JPS63166965A - 蒸着用タ−ゲツト - Google Patents
蒸着用タ−ゲツトInfo
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- JPS63166965A JPS63166965A JP30919586A JP30919586A JPS63166965A JP S63166965 A JPS63166965 A JP S63166965A JP 30919586 A JP30919586 A JP 30919586A JP 30919586 A JP30919586 A JP 30919586A JP S63166965 A JPS63166965 A JP S63166965A
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- Japan
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- sio
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Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 12
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
産業上の利用分野
本発明は電子デバイスその他の表面に電気絶縁用や機械
的保護用などとして利用される一酸化ケイ素薄膜を形成
するための蒸着用ターゲットに関する。
的保護用などとして利用される一酸化ケイ素薄膜を形成
するための蒸着用ターゲットに関する。
従来の技術
電気絶縁用や機械的な接触に対する保護用などのために
、電子デバイスその他の物品の表面に酸化ケイ素の薄膜
を形成することが行われている。
、電子デバイスその他の物品の表面に酸化ケイ素の薄膜
を形成することが行われている。
そして、酸化ケイ素の薄膜として二酸化ケイ素を用いる
と基体との密着性が必ずしも良好でないところから、−
酸化ケイ素の薄膜が好まれる。
と基体との密着性が必ずしも良好でないところから、−
酸化ケイ素の薄膜が好まれる。
このような−酸化ケイ素の薄膜を形成するには物体の表
面にケイ素層を形成し、これを適当な酸素分圧下に適度
な温度で焼成して一酸化ケイ素膜を得る方法があるが、
操作条件を安定化させるのが難しいという問題がある。
面にケイ素層を形成し、これを適当な酸素分圧下に適度
な温度で焼成して一酸化ケイ素膜を得る方法があるが、
操作条件を安定化させるのが難しいという問題がある。
また、金属ケイ素で形成した蒸着用ターゲットを用い、
物品等の表面に蒸着する際に雰囲気中に酸素を供給して
蒸着と同時に一酸化ケイ素薄膜を形成する方法も考えら
れているが、これまた酸素の供給速度を蒸着速度に見合
って安定したものとすることが難しく、実用的でない。
物品等の表面に蒸着する際に雰囲気中に酸素を供給して
蒸着と同時に一酸化ケイ素薄膜を形成する方法も考えら
れているが、これまた酸素の供給速度を蒸着速度に見合
って安定したものとすることが難しく、実用的でない。
そこで、−酸化ケイ素で形成した蒸着用ターゲットが用
いられているが、かかる蒸着用ターゲットは、二酸化ケ
イ素と金属ケイ素との混合物を真空中で１４００〜１５
００℃に加熱して昇華析出した一酸化ケイ素を採取し、
粉砕した後に加圧焼結して得られた成形体から得るのが
普通であった。
いられているが、かかる蒸着用ターゲットは、二酸化ケ
イ素と金属ケイ素との混合物を真空中で１４００〜１５
００℃に加熱して昇華析出した一酸化ケイ素を採取し、
粉砕した後に加圧焼結して得られた成形体から得るのが
普通であった。
このようにして得られた蒸着用ターゲットは、組成が一
定した蒸着膜を容易に形成できるものの製造工程が複雑
であり、しかも緻密な焼結体を得ようとすると内部応力
によって割れ易く大型のものを得にくいから、製造収率
が低く高価となるという難点があった。
定した蒸着膜を容易に形成できるものの製造工程が複雑
であり、しかも緻密な焼結体を得ようとすると内部応力
によって割れ易く大型のものを得にくいから、製造収率
が低く高価となるという難点があった。
本発明は、均質な一酸化ケイ素薄膜を容易に形成するこ
とができる改良手段を提供しようとするものであり、さ
らには、かかる−酸化ケイ素の蒸着薄膜を形成するに好
適な、新しい蒸着用ターゲットを提供することを目的と
したものである。
とができる改良手段を提供しようとするものであり、さ
らには、かかる−酸化ケイ素の蒸着薄膜を形成するに好
適な、新しい蒸着用ターゲットを提供することを目的と
したものである。
問題点を解決するための手段
前述のような目的を達成することができる本発明の蒸着
用ターゲットは、二酸化ケイ素と金属ケイ素とをモル比
で４：６〜６：４の範囲内で含有し、かつこれらの合計
量が５０重量％以上としたものである。
用ターゲットは、二酸化ケイ素と金属ケイ素とをモル比
で４：６〜６：４の範囲内で含有し、かつこれらの合計
量が５０重量％以上としたものである。
本発明の蒸着用ターゲットは、本質的に二酸化ケイ素と
金属ケイ素とからなるものであり、望ましくはこれらを
等モル比で含有するのがよいが、４：６〜６：４の範囲
内で含有比がずれていてもよい。また更には、二酸化ケ
イ素と金属ケイ素との他に、５０重量％以下の一酸化ケ
イ素が含有されていてもよい。
金属ケイ素とからなるものであり、望ましくはこれらを
等モル比で含有するのがよいが、４：６〜６：４の範囲
内で含有比がずれていてもよい。また更には、二酸化ケ
イ素と金属ケイ素との他に、５０重量％以下の一酸化ケ
イ素が含有されていてもよい。
かかる蒸着用ターゲットを得るには、二酸化ケイ素の粉
末と金属ケイ素の粉末とを上記のモル比の範囲内となる
ように配合し、さらに必要に応じて一酸化ケイ素の粉末
を混合し、あらかじめ加圧して予備成形するかまたは成
形せずに焼成炉中に装入し、反応温度以下で加圧焼結し
て焼結成型体とする。この場合、焼結温度は１０００〜
１３００℃の範囲内であるのがよく、また炉内雰囲気は
不活性であるのが好ましい。
末と金属ケイ素の粉末とを上記のモル比の範囲内となる
ように配合し、さらに必要に応じて一酸化ケイ素の粉末
を混合し、あらかじめ加圧して予備成形するかまたは成
形せずに焼成炉中に装入し、反応温度以下で加圧焼結し
て焼結成型体とする。この場合、焼結温度は１０００〜
１３００℃の範囲内であるのがよく、また炉内雰囲気は
不活性であるのが好ましい。
このようにして得た蒸着用ターゲットは、二酸化ケイ素
と金属ケイ素との混合焼結体であってこれらの間での反
応は殆んど進んでいない。しかし、焼結条件によっては
多少の一酸化ケイ素の生成が見られるが、これは本発明
の蒸着用ターゲットの性能に関して何等影響を与えるも
のではなく、大きさや形状に拘わりなく高密度で強靭な
蒸着用ターゲットが高収率で得られるものである。
と金属ケイ素との混合焼結体であってこれらの間での反
応は殆んど進んでいない。しかし、焼結条件によっては
多少の一酸化ケイ素の生成が見られるが、これは本発明
の蒸着用ターゲットの性能に関して何等影響を与えるも
のではなく、大きさや形状に拘わりなく高密度で強靭な
蒸着用ターゲットが高収率で得られるものである。
作用
本発明の蒸着用ターゲットを用いてスパッタリング蒸着
を行なうときは、従来の一酸化ケイ素ターゲットとはソ
゛同様の蒸着条件を適用することができる。そして、得
られた蒸着膜は、ターゲットの組成と殆ど同じ原子組成
を有しており、二酸化ケイ素と金属ケイ素とのモル比が
１＝１であるターゲットを用いて得られた蒸着膜は、無
定形の一酸化ケイ素の特性を有している。
を行なうときは、従来の一酸化ケイ素ターゲットとはソ
゛同様の蒸着条件を適用することができる。そして、得
られた蒸着膜は、ターゲットの組成と殆ど同じ原子組成
を有しており、二酸化ケイ素と金属ケイ素とのモル比が
１＝１であるターゲットを用いて得られた蒸着膜は、無
定形の一酸化ケイ素の特性を有している。
また、本発明の蒸着用ターゲットを用いて電子ビーム蒸
着を行なうときも、従来の一酸化ケイ素ターゲットと殆
んど同様の蒸着条件を適用することができる。このとき
は、ターゲットの組成が等モル比からずれていても、得
られた蒸着膜は組成が等モル比となって、均質で無定形
の一酸化ケイ素からなるものとなる。
着を行なうときも、従来の一酸化ケイ素ターゲットと殆
んど同様の蒸着条件を適用することができる。このとき
は、ターゲットの組成が等モル比からずれていても、得
られた蒸着膜は組成が等モル比となって、均質で無定形
の一酸化ケイ素からなるものとなる。
本発明の蒸着用ターゲットは、電気絶縁膜や保護膜とし
ての一酸化ケイ素薄膜を形成するためのターゲットであ
って、大型で高密度のターゲットが経済的に得られる利
点がある。
ての一酸化ケイ素薄膜を形成するためのターゲットであ
って、大型で高密度のターゲットが経済的に得られる利
点がある。
Claims (3)
- （１）二酸化ケイ素と金属ケイ素とをモル比で４：６〜
６：４の範囲内で含有し、かつこれらの合計量が５０重
量％以上であることを特徴とする蒸着用ターゲット。 - （２）二酸化ケイ素と金属ケイ素との合計量が９８重量
％以上である、特許請求の範囲第１項記載の蒸着用ター
ゲット。 - （３）５０重量％以下の一酸化ケイ素を含有する、特許
請求の範囲第１項記載の蒸着用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30919586A JPS63166965A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 蒸着用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30919586A JPS63166965A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 蒸着用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166965A true JPS63166965A (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=17990069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30919586A Pending JPS63166965A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 蒸着用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63166965A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994019506A1 (de) * | 1993-02-25 | 1994-09-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Im vakuum aufgedampte barriereschichten für die verpackungsindustrie und aufdampfgut für ihre herstellung |
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| JPS60210641A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-10-23 | Unitika Ltd | 防曇処理プラスチツク成型品 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP30919586A patent/JPS63166965A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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