JPS63163860A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐
環境性等が優れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 水素（Ｈ）　を含有するアモルファスシリコン（以下、
ａ−８ｔ：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注
目されておシ、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメ
ージセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体として
応用されている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、ＣｄＳ　、　ＺｎＯ５Ｓｅ、若しくは５ｏ−Ｔｏ等の
無機材料又はポＩＪ　＋　Ｎ−ビニルカルバゾール（Ｐ
ＶＣＺ）若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等
の有機材料が使用されていた。しかしながら、ａ−８１
：Ｈはこれらの無機材料又は有機材料に比して、無公害
物質であるため回収処理の必裂かないこと、可視光領域
で高い分光感度を有すること、並びに表面硬度が高く耐
磨耗性及び耐衝撃性が優れていること等の利点を有して
いる。このため、ａ−８ｔ：Ｈは電子写真ｆｃ！セスの
感光体として注目されている。

このａ−８ｉ＊Ｈに、カールソン方式に基づく感光体と
して検討が進められているが、この場合、感光体特性と
して抵抗及び光感度が高いことが要求される。しかしな
がら、この両特性を単一の感光体で満足させることが困
難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層
を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層
型の構造にすることにより、このような要求を満足させ
ている。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、＊−８１：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法によフ形成されるが、この際に、
ａ−８ｌ：Ｈ膜中に水素が取シ込まれ、水素量の差によ
シミ気的及び光学的特性が大きく変動％４ する。即ち、ａ−８ｔ：Ｈ膜に侵入する水蓄の量が多く
なると、光学的バンドギャップが大きくなフ、ａ−８１
：Ｈの抵抗が高くなるが、それにともない、長波長光に
対する光感度が低下してしまうので、例えば、半導体レ
ーデを搭載したレーデビームプリンタに使用することが
困難である。また、ａ−８ｉ：Ｈ膜中の水素の含有量が
多くなると、成膜条件にょって％　　（ＳｉＨ２）ｎ及
び５１）Ｉ２等の結合構造を有するものが膜中で大部分
の領域を占める場合がある。そうすると、がイドが増加
し、シリコンダングリング〆ンドが増加するため、光導
電特性が劣化し、電子写真感光体として使用不能になる
。逆に、ａ−８１：Ｈ中に取込まれる水素の量が低下す
ると、光学的バンドギャップが小さくなシ、その抵抗が
小さくなるが、長波長光に対する光感度が増加する。

しかし、水素含有量が少ないと、シリコンダングリング
ゲ／ドと結合してこれを減少させるべき水素が少なくな
る。このため、発生するキャリアの移動匿が低下し、寿
命が短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい、電
子写真感光体として使用し難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電１を単一のａ−８
１：Ｈ層のみで構成したのでは、ａ−８１：Ｈ層の製造
条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が得ら
れないという問題がある。

この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、帯電能が優れておシ、残留電位が低く、近赤外領域ま
での広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着性
が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供するこ
とを目的とする。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の光導電層を電荷保持層と電荷発生層とによシ構成し、
そのうち電荷発生層を、所定の複数の微結晶シリ−／膜
の積層即ち超格子構造によシ構成し、電荷保持層を所定
の複数の非晶質シリコン膜の積層即ち超格子構造にょ）
構成することにより、上記目的を達成し得ることを見出
し、本発明を完成するに至っ九。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを有する電子写真感光体において、前記光導電層
は電荷発生層と電荷保持層とを有し、前記電荷発生層の
少なくとも一部は、炭素、酸素および窒素から選ばれた
元素の少なくとも１種を含み、かつその濃度が異なる複
数の微結晶シリコン膜を交互に積層して構成されておシ
、前記電荷保持層の少なくとも１部は、非結晶シリコン
膜と炭素、酸素および窒素から選ばれた元素の少なくと
も１種を含む非晶質シリコン膜とを交互に積層して構成
されていることを特徴とする。

微結晶シリコン膜間の炭素等の濃度差は０．５〜１０面
子チが好ましく、１〜５原子−がよシ好ましい。

本発明において用いる微結晶シリコン（μｃ−８１）は
、粒径が数十オンゲストｑムの微結晶化したシリコンと
非晶質シリコンとの混合層によシ形成されているものと
考えられ、以下のような物性上の特徴を有している。第
一に、Ｘ線回析測定では２０が２８〜２８．５°付近に
ある結晶回折パターンを示α以上に調整することができ
、暗抵抗が１５０・はの？リクリスタリンシリコンから
も明確に区別される。

本発明で用いる上記μｅ−８１の光学的バンドギヤラグ
（Ｅｇつは、例えば１．５５　ｅＶとするのが望ましい
。しかし、一定の範囲で任意に設定することができる。

望ましいＥｇ６を得るために夫々に所要蓋の水素を添加
し、μａ−８ｔ　：　Ｈとして使用するのが好ましい。

これによシ、シリコンのダングリング？ンドが補償され
、暗抵抗と明抵抗との調和がとれ、光導電特性が向上す
る。

なお、実際のμｃ−８１膜は、製造東件等の具体的な要
因によって弱いＰ型またはＮ型を帯びることが多い（特
にＮ型になシ易い）。そこで、超格子構造を形成する几
めに必要なＩ型とするために、夫々逆の導電型を有する
不純物を軽くドープして前記のＰ型またはＮ型を打消す
のが望ましい。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。

こうして光導電層での中ヤリアの移動度が大きくな夛、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６からなる光導電層３が形成されている。

また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている。

なお、電荷保持層５および電荷発生層６はいずれも超格
子構造を有している。

第２図〜第４図は、本発明の他の実施例に係る電子写真
感光体の断面構造を示す。第２図に示す感光体では、電
荷発生層の一部が超格子構造を有し、第３図に示す感光
体でに、電荷保持層の一部が超格子構造を有し、第４図
に示す感光体では、電荷発生層および電荷保持層のそれ
ぞれ一部が超格子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
シ詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ−８１やａ−８ｔ：Ｈを用いて形成して
もよく、またａ−ＢＮ：Ｈ（窒素および水素を添加した
アモルファス硼素）を使用してもよい。更に、絶縁性の
膜を用いてもよい。例えば、μｃ−８ｌ　：　Ｈ及びａ
−８ｉ　：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素０から選択され
た元素の一種以上を含有させることによフ、高抵抗の絶
縁性障壁層を形成することができる。障壁層２の膜厚は
１００Ｘ〜１０μｍが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することにより感光体表面の電荷保
持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカー
ルソン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２を
Ｐ型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯電させ
る場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する電
子が電荷発生層に注入されるのを防止する。

逆に表面に負帯電させる場合には障壁層２をＮ型とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるギヤリアは光の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノイズ
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、Ａｅ　−８ｉ　
：Ｈ＋ａ−８ｔ　：Ｈｔ　Ｐ型にするためには、周期律
表の第１族に属する元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウム
Ａｔ　、ガリウムＧ１゜インジウムＩｎ、及びタリクム
Ｔｔ等をドーピングすることが好ましい。また、μｃ−
８１：Ｈ＋ａ−８ｉ　：ＨをＮ型にするためには周期律
表の第Ｖ族に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ、砒素Ａｓ
、アンチモンｓｂ、及びビスマス８１等をドーピングす
ることが好ましい。

電荷発生層６は、光の入射によシキャリアを発生し、こ
のキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯電電
荷と中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行して導
電性支持体１に到達する。

電荷保持層５および電荷発生層６は、第５図にその断面
を拡大して示すように、μａ−８ｉ又はａ−８ｔからな
る薄層１１と薄層１２とを交互に積層して構成されてい
る。薄層１１．１２は、光学的バンドギャップが相違し
、それぞれ厚みが３０〜２００Ｘの範囲にある。

第６図は横軸に厚み方向をとシ、縦軸に光学的バンドギ
ャップをとって示す超格子構造のエネルギバンド図であ
る。このように、光学的バンドギャップが相互に異なる
薄層を積層することによって、光学的バンドギヤフグの
大きさ自体に拘シなく、光学的バンドギャップが小さい
層を基準にして光学的バンドギャップが大きな層がバリ
アとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格子構
造が形成される。この超格子構造においては、バリア薄
層が極めて薄いので、薄層におけるキャリアのトンネル
効果によシ、キャリアはバリアを通過して超格子構造中
を走行する。また、とのような超格子構造においては、
光の入射によ多発生するキャリアの数が多い、従りて、
光感度が高い、なお、超格子構造の薄層のバンドギャッ
プと層厚を変更することによフ、ヘテロ接合超格子構造
を有する層のみかけのバンドギャップを自由に調整する
ことができる。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−８１：
Ｈおよびμｃ−８１：［における水素の含有量は、０．
０１〜３０原子俤が好１しく、１〜２５原子チがよシ好
ましい。このような水素の含有量にょ）、シリコンのダ
ングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調和
のとれ友ものとな〕、光導電特性が向上する。

ａ−ａｔ：Ｈ層をグロー放電分解法により成膜するには
、原料としてＳＩＨ，及びｓ　ｔ　２Ｈ５等の７ラン類
ガスを反応室に導入し、高周波にょジグロー放電するこ
とによフ薄層中にＨｔ−添加することができる。

必要に応じて、シラン類の中ヤリアガスとして水素又は
ヘリタムをガスを使用することができる。

一方、５ＩＦ４．ｌ’／ス及び５ｉｃｔ４ガス等のハロ
ゲン化ケイ素を原料ガスとして使用することができる。

また、シラン類ガスとへロデフ化ケイ素ガスとの混合ガ
スで反応させても、同様にＨを含有するａ−８１，Ｈを
成膜することができる。なお、グロー放電分解法によら
ず、例えば、ス、ｐＪ？ツタリング等の物理的な方法に
よってもこれ等の薄層を形成することができる。

μＣ−８１層も、ａ−８１：Ｈと同様に、高周波グロー
放電分解法によシ、シランガスを原料として、成膜する
ことができる。この場合に、支持体の温度をａ−８ｉ：
Ｈを形成する場合よ〕も高く設定し、高周波電力もａ　
−Ｓ　１：　Ｈの場合よりも高く設定すると、μＣ−８
１：Ｈ１形成しやすくなる。マ九、支持体温度及び高周
波電力を高くすることによシ、シランがスなどの原料ガ
スの流量を増大させることができ、その結果、成膜速度
を早くすることができる。また、原料ガスの５ｔＨ４及
びＳ１□Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈したガ
スを使用することによシ、μａ−８ｉ：Ｈを一層高効率
で形成することができる。

μｃ−８１：Ｈ及びａ−８１：Ｈｆ：Ｐ型にするために
は、周期律表の第１族に属する元素、例えば、ホク素Ｂ
。

アルミニクムｈｔ　、ガリウムＧａ　、インジウムＩｎ
。

及びタリウムＴｔ等をドーピングすることが好ましく、
μｅ−８１：Ｈ及びａ−８ｉ：Ｈｔ−ｎ型にするために
は、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば、窒素Ｎ。

リンＰ、ヒ素Ａｓ　、アンチモンＳｂ１及びビスマスＢ
ｉ等をドーピングすることが好ましい。このｐ型不純物
又はｎ型不純物のＰ−ピングによシ、支持体側から光導
電層へ電荷が移動することが防止される。一方、μｃ−
８１：Ｈ及びａ−８１：Ｈに、炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素
０から選択された少なくとも１種の元素を含有させるこ
とによシ、高抵抗とし、表面電荷保持能力を増大させる
ことができる。これら元素の含有量は５〜４０原子チ、
好ましくに１０〜３０原子チである。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６のμｃ−８１：Ｈ等は、その屈折率が３乃
至３．４と比較的大きいため、表面での光反射が起きや
すい。このような光反射が生じると、光導電層又は電荷
発生層に吸収される光量の割合いが低下し、光損失が大
きくなる。このため、表面層４を設けて反射を防止する
ことが好ましい。また、表面層４を設けることにより、
電荷発生層６が損傷から保護される。さらに、表面層を
形成することにより、帯電能が向上し、表面に電荷がよ
くのるよりになる。表面層を形成する材料としては、ａ
−８ＩＮ：Ｉ（ｓ　　ａ−８１０：Ｈ％及びａ−８ｉＣ
：Ｈ等の無機化合物並びにポリ塩化ビニル及びポリアミ
ド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電によシ約５ｏｏｖの正電圧で帯電させると、第７図
に示すように、ポテンシャルバリアが形成される。この
感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生層６の超格
子構造で電子と正孔の中ヤリアが発生する。この伝導帯
の電子は、感光体中の電界によ〕、表面層４側に向けて
加速され、正孔は導電性支持体１側に向けて加速される
。この場合に、光学的バンドギャップが相違する薄層の
境界で発生するキャリアの数は、バルクで発生するキャ
リアの数よフも極めて多い。このため、この超格子構造
においては、光感度が高い。また、ポテンシャルの井戸
層においては、量子効果のために、超格子構造でない単
一層の場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と
長い。更に、超格子構造においては、バンドギャップの
不連続性によシ、周期的なバリア層が形成されるが、キ
ャリアはトンネル効果で容易にバイアス層を通シ抜ける
ので、キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と
同等であシ、キャリアの走行性が優れている。

電荷保持層５の場合も同様に、？テンシャル井戸層にお
いては、量子効果の九めに、超格子構造でない単一層の
場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。

−！な、超格子構造においては、バンドギャップの不連
続性により、周期的なバリア層が形成されるが、キャリ
アはトンネル効果で容易にバイアス層を通シ抜けるので
、キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と同等
であり、キャリアの走行性が優れている。以上のごとく
、光学的バンドギャップが相違する薄層を積層した超格
子構造によれば、高光導電特性を得ることができ、従来
の感光体よシも鮮明な画像を得ることかできる。

以下に第６図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法により製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスゲンベ２１．２２．２３．
２４には、例えば夫々Ｓ　ｉＨ，。

Ｂ２Ｉ（６，Ｈ２，ＣＨ４等の原料ガスが収容されてい
る。

これらｆス？ンペ内のガスは、流量調整用のパルプ２６
及び配管２７を介して混合器２８に供給されるようにな
っている。各？ンペには圧力計２５が設置されており、
該圧力計２５を監視しつつパル１２６を調整することに
より混合器２８に供給する各原料ガスの流量及び混合比
を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供給さ
れる。反応容器２９の底部３１には１回転軸３Ｑが鉛直
方向の回りに回転可能に取付けられている。該回転軸３
０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転軸３０
に垂直にして固定されている。反応容器２９内には、円
筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心と一
致させて底部３１上に設置されている。感光体のドラム
基体３４が支持台３２上にその軸中心を回転軸３０の軸
中心と一致させて載置されておシ、このドラム基体３４
の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が配設されて
いる。電極３３とドラム基体３４との間には高周波電源
３６が接続されておシ、電極３３およびドラム基体３４
間に高周波電流が供給されるようになっている。回転軸
３０はモータ３８によシ回転駆動される。反応容器２９
内の圧力は圧力計３７によシ監視され、反応容器２９は
ｒ−）パルプ３８ｔ−介して真空−ング等の適宜の排気
手段に連結されている。

上記製造装置によフ感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ダートパルプ
３９を開にして反応容器２９内を約０、１　Ｔｏｒｒの
圧力以下に排気する。次いで、がンペ２１．２２，２３
．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反
応容器２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．０　Ｔｏｒｒになる
ように設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラ
ム基体３４を回転させ、ヒータ３５によりドラム基体３
４を一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６により
電極３３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給し
て、両者間にグロー放電を形成する。これによシ、ドラ
ム基体３４上にａ−８１：Ｈが堆積する。なお、原料ガ
ス中にＮ２０゜ＮＨ，、ＮＯ，、Ｎ２．ＣＨ，、Ｃ２Ｈ
４，Ｏ□がス等を使用することによシ、これらの元素を
ａ−８１：Ｈ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｕ１幅が
３５００のアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に装
着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気した。

ドラム基体を２５０°０に加熱し、　　１０　ｒｐｍで
自転させつつ、ＳｉＨ４ガスを５００８００Ｍ％　Ｂ２
Ｈ６ガス１５ＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０．ＣＨ
４ガスを１００８ＣＣＭという流量で反応容器内に導入
し、反応容器内の圧力を１トルに調節した。そして、１
３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマを生
起させ、ドラム基体上にＰ型のａ−８ｉＣ：Ｈ障壁層を
形成した。

次に、放電を一旦停止し、ＮＨ３，ガス流量を１２０８
ＣＣＭ導入し、反応圧力を１．２トルに調節し、５００
Ｗの高周波電力を印加して、１００Ｘのａ−８ｉＮ：Ｈ
薄層を形成した。次いで、ＳｉＨ４ガスを５００３ＣＣ
Ｍの流量で、Ｂ２Ｈ６１８１）［４ガスに対する流量比
で１０　となるような流量で反応容器内に導入し、５０
０Ｗの高周波電力を印加して、１００Ｘのａ−８１：Ｈ
薄層を形成し几。このような操作を繰り返して、６００
層の＆−３ＩＮ：Ｈ層と６００層のａ−８ｌ：Ｈ薄層と
を交互に積層し、ヘテロ接合超格子構造の電荷保持層を
１２μｍ形成した。

次いで、ＳｉＨ４ガスを５０　ＳＣＣＭ、　　Ｈ２ガス
を４５０応圧力ｔ−１，２Ｔｏｒｒに調節して８００Ｗ
の高周波電力を印加し、１００Ｘのμｅ−８ＩＣ：Ｈ薄
膜（炭素濃度０．５原子％）を形成した。次に、０Ｍ４
ガスの流量ｔ−９ＳＣＣＭに増加し、１００Ｘのμｃ−
８１Ｃ：Ｈ薄膜（炭素濃度８原子ｔｓ）を形成した。こ
のような操作を繰返して、炭素濃度が異なる２５０層の
μｃ−８１Ｃ：Ｈ薄膜と２５０層のμｅ−８ｉＣ：Ｈと
を交互に積層し、ヘテロ接合超格子構造の５μｍの電荷
発生層を形成した。

次いで、狭面層として０．５μｍのａ−８ｉＣ：Ｈ層を
形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であシ、更に、耐コロナ性。

耐湿性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実
証された。

このようにして製造された感光体は、半導体レーデの発
振波長である７８０乃至７９０　ｎｍの長波長光に対し
ても高い感度を有する。この感光体を半導体レーデプリ
ンタに搭載してカールソンプロセスによシ画像を形成し
たところ、感光体表面の露光量が２５　＠ｒｇ　ｔｘ２
である場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることがで
きた。

試験例２ 電荷保持層の構成層の一つである１００Ｘのａ−８ＩＮ
：Ｈ薄層の代わ夛に１００Ｘのａ−ｓｔｃ：ａ薄層を形
成したことを除いて、試験例１と同様にして電子写真感
光体を製造した。

なお、ａ−８ｔＣ：Ｈ薄層は、ＣＨ４ガス流量を７５Ｓ
ＣＣＭに設定し、反応容器内圧力を１．２　Ｔｏｒｒに
調節し、５００Ｗの高周波電力を印加することによシ得
られた。

この感光体を繰返し帯電したところ、転写画像の再現性
及び安定性が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐磨耗性
などの耐久性が優れていた。

なお、上記試験例においては、電荷発生層の厚みが５μ
ｍであり九が、これに限らず、１又は３μｍ等に設定し
ても感光体として実用可能である。

また、薄層の種類は、上記試験例のように２種類に限ら
ず、３種類以上の薄層を積層しても良く、要するに、光
学的パ／ドギャップが相違する薄層の境界を形成すれば
良い。

［発明の効果］ この発明によれば、光導電層の一部又は全部に、光学的
バンドギャップが相互に異なる薄層を積層して構成され
る超格子構造を使用するから、可視光から近赤外光の広
い波長領域に亘って高感度であシ、キャリアの走行性が
高いと共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光体
を得ることができる。特に、この発明においては、薄層
を形成する材料を適宜組み合わせることによシ、任意の
波長帯の光に対して最適の光導電特性を有する感光体を
得ることができるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例民係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図〜第４図は同じく他の実施例に係る電子
写真感光体を示す断面図、第５図は第１図及び第４図の
一部拡大断面図、第６図は超格子構造のエネルイ／（ン
ドを示す図、第７図はこの発明の実施例に係る電子写真
感光体の製造装置を示す図、第８図は感光体のエネルギ
ギャップを示す模式図である。 １・・・導電性支持体、２・・・障壁層、３・・・光導
電層、４・・・表面層、５・・・電荷輸送層、６・・・
電荷発生層、１１．１２・・・薄層。 出願人代理人　弁理土鈴　江　武　彦 第１図　　　　第２図 第３図　　　　　第４図 第５＠

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを有する電子写真感光
   体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層と
   を有し、前記電荷発生層の少なくとも一部は、炭素、酸
   素および窒素から選ばれた元素の少なくとも１種を含み
   、かつその濃度が異なる複数の微結晶シリコン膜を交互
   に積層して構成されており、前記電荷保持層の少なくと
   も１部は、非結晶シリコン膜と炭素、酸素および窒素か
   ら選ばれた元素の少なくとも１種を含む非晶質シリコン
   膜とを交互に積層して構成されていることを特徴とする
   電子写真感光体。
2. （２）前記微結晶シリコン膜および非晶質シリコン膜の
   膜厚は、３０〜２００Åであることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に
   属する元素から選択された少なくとも一種を含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
   感光体。
4. （４）前記導電性支持体と光導電層との間に、非晶質材
   料又は少なくとも一部が微結晶化した半導体材料からな
   る障壁層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の電子写真感光体。
5. （５）前記障壁層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に属
   する元素から選択された少なくとも一種を含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
6. （６）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素からなる群
   から選択された元素の少なくとも一種を含むことを特徴
   とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
7. （７）前記光導電層の上に表面層を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。