JPS63161665A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
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- JPS63161665A JPS63161665A JP61310013A JP31001386A JPS63161665A JP S63161665 A JPS63161665 A JP S63161665A JP 61310013 A JP61310013 A JP 61310013A JP 31001386 A JP31001386 A JP 31001386A JP S63161665 A JPS63161665 A JP S63161665A
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- transistor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/197—Bipolar transistor image sensors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、制御電極領域の′電位を制御する手段を有す
る光電変換トランジスタから成る光電変換装置に関する
。
る光電変換トランジスタから成る光電変換装置に関する
。
［従来技術］
ラインセンサ又はエリアセンサを構成して画像情報を得
る場合、露出制御やゲイン調整等のために、センサ全体
に照射されている光の平均値やピーク値をリアルタイム
で検出することが必要となる。−例として、従来の光電
変換装置を用いて構成したピーク値検出機能を有するラ
インセンサの場合を簡単に説明する。
る場合、露出制御やゲイン調整等のために、センサ全体
に照射されている光の平均値やピーク値をリアルタイム
で検出することが必要となる。−例として、従来の光電
変換装置を用いて構成したピーク値検出機能を有するラ
インセンサの場合を簡単に説明する。
第７図は、特願詔６０−２５２６５３号に記載されてい
る従来の光電変換装置を用いたラインセンサの概略的回
路図である。
る従来の光電変換装置を用いたラインセンサの概略的回
路図である。
ダブルエミッタ構造を有する光電変換セルＳ１〜Ｓｎの
一方のエミッタ電極から読出された信号は、垂直ライ・
ンＬ１〜Ｌｎを通して−Ｈコンデンサ０１〜Ｃｎに蓄積
された後、トランジスタＴ１〜Ｔｎを通して出力ライン
１０１に順次取出され、アンプを通して外部へ出力され
る。
一方のエミッタ電極から読出された信号は、垂直ライ・
ンＬ１〜Ｌｎを通して−Ｈコンデンサ０１〜Ｃｎに蓄積
された後、トランジスタＴ１〜Ｔｎを通して出力ライン
１０１に順次取出され、アンプを通して外部へ出力され
る。
また、上記読出し動作によって他方のエミッタ電極にも
信号が読出されるが、他方のエミッタ電極は共通ライン
１０２に接続されているために。
信号が読出されるが、他方のエミッタ電極は共通ライン
１０２に接続されているために。
共通ライン１０２には各読出し信号のピーク値Ｖｐが現
われる。このピーク値Ｖｐを用いて出力アンプのゲイン
調整や感度調整等を行うことができる。しかも、読出し
信号を外部へ出力する動作と並行してピーク値検出を行
うことができ、撮像動作の高速化を達成することができ
る。
われる。このピーク値Ｖｐを用いて出力アンプのゲイン
調整や感度調整等を行うことができる。しかも、読出し
信号を外部へ出力する動作と並行してピーク値検出を行
うことができ、撮像動作の高速化を達成することができ
る。
このようにダブルエミッタ構造を有する光電変換セルを
用いることで、入射光照度の平均値やピーク値を容易に
リアルタイムで検出するととかでさる。
用いることで、入射光照度の平均値やピーク値を容易に
リアルタイムで検出するととかでさる。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記従来の光電変換装置では、他方のエ
ミッタ電極の電位が自己の読出し動作以外の原因で変動
すると、ベース・エミッタ間容量を介してベース電位が
＃臂を受け、一方のエミッタ電極からの読出し信号が入
射光に正確に対応しなくなるという問題点を有していた
。
ミッタ電極の電位が自己の読出し動作以外の原因で変動
すると、ベース・エミッタ間容量を介してベース電位が
＃臂を受け、一方のエミッタ電極からの読出し信号が入
射光に正確に対応しなくなるという問題点を有していた
。
たとえば、」二足ラインセンサを構成した場合。
各セルの他方のエミッタ電極は共通ライン１０２に接続
され、読出し動作によってピーク値Ｖｐを得ている。
され、読出し動作によってピーク値Ｖｐを得ている。
しかしながら、たとえばセルＳ１に強い光が入射し、他
のセルに弱い光が入射した場合、共通ライン１０２には
セルＳ１の読出し信号による高い電圧がピーク値Ｖｐと
して現われ、この高い電圧が他のセルのエミッタ電極に
もかかる。これにより、ベース・エミッタ間容Ｍ’を介
して他のセルのベース電位が各々ト昇して読出し信号に
影響し、いわゆるクロストークが発生する。
のセルに弱い光が入射した場合、共通ライン１０２には
セルＳ１の読出し信号による高い電圧がピーク値Ｖｐと
して現われ、この高い電圧が他のセルのエミッタ電極に
もかかる。これにより、ベース・エミッタ間容Ｍ’を介
して他のセルのベース電位が各々ト昇して読出し信号に
影響し、いわゆるクロストークが発生する。
［問題点を解決するための手段］
本発明による光電変換装置は。
制御電極領域の電位を制御する手段を有する光′心変換
トランジスタを、電磁波の入射によってキャリアの発生
する一単位内に複数個設けたことを特徴とする。
トランジスタを、電磁波の入射によってキャリアの発生
する一単位内に複数個設けたことを特徴とする。
［作用］
上記一単位内に光電変換トランジスタを複数個設けたこ
とで、はぼ同一の入射電磁波の下で各トランジスタの出
力を種々の用途に利用でき、しかもトランジスタが別個
に形成されているために、−トランジスタの出力が変動
しても他のトランジスタは何ら影響されない。
とで、はぼ同一の入射電磁波の下で各トランジスタの出
力を種々の用途に利用でき、しかもトランジスタが別個
に形成されているために、−トランジスタの出力が変動
しても他のトランジスタは何ら影響されない。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。
する。
第１図（Ａ）は、本発明による光電変換装置の第１実施
例の概略的平面図、第１図（Ｂ）は、その一単位セルの
Ｉ−Ｉ線断面図、第１図（Ｃ）は、その等価回路図であ
る。
例の概略的平面図、第１図（Ｂ）は、その一単位セルの
Ｉ−Ｉ線断面図、第１図（Ｃ）は、その等価回路図であ
る。
本実施例では、ラインセンサの一巾位セル内に２個のパ
イボーラトランジ、スタＳＡおよびＳＢが形成されてい
る。
イボーラトランジ、スタＳＡおよびＳＢが形成されてい
る。
ｉ１図（Ａ）および（Ｂ）において、ｎ型シリコン基板
１上にｎ−エピタキシャル層２が形成され、その中に素
子分離領域３によって電気的に絶縁された単位セルがラ
イン状に配列されている。各単位セル内は素子分離領域
４によって分離され、バイポーラトランジスタＳＡおよ
びＳＢが各々形成されているの まず、ｎ′″エピタキシャル層２をコレクタ領域として
バイポーラトランジスタの各ｐペース領域５ａおよび５
ｂ、ｎ＋エミッタ領域６ａおよび６ｂが各々形成されて
いる。さらに、酸化膜７を挟んで、ｐベース領域５ａお
よび５ｂの電位を制御するためのキャパシタ電極８ａお
よび８ｂ、ｎ十エミッタ領域６ａおよび６ｂに接続して
いるエミッタ電極９ａおよび９ｂが各々形成されている
。
１上にｎ−エピタキシャル層２が形成され、その中に素
子分離領域３によって電気的に絶縁された単位セルがラ
イン状に配列されている。各単位セル内は素子分離領域
４によって分離され、バイポーラトランジスタＳＡおよ
びＳＢが各々形成されているの まず、ｎ′″エピタキシャル層２をコレクタ領域として
バイポーラトランジスタの各ｐペース領域５ａおよび５
ｂ、ｎ＋エミッタ領域６ａおよび６ｂが各々形成されて
いる。さらに、酸化膜７を挟んで、ｐベース領域５ａお
よび５ｂの電位を制御するためのキャパシタ電極８ａお
よび８ｂ、ｎ十エミッタ領域６ａおよび６ｂに接続して
いるエミッタ電極９ａおよび９ｂが各々形成されている
。
そして、基板１の裏面にオーミックコンタクト層を介し
て、バイポーラトランジスタのコレクタ電極１０が形成
され、一単位セルを構成している。
て、バイポーラトランジスタのコレクタ電極１０が形成
され、一単位セルを構成している。
バイポーラトランジスタＳＡおよびＳＢの光電変換動作
は、まず、負電位にバイアスされたｐベース領域５ａお
よび５ｂを浮遊状態とし、光励起により発生した電子・
ホール対のうちホールを各ｐベース領域５ａおよび５ｂ
に蓄積する（蓄積動作）。
は、まず、負電位にバイアスされたｐベース領域５ａお
よび５ｂを浮遊状態とし、光励起により発生した電子・
ホール対のうちホールを各ｐベース領域５ａおよび５ｂ
に蓄積する（蓄積動作）。
続いて、エミッタ電極９ａおよび９ｂを浮遊状態とし、
キャパシタ電極８ａおよび８ｂに読出し用の正電圧パル
スを印加する。これによってエミッタ・ベース間を順方
向にバイアスし、蓄積されたホールにより発生した蓄積
電圧を浮遊状態のエミ・ンタ側へ読出す（読出し動作）
。また、キャパシタ電極８ａ又は８ｂのいずれか一方に
正電圧を印加し、各々独立して読出し動作を行うことも
できる。
キャパシタ電極８ａおよび８ｂに読出し用の正電圧パル
スを印加する。これによってエミッタ・ベース間を順方
向にバイアスし、蓄積されたホールにより発生した蓄積
電圧を浮遊状態のエミ・ンタ側へ読出す（読出し動作）
。また、キャパシタ電極８ａ又は８ｂのいずれか一方に
正電圧を印加し、各々独立して読出し動作を行うことも
できる。
このように、はぼ同じ光を入射したトランジスタＳＡお
よびＳＲから、相互に独立して読出し信号を得ることが
でき、しかも一方の出力が他方に影響を墜えることがな
い。
よびＳＲから、相互に独立して読出し信号を得ることが
でき、しかも一方の出力が他方に影響を墜えることがな
い。
続いて、エミッタ電極９ａおよび９ｂを接地してキャパ
シタ電極８ａおよび８ｂにリフレッシュ用の正電圧パル
スを印加し、ｐベース領域５ａおよび５ｂに蓄積された
ホールを消滅させる。これにより、リフレッシュ用の正
電圧パルスが立下がった時点でｐベース領域９が初期状
態に復帰する（リフレッシュ動作）、以下、同様に蓄積
、読出し、リフレッシュの各動作が繰り返される。
シタ電極８ａおよび８ｂにリフレッシュ用の正電圧パル
スを印加し、ｐベース領域５ａおよび５ｂに蓄積された
ホールを消滅させる。これにより、リフレッシュ用の正
電圧パルスが立下がった時点でｐベース領域９が初期状
態に復帰する（リフレッシュ動作）、以下、同様に蓄積
、読出し、リフレッシュの各動作が繰り返される。
第２図は、本発明の第２実施例の概略的平面図である。
本実施例では、図示するように、トランジスタＳＡおよ
びＳＢの光電変換に主として寄与する部なお、本実流゛
例の基本構成および光電変換動作は第１実施例と同様で
あるために、同一番号を付して説明は省略する。
びＳＢの光電変換に主として寄与する部なお、本実流゛
例の基本構成および光電変換動作は第１実施例と同様で
あるために、同一番号を付して説明は省略する。
第３図（Ａ）は、本発明の第３実施例の概略的断面図、
第３図ＣＢ）は、その−中位セルの等価回路図である。
第３図ＣＢ）は、その−中位セルの等価回路図である。
本実施例では、ｐベース領域５ａおよび５ｂにｐ中領域
１１ａおよびｌｌｂが各々形成され、それらに対応して
ｎ−エピタキシャル層２にｐ十領域１２ａおよび１２ｂ
が各々形・成されている。更に、絶縁層７を挟んでゲー
ト電極１３ａおよび１３ｂ、ｐ＋領域１２ａおよび１２
ｂに接合して・電極１４ａおよび１４ｂが各々形成され
、各トランジスタＳＡおよびＳＨのリフレッシュ用トラ
ンジスタＴＡおよびＴＢを構成している。その他の構成
は第１実施例と同様である。
１１ａおよびｌｌｂが各々形成され、それらに対応して
ｎ−エピタキシャル層２にｐ十領域１２ａおよび１２ｂ
が各々形・成されている。更に、絶縁層７を挟んでゲー
ト電極１３ａおよび１３ｂ、ｐ＋領域１２ａおよび１２
ｂに接合して・電極１４ａおよび１４ｂが各々形成され
、各トランジスタＳＡおよびＳＨのリフレッシュ用トラ
ンジスタＴＡおよびＴＢを構成している。その他の構成
は第１実施例と同様である。
本実施例におけるトランジスタＴＡおよびＴＢはｐチャ
ネル型であり、ゲート電極１３ａおよび１３ｂに負電圧
を印加することでＯＮ状態となる。したがって、電極１
４ａおよび１４ｂに一定電圧を印加しておけば、ゲート
電極１３ａおよび１３ｂに負電圧を印加することでｐベ
ース領域５ａおよび５ｂを一定電位に設定することがで
きる。このトランジスタＴＡおよびＴＢを設けることで
、リフレッシュ動作の高速化および完全化を達成できる
。
ネル型であり、ゲート電極１３ａおよび１３ｂに負電圧
を印加することでＯＮ状態となる。したがって、電極１
４ａおよび１４ｂに一定電圧を印加しておけば、ゲート
電極１３ａおよび１３ｂに負電圧を印加することでｐベ
ース領域５ａおよび５ｂを一定電位に設定することがで
きる。このトランジスタＴＡおよびＴＢを設けることで
、リフレッシュ動作の高速化および完全化を達成できる
。
例えば、読出し動作が終了すると、まずリフレッシュ用
トランジスタＴＡおよびＴＢをＯＮにして、各トランジ
スタＳＡおよびＳＢのベース電位を各蓄積電圧に関係な
く一定値に設定する。
トランジスタＴＡおよびＴＢをＯＮにして、各トランジ
スタＳＡおよびＳＢのベース電位を各蓄積電圧に関係な
く一定値に設定する。
ベース電位を一定値にした後、キャパシタ電極８ａおよ
び８ｂにリフレッシュ用正電圧パルスを印加してリフレ
ッシュ動作を行う、これによって、全てのベース領域を
完全に、かつ高速で初期化することができる。
び８ｂにリフレッシュ用正電圧パルスを印加してリフレ
ッシュ動作を行う、これによって、全てのベース領域を
完全に、かつ高速で初期化することができる。
また、リフレッシュ用トランジスタＴＡおよびＴＢｔ−
ＯＮにして、ベース電位を初期状態に復帰させてもよい
。
ＯＮにして、ベース電位を初期状態に復帰させてもよい
。
第４図は、第１実施例の単位セルを用いたラインセンサ
の概略的回路図である。
の概略的回路図である。
同図において、単位セルＳ１〜Ｓｎのコレクタ′１［極
ｌＯには一定の正電圧Ｖｃｃが印加されている。各キャ
パシタ電Ｊｌｊ８ａおよび８ｂは端子２０１に共通に接
続され、端子２０１には読出し動作およびリフレッシュ
動作を行うためのパルスΦ１が印加される。また、各セ
ルにおけるトランジスタＳＨのエミッタ電極９ｂは垂直
ラインＬ１〜Ｌｎに各々接続され、垂直ラインＬ１〜Ｌ
ｎは各々トランジスタＱａｘ〜Ｑ ａ ｎを介して蓄積
用コンデンサ０１〜Ｃｎに接続されている。トランジス
タＱａ１〜Ｑａｎのゲート１し極は端子２０３に共通に
接続され、端子２０３にはパルスφ３が印加される。
ｌＯには一定の正電圧Ｖｃｃが印加されている。各キャ
パシタ電Ｊｌｊ８ａおよび８ｂは端子２０１に共通に接
続され、端子２０１には読出し動作およびリフレッシュ
動作を行うためのパルスΦ１が印加される。また、各セ
ルにおけるトランジスタＳＨのエミッタ電極９ｂは垂直
ラインＬ１〜Ｌｎに各々接続され、垂直ラインＬ１〜Ｌ
ｎは各々トランジスタＱａｘ〜Ｑ ａ ｎを介して蓄積
用コンデンサ０１〜Ｃｎに接続されている。トランジス
タＱａ１〜Ｑａｎのゲート１し極は端子２０３に共通に
接続され、端子２０３にはパルスφ３が印加される。
また、コンデンサ０１〜Ｃｎは各々トランジスタＱ１〜
Ｑｎを介して出力ライン２０４に接続されている。トラ
ンジスタＱ１〜Ｑｎのゲート電極は走査回路２０５の並
列出力端子に各々接続され、並列出力端子からはパルス
φｈ１〜φｈｎが順次出力される。
Ｑｎを介して出力ライン２０４に接続されている。トラ
ンジスタＱ１〜Ｑｎのゲート電極は走査回路２０５の並
列出力端子に各々接続され、並列出力端子からはパルス
φｈ１〜φｈｎが順次出力される。
出力ライン２０４は、リフレッシュするためのトランジ
スタＱｒｈを介して接地され、トランジスタＱｒｈのゲ
ート電極にはパルスφｒｈが印加される。
スタＱｒｈを介して接地され、トランジスタＱｒｈのゲ
ート電極にはパルスφｒｈが印加される。
また、垂直ラインＬ１〜Ｌｎは各々トランジスタＱｂ１
〜Ｑ ｂ ｎを介して接地されている。また各トランジ
スタのゲート電極は端子２０２に共通に接続され、端子
２０２にはパルスφ２が印加される。
〜Ｑ ｂ ｎを介して接地されている。また各トランジ
スタのゲート電極は端子２０２に共通に接続され、端子
２０２にはパルスφ２が印加される。
さらに、各単位セルにおけるトランジスタＳＡのエミッ
タ電極９ａは、ピーク値Ｖｐを得るために共通ライン２
０７に接続されている。共通ライン２０７は、リフレッ
シュするためのトランジスタＱ ｐ ｒ ｈを介して接
地され、そのゲート電極は端子２０２にｖｃ続されてい
る。
タ電極９ａは、ピーク値Ｖｐを得るために共通ライン２
０７に接続されている。共通ライン２０７は、リフレッ
シュするためのトランジスタＱ ｐ ｒ ｈを介して接
地され、そのゲート電極は端子２０２にｖｃ続されてい
る。
第５図は、上記ラインセンサの動作を説す１するための
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
まず、各セル８１〜ＳｎにおけるトランジスタＳＡおよ
びＳＨには入射光の照度に対応したキャリアが蓄積され
ているものとする。
びＳＨには入射光の照度に対応したキャリアが蓄積され
ているものとする。
この状態でパルスφ３によりトランジスタＱａｔ〜Ｑ
ａ ｎ ヲＯＮ、パルスφ２によりトランジスタＱ ｂ
ｌ 〜Ｑ ｂ ｎおよびＱｐｒｈをＯＦＦとし、エミッ
タ電極９ａおよび９ｂを浮遊状態とする。
ａ ｎ ヲＯＮ、パルスφ２によりトランジスタＱ ｂ
ｌ 〜Ｑ ｂ ｎおよびＱｐｒｈをＯＦＦとし、エミッ
タ電極９ａおよび９ｂを浮遊状態とする。
続いて、端子２０１に読出し用正電圧パルスφｒを印加
して読出し動作を行う、各トランジスタＳＲの読出し信
号は、垂直ラインＬ１〜ＬｎをおよびトランジスタＱａ
ｌ−Ｑａｎを通してコンデンサＣ１”Ｃｎに蓄積される
。
して読出し動作を行う、各トランジスタＳＲの読出し信
号は、垂直ラインＬ１〜ＬｎをおよびトランジスタＱａ
ｌ−Ｑａｎを通してコンデンサＣ１”Ｃｎに蓄積される
。
一方、各トランジスタＳＡの読出し信号は共通ライン２
０７に読出され、既に述べたように共通ライン２０７に
はピーク値Ｖｐが現われる。このピーク値Ｖｐを用いて
、後述するように、信号処理回路のゲイン調整等が行わ
れる。
０７に読出され、既に述べたように共通ライン２０７に
はピーク値Ｖｐが現われる。このピーク値Ｖｐを用いて
、後述するように、信号処理回路のゲイン調整等が行わ
れる。
共通ライン２０７のピーク値Ｖｐは、従来の場合と同様
に各単位セルのトランジスタＳＡのベース電位に影響す
る。しかしながら、各単位セルのトランジスタＳＡとＳ
Ｂとは電気的に分離されているために、ピーク値Ｖｐは
センサ出力を得るためのトランジスタＳＲには何ら影響
を及ぼさない。
に各単位セルのトランジスタＳＡのベース電位に影響す
る。しかしながら、各単位セルのトランジスタＳＡとＳ
Ｂとは電気的に分離されているために、ピーク値Ｖｐは
センサ出力を得るためのトランジスタＳＲには何ら影響
を及ぼさない。
読出し動作およびピーク検出が終了すると、パルスφ３
によってトランジスタＱａ１〜Ｑ ａ ｎ ヲＯＦＦ状
態とする。
によってトランジスタＱａ１〜Ｑ ａ ｎ ヲＯＦＦ状
態とする。
続いて、パルスφ２によってトランジスタＱ ｂｌ 〜
Ｑ ｂ ｎおよびＱ ｐ ｒ ｈをＯＮ状態として各セ
ルのエミッタ電極９ａおよび９ｂを接地し、端子２０１
にリフレッシュパルスφｒｃを印加する。これによって
既に述べたリフレッシュ動作が行われ、ｐベース領域５
ａおよび５ｂに？＆積されたホールが消滅する。リフレ
ッシュ動作が終了すると、各セルは蓄積動作を開始する
。
Ｑ ｂ ｎおよびＱ ｐ ｒ ｈをＯＮ状態として各セ
ルのエミッタ電極９ａおよび９ｂを接地し、端子２０１
にリフレッシュパルスφｒｃを印加する。これによって
既に述べたリフレッシュ動作が行われ、ｐベース領域５
ａおよび５ｂに？＆積されたホールが消滅する。リフレ
ッシュ動作が終了すると、各セルは蓄積動作を開始する
。
また、リフレッシュ動作と並行して、走査回路２０５は
パルスφｈ１〜φｈｎを出力し、トランジスタＱ１〜Ｑ
ｎを順次ＯＮ状態にする。これによって、コンデンサ０
１〜Ｃｎに蓄積されていた各信号が出力ライン２０４に
順次転送され、アンプ２０６を通して出力信号Ｖｏｕｔ
として外部へ出力される。
パルスφｈ１〜φｈｎを出力し、トランジスタＱ１〜Ｑ
ｎを順次ＯＮ状態にする。これによって、コンデンサ０
１〜Ｃｎに蓄積されていた各信号が出力ライン２０４に
順次転送され、アンプ２０６を通して出力信号Ｖｏｕｔ
として外部へ出力される。
その際、各信号が出力されるごとに、パルスφｈ１〜φ
ｈｎに各々毛なるタイミングでパルスφｒ’ｎを印加す
る。このタイミングでトランジスタＱｒｈがＯＮとなり
、出力ライン２０４の残留キャリアが除去されると共に
、コンデンサ０１〜Ｃｎの残留キャリアが各々トランジ
スタＱ１〜Ｑｎを通して順次除去される。
ｈｎに各々毛なるタイミングでパルスφｒ’ｎを印加す
る。このタイミングでトランジスタＱｒｈがＯＮとなり
、出力ライン２０４の残留キャリアが除去されると共に
、コンデンサ０１〜Ｃｎの残留キャリアが各々トランジ
スタＱ１〜Ｑｎを通して順次除去される。
こうして単位セル３１〜ＳｎにおけるトランジスタＳＢ
の読出し信号を外部へ出力すると１次の読出し動作が開
始され、以下同様に上記動作が繰返される。
の読出し信号を外部へ出力すると１次の読出し動作が開
始され、以下同様に上記動作が繰返される。
第６図は、上記ラインセンサを使用した撮ｔｌ装置の一
例の概略的構成図である。
例の概略的構成図である。
同図において、撮像素子３０１が第４図に示すラインセ
ンサに相当する。撮像素）３０１の出力信号Ｖｏｕｔは
信号処理回路３０２によってゲイン調整等の処理が行わ
れ、ビデオ信号として出力される。。
ンサに相当する。撮像素）３０１の出力信号Ｖｏｕｔは
信号処理回路３０２によってゲイン調整等の処理が行わ
れ、ビデオ信号として出力される。。
また、撮像素子３０１を駆動するためのＬ記各パルスは
ドライバ３０３によって供給され、ドライバ３０３は制
御部３０４の制御によって動作する。また、制御部３０
４はｔｉ！ｇｊ素子３０１からのピーク値Ｖｐに基いて
信号処理回路３０２のゲイン等をリアルタイムで調整す
るとともに、露出制御手段３０５を制御して撮像素子３
０１に入射する光量を調整する。
ドライバ３０３によって供給され、ドライバ３０３は制
御部３０４の制御によって動作する。また、制御部３０
４はｔｉ！ｇｊ素子３０１からのピーク値Ｖｐに基いて
信号処理回路３０２のゲイン等をリアルタイムで調整す
るとともに、露出制御手段３０５を制御して撮像素子３
０１に入射する光量を調整する。
すでに述べたように、本実施例を用いた撮像素子３０１
はピーク値検出機能を有しているが、そのために従来の
ように読出し信号が影響されることはなく、入射光に対
応した出力信号を得ることができる。
はピーク値検出機能を有しているが、そのために従来の
ように読出し信号が影響されることはなく、入射光に対
応した出力信号を得ることができる。
なお、上記ラインセンサではピーク値検出の場合を示し
たが、勿論これに限定されるものではなく、トランジス
タＳＡの出力を利用した平均値検出等、広い範囲に応用
することができる。
たが、勿論これに限定されるものではなく、トランジス
タＳＡの出力を利用した平均値検出等、広い範囲に応用
することができる。
また、上記各実施例では、単一セル内に２個のトランジ
スタＳＡおよびＳＢを設けた場合を示したが、３個以上
設けることで、更に応用範囲を拡大することができる。
スタＳＡおよびＳＢを設けた場合を示したが、３個以上
設けることで、更に応用範囲を拡大することができる。
［発明の効果］
以り詳細に説明したように本発明による光電変換装置は
、一単位内に光電変換トランジスタを複数個設けたこと
で、はぼ同一の入射電磁波の下で各トランジスタの出力
を種々の用途に利用でき。
、一単位内に光電変換トランジスタを複数個設けたこと
で、はぼ同一の入射電磁波の下で各トランジスタの出力
を種々の用途に利用でき。
しかもトランジスタが別個に形成されているために、−
トランジスタの出力が変動しても他のトランジスタは何
ら影響されない。
トランジスタの出力が変動しても他のトランジスタは何
ら影響されない。
したがって、たとえば各単位内の一群のトランジスタで
信号の読出しを行い、他の一群のトランジスタで入射光
照度の平均値やピーク値検出等を行う場合でも、各単位
からは入射光に対応した読出し信号が得られ、従来のよ
うなりロストークは生じない。
信号の読出しを行い、他の一群のトランジスタで入射光
照度の平均値やピーク値検出等を行う場合でも、各単位
からは入射光に対応した読出し信号が得られ、従来のよ
うなりロストークは生じない。
第１図（Ａ）は、本発明による光電変換装置の第１実施
例の概略的平面図、第１図（Ｂ）は、その一単位セルの
Ｉ−Ｉ線断面図、第１図（Ｃ）は、その等価回路図、 第２図は、本発明の第２実施例の概略的平面図、 第３図（Ａ）は、本発明の第３実施例の概略的断面図、
第３図（Ｂ）は、その一単位セルの等価回路図。 第４図は、第１実施例の単位セルを用いたラインセンサ
の概略的回路図、 第５図は、上記ラインセンサの動作を説明するためのタ
イミングチャート、 第６図は、上記ラインセンサを使用した撮像装置の一例
の概略的構成図 第７図は、特願昭６０−２５２６５３号に記載されてい
る従来の光電変換装置を用いたラインセンサの概略的回
路図である。 ｌ・・−ｎ型シリコン基板 ２・・１１ｎ−エピタキシャル層 ３．４拳・・素子分離領域 ５ａ、５ｂ・番拳ｐベース領域 ６ａ、６ｂ・・・ｎ十エミッタ領域 ７・・・酸化膜 ８ａ、８ｂ・・・キャパシタ電極 ９ａ、９ｂ・・・エミッタ電極 １０Φ・−コレクタ電極 ２０４・・Φ出力ライン ２０７＠・・共通ライン
例の概略的平面図、第１図（Ｂ）は、その一単位セルの
Ｉ−Ｉ線断面図、第１図（Ｃ）は、その等価回路図、 第２図は、本発明の第２実施例の概略的平面図、 第３図（Ａ）は、本発明の第３実施例の概略的断面図、
第３図（Ｂ）は、その一単位セルの等価回路図。 第４図は、第１実施例の単位セルを用いたラインセンサ
の概略的回路図、 第５図は、上記ラインセンサの動作を説明するためのタ
イミングチャート、 第６図は、上記ラインセンサを使用した撮像装置の一例
の概略的構成図 第７図は、特願昭６０−２５２６５３号に記載されてい
る従来の光電変換装置を用いたラインセンサの概略的回
路図である。 ｌ・・−ｎ型シリコン基板 ２・・１１ｎ−エピタキシャル層 ３．４拳・・素子分離領域 ５ａ、５ｂ・番拳ｐベース領域 ６ａ、６ｂ・・・ｎ十エミッタ領域 ７・・・酸化膜 ８ａ、８ｂ・・・キャパシタ電極 ９ａ、９ｂ・・・エミッタ電極 １０Φ・−コレクタ電極 ２０４・・Φ出力ライン ２０７＠・・共通ライン
Claims (1)
- （１）制御電極領域の電位を制御する手段を有する光電
変換トランジスタを、電磁波の入射によってキャリアの
発生する一単位内に複数個設けたことを特徴とする光電
変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310013A JPS63161665A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310013A JPS63161665A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63161665A true JPS63161665A (ja) | 1988-07-05 |
Family
ID=18000100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61310013A Pending JPS63161665A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63161665A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480811A (en) * | 1990-06-14 | 1996-01-02 | Chiang; Shang-Yi | Isolation of photogenerated carriers within an originating collecting region |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61310013A patent/JPS63161665A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480811A (en) * | 1990-06-14 | 1996-01-02 | Chiang; Shang-Yi | Isolation of photogenerated carriers within an originating collecting region |
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