JPS63168043A - Lead frame - Google Patents
Lead frameInfo
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- JPS63168043A JPS63168043A JP31571086A JP31571086A JPS63168043A JP S63168043 A JPS63168043 A JP S63168043A JP 31571086 A JP31571086 A JP 31571086A JP 31571086 A JP31571086 A JP 31571086A JP S63168043 A JPS63168043 A JP S63168043A
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- plating
- silver
- copper
- film
- lead frame
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はリードフレームに関し、−Fit詳細には、ア
ウターリード部上の酸化皮膜形成を抑制し、はんだ付は
性を向上させることのできるリードフレームに関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a lead frame. It's about frames.
(従来の技術)
半導体装置は回路基板等の外部部材との接続のため、通
常そのリードフレームのアウターリード部がはんだ付け
される。(Prior Art) In order to connect a semiconductor device to an external member such as a circuit board, the outer lead portion of its lead frame is usually soldered.
ところでリードフレームの素材には、4270イ(鉄−
ニッケル合金)等の鉄系素材や、銅または銅合金等の銅
系素材等が一般に用いられている。By the way, the material of the lead frame is 4270I (iron).
Iron-based materials such as nickel alloy), copper-based materials such as copper or copper alloys, etc. are generally used.
リードフレームが、半導体素子固定工程等の各種アッセ
ンブリ工程により@履歴を受けると、アウターリード部
に酸化皮膜の形成が見られるが、銅系素材の場合には酸
処理等でもかなり除去できる程度のものである。When a lead frame undergoes @hysteresis during various assembly processes such as the semiconductor element fixing process, an oxide film may be formed on the outer lead, but in the case of copper-based materials, this can be removed to a large extent even with acid treatment. It is.
そこで従来においては、素材が銅系のものの場合には、
通常、アウターリード部には何ら処理をせず(他の部位
の部分めっきの下地としての銅めっきは施されることが
ある)、素材のまま露出して、生じた酸化皮膜は酸処理
等によって除去して必要なはんだめっき、はんだ浸漬等
を施した後はんだ付けを行っていた。従来においては、
この程度の処理で実用上必要なはんだ付は性がほぼ確保
されており、特に問題とされることはなかった。Therefore, conventionally, when the material is copper-based,
Normally, the outer lead part is not subjected to any treatment (copper plating may be applied as a base for partial plating of other parts), and the material is exposed as it is, and the oxide film that forms is removed by acid treatment, etc. After removal and necessary solder plating, solder dipping, etc., soldering was performed. Conventionally,
With this level of processing, the soldering properties required for practical use were almost ensured, and there were no particular problems.
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら昨今においては、半導体装置の−層の小型
化、またリードフレームの一層の多ピン化が進み、リー
ド幅が狭くなっていることから、半導体装置の一層良好
なはんだ付は性が要求されているが充分なはんだ付は性
が得られないという問題点が生じてきている。(Problems to be Solved by the Invention) However, in recent years, the layers of semiconductor devices have become smaller, lead frames have become more pin-increased, and lead widths have become narrower. Good soldering properties are required, but a problem has arisen in that sufficient soldering properties cannot be obtained.
すなわち、銅系素材上に生じる酸化皮膜はCuO1Cu
2C3等の黒色皮膜であるが、これらは加熱時間、加熱
温度とともに厚さが増し、酸処理によっても全部が容易
に除去できない状態が生じ、このような酸化皮膜除去の
バラツキも原因して、昨今の要求される高信頼性に充分
応えることのできる良好なはんだ付は性が得られていな
いのである。In other words, the oxide film formed on the copper-based material is CuO1Cu.
These black films such as 2C3 increase in thickness with heating time and heating temperature, resulting in a situation where they cannot be completely removed even with acid treatment. Good soldering properties that can sufficiently meet the high reliability required by the industry have not been achieved.
そこで本発明は上記要望に応えるべく充分なはんだ付は
性が得られるリードフレームを提供することを目的とし
ている。Therefore, an object of the present invention is to provide a lead frame that provides sufficient solderability to meet the above-mentioned needs.
(発明の概要)
上記目的による本発明に係るリードフレームは、銅また
は銅合金を素材とするリードフレームであって、少なく
ともアウターリード部に電気めっきまたは置換めっきに
よりフラッシュ銀めっきを施し、銀を薄く析出させて成
ることを特徴としている。(Summary of the Invention) The lead frame according to the present invention for the above-mentioned purpose is a lead frame made of copper or a copper alloy, in which flash silver plating is applied to at least the outer lead portion by electroplating or displacement plating to thinly coat silver. It is characterized by being formed by precipitation.
(実施例)
以下には本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳
細に説明する。(Embodiments) Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail based on the accompanying drawings.
第1図はリードフレーム10の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of the lead frame 10.
12はアウターリード部、14はインナーリード部、1
6は半導体素子(図示せず)が搭載されるステージであ
り、ステージサポートパー18によってレール部20.
20に連絡している。12 is an outer lead part, 14 is an inner lead part, 1
6 is a stage on which a semiconductor element (not shown) is mounted, and a rail portion 20 .
I am contacting 20.
22はダムバーである。22 is a dam bar.
リードフレーム10は銅または銅合金を素材とするもの
であり、パターン形成はプレス加工もしくはエツチング
加工によって行われる。The lead frame 10 is made of copper or a copper alloy, and pattern formation is performed by pressing or etching.
本発明において特徴的なのは、リードフレーム10の少
なくともアウターリード部12にフラッシュ銀めっき皮
膜を形成した点にある。A feature of the present invention is that a flash silver plating film is formed on at least the outer lead portion 12 of the lead frame 10.
もちろんフラッシュ銀めっき皮膜はリードフレーム10
の全面に行ってもよい。Of course, the flash silver plating film is lead frame 10.
You can also go to the entire surface.
ここにフラッシュ銀めっき皮膜とは、下地の銅材の赤味
が見える極めて薄い銀皮膜をいい、厚さは0.2μm以
下、好適には0.1μm程度のものとする。Here, the flash silver plating film refers to an extremely thin silver film that shows the reddish tint of the underlying copper material, and has a thickness of 0.2 μm or less, preferably about 0.1 μm.
フラッシュ銀めっき皮膜を形成するには、後述のように
、電気めっきあるいは置換めっきのいずれでもよい。な
お下地としては銅系素材の表面欠陥をなくすために、素
材表面に下地銅めっきを施し、この銅めっき上にフラッ
シュ銀めっきを析出させるのがよい。To form a flash silver plating film, either electroplating or displacement plating may be used, as described below. In order to eliminate surface defects of the copper-based material, it is preferable to apply a base copper plating to the surface of the material and deposit flash silver plating on the copper plating.
本発明においてはこのように少なくともアウターリード
部12にフラッシュ銀めっき皮膜を形成するのであるが
、このフラッシュ銀めっき皮膜は極めて薄いものである
ので、やはり若干の銅の酸化皮膜が形成される。しかし
この酸化皮膜の形成は、銅表面がフラッシュ銀めっき皮
膜で保護されているために極めて遅く、しかも形成され
ても極めて薄いものであるので、酸処理等によって容易
に除去できる。しかしてアウターリード部12を好適に
はんだ付けすることができる。In the present invention, a flash silver plating film is thus formed on at least the outer lead portion 12, but since this flash silver plating film is extremely thin, a small amount of copper oxide film is still formed. However, the formation of this oxide film is extremely slow because the copper surface is protected by a flash silver plating film, and even if it is formed, it is extremely thin and can be easily removed by acid treatment or the like. Thus, the outer lead portion 12 can be suitably soldered.
なおはんだ付けの際には、フラッシュ銀めっき皮膜は、
半導体素子固定工程等の各種アソセンブリ工程による熱
履歴を受けて、銅系素材中に拡散するが、はんだ付けの
際には、この熱履歴により形成された銅酸化膜は除去す
る必要がある。なお、銀が拡散しきれずに残り、はんだ
の密着性を阻害する場合には、銀の剥離液に浸漬して銀
を除去するようにするとよい。When soldering, the flash silver plating film should be
It diffuses into the copper-based material due to thermal history caused by various assembly processes such as the semiconductor element fixing process, but it is necessary to remove the copper oxide film formed due to this thermal history during soldering. Note that if silver remains without being completely diffused and impairs solder adhesion, it is preferable to remove the silver by immersing it in a silver stripping solution.
なお、はんだ付は性を向上させるには、アウターリード
部12に形成する銀皮膜は厚い方がよい。Note that in order to improve soldering properties, it is preferable that the silver film formed on the outer lead portion 12 be thicker.
しかしこの場合には、銀が高価であるのでそれだけコス
ト上昇を招くし、またはんだの被覆をはんだ浴に浸漬す
るディップ法によって行う場合にはアウターリード部1
2基部に一部銀が露出することから、いわゆるマイグレ
ーション現象を招来する不具合がある。However, in this case, since silver is expensive, the cost increases accordingly, and if the solder coating is done by a dip method in which the outer lead portion is immersed in a solder bath, the outer lead portion
Since part of the silver is exposed at the two bases, there is a problem that it causes a so-called migration phenomenon.
また銀皮膜が0.2μm以上の中間的な厚さの場合には
、やはり生じる銅の酸化膜を除去する際、銀皮膜が一部
に薄片状に浮いた状態で残る場合があり、逆にはんだ付
は性を阻害する。銀皮膜を剥離液で除去すればよいが、
剥離に長時間を要し、作業性が悪くなるのである。In addition, if the silver film has an intermediate thickness of 0.2 μm or more, when removing the copper oxide film that also occurs, the silver film may remain floating in some flakes, and vice versa. Soldering inhibits sex. The silver film can be removed with a stripper, but
Peeling takes a long time, resulting in poor workability.
前述したようにフラッシュ銀めっき皮膜は電気めっきあ
るいは置換めっきで形成することができるが、インナー
リード部14、ステージ16に銀の部分電気めっきを施
す場合には皮膜形成の手順がやや問題となる。As mentioned above, the flash silver plating film can be formed by electroplating or displacement plating, but when partially electroplating silver on the inner lead portion 14 and stage 16, the procedure for forming the film poses some problems.
すなわち、銀の部分電気めっきを施す前にフラッシュ銀
めっき皮膜をリードフレームサンプルに施す場合には、
フラッシュ銀めっき皮膜を電気めっき、置換めっきのい
ずれでも行うことができる。That is, if a flash silver plating film is applied to the lead frame sample before selective silver electroplating,
The flash silver plating film can be formed by either electroplating or displacement plating.
この場合置換めっきを行うと密着性に劣る置換膜上に部
分銀めっきがのるのであまり好ましくはないが、置換膜
が薄いものであるので、銀の部分電気めっきがそれに置
き喚わる形となって密着性はさほど問題とならない。In this case, if displacement plating is performed, partial silver plating will be placed on the displacement film with poor adhesion, so it is not very preferable, but since the displacement film is thin, silver partial electroplating will take its place. Adhesion is not so much of a problem.
逆に銀の部分電気めっきを先に形成して、その上にフラ
ッシュ銀めっき皮膜を形成するには、該フラッシュ銀め
っき皮膜は置換めっき、電気めっきのいずれでもよいが
、置換めっきの方が好ましい。On the other hand, if partial electroplating of silver is first formed and then a flash silver plating film is formed thereon, the flash silver plating film may be formed by either displacement plating or electroplating, but displacement plating is preferable. .
すなわち、置換めっきの場合には、銀の部分電気めっき
上に密着性の悪いフラッシュ銀めっき皮膜が置換析出す
ることがないので問題ないが、電気めっきの場合には、
薄い、フラッシュ銀めっき皮膜が部分銀めっき上にのる
ので、部分銀めっき表面が変化しステージ16上への半
導体素子固定の際やインナーリード14へのワイヤーボ
ンディングの際に影響するため好ましくないが、フラ・
7シユ銀めっき厚が薄ければさほど問題とならない。In other words, in the case of displacement plating, there is no problem because a flash silver plating film with poor adhesion does not precipitate on the partial electroplating of silver, but in the case of electroplating,
Since a thin flash silver plating film is placed on the partial silver plating, the surface of the partial silver plating changes and affects the fixing of the semiconductor element on the stage 16 and the wire bonding to the inner lead 14, which is not preferable. , hula
7) If the thickness of the silver plating is thin, this will not be a problem.
なお昨今においてはコストダウンの目的でステージやイ
ンナーリード部先端部に部分めっきを行わず、銅または
銅合金の素材のままでリードフレームとして用いること
があるが、このようにな場合にも少なくともアウターリ
ード部にフラッシュ銀めっき皮膜を形成する本発明を適
用できることはもちろんである。Recently, in order to reduce costs, the stages and inner lead tips are sometimes used as lead frames without partial plating and are made of copper or copper alloy. Of course, the present invention in which a flash silver plating film is formed on the lead portion can be applied.
実施例1
KAg (CN) 2
Log/ I!にCN 10g/l
上記の溶液にリードフレームを10秒間浸漬し、リード
フレーム全面にフラッシュ銀を約0.1μm置換析出さ
せた。Example 1 KAg (CN) 2
Log/I! CN 10g/l
The lead frame was immersed in the above solution for 10 seconds to deposit about 0.1 μm of flash silver over the entire surface of the lead frame.
フラッシュ銀の析出は、部分銀めっきを施す前後のもの
において行い、各サンプルを得た。Flash silver deposition was performed on the samples before and after partial silver plating to obtain each sample.
実施例2
KAg (CN) 2 20g/ IKCN
50g/ Il上記のめっき液で
リードフレーム全面に、IA/drrf、5秒間のフラ
ッシュ銀めっきを施し、その後必要な部分めっきを施し
サンプルを得た。Example 2 KAg (CN) 2 20g/IKCN
IA/drrf, flash silver plating for 5 seconds was applied to the entire surface of the lead frame using the above plating solution at 50 g/Il, and then necessary partial plating was performed to obtain a sample.
上記実施例1.2で得た3種類のリードフレームサンプ
ルと、通常の、アウターリード部に何ら処理を施さない
リードフレームとを200℃〜400℃で加熱したとこ
ろ、実施例1.2で得たサンプルの方が酸化皮膜の生成
が抑制されていることが確認できた。また同サンプルの
ものは、酸化皮膜およびフラッシュ銀めっき皮膜の除去
が容易に行え、極めて良好なはんだ付は性が得られた。When the three types of lead frame samples obtained in Example 1.2 above and a normal lead frame whose outer lead portion was not subjected to any treatment were heated at 200°C to 400°C, the samples obtained in Example 1.2 were heated. It was confirmed that the generation of oxide film was suppressed in the sample. In addition, the oxide film and flash silver plating film of the same sample could be easily removed, and extremely good soldering properties were obtained.
(発明の効果)
以上のように本発明に係るリードフレームによれば、ア
ウターリード部の酸化皮膜の形成が抑制されると共に、
生じた酸化皮膜とフラッシュ銀めっき皮膜の除去も容易
に行え、極めて良好なはんだ付は性が得られるという著
効を奏する。(Effects of the Invention) As described above, according to the lead frame of the present invention, the formation of an oxide film on the outer lead portion is suppressed, and
The resulting oxide film and flash silver plating film can be easily removed, and extremely good soldering properties are achieved.
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。Although the present invention has been variously explained above with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to these embodiments, and it goes without saying that many modifications can be made without departing from the spirit of the invention. It is.
第1図はリードフレームの説明図である。
10・・・リードフレーム、 12・・・アウターリ
ード部、 14・・・インナーリード部、16・・・
ステージ、 18・・・ステージサポートバー、 20
・・・レール部、 22・・・ダムバー。FIG. 1 is an explanatory diagram of a lead frame. DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Lead frame, 12... Outer lead part, 14... Inner lead part, 16...
Stage, 18...Stage support bar, 20
...Rail part, 22...Dam bar.
Claims (1)
て、少なくともアウターリード部に電気めっきまたは置
換めっきにより、フラッシュ銀めっきを施し、銀を薄く
析出させて成るリードフレーム。 2、フラッシュ銀めっきの厚さが0.1μm以下である
特許請求の範囲第1項記載のリードフレーム。[Claims] 1. A lead frame made of copper or a copper alloy, in which at least the outer lead portion is flash silver plated by electroplating or displacement plating to deposit a thin layer of silver. 2. The lead frame according to claim 1, wherein the thickness of the flash silver plating is 0.1 μm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31571086A JPS63168043A (en) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31571086A JPS63168043A (en) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Lead frame |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168043A true JPS63168043A (en) | 1988-07-12 |
Family
ID=18068606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31571086A Pending JPS63168043A (en) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63168043A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185060A (en) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPH0394457A (en) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Matsushita Electron Corp | Lead frame and manufacture thereof |
| US5271148A (en) * | 1988-11-17 | 1993-12-21 | National Semiconductor Corporation | Method of producing a leadframe |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31571086A patent/JPS63168043A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5271148A (en) * | 1988-11-17 | 1993-12-21 | National Semiconductor Corporation | Method of producing a leadframe |
| JPH02185060A (en) * | 1989-01-12 | 1990-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPH0394457A (en) * | 1989-09-06 | 1991-04-19 | Matsushita Electron Corp | Lead frame and manufacture thereof |
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