガ型レジスト膜として機能す
ることが確認された。
リレ−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ３ガス（実施例
９） 、２．２．３．３−テトラフルオロプロピルアク
リレートｃＨ２＝ｃＨｃＯＯｃＨ２（ＣＦ２）２Ｈガス
（実施例１０） 、ＬＨ，ＩＨ，５Ｈ−オクタフルオロ
ペンチルアクリレートＣＨ２＝ＣＨＣ００ＣＨ２（ＣＦ
２）４Ｈガス（実施例１１）、ＩＨ，ＬＨ，２Ｈ，２Ｈ
−へブタデカフルオロデシルアクリレ−）ＣＨ２＝ＣＨ
ＣＯＯ（ＣＨ２）２（ＣＦ２）８Ｆガス（実施例１２）
とすること以外は実施例１と同様にして有機重合膜を形
成した。得られた有機重合膜からなるレジスト膜を実施
例１と同様のレジストプロセスを用いて評価したところ
、電子ビームを照射していないレジスト膜のエツチング
レイトは照射したレジスト膜の約１．３倍（実施例９）
、約１．３５倍（実施例１０）、１．４倍（実施例１１
）、約１．４５倍（実施例１２）のエツチング速度を有
しており、何れも好適なネガ型レジスト膜として機能す
ることが確認された。
ヌ旅創ユに二１旦
用いる原料ガスを２．２．２−トリフルオロエチルアク
リＬ／−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ３ガス（実施
例１３） 、２，２．３．３−テトラフルオロプロピル
アクリレ−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）２Ｈ
ガス（実施例１４） 、ＩＨ，ＬＨ，５Ｈ−オクタフル
オロペンチルアクリレ−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（
ＣＦ２）４Ｈガス（実施例１５）、ＩＨ，ＩＨ，２Ｈ，
２Ｈ−へブタデカフルオロデシルアクリレートＣＨ２＝
ＣＨＣ００（ＣＨ２ｈ（ＣＦ２）８Ｆガス（実施例１６
）とすること以外は実施例２と同様にして有機重合膜を
形成した。得られた有機重合膜からなるレジスト膜を実
施例２と同様のレジストプロセスを用いて評価したとこ
ろ、電子ビームを照射したレジスト膜のエツチングレイ
トは未照射のレジスト膜の約１．２倍（実施例１３）、
約１．２５倍（実施例１４）、約１．３倍（実施例１５
）、約１．４倍（実施例１６）のエツチング速度を有し
ており、何れも好適なポジ型レジスト膜として機能する
ことが確認された。
リＬ／−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２ＣＦ３ガス（実施
例１３） 、２，２．３．３−テトラフルオロプロピル
アクリレ−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（ＣＦ２）２Ｈ
ガス（実施例１４） 、ＩＨ，ＬＨ，５Ｈ−オクタフル
オロペンチルアクリレ−）ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＣＨ２（
ＣＦ２）４Ｈガス（実施例１５）、ＩＨ，ＩＨ，２Ｈ，
２Ｈ−へブタデカフルオロデシルアクリレートＣＨ２＝
ＣＨＣ００（ＣＨ２ｈ（ＣＦ２）８Ｆガス（実施例１６
）とすること以外は実施例２と同様にして有機重合膜を
形成した。得られた有機重合膜からなるレジスト膜を実
施例２と同様のレジストプロセスを用いて評価したとこ
ろ、電子ビームを照射したレジスト膜のエツチングレイ
トは未照射のレジスト膜の約１．２倍（実施例１３）、
約１．２５倍（実施例１４）、約１．３倍（実施例１５
）、約１．４倍（実施例１６）のエツチング速度を有し
ており、何れも好適なポジ型レジスト膜として機能する
ことが確認された。
第１図は本発明に係わるレジスト膜形成及びドライエツ
チング装置、第２図は本発明のレジスト膜の赤外吸収ス
ペクトル、第３図は本発明のレジスト膜のネガ型特性、
及び、第４図は本発明のレジスト膜のポジ型特性を示す
図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 ＷＪＺ 口 ｊ２θθ ｚｌθθ ／ｌθθ １２ρθ
Ｊ＃ 〃θｆＬ毅（／ｃｔｎ） 第３図 ニジ七ンブ時Ｐ！１１ （＃） 第４ 図 エツナシグ′１１８閉（）幻
チング装置、第２図は本発明のレジスト膜の赤外吸収ス
ペクトル、第３図は本発明のレジスト膜のネガ型特性、
及び、第４図は本発明のレジスト膜のポジ型特性を示す
図面である。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 ＷＪＺ 口 ｊ２θθ ｚｌθθ ／ｌθθ １２ρθ
Ｊ＃ 〃θｆＬ毅（／ｃｔｎ） 第３図 ニジ七ンブ時Ｐ！１１ （＃） 第４ 図 エツナシグ′１１８閉（）幻
Claims (3)
- （１）弗素含有メタクリレート及び弗素含有アクリレー
トのうちの少なくとも一つを真空中グロー放電によりプ
ラズマ重合せしめた有機重合膜からなることを特徴とす
るレジスト膜。 - （２）前記有機重合膜が、四弗化炭素プラズマ照射処理
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のレジスト膜。 - （３）弗素含有メタクリレート及び弗素含有アクリレー
トのうちの少なくとも一つを真空中グロー放電によりプ
ラズマ重合せしめた有機重合膜に電子ビームを照射して
潜像を形成する工程と、この潜像をプラズマエッチング
により現像する工程とを含むことを特徴とするレジスト
パターンの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304981A JPH0778629B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | ポジ型レジスト膜及びそのレジストパターンの形成方法 |
| US07/134,060 US4842989A (en) | 1986-12-19 | 1987-12-17 | Resist layer and process for forming resist pattern thereon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61304981A JPH0778629B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | ポジ型レジスト膜及びそのレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63157148A true JPS63157148A (ja) | 1988-06-30 |
| JPH0778629B2 JPH0778629B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=17939635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61304981A Expired - Fee Related JPH0778629B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | ポジ型レジスト膜及びそのレジストパターンの形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4842989A (ja) |
| JP (1) | JPH0778629B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63172155A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Minolta Camera Co Ltd | レジスト膜及びそのレジストパタ−ンの形成方法 |
| KR20190141895A (ko) * | 2018-06-15 | 2019-12-26 | 인하대학교 산학협력단 | 고불소계 용제에 용해성을 가지는 고불소화 고분자를 포함하는 레지스트 재료 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5460693A (en) * | 1994-05-31 | 1995-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Dry microlithography process |
| US6849377B2 (en) | 1998-09-23 | 2005-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
| IL141803A0 (en) | 1998-09-23 | 2002-03-10 | Du Pont | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
| DE10082916D2 (de) * | 1999-09-27 | 2002-03-21 | Nanogate Gmbh | Verfahren und Stoffe |
| DE10114897A1 (de) * | 2001-03-26 | 2002-10-24 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches Bauteil |
| CA2381128A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Quantiscript Inc. | Plasma polymerized electron beam resist |
| US8852693B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-10-07 | Liquipel Ip Llc | Coated electronic devices and associated methods |
| TWI639179B (zh) | 2014-01-31 | 2018-10-21 | 美商蘭姆研究公司 | 真空整合硬遮罩製程及設備 |
| US10796912B2 (en) | 2017-05-16 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Eliminating yield impact of stochastics in lithography |
| KR102678588B1 (ko) | 2018-11-14 | 2024-06-27 | 램 리써치 코포레이션 | 차세대 리소그래피에서 유용한 하드 마스크들을 제조하기 위한 방법들 |
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| TW202514246A (zh) | 2019-03-18 | 2025-04-01 | 美商蘭姆研究公司 | 基板處理方法與設備 |
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| US12062538B2 (en) | 2019-04-30 | 2024-08-13 | Lam Research Corporation | Atomic layer etch and selective deposition process for extreme ultraviolet lithography resist improvement |
| TWI910974B (zh) | 2019-06-26 | 2026-01-01 | 美商蘭姆研究公司 | 利用鹵化物化學品的光阻顯影 |
| JP7618601B2 (ja) | 2019-06-28 | 2025-01-21 | ラム リサーチ コーポレーション | 複数のパターニング放射吸収元素および／または垂直組成勾配を備えたフォトレジスト |
| KR102937721B1 (ko) | 2019-06-28 | 2026-03-12 | 램 리써치 코포레이션 | 금속-함유 레지스트의 리소그래피 성능을 향상시키기 위한 소성 (bake) 전략들 |
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| CN115244664A (zh) | 2020-02-28 | 2022-10-25 | 朗姆研究公司 | 用于减少euv图案化缺陷的多层硬掩模 |
| JP2023530299A (ja) | 2020-06-22 | 2023-07-14 | ラム リサーチ コーポレーション | 金属含有フォトレジスト堆積のための表面改質 |
| US12416863B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-16 | Applied Materials, Inc. | Dry develop process of photoresist |
| US11621172B2 (en) | 2020-07-01 | 2023-04-04 | Applied Materials, Inc. | Vapor phase thermal etch solutions for metal oxo photoresists |
| WO2022010809A1 (en) | 2020-07-07 | 2022-01-13 | Lam Research Corporation | Integrated dry processes for patterning radiation photoresist patterning |
| WO2022103764A1 (en) | 2020-11-13 | 2022-05-19 | Lam Research Corporation | Process tool for dry removal of photoresist |
| US12577466B2 (en) | 2020-12-08 | 2026-03-17 | Lam Research Corporation | Photoresist development with organic vapor |
| KR102725782B1 (ko) | 2022-07-01 | 2024-11-05 | 램 리써치 코포레이션 | 에칭 정지 억제 (etch stop deterrence) 를 위한 금속 옥사이드 기반 포토레지스트의 순환적 현상 |
| WO2024196643A1 (en) | 2023-03-17 | 2024-09-26 | Lam Research Corporation | Integration of dry development and etch processes for euv patterning in a single process chamber |
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- 1986-12-19 JP JP61304981A patent/JPH0778629B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1987
- 1987-12-17 US US07/134,060 patent/US4842989A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4842989A (en) | 1989-06-27 |
| JPH0778629B2 (ja) | 1995-08-23 |
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