JPS63243960A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

（従来の技術） 水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
−８ｉ　　：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として
注目されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイ
メージセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応
用されている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、ＣｄＳ、Ｚｎ０，３ｅ、若しクハ５ｅ−Ｔｅ等の無機
材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ　）
若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有機材
料が使用されていた。

しかしながら、ａ−８ｉ：Ｈはこれらの無機材料又は有
様材料に比して、無公害物質であるため回収処理の必要
がないこと、可視光領域で高い分光感度を有すること、
並びに表面硬度が高くＭ摩耗性及び耐衝撃性が優れてい
ること等の利点を有している。このため、ａ−８ｉ：Ｈ
ｌ、を電子写真プロセスの感光体として注目されている
。

このａ−ｓ＋　　：Ｈは、カールンン方式に基づく感光
体材料として検討が進められているが、この場合、感光
体特性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。

しかしながら、この両特性を単一の感光体で満足させる
ことが困難であるため、先導′Ｒ層と導電性支持体との
間に障壁層を設け、かつ光導ｌ！層上に表面電荷保持層
を設けた積層型の構造にすることにより、このような要
求を満足させている。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、ａ−３ｉ：Ｈは、通常、シラン系ガスを使用
したグロー放電分解法により形成されるが、この際に、
ａ−８ｉ　　：Ｈｌ中に水素が取り込まれ、水素量の差
により電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、
ａ−８ｉ　　：ＨＩ！ｌに侵入する水素の量が多くなる
と、光学的バンドギャップが大きくなり、ａ−８ｉＨの
抵抗が轟くなるが、それにともない、長波長光に対する
光感度が低下してしまうので、例えば、半導体レーザを
搭載したレーザビームプリンタに使用することが困難で
ある。また、ａ−８ｉ　Ｈ膜中の水素の含有量が多くな
ると、成膜条件によって、（ＳｉＨ２）ｎ及びＳｉＨ２
等の結合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占め
る場合がある。そうすると、ボイドが増加し、シリコン
ダングリングボンドが増加するため、光導電特性が劣化
し、電子写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−
８ｉ　　：Ｈ中に取込まれる水素の量が低下すると、光
学的バンドギャップが小さくなり、その抵抗が小さくな
るが、長波長光に対する光感度が増加する。しかし、水
素含有量が少ないと、シリコンダングリングボンドと結
合してこれを減少させるべき水素が少なくなる。このた
め、発生するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くな
ると共に、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光
体として使用し難いものどなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
ｉ　　：ＨＩＨのみで構成したのでは、ａ−８ｉ：８層
の製造条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性
が得られないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長ｆＥｉ域に亘って感光が高く、基板との密着
性が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の光導電層を電荷保持層と電荷発生層とにより構成し、
電荷保持層を？！数の半導体膜の積層即ち超格子構造に
より構成し、それら半導体膜の界面近傍における炭素等
の濃度を連続して変化させることにより、上記目的を達
成し得ることを見出し、本発明を完成するに至ったもの
である。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体であって、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とを有し、前＆！電荷発生
層は、非晶質シリコン又は微結晶シリコンからなり、前
記電荷保持層は、微結晶シリコンＦｉＪＲと、炭素、酸
素、および窒素から選ばれた元素の少なくとも一種を含
む非晶質シリコン薄膜を交互に積層して構成され、かつ
前記元素の濃度が前記薄膜の界面近傍で連続的に変化し
ていることを特徴とする。

前記非晶質シリコン薄膜中に含まれる炭素、酸素、窒素
の濃度は、好ましくは、０，１〜４０原子％、より好ま
しくは０．５〜３０原子％である。

本発明において用いる微結晶シリコン（μＣ−８ｉ）は
、粒径が約数十オングストロームの微結晶シリコンと非
晶質シリコンとの混合相により形成されているものと考
えられ、以下のような物性上の特徴を有している。第一
に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８．５°付近にあ
る結晶回折パターンを示し、ハローのみが現れる無定形
のａ−３ｉから明確に区別される。第二に、μｃ−３ｉ
の暗抵抗は１０１０Ω・１以上に調整することができ、
暗抵抗が１０＋３０・αのポリクリスタリンシリコンか
らも明確に区別される。

本発明で用いる上記μｃ−８ｉの光学的バンドギャップ
（Ｅｙ”　）は、例えば１．５５ｅ　Ｖとするのが望ま
しい。しかし、一定の範囲で任意に設定することができ
る。望ましいＥ９”を得るため夫々に所定量の水素を添
加し、μｃ−８ｉ：Ｈとして使用するのが好ましい。こ
れにより、シリコンのダングリングボンドが補償され、
暗抵抗と明抵抗の調和がとれ、光導電特性が向上する。

（作　用） 本発明の電子写真感光体では、電荷保持層に前記超格子
構造が設けられているため、この領域では発生したキャ
リアの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につ
いては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子
構造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効
果であることは疑いがなく、これは特に超格子効果とい
われる。

こうして電荷保持層でのキャリアの移動度が大きくなり
、またキャリアの寿命が良くなることによって電子写真
感光体の感度は著しく向上することになる。

また、本発明においては、ａ−８ｉｉｉｌ！に炭素、酸
素、窒素のうちの少なくとも一種を含有させているので
、前記のようにバンドギャップを調整するだけでなく、
光導電層の抵抗を増大して表面の′Ｒ荷保持能力を高め
ることができる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６からなる光導電層３が形成されている。

また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている。

なお、電荷保持層５は超格子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
り詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁Ｍ　２　Ｇ、ｔ　ｕ　ｃ　−Ｓ　ｉやａ−８ｔ　　
：Ｈを用いて形成してもよく、またａ−ＢＮ：Ｈ（窒素
および水素を添加したアモルファス硼素）を使用しても
よい。更に、絶縁性の膜を用いてもよい。例えば、μｃ
−３ｉ　　：　）（及びａ−８ｈ：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ
及び１１０から選択された元素の一種以上を含有させる
ことにより、高抵抗の絶縁性障ＷＩＷＪを形成すること
ができる。障壁層２の膜厚は１００人〜１０μｍが好ま
しい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することにより感光体表面の電荷保
持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカー
ルソン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、￥８壁層２
をＰ型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯電さ
せる場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する
電子が電荷発生層に注入されるのを防止する。

逆に表面を負帯電させる場合には障壁Ｈ２をＮ型とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは光の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノズル
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、μｃ−８ｉ：Ｈ
やａ−８ｉ：ＨをＰ型にするためには、周期律表の第■
族に屈する元素、例えば硼素Ｂ１アルミニウム八２、ガ
リウムＱａ、インジウムＩｎ、及びタリウムＴＲ等をド
ーピングすることが好ましい。また、μｃ−３ｉ　　：
　Ｈやａ−３ｉ：＠をＮ型にするためには周期律表の第
Ｖ族°に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ、砒素Ａｓ、ア
ンチモンＳｂ１及びビスマスＢｉ等をドーピングするこ
とを好ましい。

電荷発生層６は、光の入射によりキャリアを発生し、こ
のキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯電電
荷と中和し、他方のものが電荷保持ｗＪ５内を走行して
導電性支持体１に到達する。

電荷保持層５は、微結晶シリコン薄膜と非晶質シリコン
薄膜を交互に積層して構成されている。

非晶質シリコン薄膜には、炭素、酸素および窒素から選
ばれた少なくとも１種が含まれ、その濃度は界面近傍に
おいて連続して変化している。′４股の厚みは３０〜５
００人の範囲にある。

電荷保持層５を構成する超格子構造は、理想的には第２
図に示すように、例えば光学的バンドギャップの異なる
薄膜が不連続な周期ポテンシャルを形成することが望ま
しい。

しかし、このような超格子構造を成膜するには、各薄膜
の成膜ごとに反応室内のガスをパージし、次の成膜の際
にｉ’１ｌ１３に不純物が混入しないようにする必要が
あるため、成膜時間が非常に長くなり、ａｔ産性に乏し
いという欠点がある。また、プラズマＣＶＤにより成膜
する場合には、成膜面に絶えずイオンの衝突（イオンボ
ンバード）が生ずるため、それによって不純物が薄膜内
に拡散してしまい、第２図に示す不連続の周期ポテンシ
ャルは形成できない。

これに対し、本発明に係る超格子構造では、第３図に示
すように、各薄膜の界面近傍における元素濃度、即ち光
学的バンドギャップを連続的に変化させている。このよ
うな超格子構造は、イオンボンバードを弱めるために高
周波電力を若干下げ、Ｈ２ガスを多めに導入し、高周波
電力を一定にしたまま不純物等を含むガスの流量を適宜
変化させることによって、又はガス流量を一定にしたま
ま高周波電力を変化させることによって得ることが可能
である。このような方法で成膜することにより、イオン
ボンバードが弱められ、界面近傍の特性が連続的に変化
した第３図の示すような周期的ポテンシャルが得られる
。

このように、薄膜の界面近傍において、炭素等の！１度
、従って光学的バンドギャップを連続的に変化させた超
格子構造を採用することにより、その成膜に際しては成
膜条件の安定を持たずに次々と成膜を行なうことができ
るため、成膜時間を茗しく短縮でき、ｌ産性に優れた結
果となる。また、成膜の連続化の故に、各′ａＷＡ間の
密着性が良好となる。

以上説明したように、光学的バンドギャップが相互に異
なる薄膜を積層することによって、光学的バンドギャッ
プの大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギャップが小
さい膜を基準にして光学的バンドギャップが大きな膜が
バリアとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格
子構造が形成される。この超格子構造においては、バリ
ア薄膜が極めて薄いので、［におけるキャリアのトンネ
ル効果により、キャリアはバリアを通過して超格子構造
中を走行する。また、このような超格子構造においては
、光の入射により発生するキャリアの数が多い。従って
、光感度が高い。なお、超格子構造の薄膜のバンドギャ
ップとＩｌｌ厚を変更することにより、ヘテロ接合超格
子構造を有する層のみかけのバンドギャップを自由に調
整することができる。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−ｓ＋　
　：Ｈおよびμｃ−８ｉ　　：Ｈにおける水素の含有量
は、０．０１〜３０原子％が好ましく、１〜２５原子％
がより好ましい。このような水素の含有量により、シリ
コンのダングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗
とが調和のとれたものとなり、光導電特性が向上する。

ａ−ｓ＋　　：ｔｕｉｉをグロー放電分解法により成膜
するには、原料としてＳｉＨ＋及び３ｉ２Ｈｓ等のシラ
ン類ガスを反応室に導入し、高周波によりグロー放電す
ることにより薄膜中にＨを添加することができる。必要
に応じて、シラン類のキャリアガスとして水素又はヘリ
ウムガスを使用することができる。一方、Ｓ：　Ｆ４ガ
ス及び５ｉＣｆｆｉ４ガス等のハロゲン化ケイ素を原料
ガスとして使用することができる。また、シラン類ガス
とハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反応させても、
同様にＨを含有するａ−３ｉ：＠を成膜することができ
る。なお、グロー放電分解法によらず、例えば、スパッ
タリング等の物理的な方法によってもこれ等の薄膜を形
成することができる。

μｃ−８ｉＩｉｉも、ａ−８ｉ：＠と同様に、高周波グ
ロー放電分解法により、シランガスを原料として、成膜
することができる。この場合に、支持体の湿度をａ−８
ｉ：Ｈを形成する場合よりも高く設定し、高周波電力も
ａ−８ｉ：Ｈの場合よりも高く設定すると、μｃ−３ｉ
：Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波
電力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガス
の流量を増大させることができ、その結果、成膜速度を
早くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ＋及び
５ｉ２Ｈｓ等の高次のシランガスを水素で希釈したガス
を使用することにより、μＣ−８ｉ：Ｈを一層高効率で
形成することができる。

μＣ−８ｔ　　：Ｈ及びａ−８ｉ：＠をｎ型にするため
には、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素
Ｂ、アルミニウムＡ℃、ガリウムＧａ。

インジウムＩｎ、及びタリウムＴＩ２等をドーピングす
ることが好ましく、μｃ−８ｔ：Ｈ及びａ　−８ｉ：Ｈ
をｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ顔に属する元素
、例えば、窒素Ｎ１リンＰ１ヒ素ＡＳ、アンチモンＳｂ
、及びビスマス３ｉ等をドーピングすることが好ましい
。このｎ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、
支持体側から先導Ｎ層へ電荷が移動することが防止され
る。一方、ｕｃ−８ｔ　　：　）（及びａ−８ｔ：＠に
、炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも
１種の元素を含有させることにより、高抵抗とし、表面
電荷保持能力を増大させることができる。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６のａ−８ｉ：Ｈ等は、その屈折率が３乃至
３．４と比較的大きいため、表面での光反射が起きやす
い。このような光反射が生じると、電荷発生層に吸収さ
れる光ｍの割合いが低下し、光損失が大きくなる。この
ため、表面１４を設けて反射を防止することが好ましい
。また、表面１１４を設けることにより、電荷発生［１
６が損傷から保護される。さらに、表面層を形成するこ
とにより、帯電能が向上し、表面に電荷がよくのるよう
になる。表面層を形成する材料としては、ａ−８ｉＮ：
Ｈ，ａ−８ｉ　Ｏ：Ｈ，及びａ−８ｉＣ：Ｈ等の無礪化
合物並びにポリ塩化ビニル及びポリアミド等の有癲材料
がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００Ｖの正電圧で帯電させると、ポテン
シャルバリアが形成される。この感光体に光（ｈν）が
入射すると、電荷発生Ｆｍ６で電子と正孔のキャリアが
発生する。この伝導帯の電子は、感光体中の電界により
、表面層４側に向けて加速され、正孔は導電性支持体１
側に向けて加速される。この場合に、電荷保持層ではポ
テンシャルの井戸層において、量子効果のために、超格
子構造でない単一層の場合に比して、キャリアの寿命が
５乃至１０倍と長い。更に、超格子構造においては、バ
ンドギャップの不連続性により、周期的なバリアＦｍが
形成されるが、キャリアはトンネル効果で容易にバイア
ス層を通り抜けるので、キャリアの実効移動度はバルク
における移動度と同様であり、キャリアの走行性が優れ
ている。以上のごとく、光学的バンドギャップが相違す
る薄膜を積層した超格子構造によれば、＾光導電特性を
得ることができ、従来の感光体よりも鮮明な画像を得る
ことができる。

以下に第４図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法により製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスボンベ２１．２２．２３．
２４には、例えば、夫々Ｓｉ　Ｈ４，８２Ｈ６、Ｈ２、
ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらガスボン
ベ内のガスは、流ｆｉｌｌ整用のバルブ２６及び配管２
７を介して混合器２８に供給されるようになっている。

各ボンベには圧力計２５が設置されており、該圧力計２
５を監視しつつバルブ２６を調整することにより混合器
２８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節でき
る。混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供
給される。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が
鉛直方向の回りに回転可能に取付けられている。該回転
軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転軸
３０に垂直にして固定されている。反応容器２９内には
、円筒状のＮ極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心
と一致させて底部３１上に設置されている。

感光体のドラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を
回転軸３０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３
５が配設されている。電極３３とドラム基体３４との間
には高周波用′ａ３６が接続されており、電極３３およ
びドラム基体３４間に高周波電流が供給されるようにな
っている。回転軸３０はモータ３８により回転駆動され
る。反応容器２９内の圧力は圧力計３７により監視され
、反応容器２９はゲートバルブ３８を介して真空ポンプ
等の適宜の排気手段に連結されている。

上記製造装置により感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ゲートバルブ
３９を開にして反応容器２９内を約０、Ｉ　Ｔｏｒｒの
圧力以下に排気する。次いで、ボンベ２１，２２．２３
．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反
応容器２９内に導入する。この場合に、反応容器２９内
に導入するガス流量は反応容器２９内の圧力が０．１乃
至１．０Ｔ　ｏｒｒになるように設定する。次いで、モ
ータ３８を作動させてドラム基体３４を回転させ、ヒー
タ３５によりドラム基体３４を一定温度に加熱すると共
に、高周波電源３６により電極３３とドラム基体３４と
の間に高周波電流を供給して、両者間にグロー放電を形
成する。これにより、ドラム基体３４上にａ−８ｉ：Ｈ
が堆積する。なお、原料カス中にＮ２０．ＮＨ３、ＮＯ
２、Ｎ２　。

ＣＨ４、Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、
これらの元素をａ−３ｉ：＠中に含有させることができ
る。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために、駿処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｍ、幅が
３５０．ｗのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に
装着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気した
。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０ｒｐｍで自転さ
せつつ、ＳｉＨ＋ガスを５００ＳＣＣＭ、８２　Ｈｓガ
スをＳｉＨ＋ガスに対する流最比で１０−３という流量
で反応容器内に導入し、反応容器内の圧力を１トルに調
節した。そして、１３．５６　Ｍ　＠　ｚの高周波電力
を印加してプラスマを生起させ、ドラム基体上にｐ型の
ａ−８ｉ　　：Ｈ障壁層を形成した。

次に、ＳｉＨ＋ガスおよびＨ２ガスの流量をそれぞれ５
０８ＣＣＭおよび７５０ＳＣＣＭとし、６００Ｗの高周
波電力を４分間印加した。次いで、高周波電力を印加し
たまま、流Ｊ！１ｌ１０５ｃｃのＣＨ４ガスを４分間導
入した。このような操作を繰返して、界面近傍の炭素濃
度が連続的に変化するａ−３ｉ　Ｈ１ｌ！　（炭素濃度
：３原子％）と、μｃ−５ｉ：Ｈ薄膜とからなる２０μ
ｍの電荷保持層を形成した。

その後、ＳｉＨ＋ガスを５００ＳＣＣＭ、Ｈ２ガスを３
００ＳＣＣＭ、Ｂ２　ＨａガスをＳｉＨ＋ガス流量に対
する１０−６の流は比で導入し、４００Ｗの高周波電力
を印加し、ａ−８ｔ　　：Ｈからな６５μｍの電荷発生
層を形成した。

最後に、ａ−３ｉ：Ｈからなる０、５μｍの表面層を形
成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００■で正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返しＷ！電させたところ、転写画像の再現性
及び安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐
湿性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実証
された。

試験例２ 電荷保持層を構成するａ−Ｓ＋Ｃ：＋薄膜の代わりにａ
−８ｉＮ：）ｌ簿膜（窒素濃度：３原子％）を形成した
ことを除き、試験例１と同様にして電子写真感光体を製
造した。なお、ａ−８ｉＮ：ＨＦａ腹は、高周波電力を
印加したまま１５８ＣＣＭのＮ２ガスを４分間導入する
ことによって得られた。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

以上、電荷保持層を２種類の薄膜により構成した試験例
について説明したが、それに限らず、３種類以上の薄膜
を積層してもよく、要するに、光学的バンドギャップが
相違する１ｌｉｌの境界を形成すれば良い。

［発明の効果］ 本発明によれば、電荷保持層に、光学的バンドギャップ
が相互に異なる′ａ膜を積層して構成される超格子構造
を使用するため、キャリアの走行性が高いと共に、高抵
抗で帯電特性が優れた電子写真感光体を得ることができ
る。特に、薄膜の界面近傍における炭素等の濃度を′ａ
＠的に変化させる構造を採用しているため、量産性に優
れ、また、成膜の連続化の故に、各薄膜間の密着性が良
好である。更に、本発明の電子写真感光体においては、
薄膜を形成する材料を適宜組み合わせることにより、任
意の波長帯の光に対して最適の光導電特性を有する感光
体を得ることができるという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図および第３図は超格子構造のエネルギバ
ンドを示す図、第４図はこの発明の実施例に係る電子写
真感光体の製造装置を示す図である。 １：導電性支持体、２：障壁層、３：光導電層、４：表
面層、５：Ｔｉ荷保持層、６：電荷発生層。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 化１図 薄膜２図　　　　　　第３図

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを具備する電子写真感
   光体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層
   とを有し、前記電荷発生層は非晶質シリコン又は微結晶
   シリコンからなり、前記電荷保持層は、微結晶シリコン
   薄膜と、炭素、酸素、および窒素から選ばれた元素の少
   なくとも一種を含む非晶質シリコン薄膜とを交互に積層
   して構成され、かつ前記元素の濃度が前記薄膜の界面近
   傍で連続的に変化していることを特徴とする電子写真感
   光体。
2. （２）前記薄膜の膜厚は、３０〜５００Åであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
   。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に
   属する元素から選択された少なくとも一種を含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
   感光体。
4. （４）前記電荷発生層および電荷保持層の微結晶シリコ
   ン領域は、炭素、酸素、および窒素から選ばれた元素の
   少なくとも一種を含むことを特徴とする特許請求の範囲
   第１〜３項のうちのいずれか１項記載の電子写真感光体
   。
5. （５）前記導電性支持体と光導電層との間に、非晶質材
   料又は少なくとも一部が微結晶した半導体材料からなる
   障壁層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の電子写真感光体。
6. （６）前記障壁層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に属
   する元素から選択された少なくとも一種を含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第５項記載の電子写真感光体。
7. （７）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素からなる群
   から選択された元素の少なくとも一種を含むことを特徴
   とする特許請求の範囲第５項記載の電子写真感光体。
8. （８）前記光導電層の上に表面層を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。