JPS6148563A - 真空蒸着用ソ−ス - Google Patents
真空蒸着用ソ−スInfo
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- JPS6148563A JPS6148563A JP16752984A JP16752984A JPS6148563A JP S6148563 A JPS6148563 A JP S6148563A JP 16752984 A JP16752984 A JP 16752984A JP 16752984 A JP16752984 A JP 16752984A JP S6148563 A JPS6148563 A JP S6148563A
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- vacuum deposition
- oxide
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空蒸着用ソースに関し、特に電子ビーム加
熱による真空蒸着法に適した窒化物および／または酸化
物の真空蒸着用ソースに関する。
熱による真空蒸着法に適した窒化物および／または酸化
物の真空蒸着用ソースに関する。
従来高融点の金属、窒化物あるいは酸化物等の誘電体の
蒸着には電子ビーム加熱による蒸着法が好んで使用され
て来た。
蒸着には電子ビーム加熱による蒸着法が好んで使用され
て来た。
電子ビーム加熱による蒸着法は、真空容器内において電
子ビーム源より発生した電子ビームを蒸着用ソースに照
射して蒸着物質を蒸発させ、目的の基板上に薄膜として
形成させる方法である。
子ビーム源より発生した電子ビームを蒸着用ソースに照
射して蒸着物質を蒸発させ、目的の基板上に薄膜として
形成させる方法である。
従来電子ビーム蒸着法に用いられる蒸着用ソースは例え
ば特開昭！ざ一／３０２７！ｉ等にみられる様に粉末を
プレス成型した後に焼成して固めたペレット状物体であ
った。
ば特開昭！ざ一／３０２７！ｉ等にみられる様に粉末を
プレス成型した後に焼成して固めたペレット状物体であ
った。
しかしながら窒化物あるいは酸化物の誘電体の粉末より
作成したソースを用いて電子ビーム加熱による蒸着処理
を行なうと、蒸着処理によって、生成した薄膜に付着物
が多数あったり、薄膜に亀裂等が生じやすかった。
作成したソースを用いて電子ビーム加熱による蒸着処理
を行なうと、蒸着処理によって、生成した薄膜に付着物
が多数あったり、薄膜に亀裂等が生じやすかった。
又上記欠点を解決するために蒸着用ソースに金属モリブ
デンを含ませる方法（特開昭ｓｓ’−／３０２７！Ｖ）
等も知られているが、上記方法では蒸着膜中にモリブデ
ン等の不純物が混入する欠点があった。
デンを含ませる方法（特開昭ｓｓ’−／３０２７！Ｖ）
等も知られているが、上記方法では蒸着膜中にモリブデ
ン等の不純物が混入する欠点があった。
本発明は上記問題点を解決するために、０．０／〜ｊ重
量％のカーボンファイバーを含んでいる窒化物および／
または酸化物からなる真空蒸着用ソースを提供する。
量％のカーボンファイバーを含んでいる窒化物および／
または酸化物からなる真空蒸着用ソースを提供する。
本発明に使用するカーボンファイバーとしては、線径０
゜／Ｎ／、０μｍ１長さＳん３０ｍｍ のものが好まれ
る。
゜／Ｎ／、０μｍ１長さＳん３０ｍｍ のものが好まれ
る。
又本真空蒸着用ソースとしては蒸着源粉末とカーボンフ
ァイバーとの混合物、又その常温プレス成形体、および
その焼結体などの形態として使用できるが、中でも取扱
いが容易であり作成の容易な常温プレス成形体が好まれ
る。
ァイバーとの混合物、又その常温プレス成形体、および
その焼結体などの形態として使用できるが、中でも取扱
いが容易であり作成の容易な常温プレス成形体が好まれ
る。
又本発明に使用する窒化物および／または酸化物として
は、Ｉｎ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３＋Ｔ４０２＋５１３Ｎ４など
が例示でき、真空蒸着可能な窒化物および／または酸仲
化物である。
は、Ｉｎ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３＋Ｔ４０２＋５１３Ｎ４など
が例示でき、真空蒸着可能な窒化物および／または酸仲
化物である。
本発明は、従来の蒸着用ソースを用いて薄膜形成を行な
う時に生じていた被膜の欠点は、蒸着用ソースが電子ビ
ーム加熱によって生しる熱歪みによってひび割れ又は分
解することにより小塊となり、この小塊に衝突した電子
が小塊からの逃げ道を失なうために小塊がチャージアッ
プし、そのために起る真空容器内への飛散物を伴なった
異状放電によって生じていたという知見によりなされた
。
う時に生じていた被膜の欠点は、蒸着用ソースが電子ビ
ーム加熱によって生しる熱歪みによってひび割れ又は分
解することにより小塊となり、この小塊に衝突した電子
が小塊からの逃げ道を失なうために小塊がチャージアッ
プし、そのために起る真空容器内への飛散物を伴なった
異状放電によって生じていたという知見によりなされた
。
本発明の真空蒸着用ソースは、カーボンファイバーがそ
の蒸着用ソースの０．０７−４重量％含まれているため
に蒸着ソースの熱歪みによる割れおよびチャージアンプ
が防止されている。
の蒸着用ソースの０．０７−４重量％含まれているため
に蒸着ソースの熱歪みによる割れおよびチャージアンプ
が防止されている。
又蒸着ソース中に含まれる炭素成分は、成膜中の真空容
器内に少量の酸素を導入することで蒸発時に酸素と反応
してしまい、作成された被膜中には残留しない。
器内に少量の酸素を導入することで蒸発時に酸素と反応
してしまい、作成された被膜中には残留しない。
ここで電子ビーム加熱法では電子ビーム加熱時に窒化物
あるいは酸化物の一部が分解して蒸発するためにそのま
まの状態で成膜すると窒素欠陥あるいは酸素欠陥のある
被膜が得られやすい。そこで蒸着時の真空容器内に窒素
あるいは酸素の反応生ガスを導入し、蒸発物質と反応さ
せながら成膜する反応性蒸着法が広く行なわれている。
あるいは酸化物の一部が分解して蒸発するためにそのま
まの状態で成膜すると窒素欠陥あるいは酸素欠陥のある
被膜が得られやすい。そこで蒸着時の真空容器内に窒素
あるいは酸素の反応生ガスを導入し、蒸発物質と反応さ
せながら成膜する反応性蒸着法が広く行なわれている。
そこで上記本発明の蒸着用ソースは特別の操作を必要と
せずに使用することができる。
せずに使用することができる。
ここでカーボンファイバーの含有量が０．０１重量％未
満では、放電防止に効果がなく、又５重量％よりも多く
なると蒸着中に炭素成分が取り除かれずに成形された被
膜中に不純物として含まれる欠点となる。
満では、放電防止に効果がなく、又５重量％よりも多く
なると蒸着中に炭素成分が取り除かれずに成形された被
膜中に不純物として含まれる欠点となる。
放電防止および強度向上のため、カーボンファイバーは
線径０６７〜１．０８ｍ１長さ５〜３０ｍｍであること
が好まれ又真空蒸着ソース中にほぼ均一に含まれること
が好まれる。
線径０６７〜１．０８ｍ１長さ５〜３０ｍｍであること
が好まれ又真空蒸着ソース中にほぼ均一に含まれること
が好まれる。
線径ＯＪＮ／＋Ｏμｍ１長さ２０ｍｍのカーボンファイ
バー／重量部、酸化スズ粉末３重量部および酸化インジ
ウム粉末９７重量部を均一・に混合した後常温、１００
０ｋｇ重にてプレス成形を行ない長径３０ｍｍ、厚さ／
！；ｍｍの蒸着用ソースを作成した。
バー／重量部、酸化スズ粉末３重量部および酸化インジ
ウム粉末９７重量部を均一・に混合した後常温、１００
０ｋｇ重にてプレス成形を行ない長径３０ｍｍ、厚さ／
！；ｍｍの蒸着用ソースを作成した。
上記蒸着用ソースおよび通常の電子ビーム加熱真空蒸着
装置を用いて厚さ／ｍｍたて１００ｍｍよこ１００ｍｍ
のガラス基板上に酸化スズ入り酸化インジウム薄膜を形
成した。
装置を用いて厚さ／ｍｍたて１００ｍｍよこ１００ｍｍ
のガラス基板上に酸化スズ入り酸化インジウム薄膜を形
成した。
蒸着真空度を酸化雰囲気５Ｘ ／ ０−４Ｔｏｒｒとし
、加速電圧にＫＶ１フィラメント電流／ ２０ ＩＩＩ
Ａ、基板温度３００″Ｃとして／分間蒸着し約３００オ
ングストロームの薄膜を得た。
、加速電圧にＫＶ１フィラメント電流／ ２０ ＩＩＩ
Ａ、基板温度３００″Ｃとして／分間蒸着し約３００オ
ングストロームの薄膜を得た。
蒸着時に真空容器内で生ずる放電回数を真空容器内に備
えたプローブで検出した所上記被膜形成中に放電はみと
められなかった。
えたプローブで検出した所上記被膜形成中に放電はみと
められなかった。
又カーボンファイバーを含ませずに作成した蒸着用ソー
スを用いて同様の条件で蒸着を行ない放電回数を同様に
測定したところ放電回数は約１００回であった。
スを用いて同様の条件で蒸着を行ない放電回数を同様に
測定したところ放電回数は約１００回であった。
又上記本発明の蒸着用ソースを用いて作成した被膜と従
来のターゲットを用いて作成した被膜の膜欠点を目視に
て数えた所、＃）（１１ｍｌ１１角の膜面上に従来法で
は約１０ケ欠点があったのに対して、本発明により得ら
れた被膜には欠点が観察されなかった０ 又従来法と本発明により得られた被膜中のカーボン量を
Ｘ線マイクロアナライザーで分析した所、両者には有意
差が見られなかった。
来のターゲットを用いて作成した被膜の膜欠点を目視に
て数えた所、＃）（１１ｍｌ１１角の膜面上に従来法で
は約１０ケ欠点があったのに対して、本発明により得ら
れた被膜には欠点が観察されなかった０ 又従来法と本発明により得られた被膜中のカーボン量を
Ｘ線マイクロアナライザーで分析した所、両者には有意
差が見られなかった。
本発明によれば、実施例からも明らかな通り電子ビーム
加熱時に放電の起こらない真空蒸着用ソースが得られる
。又放電が防止されることによって膜欠点の少ない被膜
が得られる。又被膜中に不純物等が混入することがなく
、被膜の緒特性値を変化させることがない。
加熱時に放電の起こらない真空蒸着用ソースが得られる
。又放電が防止されることによって膜欠点の少ない被膜
が得られる。又被膜中に不純物等が混入することがなく
、被膜の緒特性値を変化させることがない。
九・
又本発明の真空蒸着用ソースは反無性蒸着法に限らず活
性化反応性蒸着法などの蒸着法においても有効に使用で
きる。
性化反応性蒸着法などの蒸着法においても有効に使用で
きる。
Claims (3)
- （１）０．０１〜５重量％のカーボンファイバーを含有
し、窒化物および／または酸化物を主成分とする真空蒸
着用ソース。 - （２）該カーボンファイバーが線径０．１〜１．０μｍ
、長さ５〜３０ｍｍである特許請求の範囲第１項記載の
真空蒸着用ソース。 - （３）該真空蒸着用ソースが常温プレス成形体である特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の真空蒸着用ソース
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16752984A JPS6148563A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 真空蒸着用ソ−ス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16752984A JPS6148563A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 真空蒸着用ソ−ス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148563A true JPS6148563A (ja) | 1986-03-10 |
Family
ID=15851381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16752984A Pending JPS6148563A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | 真空蒸着用ソ−ス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148563A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194105A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-31 | Kawasaki Steel Corp | 射出成形体の脱脂方法 |
| US5877270A (en) * | 1994-03-14 | 1999-03-02 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Water solvent extraction degreasing method and molded products produced therewith |
| JP2009167448A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全固体薄膜電池、正極および薄膜形成方法 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16752984A patent/JPS6148563A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194105A (ja) * | 1989-01-20 | 1990-07-31 | Kawasaki Steel Corp | 射出成形体の脱脂方法 |
| US5877270A (en) * | 1994-03-14 | 1999-03-02 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Water solvent extraction degreasing method and molded products produced therewith |
| JP2009167448A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全固体薄膜電池、正極および薄膜形成方法 |
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