JPS63243956A

JPS63243956A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS63243956A
Application number: JP62076197A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yoshizawa; 吉澤　秀二; Tatsuya Ikesue; 龍哉池末
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 1987-03-31
Filing date: 1987-03-31
Publication date: 1988-10-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

（従来の技術）水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
−３ｉ：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として注目
されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメー
ジセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応用さ
れている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、Ｃｄ　Ｓ、Ｚｎ　Ｏ，Ｓｅ　、若しクハ５ｅ−Ｔｅ等
の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣ
Ｚ　）若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の
有機材料が使用されていた。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈはこれらの無機材料又は有
機材料に比して、無公害物質であるため回収処理の必要
がないこと、可視光領域で高い分光感度を有すること、
並びに表面硬度が高く耐摩耗性及び耐ｌｒＪ撃性が優れ
ていること等の利点を有している。このため、ａ−８ｉ
　：＠は電子写真プロセスの感光体材料として注目され
ている。

このａ−８ｉ：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体材
料として検討が進められているが、この場合、感光体特
性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しか
しながら、この両特性を単一の感光体で満足させること
が困難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障
壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた
積層型の構造にすることにより、このような要求を満足
させている。

（発明が解決しようとする問題点）ところで、ａ−８ｉ：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法により形成されるが、この際に、
ａ−８ｉ　　：＠膜中に水素が取り込まれ、水素量の差
により電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、
ａ−８ｉ：Ｈ膜に侵入する水素の凶が多くなると、光学
的バンドギャップが大きくなり、ａ−８ｉＨの抵抗が高
くなるが、それにともない、長波長光に対する光感度が
低下してしまうので、例えば、半導体レーザを搭載した
レーザビームプリンタに使用することが困難である。ま
た、ａ−３ｉ＠膜中の水素の含有量が多くなると、成膜
条件によって、（ＳｉＨ２）ｎ及び５ｉＨｚ等の結合構
造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合があ
る。そうすると、ボイドが増加し、シリコンのダングリ
ングボンドが増加するため、光導電特性が劣化し、電子
写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−３ｉ：＠
中に取込まれる水素の農が低下すると、光学的バンドギ
ャップが小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長波長
光に対する光感度が増加する。しかし、水素含有員が少
ないと、シリコンのダングリングボンドと結合してこれ
を減少させるべき水素が少なくなる。このため、発生す
るキャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると共に、
光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体として使
用し難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
ｉ　　：ＨＩｉのみで構成したのでは、ａ−３ｉ：ＨＩ
ｉの製造条件によって特性が大きく変化し、望ましい特
性が得られないという問題がある。

本発明は、かかる事情に馬みてなされたものであって、
帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感光が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明者らは、種々研究を鳳ねた結果、電子写真感光体
の光１ｉ電層に複数の半導体膜の積層即ち超格子構造の
領域を形成することにより、上記目的を達成し得ること
を見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体であって、前記光導電
層は、Ｇｅを含む非晶質ｔ’ｌ膜と、非晶質シリコン３
１１１１と、炭素、酸素および窒素から選ばれた元素の
少なくとも一種を含む非晶質シリコン薄膜とを奏誓昏積
層して構成されてなる領域を有することを特徴とする。

前記非晶質シリコン薄膜中に含まれる炭素、酸素、窒素
のｍ度は、好ましくは０．１〜４０原子％、より好まし
くは０．５〜３０原子％である。

（作　用）本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。

こうして光導＠層でのキャリアの移動度が大きくなり、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになる。

また、本発明においてはａ−５ｉ薄膜に炭素、酸素、窒
素のうちの少なくとも一種を含有させているので、前記
のようにバンドギャップを調整するだけでなく、光導電
層の抵抗を増大して表面の電荷保持能力を高めることが
できる。

（実施例）第１図は、本発明の一実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、７は導電性支持
体である。該導電性支持体の上には障壁層２が形成され
、その上には光導電層３が形成されている。更に、光導
電層３の上には表面Ｈ４が形成されている。

第２図は本発明の他の実施例になる電子写真感光体の断
面構造を示す図で、この実施例では電荷発生層および電
荷輸送層からなる機能分離型の光導電層が設けられてい
る。即ち、導電性支持体１及び’ＩＪＷ層２の上に電荷
輸送層５が形成され、該電荷輸送層の上に電荷発生１１
６が形成されている。

更に、電荷発生層６の上には表面層４が形成されている
。

上記第１図および第２図の実施例における各部の詳細は
、次に説明する通りである。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２は微結晶シリコン　μｃ−８ｉやａ　−８ｉ：
Ｈを用いて形成してもよく、またａ−ＢＮ：Ｈ（窒素お
よび水素を添加したアモルファス硼素）を使用してもよ
い。更に、絶縁性の膜を用いてもよい。例えば、μｃ−
８ｉ　　：　Ｈ及びａ−８ｉ　　：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ
及び酸素０から選択された元素の一種以上を含有させる
ことにより、高抵抗の絶縁性障壁層を形成することがで
きる。障壁層２の膜厚は１００人〜１０μｍが好ましい
。

微結晶シリコン（μｃ−８ｉ）は、粒径が約数十オング
ストロームの微結晶化したシリコンと非晶質シリコンと
の混合相より形成されているものと考えられ、以下のよ
うな物性上の特徴を有している。第一に、Ｘ線回析測定
では２θが２８〜２８．５°付近にある結晶回折パター
ンを示し、ハローのみが現れる無定形のａ−３ｉから明
確に区別される。第二に、μｃ−８ｉの暗抵抗は１０１
０Ω・α以上に調整することができ、暗抵抗が１０５Ω
・１のポリクリスタリンシリコンからも明確に区別され
る。

本発明で用いる上記μｃ−８ｔの光学的バンドギャップ
（Ｅｇ”　）は、例えば１．５５ｃ　Ｖとするのが望ま
しい。しかし、一定の範囲で任意に設定することができ
る。望ましいＥｇｏを得るため夫々に所定量の水素を添
加し、μｃ−８ｉ：Ｈとして使用するのが好ましい。こ
れにより、シリコンのダングリングボンドが補償され、
暗抵抗と明抵抗の調和がとれ、光導電特性が向上する。

上記障壁層２は、導電性支持体１と光導Ｎ層３（または
電荷発生層５）との間の電荷の流れを抑制することによ
り感光体表面の電荷保持機能を高め、感光体の帯電能を
高めるために形成されるものである。従って、半導体層
を障壁層に用いてカールソン方式の感光体を構成する場
合には、表面に帯電させた電荷の保持能力を低下させな
いために、障壁層２をＰ型またはＮ型とする。即ち、感
光体表面を正帯電させる場合には障壁Ｊｉ２をＰ型とし
、表面電荷を中和する電子が光＞ｊＪｉｉ層に注入され
るのを防止する。逆に表面を負帯電させる場合には障壁
層２をＮ型とし、表面電荷を中和するホールが光導′Ｒ
層へ注入されるのを防止する。障壁層２から注入される
キャリアは光の入射で光導電層３．６内に発生するキャ
リアに対してノイズとなるから、上記のようにしてキャ
リアの注入を防止することは感度の向上をもたらす。な
お、μｃ−８ｉ：Ｈやａ−８ｉ：＠をｐ型にするために
は、周期律表の第■族に属する元素、例えば硼素Ｂ１ア
ルミニウムＡ℃、ガリウムＱａ、インジウムＩｎ、及び
タリウムＴρ等をドーピングすることが好ましい。また
、μｃ−８ｉ　：Ｈやａ−８ｉ：ＨをＮ型にするために
は周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ、
砒素ＡＳ、アンチモンＳｂ１及びビスマスＢｉ等をドー
ピングすることを好ましい。

第１図に示す実施例においては、光導電層３は光の入射
によりキャリアを発生し、このキャリアは一方の極性の
ものが感光体表面の帯電電荷と中和し、他方のものが光
導電１１３を導電性質支持体１まで走行する。また、機
能分離型の感光体く第２図）においては、光の入射によ
り、電荷発生層６にてキャリアが発生し、このキャリア
の一方は電荷輸送層５を走行して導電性支持体１まで到
達する。

第１図に示す光導電層３および第２図に示す電荷発生層
６は、３種類の薄層を交互にｆａ層して構成されている
。これら薄層は光学的バンドギャップが相違し、それぞ
れ厚みが３０〜５００人の範囲にある。

以上説明したように、光学的バンドギャップが相互に異
なる薄膜を積層することによって、光学的バンドギャッ
プの大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギャップが小
さい膜を基準にして光学的バンドギャップが大きな膜が
バリアとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格
子構造が形成される。この超格子構造においては、バリ
ア’；ｍｍが極めて薄いので、ＷｌｐｌＡにおけるキャ
リアのトンネル効果により、キャリアはバリアを通過し
て超格子構造中を走行する。また、このような超格子構
造においては、光の入射により発生するキャリアの数が
多い。従って、光感度が高い。なお、超格子構造の１膜
のバンドギャップと膜厚を変更することにより、ヘテロ
接合超格子構造を有する層のみかけのバンドギャップを
自由に調整することができる。

本発明の電子写真感光体において、光導電層を・構成す
るａ−３ｉ：Ｈ１μｃ−８ｉ　　：Ｈ等における水素の
含有量は、０．０１〜３０原子％が好ましく、１〜２５
原子％がより好ましい。このような水素の含有量により
、シリコンのダングリングボンドが補償され、暗抵抗と
明抵抗とが調和のとれたものとなり、光導電特性が向上
する。

ａ−８ｉ　　：Ｈ層をグロー放電分解法により成膜する
には、原料としてＳｉＨ＋及び３ｉ　２　Ｈｓ等のシラ
ン類ガスを反応室に導入し、高周波によりグロー放電す
ることにより薄層中にＨを添加することができる。必要
に応じて、シラン類のキャリアガスとして水素又はヘリ
ウムガスを使用することができる。一方、ＳｉＦ＋ガス
及び５ｉＣｆｆ４ガス等のハロゲン化ケイ素を原料ガス
として使用することができる。また、シラン類ガスとハ
ロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反応させても、同様
にＨを含有するａ−８ｉ：Ｈを成膜することができる。

なお、グロー放電分解法によらず、例えば、スパッタリ
ング等の物理的な方法によってもこれ等の薄膜を形成す
ることができる。

ｕｃ−８１１ｉ３も、ａ−８ｉ：Ｈと同様に、高周波グ
ロー放電分解法により、シランガスを原料として、成膜
することができる。この場合に、支持体の温度をａ−３
ｉ：Ｈを形成する場合よりも高く設定し、高周波電力も
ａ−８１：Ｈの場合よりも高く設定すると、μｃ−３ｉ
：Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波
電力を高くすることより、シランガスなどの原料ガスの
流量を増大させることができ、その結果、成膜速度を早
くすることができる。また、原料ガスのＳ　ｉ　Ｈ４及
び５ｉ２１−１ｓ等の高次のシランガスを水素で希釈し
たガスを使用することにより、μＣ−８ｔ：Ｈを一層高
効率で形成することができる。

μｃ−８ｉ：Ｈ及びａ−８ｔ：Ｈをｐ型にするためには
、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ１
アルミニウム八２、ガリウムＱａ。

インジウムＩｎ、及びタリウム下２等をドーピングする
ことが好ましく、μｃ−８ｉ：Ｈ及びａ　−８ｉ　　：
Ｈをｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ族に属する元
素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ１ヒ素ＡＳ、アンチモンＳ
ｂ１及びビスマス８１等をドーピングすることが好まし
い。このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより
、支持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止さ
れる。一方、ｕｃ−８ｉ：Ｈ及びａ−８ｉ　　：Ｈに、
炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも１
種の元素を含有させることにより、＾抵抗とし、表面電
荷保持能力を増大させることができる。

光導電層３又は電荷発生層６の上に表面層４が設けられ
ている。光導ｒ１層３又は電荷発生層６のａ−８ｉ　　
：Ｈ等は、その屈折率が３乃至３．４と比較的大きいた
め、表面での光反射が起きやすい。

このような光反射が生じると、光ｓｉｘ層又は電荷発生
層に吸収される光量の割合いが低下し、光損失が大きく
なる。このため、表面層４を設けて反射を防止すること
が好ましい。また、表面Ｉ４を設けることにより、光導
電！３又は電荷発生ｍ６が損傷から保護される。ざらに
、表面層を形成することにより、帯電能が向上し、表面
に電荷がよくのるようになる。表面層を形成する材料と
しては、ａ−８ｉ　Ｎ　：Ｈ，ａ−８ｉ　Ｏ：Ｈ，及び
ａ−８ｉＣ：Ｈ等の無機化合物並びにポリ塩化ビニル及
びポリアミド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００Ｖの正電圧で帯電させると、例えば
、第２図に示す機能分離型の電子写真感光体の場合には
、電荷発生１１６にポテンシャルバリアが形成される。

この感光体に光（ｈν）が入射すると、電荷発生１１６
の足格子構造で電子と正孔のキャリアが発生する。この
伝導帯の電子は、感光体中の電界により、表面層４側に
向けて加速され、正孔は導電性支持体１側に向けて加速
される。この場合に、光学的バンドギャップが相違する
薄膜の境界で発生するキャリアの数は、バルクで発生す
るキャリアの数よりも極めて多い。

このため、この超格子構造においては、光感度が高い。

また、ポテンシャルの井戸層においては、量子効果のた
めに、超格子構造でない単一層の場合に比して、キャリ
アの寿命が５乃至１０倍と長い。更に、超格子構造にお
いては、バンドギャップの不連続性により、周期的なバ
リア層が形成されるが、キャリアはトンネル効果で容易
にバイアス層を通り抜けるので、キャリアの実効移動度
はバルクにおける移動度と同等であり、キャリアの走行
性が優れている。以上のごとく、光学的バンドギャップ
が相違するＩ膜を積廖した超格子構造によれば、＾光導
電層特性を得ることができ、従来の感光体よりも鮮明な
画像を得ることができる。

以下に第３図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法により製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスボンベ２１．２２．２３．
２４には、例えば、夫々Ｓｉ　Ｈ４、８２Ｈｓ　、　Ｈ
２、Ｃｌ−１４＠の原料ガスが収容されている。これら
ガスボンベ内のガスは、流出調整用のバルブ２６及び配
管２７を介して混合器２８に供給されるようになってい
る。各ボンベには圧力計２５が設置されており、該圧力
計２５を監視しつつバルブ２６を調整することにより混
合器２８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節
できる。混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９
に供給される。反応容器２９の底８ＩＩ３１には、回転
軸３０が鉛直方向の回りに回転可能に取付けられている
。該回転軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面
を回転軸３０に垂直にして固定されている。反応容器２
９内には、円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０
の軸中心と一致させて底部３１上に設置されている。

感光体のドラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を
回転軸３０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３
５が配設されている。電極３３とドラム基体３４との間
には高周波電源３６が接続されており、１！極３３およ
びドラム基体３４闇に高周波Ｗｉ流が供給されるように
なっている。回転軸３０はモータ３８により回転駆動さ
れる。反応容器２９内の圧力は圧力計３７により監視さ
れ、反応容器２９はゲートバルブ３８を介して真空ポン
プ等の適宜の排気手段に連結されている。

反応容器２９内にドラム基体３４を設置した後、ゲート
バルブ３９を開にして反応容器２９内を約０、１　Ｔ　
ｏｒｒの圧力以下に排気する。次いで、ボンベ２１，２
，２．２３．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で
混合して反応容器２９内に導入する。この場合に、反応
容器２９内に導入するガス流量は反応容器２９内の圧力
が０．１乃至１．０Ｔｏｒｒになるように設定する。次
いで、モータ３８を作動させてドラム基体３４を回転さ
せ、ヒータ３５によりドラム基体３４を一定温度に加熱
すると共に、高周波電源３６により電極３３とドラム基
体３４との間に高周波電流を供給して、両者間にグロー
放電を形成する。これにより、ドラム基体３４上にａ−
８ｉ：Ｈが堆積する。なお、原料ガス中にＮ２０．ＮＨ
３、ＮＯ２、Ｎ２　。

ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、
これらの元素をａ−５ｉ：＠等に含有させることができ
る。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成ｓ　Ｌ、電子
写真特性を試験した結果について説明する。

試験例１必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施したＭ径が８０ａ１、幅
が３５０ｓＩのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内
に装着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気し
た。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０ｒｐｍで自転
させつつ、Ｓｉ　Ｈ４ガスを５００３ＣＣＭ、８２　Ｈ
６ガスを５ｉＨｓガスに対する流量比で１０−３という
流量で反応容器内に導入し、反応容器内の圧力を１トル
に調節した。そして、１３．５６　Ｍ　ＨＺの高周波電
力を印加してプラズマを生起させ、ドラム基体上にｐ型
のａ−３ｉＣ：Ｈからなる障壁層を形成した。

次いで、Ｈ２ガスを３００ＳＣＣＭ、８２　Ｈ６ガスを
ＳｉＨ＋ガスに対する流量比で１０−６という流山で反
応容器内に導入し、高周波電力を印加して、２０μｍの
厚さのａ−８ｉ：＠からなる電荷輸送層を形成した。

次に、Ｃｌ−１４ガスの流山を３０ＳＣＣＭとし、４０
０Ｗの高周波電力を印加して、５０人のａ　−８ｉＣｉ
ｌｌ！ｌを形成した。次いで、電荷輸送層形式の際と同
様の条件で、５０人のａ−８ｉＣ薄膜を形成した。次い
で、Ｓ＋Ｈ４ガスを３００ＳＣＣＭ、Ｇｅ　Ｈ４ガスを
１００８ＣＣＭ、Ｈ２ガスを５００ＳＣＣＭ、それぞれ
導入し、２００Ｗの高周波電力を印加して、１００人の
ａ−８ｉＧｅ：Ｈａｔ膜を形成した。このような操作を
繰返して５μｍの超格子構造の電荷発生層を形成した。

最後に、０．５　μｍのａ−８ｉＣ：Ｈからなる表面層
を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。

このようにして製造された感光体は、半導体レーザの発
撮波長である７８０乃至７９０　ｎ１Ｍの長波長光に対
しても高い感度を有する。この感光体を半導体レーザプ
リンタに搭載してカールソンプロセスにより画像を形成
したところ、感光体表面の露光量が２５ｅｒｇｄである
場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることができた。

試験例２ａ−８ｉ　Ｃ’；ｆｌＷＡ、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｇｅ　’４
ｍ、ａ−８ｉＮ膜の順に成膜して電荷発生層を形成した
ことを除き、試験例１と同様の方法で電子写真感光体を
製造した。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例３ａ−８ｉ　Ｃ薄膜の代わりに、ａ−８ｉＮ薄膜を形成し
たことを除き、試験例１と同様の方法で電子写真感光体
を製造した。なお、ａ−８ｉＮ薄膜は、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガ
スを５００ＳＣＣＭ、Ｈ２ガスを３００８ＣＣＭ、Ｎ２
ガスを１２０８ＣＣＭ導入することにより得られた。

この゛感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形
成したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例４ａ−３ｉＮｉｌｌＥｌ、ａ−８ｔ　Ｇｅ　ｔｉｌｌ、ａ
−３ｉ薄膜の順に成膜して電荷発生層を形成したことを
除き、試験例３と同様の方法で電子写真感光体を製造し
た。

［発明の効果］この発明によれば、光導電層の一部又は全部に、超格子
構造を使用しているので、可視光から近赤外光の広い波
長領域に亘って島感度であり、キャリアの走行性が高い
と共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光体を得
ることができる。

特に、この発明においては、薄膜を形成する材料を適宜
組み合わせることにより、任意の波長帯の光に対して最
適の光導電特性を有する感光体を得ることができるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光
体を示す断面図、第３図は、この発明の実施例に係る電
子写真感光体の製造装置を示す図である。１：導電性支持体、２：障壁層、３：光導電層、４：表
面層、５：１！荷輸送層、６：電荷発生層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体と光導電層とを有する電子写真感光
体において、前記光導電層は、Ｇｅを含む非晶質薄膜と
、非晶質シリコン薄膜と、炭素、酸素および窒素から選
ばれた元素の少なくとも一種を含む非晶質シリコン薄膜
とを積層して構成されてなる領域を有することを特徴とする電子写真感
光体。
（２）前記薄膜の膜厚は、３０〜５００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
。
（３）前記光導電層は、周期律表第III族および第Ｖ族
に属する元素から選ばれた少なくとも一種を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
感光体。
（４）前記導電性支持体と前記光導電層との間に、非晶
質材料又はその少なくとも一部が微結晶化した半導体材
料からなる障壁層が形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
（５）前記障壁層は、周期律表第III族および第Ｖ族に
属する元素から選ばれた少なくとも１種を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の電子写真感光体。
（６）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素から選ばれ
た元素の少なくとも一種を含むことを特徴とする特許請
求の範囲第４又は５項記載の電子写真感光体。
（７）前記光導電層の上に表面層が形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光
体。