JPS63169654A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
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- JPS63169654A JPS63169654A JP251987A JP251987A JPS63169654A JP S63169654 A JPS63169654 A JP S63169654A JP 251987 A JP251987 A JP 251987A JP 251987 A JP251987 A JP 251987A JP S63169654 A JPS63169654 A JP S63169654A
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- JP
- Japan
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- photoreceptor
- film
- layer
- vacuum
- charge generation
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産泉上9剋里分団
本発明は、機能分離型感光体に関する。
従来Ω棟街
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用化さ
れて来た。
発展を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用化さ
れて来た。
従来用いられて来た感光体材料の主な物としては、フタ
ロシアニン系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料
、ペリレン系顔料、ポリビニルカルバゾール、トリフェ
ニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒドラ
ゾン化合物、スチリル化合物、ビラプリン化合物、オキ
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機物
質、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無械物
質が挙げられる。また、その構成形態としては、これら
の物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散させ
て用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電荷
輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
ロシアニン系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料
、ペリレン系顔料、ポリビニルカルバゾール、トリフェ
ニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒドラ
ゾン化合物、スチリル化合物、ビラプリン化合物、オキ
サゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機物
質、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化カ
ドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無械物
質が挙げられる。また、その構成形態としては、これら
の物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散させ
て用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電荷
輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
中でもフタロシアニン系顔料は、フタロシアニン単体に
おいて良好な電荷発生能を有するばかりでなく、フタロ
シアニン骨格中に種々の金属原子或は置換基を導入する
ことにより光吸収波長域を比較的任意に選択可能である
ことから、可視域付近に発光波長を有する白色光を光源
に用いた所謂PPC用感光体から780nm付近に発光
波長を有する半導体レーザー光を光源に用いた所謂LB
P用感光体まで、輻広く応用可能な電荷発生材料として
期待され多くの研究並びに発明がなされて来ている。
おいて良好な電荷発生能を有するばかりでなく、フタロ
シアニン骨格中に種々の金属原子或は置換基を導入する
ことにより光吸収波長域を比較的任意に選択可能である
ことから、可視域付近に発光波長を有する白色光を光源
に用いた所謂PPC用感光体から780nm付近に発光
波長を有する半導体レーザー光を光源に用いた所謂LB
P用感光体まで、輻広く応用可能な電荷発生材料として
期待され多くの研究並びに発明がなされて来ている。
フタロシアニン系顔トIを樹脂中に分散せしめた塗膜が
電荷発生材料として感光体に使用可能であることは古く
より知られており、例えばバケット(C,F、Hack
et t)により、1971年発行のザ・ジャーナル・
オブ・ケミカル・フィジックス(The Journ
a l of Chemica l Physi
cs)第55巻第7号第3178頁乃至第3187頁に
おいて、高濃度のフタロシアニン顔料を含有するポリ−
N−ビニルカルバゾール層とポリ−N−ビニルカルバゾ
ール層とを塗布積層することにより電子写真用感光材料
が得られることが報告されている。また、特開昭47−
30328号公報にはX型及びβ型の無金属フタロシア
ニン及び金属フタロシアニンを樹脂中に分散塗布せしめ
た電子写真プレートが開示されている。この他にも、機
能分離型構成及びバインダー型構成の何れにも、フタロ
シアニン系顔料を分散塗布した薄膜を電荷発生材料に用
すな感光体に関する開示が数多くなされている。
電荷発生材料として感光体に使用可能であることは古く
より知られており、例えばバケット(C,F、Hack
et t)により、1971年発行のザ・ジャーナル・
オブ・ケミカル・フィジックス(The Journ
a l of Chemica l Physi
cs)第55巻第7号第3178頁乃至第3187頁に
おいて、高濃度のフタロシアニン顔料を含有するポリ−
N−ビニルカルバゾール層とポリ−N−ビニルカルバゾ
ール層とを塗布積層することにより電子写真用感光材料
が得られることが報告されている。また、特開昭47−
30328号公報にはX型及びβ型の無金属フタロシア
ニン及び金属フタロシアニンを樹脂中に分散塗布せしめ
た電子写真プレートが開示されている。この他にも、機
能分離型構成及びバインダー型構成の何れにも、フタロ
シアニン系顔料を分散塗布した薄膜を電荷発生材料に用
すな感光体に関する開示が数多くなされている。
しかしながら、フタロシアニン系顔料を分散塗布した薄
膜を電荷発生材+31に用いた感光体の作製には、使用
するフタロシアニン系顔料に適した樹脂の選択とフタロ
シアニン系顔料の分散性に優れた樹脂用溶剤の選択とを
行なう必要がある。そして、これらの材料から、混合比
、粘度、分散法等の調整により均質な塗液を調製し、ざ
らに、塗工法、乾燥法等の調整により均等な膜厚を有す
る薄膜を形成する必要があり、感光体作製における不安
定要素が多い。
膜を電荷発生材+31に用いた感光体の作製には、使用
するフタロシアニン系顔料に適した樹脂の選択とフタロ
シアニン系顔料の分散性に優れた樹脂用溶剤の選択とを
行なう必要がある。そして、これらの材料から、混合比
、粘度、分散法等の調整により均質な塗液を調製し、ざ
らに、塗工法、乾燥法等の調整により均等な膜厚を有す
る薄膜を形成する必要があり、感光体作製における不安
定要素が多い。
そこで、均一なフタロシアニン系顔料の薄膜を容易に形
成するために真空蒸着を用いる手法が注目されている。
成するために真空蒸着を用いる手法が注目されている。
一般に、フタロシアニン系顔料の真空蒸着膜は、膜形成
速度が低いため、感光体全層に用いるには産業上不都合
な点が多いが、機能分離型感光体の電荷発生層として用
いる場合には膜厚が極めて薄くて済むため有用である。
速度が低いため、感光体全層に用いるには産業上不都合
な点が多いが、機能分離型感光体の電荷発生層として用
いる場合には膜厚が極めて薄くて済むため有用である。
フタロシアニン系化合物の蒸着膜が感光体の電荷発生層
として使用可能であることは古く上り知られており、例
えばレゲンスバーガー(P、J。
として使用可能であることは古く上り知られており、例
えばレゲンスバーガー(P、J。
Regensburger)及びベトルッツエラ(N、
L、Petruzzel la)により、1971年発
行のジャーナル・オブ・ノンクリスタリン・ソリッド(
Journal of N。
L、Petruzzel la)により、1971年発
行のジャーナル・オブ・ノンクリスタリン・ソリッド(
Journal of N。
n−Crystalline 5olid)第6巻第
13乃至第26頁において、無金属フタロシアニンの蒸
着膜を電荷発生層として用いた感光体において、非晶質
セレンを電荷輸送層として明減衰が得られることが報じ
られている。そしてこれまでに、電荷発生層として応用
可能なフタロシアニン系蒸着膜に関する多くの発明がな
されている。同時に、該電荷発生層と積層することによ
り感光体として実質的に機能させるために、接着性に優
れ、電荷発生層からの電荷注入が容易で、ざらに、電荷
輸送性に優れた電荷輸送層材料に関しても多くの発明が
なされている。
13乃至第26頁において、無金属フタロシアニンの蒸
着膜を電荷発生層として用いた感光体において、非晶質
セレンを電荷輸送層として明減衰が得られることが報じ
られている。そしてこれまでに、電荷発生層として応用
可能なフタロシアニン系蒸着膜に関する多くの発明がな
されている。同時に、該電荷発生層と積層することによ
り感光体として実質的に機能させるために、接着性に優
れ、電荷発生層からの電荷注入が容易で、ざらに、電荷
輸送性に優れた電荷輸送層材料に関しても多くの発明が
なされている。
例えば、特開昭49−48334号公報、特公昭59−
32787号公報、米11USP3,895.944号
公報には、無金属、または、Cu。
32787号公報、米11USP3,895.944号
公報には、無金属、または、Cu。
Cd、Zn1Pb等の金属を含むフタロシアニンの蒸着
膜を電荷発生層として設け、その上にオキサジアゾール
系の電荷輸送層を塗布した感光体が開示されている。こ
の他にも、フタロシアニン系蒸着膜を電荷発生層に用い
た感光体について、数多くの開示が見られる。
膜を電荷発生層として設け、その上にオキサジアゾール
系の電荷輸送層を塗布した感光体が開示されている。こ
の他にも、フタロシアニン系蒸着膜を電荷発生層に用い
た感光体について、数多くの開示が見られる。
■が8″決しようとする1題点
前述のフタロシアニン系顔料の蒸着膜は、電荷発生能に
優れる反面、電気抵抗が低いため、そのまま機能分離型
感光体の電荷発生層として使用すると、コロナ帯電等に
より電荷発生層中に形成きれるべき電界の強度が低くな
り、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効率を低減し
、感度の低下を招く。また、フタロシアニン系顔料の蒸
着膜の中には半導体レーザー発光波長付近に感度を有す
るものもあるが、実用上ざらなる高感度化が望まれる。
優れる反面、電気抵抗が低いため、そのまま機能分離型
感光体の電荷発生層として使用すると、コロナ帯電等に
より電荷発生層中に形成きれるべき電界の強度が低くな
り、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効率を低減し
、感度の低下を招く。また、フタロシアニン系顔料の蒸
着膜の中には半導体レーザー発光波長付近に感度を有す
るものもあるが、実用上ざらなる高感度化が望まれる。
溶剤処理による高感度化が、前述の特開昭58−158
649号公報に開示きれてはいるが、工程の複雑化を伴
う。
649号公報に開示きれてはいるが、工程の複雑化を伴
う。
本発明は、フタロシアニン系顔料の蒸着膜を電荷発生層
に用いた機能分離型感光体において、従来演では必ずし
も高抵抗の膜が得られず、感光体として充分な帯電電位
が得られるとは限らなかった問題点を解決し、光感度を
損なうことなく高電位にまで帯電可能な感光体を提供し
ようとするものである。゛まな、本発明は、フタロシア
ニン系顔料の蒸着膜を電荷発生層に用いた機能分離型感
光体において、従来法では長波長域での感度向上を達成
するために工程の複雑化を伴う問題点を解決し、簡便な
方法で、しかも蒸着終了時において既に、長波長域での
高感度化が完了している電荷発生層を有する感光体を提
供しようとするものである。また、本発明は、フタロシ
アニン系顔料の蒸着膜を電荷発生層に用いた機能分離型
感光体において、電荷輸送層材料、電荷輸送層の製法、
並びに、電荷輸送層との積層位置関係等に制限を受ける
ことなく、自由度の高い感光体設計が可能な感光体を提
供しようとするものである。ざらに、本発明は、一般に
、有機系感光体において問題となる繰返し使用時におけ
る特性劣化を解決し1、長期使用にも耐え得る感光体を
提供しようとするものである。
に用いた機能分離型感光体において、従来演では必ずし
も高抵抗の膜が得られず、感光体として充分な帯電電位
が得られるとは限らなかった問題点を解決し、光感度を
損なうことなく高電位にまで帯電可能な感光体を提供し
ようとするものである。゛まな、本発明は、フタロシア
ニン系顔料の蒸着膜を電荷発生層に用いた機能分離型感
光体において、従来法では長波長域での感度向上を達成
するために工程の複雑化を伴う問題点を解決し、簡便な
方法で、しかも蒸着終了時において既に、長波長域での
高感度化が完了している電荷発生層を有する感光体を提
供しようとするものである。また、本発明は、フタロシ
アニン系顔料の蒸着膜を電荷発生層に用いた機能分離型
感光体において、電荷輸送層材料、電荷輸送層の製法、
並びに、電荷輸送層との積層位置関係等に制限を受ける
ことなく、自由度の高い感光体設計が可能な感光体を提
供しようとするものである。ざらに、本発明は、一般に
、有機系感光体において問題となる繰返し使用時におけ
る特性劣化を解決し1、長期使用にも耐え得る感光体を
提供しようとするものである。
問題点を解決するための手段
即ち、本発明は、導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送
層とを積層してなる機能分離型感光体において、該電荷
発生層がフタロシアニン系顔料の真空蒸着膜と絶縁性有
機物質の真空蒸着膜とを交互に積層してなることを特徴
とする感光体に関する(以下、本発明による電荷発生層
をPc膜と称する)。
層とを積層してなる機能分離型感光体において、該電荷
発生層がフタロシアニン系顔料の真空蒸着膜と絶縁性有
機物質の真空蒸着膜とを交互に積層してなることを特徴
とする感光体に関する(以下、本発明による電荷発生層
をPc膜と称する)。
本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。
構成される。
本発明感光体における電荷発生層、即ち、Pc膜は、フ
タロシアニン系顔料と絶縁性有機物質とを蒸着源とし、
真空蒸着の常法を用いて、交互に蒸着することにより作
製可能である。
タロシアニン系顔料と絶縁性有機物質とを蒸着源とし、
真空蒸着の常法を用いて、交互に蒸着することにより作
製可能である。
蒸着源として使用可能なフタロシアニン系顔料としては
、例えば、CuPc、AlClPc (CI ) 、A
I CI P CN H2P C,G e (OH)
2Pc、ZnPc、MSPC,に2PCSTiOP−
c等が挙げられる。また、蒸着源として使用可能な絶縁
性有機物質としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリスチレン、等が挙げられる。
、例えば、CuPc、AlClPc (CI ) 、A
I CI P CN H2P C,G e (OH)
2Pc、ZnPc、MSPC,に2PCSTiOP−
c等が挙げられる。また、蒸着源として使用可能な絶縁
性有機物質としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリスチレン、等が挙げられる。
本発明感光体における電荷発生層中に含有せしめられる
有機材料としては絶縁性有機物質が好ましい。反対に、
電荷供与性或は電荷受容性を有する材料を用いた場合に
は、生成された電荷発生層中の不純物濃度が高くなるた
め熱励起キャリアの影響を受けやすくなるため、必ずし
も充分な帯電性能が確保されるとは限らなくなる。
有機材料としては絶縁性有機物質が好ましい。反対に、
電荷供与性或は電荷受容性を有する材料を用いた場合に
は、生成された電荷発生層中の不純物濃度が高くなるた
め熱励起キャリアの影響を受けやすくなるため、必ずし
も充分な帯電性能が確保されるとは限らなくなる。
本発明のPc膜の膜厚は、200Å以上が好ましい。膜
厚が200人より薄いと、電荷発生層における光吸収量
が低下するため光励起キャリア数が減り、感度低下を招
く。膜厚の上限は物性的には制限を受けず、厚膜化すれ
ばPc膜だけでも感光体として使用できるが、生産性を
考慮すれば、概ね5μm以下の電荷発生層として用いる
ことが好ましい。
厚が200人より薄いと、電荷発生層における光吸収量
が低下するため光励起キャリア数が減り、感度低下を招
く。膜厚の上限は物性的には制限を受けず、厚膜化すれ
ばPc膜だけでも感光体として使用できるが、生産性を
考慮すれば、概ね5μm以下の電荷発生層として用いる
ことが好ましい。
本発明のPc膜中に構成されるフタロシアニン系顔料の
真空蒸着膜及び絶縁性有機物質の真空蒸着膜の膜厚は何
れも500Å以下が好ましい。フタロシアニン系類f」
の真空蒸着膜のH5¥厚が500人より厚いとフタロシ
アニン系顔料の真空蒸着膜が元来有する低抵抗性が電荷
発生層全体においても支配的となり、前述の如く、コロ
ナ帯電等により電荷発生層中に形成されるべき電界の強
度が低くなり、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効
率を低減せしめ、感度低下を招芳好ましくない。
真空蒸着膜及び絶縁性有機物質の真空蒸着膜の膜厚は何
れも500Å以下が好ましい。フタロシアニン系類f」
の真空蒸着膜のH5¥厚が500人より厚いとフタロシ
アニン系顔料の真空蒸着膜が元来有する低抵抗性が電荷
発生層全体においても支配的となり、前述の如く、コロ
ナ帯電等により電荷発生層中に形成されるべき電界の強
度が低くなり、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効
率を低減せしめ、感度低下を招芳好ましくない。
絶縁性有機物質の真空蒸着膜の膜厚が500人より厚い
と絶縁性有機物質の真空蒸着膜が元来有する絶縁性が電
荷発生層全体においても支配的となり、感光体の感度低
下と残留電位の上昇を招き好ましくない。双方の膜厚が
500人より厚いと電荷発生層内部でのキャリアの移動
が阻害され、感光体の感度低下を招き好ましくない。フ
タロシアニン系顔料の真空蒸着膜及び絶縁性有機物質の
真空蒸着膜の膜厚の下限は特にはなく、装置上安定に制
御できる範囲に設定すればよい。本発明の電荷発生層中
に構成されるフタロシアニン系顔料の真空蒸着膜及び絶
縁性有機物質の真空蒸着膜の膜厚は、寓用される元素分
析、例えば、オージェ分析、IMA、XPS分析等を用
いて、深ざ方向の元eJf分布を測ることにより知るこ
とができ、また、予め二種類の蒸着源につき別個に単位
時間蒸着を行ない、形成された蒸着膜の膜厚をダイヤル
ゲージで測定することにより堆積速度を算出しておき、
実際の蒸着時においては蒸着時間を計測すれば知ること
ができる。これらの手段は、何れも測定誤差程度の範囲
でよく一致した結果を得ることが可能である。
と絶縁性有機物質の真空蒸着膜が元来有する絶縁性が電
荷発生層全体においても支配的となり、感光体の感度低
下と残留電位の上昇を招き好ましくない。双方の膜厚が
500人より厚いと電荷発生層内部でのキャリアの移動
が阻害され、感光体の感度低下を招き好ましくない。フ
タロシアニン系顔料の真空蒸着膜及び絶縁性有機物質の
真空蒸着膜の膜厚の下限は特にはなく、装置上安定に制
御できる範囲に設定すればよい。本発明の電荷発生層中
に構成されるフタロシアニン系顔料の真空蒸着膜及び絶
縁性有機物質の真空蒸着膜の膜厚は、寓用される元素分
析、例えば、オージェ分析、IMA、XPS分析等を用
いて、深ざ方向の元eJf分布を測ることにより知るこ
とができ、また、予め二種類の蒸着源につき別個に単位
時間蒸着を行ない、形成された蒸着膜の膜厚をダイヤル
ゲージで測定することにより堆積速度を算出しておき、
実際の蒸着時においては蒸着時間を計測すれば知ること
ができる。これらの手段は、何れも測定誤差程度の範囲
でよく一致した結果を得ることが可能である。
本発明における感光体の電荷輸送層は、製法及び材料共
に、特に限定を受けるものではない。
に、特に限定を受けるものではない。
本発明にお(する感光体の電荷輸送層としては、ヒドラ
ゾン系化合物、ピラゾリン系化合物、スチルベン化合物
、トリアリールメタン系化合物、トリアリールアミン系
化合物、オキサジアゾール系化合物、オキサゾール系化
合物、チアゾール系化合物、ポリアリールアルカン類等
を例とする所謂有機電荷輸送性材料をポリカーボネイト
、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ボリアリ
レート、ポリスルポン、アクリル樹脂、メタクリル4i
J脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、フェーノール樹脂
、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、スチレンアクリル
共重合体、スチレンブタジェン共重合体、スチレンマレ
イン酸共重合体等を例とする樹脂中に適当な溶剤を用い
て分散せしめた塗液を用いて、ディッピングコーティン
グ法、スプレーコーティング法、スピナーコーティング
法、ワイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法等を例とする塗布法によ
り形成きれた薄膜を使用することが可能である。また、
本発明における感光体の電荷輸送層としては、前記例示
の如き所謂有機電荷輸送性材料等を蒸着源として真空蒸
着法により形成される薄膜を使用することが可能である
。また、本発明における感光体の電荷輸送層としては、
シラン、ジシラン、四弗化シラン等を例とする珪素原子
を含む気体とメタン、エタン、エチレン、アセチレン等
を例とする炭素原子を含む気体の混合気体を原料としプ
ラズマCVD法により形成されるIu H’Aを使用す
ることが可能である。°きらに、本発明における感光体
の電荷輸送層としては、メタン、プロパン、ブタン、イ
ソブタン、イソペンタン、エチレン、プロピレン、ブタ
ジェン、オシメン、ミルセン、アセチレン、ブタジイン
、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロプロペン、
カレン、ピネン、ベンゼン、トルエン、キシレン、スチ
レン、ビフェニル、トリフェニルメタン、ジベンジル、
ナフタリン、アントラセン等の炭化水素、メタノール、
エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン類、ジメチルエチル、メチルエチルエ
ーテル等のエーテル類、ギ酸メチル、・酢酸エチル等の
エステル類、等を例とする有機化合物の気体を原料とし
プラズマCVD法により形成される所謂有機プラズマ重
合膜をも使用することが可能である。
ゾン系化合物、ピラゾリン系化合物、スチルベン化合物
、トリアリールメタン系化合物、トリアリールアミン系
化合物、オキサジアゾール系化合物、オキサゾール系化
合物、チアゾール系化合物、ポリアリールアルカン類等
を例とする所謂有機電荷輸送性材料をポリカーボネイト
、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ボリアリ
レート、ポリスルポン、アクリル樹脂、メタクリル4i
J脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、フェーノール樹脂
、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、スチレンアクリル
共重合体、スチレンブタジェン共重合体、スチレンマレ
イン酸共重合体等を例とする樹脂中に適当な溶剤を用い
て分散せしめた塗液を用いて、ディッピングコーティン
グ法、スプレーコーティング法、スピナーコーティング
法、ワイヤーバーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法等を例とする塗布法によ
り形成きれた薄膜を使用することが可能である。また、
本発明における感光体の電荷輸送層としては、前記例示
の如き所謂有機電荷輸送性材料等を蒸着源として真空蒸
着法により形成される薄膜を使用することが可能である
。また、本発明における感光体の電荷輸送層としては、
シラン、ジシラン、四弗化シラン等を例とする珪素原子
を含む気体とメタン、エタン、エチレン、アセチレン等
を例とする炭素原子を含む気体の混合気体を原料としプ
ラズマCVD法により形成されるIu H’Aを使用す
ることが可能である。°きらに、本発明における感光体
の電荷輸送層としては、メタン、プロパン、ブタン、イ
ソブタン、イソペンタン、エチレン、プロピレン、ブタ
ジェン、オシメン、ミルセン、アセチレン、ブタジイン
、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロプロペン、
カレン、ピネン、ベンゼン、トルエン、キシレン、スチ
レン、ビフェニル、トリフェニルメタン、ジベンジル、
ナフタリン、アントラセン等の炭化水素、メタノール、
エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン類、ジメチルエチル、メチルエチルエ
ーテル等のエーテル類、ギ酸メチル、・酢酸エチル等の
エステル類、等を例とする有機化合物の気体を原料とし
プラズマCVD法により形成される所謂有機プラズマ重
合膜をも使用することが可能である。
本発明感光体における電荷輸送層は、可視光もしくは半
導体レーザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導
電性は有ざないが好適な電荷輸送性を有し、本発明感光
体における電荷発生層で可視光もしくは半導体レーザー
光付近の波長の光により発生したキャリアを効率よく輸
送し、感光体の明減衰に効果的に寄与するものである。
導体レーザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導
電性は有ざないが好適な電荷輸送性を有し、本発明感光
体における電荷発生層で可視光もしくは半導体レーザー
光付近の波長の光により発生したキャリアを効率よく輸
送し、感光体の明減衰に効果的に寄与するものである。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
なる機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
なる機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送N(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1)上に電荷発生層(3)と電荷輸送層
(2)を順次積層してなる構成を示したものである。第
3図は、別の一形態として、導電性基板(1)上に、電
荷輸送N(2)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
しt:正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電
性基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層
(3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を
感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静
電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電
した後、画像露光して使用する場合においては、電子と
正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれ
ばよい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が
電荷輸送層中を通過することになるが、本発明による感
光体の電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜
像形成を行なうことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
しt:正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電
性基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層
(3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を
感光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証された静
電潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電
した後、画像露光して使用する場合においては、電子と
正孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれ
ばよい。第2図及び第3図では、画像露光用の照射光が
電荷輸送層中を通過することになるが、本発明による感
光体の電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜
像形成を行なうことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面力項ノ久性に優れた本発明感
光体の電荷発生層であるため表面保護層を設けなくても
よいが、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚染を
防止するような、複写機内の各種エレメントに対する整
合性を調整する目的から、表面保護層を設けることもざ
らなる一形態となりうる。第2図及び第3図の構成の場
合、最表面が本発明感光体においては特に限定を受けな
い電荷輸送層であることから、実用上の湿度安定性或は
耐摩耗性を確保するために表面保護層を設けることもざ
らなる一形態となりうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面力項ノ久性に優れた本発明感
光体の電荷発生層であるため表面保護層を設けなくても
よいが、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚染を
防止するような、複写機内の各種エレメントに対する整
合性を調整する目的から、表面保護層を設けることもざ
らなる一形態となりうる。第2図及び第3図の構成の場
合、最表面が本発明感光体においては特に限定を受けな
い電荷輸送層であることから、実用上の湿度安定性或は
耐摩耗性を確保するために表面保護層を設けることもざ
らなる一形態となりうる。
第5図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生N(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止
効果に優れた、本発明感光体の電荷発生層であるため、
2中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態となりうる。第1図及び第3図の構成の場合、導
電性基板との接合面が本発明感光体においては特に限定
を受けない電荷輸送層であることから、接着性及び注入
阻止効果を確保するために中間層を設けることもざらな
る一形態となりうる。
に中間層(5)と電荷発生N(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止
効果に優れた、本発明感光体の電荷発生層であるため、
2中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前
処理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合
性を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる
一形態となりうる。第1図及び第3図の構成の場合、導
電性基板との接合面が本発明感光体においては特に限定
を受けない電荷輸送層であることから、接着性及び注入
阻止効果を確保するために中間層を設けることもざらな
る一形態となりうる。
第6図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護N(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第2図及び第3図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
となりうる。
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護N(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第2図及び第3図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
となりうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるもので゛はなく所定の目的
が達せられるものであれば、適宜選択することが可能で
ある。
法的にも、特に限定を受けるもので゛はなく所定の目的
が達せられるものであれば、適宜選択することが可能で
ある。
第7図は本発明に係わる感光体の電荷発生層の内部構成
を示したもので、図中(3)は電荷発生層、(3a)は
フタロシアニン系顔料の真空蒸着膜、並びに、(3b)
は絶縁性有機物質の真空蒸着膜を表わす。図中、電荷発
生層(3)は、両端部構成とも絶縁性有機物質の真空蒸
着膜(3b)で表わされているが、この構成に限られる
ものではなく、本発明においては、フタロシアニン系顔
料の真空蒸着膜(3a)と絶縁性有機物質の真空蒸着膜
(3b)とが交互に積層されることが重要である。
を示したもので、図中(3)は電荷発生層、(3a)は
フタロシアニン系顔料の真空蒸着膜、並びに、(3b)
は絶縁性有機物質の真空蒸着膜を表わす。図中、電荷発
生層(3)は、両端部構成とも絶縁性有機物質の真空蒸
着膜(3b)で表わされているが、この構成に限られる
ものではなく、本発明においては、フタロシアニン系顔
料の真空蒸着膜(3a)と絶縁性有機物質の真空蒸着膜
(3b)とが交互に積層されることが重要である。
第8図は本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置を
示し、図中(501)は真空槽を示し、内部には基板保
持部材(502)により保持された基板(503)が設
置きれている。基板(503)と対向して蒸発源材料を
載置した第1ボート(504)及び第2ボート(505
)が配され、各ボートはそれぞれ第1電極(506)及
び第2電極(507)に接続され電力印加により加熱可
能とされている。基板(503)と第1ボート(504
)及び第2ボートとの間には第1遮蔽板(508)及び
第2遮蔽板(509)が設けられ、蒸着時以外において
は、例えば、ボートの昇温降温時或はボート温度の安定
化待機時等においては、蒸発源材料からの不安定な蒸散
物の基板(503)への付着を防止するために閉状態に
、蒸着時には開状態に駆動可能なように駆動ソレノイド
(510)に接続されている。真空槽(501)内は、
排気ポンプ(511)により減圧可能とされている。ま
た、本装置においては、ボートの昇温に所謂抵抗加熱法
を用いているが、蒸発温度の高い蒸着源物質については
、電子ビームを用いて昇温しでもよい。
示し、図中(501)は真空槽を示し、内部には基板保
持部材(502)により保持された基板(503)が設
置きれている。基板(503)と対向して蒸発源材料を
載置した第1ボート(504)及び第2ボート(505
)が配され、各ボートはそれぞれ第1電極(506)及
び第2電極(507)に接続され電力印加により加熱可
能とされている。基板(503)と第1ボート(504
)及び第2ボートとの間には第1遮蔽板(508)及び
第2遮蔽板(509)が設けられ、蒸着時以外において
は、例えば、ボートの昇温降温時或はボート温度の安定
化待機時等においては、蒸発源材料からの不安定な蒸散
物の基板(503)への付着を防止するために閉状態に
、蒸着時には開状態に駆動可能なように駆動ソレノイド
(510)に接続されている。真空槽(501)内は、
排気ポンプ(511)により減圧可能とされている。ま
た、本装置においては、ボートの昇温に所謂抵抗加熱法
を用いているが、蒸発温度の高い蒸着源物質については
、電子ビームを用いて昇温しでもよい。
第9図は本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置の
別の一形態を示し、図中基板保持部材(502)及び基
板(503)の形状が異なり、基板保持部材(502)
が駆動モーター(512)に接続され基板(503)が
回転可能とされること以外は、第7図と同様である。特
に、第9図に示される本発明に係わる感光体の電荷発生
層?i!!造装置においては、円筒状の基板(503)
に本発明感光体の電荷発生層を形成することが可能であ
る。
別の一形態を示し、図中基板保持部材(502)及び基
板(503)の形状が異なり、基板保持部材(502)
が駆動モーター(512)に接続され基板(503)が
回転可能とされること以外は、第7図と同様である。特
に、第9図に示される本発明に係わる感光体の電荷発生
層?i!!造装置においては、円筒状の基板(503)
に本発明感光体の電荷発生層を形成することが可能であ
る。
第10図は本発明に係わる感光体のプラズマCVD法に
よる電荷輸送層製造装置を示し、図中(701)乃至(
706)は常温において気相状態にある原料化合物及び
キャリアガスを密封した第1乃至第6タンクで、各々の
タンクは第1乃至第6調節弁(707)乃至(712)
と第1乃至第6流量制御赫(713)乃至(718)に
接続されている。図中(719)乃至(721)は常温
において液相または固相状態にある原料化合物を封入し
た第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のため第1乃
至第3温調器(722)乃至(724)により与熱可能
であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節弁(72
5)乃至(727)と第7乃至第9流量制御器(728
)乃至(730)に接続されている。これらのガスは混
−合冊(731)で混合された後、主管(732)を介
して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあっt:原ト↓化合
物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配
置された配管加熱器(734)により、与熱可能とされ
ている。反応室内には接地電極(735)と電力印加電
極(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(7
40)を介して低周波電源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接続されて
おり、接続選択スイッチ(744)により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室(733)内の
圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反
応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を
介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(74
8) 、或は、冷却除外装置(749)−、メカニカル
ブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(748)
により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除
外装置(753)により安全無害化した後、大気中に排
気される。これら排気系配管についても、常温において
液相または同相状態にあった原料化合物が気化したガス
が、途中で凝結しないように、適宜配置きれた配管加熱
器(734)により、与熱可能とされている。反応室(
733)も同様の理由から反応室加熱器(751)によ
り与熱可能とされ、内部に配された電極上に基板(75
2)が設置される。図中、基板(752)は接地電極(
735)に固定して配されているが、電力印加電極(7
36)に固定して配されてもよく、ざらに双方に配され
てもよい。
よる電荷輸送層製造装置を示し、図中(701)乃至(
706)は常温において気相状態にある原料化合物及び
キャリアガスを密封した第1乃至第6タンクで、各々の
タンクは第1乃至第6調節弁(707)乃至(712)
と第1乃至第6流量制御赫(713)乃至(718)に
接続されている。図中(719)乃至(721)は常温
において液相または固相状態にある原料化合物を封入し
た第1乃至第3容器で、各々の容器は気化のため第1乃
至第3温調器(722)乃至(724)により与熱可能
であり、ざらに各々の容器は第7乃至第9調節弁(72
5)乃至(727)と第7乃至第9流量制御器(728
)乃至(730)に接続されている。これらのガスは混
−合冊(731)で混合された後、主管(732)を介
して反応室(733)に送り込まれる。途中の配管は、
常温において液相または固相状態にあっt:原ト↓化合
物が気化したガスが、途中で凝結しないように、適宜配
置された配管加熱器(734)により、与熱可能とされ
ている。反応室内には接地電極(735)と電力印加電
極(736)が対向して設置され、各々の電極は電極加
熱器(737)により与熱可能とされている。電力印加
電極(736)には、高周波電力用整合器(738)を
介して高周波電源(739)、低周波電力用整合器(7
40)を介して低周波電源(741)、ローパスフィル
タ(742)を介して直流電源(743)が接続されて
おり、接続選択スイッチ(744)により周波数の異な
る電力が印加可能とされている。反応室(733)内の
圧力は圧力制御弁(745)により調整可能であり、反
応室(733)内の減圧は、排気系選択弁(746)を
介して、拡散ポンプ(747) 、油回転ポンプ(74
8) 、或は、冷却除外装置(749)−、メカニカル
ブースターポンプ(750)、油回転ポンプ(748)
により行なわれる。排ガスについては、ざらに適当な除
外装置(753)により安全無害化した後、大気中に排
気される。これら排気系配管についても、常温において
液相または同相状態にあった原料化合物が気化したガス
が、途中で凝結しないように、適宜配置きれた配管加熱
器(734)により、与熱可能とされている。反応室(
733)も同様の理由から反応室加熱器(751)によ
り与熱可能とされ、内部に配された電極上に基板(75
2)が設置される。図中、基板(752)は接地電極(
735)に固定して配されているが、電力印加電極(7
36)に固定して配されてもよく、ざらに双方に配され
てもよい。
第11図は本発明に係わる感光体のプラズマCVD法に
よる電荷輸送層製造装置の別の一形態を示し、反応室(
733)内部の形態以外は、第10図に示した本発明に
係わる感光体のプラズマCVD法による電荷輸送層製造
装置と同様であ′る。
よる電荷輸送層製造装置の別の一形態を示し、反応室(
733)内部の形態以外は、第10図に示した本発明に
係わる感光体のプラズマCVD法による電荷輸送層製造
装置と同様であ′る。
第10図において、反応室(733)内部には、第10
図における接地電極(735)を兼ねた円筒形の導電性
基板(752)が設置され、内側には電極加熱器(73
7)が配されている。導電性基板(752)周囲には同
じく円筒形状をした電力印加電極(736)が配され、
外側には電極加熱器(737)が配されている。導電性
基板(752)は、外部より駆動モータ(754)を用
いて自転可能となっている。
図における接地電極(735)を兼ねた円筒形の導電性
基板(752)が設置され、内側には電極加熱器(73
7)が配されている。導電性基板(752)周囲には同
じく円筒形状をした電力印加電極(736)が配され、
外側には電極加熱器(737)が配されている。導電性
基板(752)は、外部より駆動モータ(754)を用
いて自転可能となっている。
本発明に係わる感光体の製造においては、電荷輸送層を
塗布法にて作製する場合には、電荷発生層は第8図或は
第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷発生層製造
装置により作製し、電荷輸送層は第8図或は第9図に示
した本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置外にて
、別途、塗布法の常法、即ち、ディッピングコーティン
グ法、スプレーコーティング法、スピナーコーティング
法、ワイヤーパーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法等により作製される。ま
た、電荷輸送層を蒸着法にて作製する場合には、電荷発
生層並びに電荷輸送層共に第8図或は第9図に示した本
発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置により作製さ
れる。また、電荷輸送層をプラズマCVD法にて作製す
る場合には、電荷発生層は第8図或は第9図に示した本
発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置により作製し
、電荷輸送層は第10図或は第11図に示した本発明に
係わる感光体のプラズマCVD法による電荷輸送層製造
装置にて作製される。この場合′、各装置は独立して使
用してもよいが、第8図に示した本発明に係わる感光体
の電荷発生層製造装置と第10図に示した本発明に係わ
る感光体のプラズマCVD法による電荷輸送層製造装置
、または、第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置と第11図に示した本発明に係わる感光
体のプラズマCVD法による電荷輸送層製造装置は、ゲ
ートバルブを介して接続し、適当な基板搬送装置を用い
て蒸着工程とプラズマCVD工程とを真空を破らずに連
続して行なえる様にしてもよい。また、そうすることに
より、真空外へ基板を取り出した時の基板及び装置に対
する種々のコンタミネーションを防止でき、本発明感光
体の作製を安定した条件下で行なえる様になり好ましい
。
塗布法にて作製する場合には、電荷発生層は第8図或は
第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷発生層製造
装置により作製し、電荷輸送層は第8図或は第9図に示
した本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置外にて
、別途、塗布法の常法、即ち、ディッピングコーティン
グ法、スプレーコーティング法、スピナーコーティング
法、ワイヤーパーコーティング法、ブレードコーティン
グ法、ローラーコーティング法等により作製される。ま
た、電荷輸送層を蒸着法にて作製する場合には、電荷発
生層並びに電荷輸送層共に第8図或は第9図に示した本
発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置により作製さ
れる。また、電荷輸送層をプラズマCVD法にて作製す
る場合には、電荷発生層は第8図或は第9図に示した本
発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置により作製し
、電荷輸送層は第10図或は第11図に示した本発明に
係わる感光体のプラズマCVD法による電荷輸送層製造
装置にて作製される。この場合′、各装置は独立して使
用してもよいが、第8図に示した本発明に係わる感光体
の電荷発生層製造装置と第10図に示した本発明に係わ
る感光体のプラズマCVD法による電荷輸送層製造装置
、または、第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置と第11図に示した本発明に係わる感光
体のプラズマCVD法による電荷輸送層製造装置は、ゲ
ートバルブを介して接続し、適当な基板搬送装置を用い
て蒸着工程とプラズマCVD工程とを真空を破らずに連
続して行なえる様にしてもよい。また、そうすることに
より、真空外へ基板を取り出した時の基板及び装置に対
する種々のコンタミネーションを防止でき、本発明感光
体の作製を安定した条件下で行なえる様になり好ましい
。
第8図或は第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置において、本発明感光体の電荷発生層製
造に供する真空槽は、排気ポンプにより予め10−5乃
至10−’Torr程度にまで減圧し、真空度の確認と
装置内部に吸着したガスの脱離を行なう。次いで、第1
乃至第2電極に電力を印加し第1乃至第2ボートをそれ
ぞれ所定の温度まで昇温する。第1乃至第2ボートが所
定の温度で安定化した後、予め開状態にしておいた第1
乃至第2遮蔽板を駆動ソレノイドを用いて交互に開状態
を繰返し、基板上にフタロシアニン系顔料の真空蒸着膜
と絶縁性有機物質の真空蒸着膜とを交互に積層してなる
本発明感光体の電荷発生層を堆積させる。ここで、フタ
ロシアニン系顔料の真空蒸着膜と絶縁性有機物質の真空
蒸着膜との膜厚は、遮蔽板の開時間の調整により行ない
、該電荷発生層が所定の膜厚に達したところで遮蔽板を
両方共閉状態とし、本発明感光体の電荷発生層を得る。
発生層製造装置において、本発明感光体の電荷発生層製
造に供する真空槽は、排気ポンプにより予め10−5乃
至10−’Torr程度にまで減圧し、真空度の確認と
装置内部に吸着したガスの脱離を行なう。次いで、第1
乃至第2電極に電力を印加し第1乃至第2ボートをそれ
ぞれ所定の温度まで昇温する。第1乃至第2ボートが所
定の温度で安定化した後、予め開状態にしておいた第1
乃至第2遮蔽板を駆動ソレノイドを用いて交互に開状態
を繰返し、基板上にフタロシアニン系顔料の真空蒸着膜
と絶縁性有機物質の真空蒸着膜とを交互に積層してなる
本発明感光体の電荷発生層を堆積させる。ここで、フタ
ロシアニン系顔料の真空蒸着膜と絶縁性有機物質の真空
蒸着膜との膜厚は、遮蔽板の開時間の調整により行ない
、該電荷発生層が所定の膜厚に達したところで遮蔽板を
両方共閉状態とし、本発明感光体の電荷発生層を得る。
胚堆積終了後は、第1乃至第2電極の電力印加を停止し
て第1乃至第2ボートを冷却すると共に、真空槽内を充
分に排気する。最後に、真空を破り基板を取り出すか、
または、工程によってはゲートバルブを用いて第10図
或は第11図に示した本発明に係わる感光体のプラズマ
CVD法による電荷輸送層製造装置に基板を搬送する。
て第1乃至第2ボートを冷却すると共に、真空槽内を充
分に排気する。最後に、真空を破り基板を取り出すか、
または、工程によってはゲートバルブを用いて第10図
或は第11図に示した本発明に係わる感光体のプラズマ
CVD法による電荷輸送層製造装置に基板を搬送する。
第10図或は第11図に示した本発明に係わる感光体の
プラズマCVD法による電荷輸送層製造装置において、
電荷輸送層製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予
め10−4乃至1O−6T。
プラズマCVD法による電荷輸送層製造装置において、
電荷輸送層製造に供する反応室は、拡散ポンプにより予
め10−4乃至1O−6T。
rr程度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸着
したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により、電
極並びに電極に装着された基板を所定の温度まで昇温す
る。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至第3容器
から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器を用いて
定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により
反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定化し
た後、接続選択スイッチにより、例えば低周波電源を選
択し、電力印加電極に低周波電力を投入する。両電極間
には放電が開始され、時間と共に基板上に固相の膜が形
成される。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並
びに積層構成に達したところで放電を停止し、本発明感
光体の電荷輸送層を得る。次いで、第1乃至第9調節弁
を閉じ、反応室内を充分に排気する。最後に、真空を破
り基板を取り出すか、または、工程によってはゲートバ
ルブを用いて第7図或は第8図に示した本発明に係わる
感光体の電荷発生層製造装置に基板を搬送する。
したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により、電
極並びに電極に装着された基板を所定の温度まで昇温す
る。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至第3容器
から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器を用いて
定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により
反応室内を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定化し
た後、接続選択スイッチにより、例えば低周波電源を選
択し、電力印加電極に低周波電力を投入する。両電極間
には放電が開始され、時間と共に基板上に固相の膜が形
成される。反応時間により膜厚を制御し、所定の膜厚並
びに積層構成に達したところで放電を停止し、本発明感
光体の電荷輸送層を得る。次いで、第1乃至第9調節弁
を閉じ、反応室内を充分に排気する。最後に、真空を破
り基板を取り出すか、または、工程によってはゲートバ
ルブを用いて第7図或は第8図に示した本発明に係わる
感光体の電荷発生層製造装置に基板を搬送する。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
火施然1
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けな本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンAlClPcの粉末を、第2ボ
ート(505)にテフロン(−CFz−CF2 )nの
粉末を載置し、基板保持部材(502)には樅50×横
50×厚ざ3mmのアルミニウム板を基板(503)と
して取り付けた。次いで真空槽(501)内を排気ポン
プ(511)を用いて10””Torr程度の高真空に
した後、第1電極及び第2電極(506及び507)に
電力を印加し、第1ボート(504)を520℃、及び
、第2ボート(505)を730℃にまで昇温しな。第
1ボート(504)温度、及び、第2ボート(505)
温度が安定したところで、予め閉状態にしておいた第1
遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレ
ノイド(510)を作動させて交互に開状態にし、lX
l0−5程度の真空度のもとで、基板(503)上にア
ルミニウムクロロフタロシアニンとテフロンの多層蒸着
膜を堆積させた。ここで、第1遮蔽板(508)及び第
2遮蔽板(509)の開時間はそれぞれ10秒及び10
秒とし、双方の開時間の合計が5分間となるまで蒸着を
行なった後、何れも閉状態とし、約2000人の膜厚を
有する本発明によるPc膜を電荷発生層として得た。P
c膜作製後は、第1電極及び第2電極(506及び50
7)への通電を停止すると共に、真空槽(501)内を
充分に排気した。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンAlClPcの粉末を、第2ボ
ート(505)にテフロン(−CFz−CF2 )nの
粉末を載置し、基板保持部材(502)には樅50×横
50×厚ざ3mmのアルミニウム板を基板(503)と
して取り付けた。次いで真空槽(501)内を排気ポン
プ(511)を用いて10””Torr程度の高真空に
した後、第1電極及び第2電極(506及び507)に
電力を印加し、第1ボート(504)を520℃、及び
、第2ボート(505)を730℃にまで昇温しな。第
1ボート(504)温度、及び、第2ボート(505)
温度が安定したところで、予め閉状態にしておいた第1
遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレ
ノイド(510)を作動させて交互に開状態にし、lX
l0−5程度の真空度のもとで、基板(503)上にア
ルミニウムクロロフタロシアニンとテフロンの多層蒸着
膜を堆積させた。ここで、第1遮蔽板(508)及び第
2遮蔽板(509)の開時間はそれぞれ10秒及び10
秒とし、双方の開時間の合計が5分間となるまで蒸着を
行なった後、何れも閉状態とし、約2000人の膜厚を
有する本発明によるPc膜を電荷発生層として得た。P
c膜作製後は、第1電極及び第2電極(506及び50
7)への通電を停止すると共に、真空槽(501)内を
充分に排気した。
以上のようにして得られたPc膜中に構成されるアルミ
ニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜とテフロンの蒸着
膜の膜厚をオージェ分析装置により測定したところ、ア
ルミニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜の膜厚は62
人並びにテフロンの蒸着膜の膜厚は72人であった。一
方、アルミニウムクロロフタロシアニンとテフロンとを
個別に蒸着し、蒸着膜の膜厚測定から蒸着速度を算出し
、アルミニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜とテフロ
ンの蒸着膜の膜厚を求めたところアルミニウムクロロフ
タロシアニンの蒸着膜の膜厚は61人並びにテフロンの
蒸着膜の膜厚は70人、であり、良く一致した結果が得
られることが確認された。
ニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜とテフロンの蒸着
膜の膜厚をオージェ分析装置により測定したところ、ア
ルミニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜の膜厚は62
人並びにテフロンの蒸着膜の膜厚は72人であった。一
方、アルミニウムクロロフタロシアニンとテフロンとを
個別に蒸着し、蒸着膜の膜厚測定から蒸着速度を算出し
、アルミニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜とテフロ
ンの蒸着膜の膜厚を求めたところアルミニウムクロロフ
タロシアニンの蒸着膜の膜厚は61人並びにテフロンの
蒸着膜の膜厚は70人、であり、良く一致した結果が得
られることが確認された。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第10図に示す本発明に係わる感光体のプラズ
マCVD法による電荷輸送層製造装置において、まず、
反応装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガスを出力圧1 、0 K g
/ 0m2の下で第1流量制御器(713)内へ流入
させた。同時に、第1容器(719)よりスチレンガス
を第1温調器(722)温度30℃のもと第7流量制御
器(728)内へ流入とせな。水素ガスの流量を101
05c、及び、スチレンガスの流量を36secmとな
るように設定して、途中混合器(731)を介して、主
管(732)より反応室(733)内へ流入した。各々
の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0
.5Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整
した。一方、Pc膜が設けられ、第8図に示す本発明に
係わる6感光体の電荷発生層製造装置より移送されてき
た基板(752)は、予め80℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ
(744)により接続しておいた低周波電源(741)
を投入し、電力印加電極(736)に90Wattの電
力を周波数20KHzの下で印加して約30分プラズマ
重合反応を行ない、基板(752)上に厚き15μmの
有機プラズマ重合膜を電荷輸送層として形成した。成膜
完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(
733)内を充分に排気した。
マCVD法による電荷輸送層製造装置において、まず、
反応装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガスを出力圧1 、0 K g
/ 0m2の下で第1流量制御器(713)内へ流入
させた。同時に、第1容器(719)よりスチレンガス
を第1温調器(722)温度30℃のもと第7流量制御
器(728)内へ流入とせな。水素ガスの流量を101
05c、及び、スチレンガスの流量を36secmとな
るように設定して、途中混合器(731)を介して、主
管(732)より反応室(733)内へ流入した。各々
の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0
.5Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整
した。一方、Pc膜が設けられ、第8図に示す本発明に
係わる6感光体の電荷発生層製造装置より移送されてき
た基板(752)は、予め80℃に加熱しておき、ガス
流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ
(744)により接続しておいた低周波電源(741)
を投入し、電力印加電極(736)に90Wattの電
力を周波数20KHzの下で印加して約30分プラズマ
重合反応を行ない、基板(752)上に厚き15μmの
有機プラズマ重合膜を電荷輸送層として形成した。成膜
完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(
733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られた有機プラズマ重合膜につき有
機元素分析を行なったところ、含有される水素原子の量
は炭素原子と水素原子の総量に対して44原子%であっ
た。
機元素分析を行なったところ、含有される水素原子の量
は炭素原子と水素原子の総量に対して44原子%であっ
た。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630■に初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約18秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
4ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は4.8工ルグ/am2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することがiI!認された。
コロナ放電により少なくとも一630■に初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約18秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
4ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は4.8工ルグ/am2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することがiI!認された。
また、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表
面電位を残留電位として測定したところ一7■であり、
好適なイレース性能を有することが確認された。
面電位を残留電位として測定したところ一7■であり、
好適なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測
定したところ、7H以上の硬度が観8!lJされ、実用
的な感光体として好適な表面性能を有することが確認さ
れた。
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測
定したところ、7H以上の硬度が観8!lJされ、実用
的な感光体として好適な表面性能を有することが確認さ
れた。
比較例1
電荷発生層形成工程において、テフロンを使用しないこ
と以外は、実施例1と同様にして積層膜を作製した。
と以外は、実施例1と同様にして積層膜を作製した。
特性評価結果:
得られた積層膜につき、実施例1と同様の評価を行なっ
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光を用いて半減電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は約70ルツクス
・秒であり、半導体レーザー光を用いた場合には半減電
位に達しなかった。
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光を用いて半減電位にまで
明減衰させたとこる必要とされた光量は約70ルツクス
・秒であり、半導体レーザー光を用いた場合には半減電
位に達しなかった。
以上より、本例に示した積層膜は実用上好適な特性を有
するものとはいえず、このことから本発明において絶縁
性有機物質を多層蒸着することによる効果が確認される
。
するものとはいえず、このことから本発明において絶縁
性有機物質を多層蒸着することによる効果が確認される
。
比較例2
実施例1において電荷輸送層だけを作製した。
0 特性評価結果:
得られた有機プラズマ重合膜につき、実施例1と同様の
評価を行なったところ、常用のカールソンプロセスにお
いてコロナ放電により少なくとも一630Vの初期帯電
が可能であった。しかし、初期帯電後、白色光或は半導
体レーぜ一光を用いて明減衰を試みたところ、電位減衰
は全く観測されなかった。
評価を行なったところ、常用のカールソンプロセスにお
いてコロナ放電により少なくとも一630Vの初期帯電
が可能であった。しかし、初期帯電後、白色光或は半導
体レーぜ一光を用いて明減衰を試みたところ、電位減衰
は全く観測されなかった。
以上より、本例に示した有機プラズマ重合膜は、それだ
けでは光導電性を有きないことが確認される。
けでは光導電性を有きないことが確認される。
実施拠旦
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けた本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタ口シアニンクロライドAlClPc (C
I)の粉末を、第2ボート(505)にポリエチレンの
粉末を載置し、基板保持部材(502)には樅50×横
50×厚ざ3mmのアルミニウム板を基板(503)と
して取り付けた。次いで真空槽(501)内を排気ポン
プ(511)を用いて10”’To r r程度の高真
空にした後、第1電極及び第2電極(506及び507
)に電力を印加し、第1ボート(504)を490℃、
及び、第2ボート(5o5)を470℃にまで昇温しな
。第1ボート(504)温度、及び、第2ボート(50
5)6度が安定したところで、予め閉状態にしておいた
第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆動
ンレノイド(510)を作動させて交互に開状態にし、
lXl0−5程度の真空度のもとで、基板(503)上
にアルミニウムクロロフタロシアニンクロライドとポリ
エチレンの多層蒸着膜を堆積させた。ここで、第1遮蔽
板(508)及び第2遮蔽板(509)の開時間はそれ
ぞれ5秒及び10秒とし、双方の開時間の合計が5分間
となるまで蒸着を行なった後、何れも開状態とし、約1
500人の膜厚を有する本発明によるPcv、を電荷発
生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第2電
極(506及び507)への通電を停止すると共に、真
空槽(501)内を充分に排気した。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタ口シアニンクロライドAlClPc (C
I)の粉末を、第2ボート(505)にポリエチレンの
粉末を載置し、基板保持部材(502)には樅50×横
50×厚ざ3mmのアルミニウム板を基板(503)と
して取り付けた。次いで真空槽(501)内を排気ポン
プ(511)を用いて10”’To r r程度の高真
空にした後、第1電極及び第2電極(506及び507
)に電力を印加し、第1ボート(504)を490℃、
及び、第2ボート(5o5)を470℃にまで昇温しな
。第1ボート(504)温度、及び、第2ボート(50
5)6度が安定したところで、予め閉状態にしておいた
第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を駆動
ンレノイド(510)を作動させて交互に開状態にし、
lXl0−5程度の真空度のもとで、基板(503)上
にアルミニウムクロロフタロシアニンクロライドとポリ
エチレンの多層蒸着膜を堆積させた。ここで、第1遮蔽
板(508)及び第2遮蔽板(509)の開時間はそれ
ぞれ5秒及び10秒とし、双方の開時間の合計が5分間
となるまで蒸着を行なった後、何れも開状態とし、約1
500人の膜厚を有する本発明によるPcv、を電荷発
生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第2電
極(506及び507)への通電を停止すると共に、真
空槽(501)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたPc膜につき、蒸着速度より
、アルミニウムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着
膜とポリエチレンの蒸着膜の膜厚を算出したところ、ア
ルミニウムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の
膜厚は25人並びにポリエチレンの蒸着膜の膜厚は50
人であった。
、アルミニウムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着
膜とポリエチレンの蒸着膜の膜厚を算出したところ、ア
ルミニウムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の
膜厚は25人並びにポリエチレンの蒸着膜の膜厚は50
人であった。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第10図に示す本発明に係わる感光体のプラズ
マCVD法による電荷輸送層製造装置において、まず、
反応装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高
真空にした後、第1乃至第2調停弁(707乃至708
)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、第2
タンク(702)よりブタジェンガスを出力圧1.0K
g/cm”の下で第1乃至第2流量制御器(713乃至
714)内へ流入させな。水素ガスの流量を60sec
m、及び、ブタジェンガスの流量を60secmとなる
ように設定して、途中混合器(731)を介して、主管
(732)より反応室(733)内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が2.
0Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整し
た。一方、PC膜が設けられ、第8図に示す本発明に係
わる感光体の電荷発生層製造装置より移送きれてきた基
板(752)は、予め50℃に加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(7
44)により接続しておいた低周波電源(741)を投
入し、電力印加電極(736)に90Wattの電力を
周波数200KHzの下で印加して約16分プラズマ重
合反応を行ない、基板(752)上に厚き15μmの有
機プラズマ重合膜を電荷輸送層として形成した。成膜完
了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(7
33)内を充分に排気した。
マCVD法による電荷輸送層製造装置において、まず、
反応装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高
真空にした後、第1乃至第2調停弁(707乃至708
)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、第2
タンク(702)よりブタジェンガスを出力圧1.0K
g/cm”の下で第1乃至第2流量制御器(713乃至
714)内へ流入させな。水素ガスの流量を60sec
m、及び、ブタジェンガスの流量を60secmとなる
ように設定して、途中混合器(731)を介して、主管
(732)より反応室(733)内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力が2.
0Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整し
た。一方、PC膜が設けられ、第8図に示す本発明に係
わる感光体の電荷発生層製造装置より移送きれてきた基
板(752)は、予め50℃に加熱しておき、ガス流量
及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(7
44)により接続しておいた低周波電源(741)を投
入し、電力印加電極(736)に90Wattの電力を
周波数200KHzの下で印加して約16分プラズマ重
合反応を行ない、基板(752)上に厚き15μmの有
機プラズマ重合膜を電荷輸送層として形成した。成膜完
了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(7
33)内を充分に排気した。
以上のようにして得られた有機プラズマ重合膜につさ・
有機元素分析を行なっL:ところ、含有きれる水素原子
の量は炭素原子と水素原子の総量に対して40原子%で
あった。
有機元素分析を行なっL:ところ、含有きれる水素原子
の量は炭素原子と水素原子の総量に対して40原子%で
あった。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認きれた。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
6ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は5.4工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一6■であり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認きれた。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
6ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は5.4工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一6■であり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測
定したところ、?H′以上の硬度が観測され、実用的な
感光体として好適な表面性能を有することが確認された
。
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画像が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測
定したところ、?H′以上の硬度が観測され、実用的な
感光体として好適な表面性能を有することが確認された
。
比較例旦
電荷発生層形成工程において第1遮蔽板(508)と第
2遮蔽板(509)の開時間を調整し、アルミニウムク
ロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜厚を700
人、並びに、ポリエチレンの蒸着膜の膜厚を100人と
すること以外は、実施例2と同様にして積層膜を作製し
た。
2遮蔽板(509)の開時間を調整し、アルミニウムク
ロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜厚を700
人、並びに、ポリエチレンの蒸着膜の膜厚を100人と
すること以外は、実施例2と同様にして積層膜を作製し
た。
特性評価結果:
得られた積層膜につき、実施例2と同様の評価を行なっ
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光及び半導体レーザー光を
用いて明減衰を試みたところ半減電位に達しなかった。
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光及び半導体レーザー光を
用いて明減衰を試みたところ半減電位に達しなかった。
以上より、本例に示した積層膜は実用上好適な特性を有
するものとはいえず、このことから本発明感光体の電荷
発生層においてはフタロシアニン系顔料の蒸着膜の膜厚
が厚過ぎると好適な感度が得られなくなることが確認さ
れる。
するものとはいえず、このことから本発明感光体の電荷
発生層においてはフタロシアニン系顔料の蒸着膜の膜厚
が厚過ぎると好適な感度が得られなくなることが確認さ
れる。
比較躬丘
電荷発生層形成工程において第1遮蔽板(508)と第
2遮蔽板(509)の開時間を調整し、アルミニウムク
ロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜厚を50人
、並びに、ポリエチレンの蒸着膜の膜厚な700人とす
ること以外は、実施例2と同様にして積層膜を作製した
。
2遮蔽板(509)の開時間を調整し、アルミニウムク
ロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜厚を50人
、並びに、ポリエチレンの蒸着膜の膜厚な700人とす
ること以外は、実施例2と同様にして積層膜を作製した
。
特性評価結果:
得られた積層膜につき、実施例2と同様の評価を行なっ
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630■に初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光及び半導体レーザー光を
用いて明減衰を試みt:ところ半減電位に達しなかった
。
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630■に初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光及び半導体レーザー光を
用いて明減衰を試みt:ところ半減電位に達しなかった
。
以上より、本例に示した積層膜は実用上好適な特性を有
するものとはいえず、このことから本発明感光体の電荷
発生層においては絶縁性有機物質の蒸着膜の膜厚が厚過
ぎると好適な感度が得られなくなることが確認される。
するものとはいえず、このことから本発明感光体の電荷
発生層においては絶縁性有機物質の蒸着膜の膜厚が厚過
ぎると好適な感度が得られなくなることが確認される。
実施健旦
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けた本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第11図に示す本発明に係わる感光体のプラズマCVD
法による電荷輸送層製造装置において、まず、反応装置
(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空にし
た後、第1乃至第2調節弁(707乃至708)を解放
し、第1タンク(701)よりアルゴンガス、第2タン
ク(702)よりアセチレンガスを出力圧1.0Kg/
cm2の下で第1乃至第2流量制御器(713乃至71
4)内へ流入させた。アルゴンガスの流量を120se
cm、、及び、アセチレンガスの流量を1゜Osccm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して
、主?!!”(732)より反応室(733)内へ流入
した。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が1.0Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、基板(752)には直径80X
長ざ330mmの円筒状アルミニウムドラムを用い、予
め50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続し
ておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加電極
(736)に130Wattの電力を周波数13.56
MHzの下で印加して約60分プラズマ重合反応を行な
い、基板(752)上に厚ざ15μmの有機プラズマ重
合膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充
分に排気した。
法による電荷輸送層製造装置において、まず、反応装置
(733)の内部を1O−6Torr程度の高真空にし
た後、第1乃至第2調節弁(707乃至708)を解放
し、第1タンク(701)よりアルゴンガス、第2タン
ク(702)よりアセチレンガスを出力圧1.0Kg/
cm2の下で第1乃至第2流量制御器(713乃至71
4)内へ流入させた。アルゴンガスの流量を120se
cm、、及び、アセチレンガスの流量を1゜Osccm
となるように設定して、途中混合器(731)を介して
、主?!!”(732)より反応室(733)内へ流入
した。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内
の圧力が1.0Torrとなるように圧力調節弁(74
5)を調整した。一方、基板(752)には直径80X
長ざ330mmの円筒状アルミニウムドラムを用い、予
め50℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した
状態で、予め接続選択スイッチ(744)により接続し
ておいた高周波電源(739)を投入し、電力印加電極
(736)に130Wattの電力を周波数13.56
MHzの下で印加して約60分プラズマ重合反応を行な
い、基板(752)上に厚ざ15μmの有機プラズマ重
合膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力
印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充
分に排気した。
以上のようにして得られた有機プラズマ重合膜につき有
機元素分析を行なったところ、含有される水素原子の量
は炭素原子と水素原子の総量に対して37原子%であっ
た。
機元素分析を行なったところ、含有される水素原子の量
は炭素原子と水素原子の総量に対して37原子%であっ
た。
電荷発生層形成工程:
第9図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にチタニルフ
タロシアニンTi0Pcの粉末を、第2ボート (50
5)にポリスチレンの粉末を載置し、真空槽(501)
内を排気ポンプ(511)を用いて10−’To r
r程度の高真空にした。一方、基板保持部材(502)
には、有機プラズマ重合膜が設けられ、第11図に示す
本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置より移送さ
れてきた基板(503)を装着し、第1電極及び第21
E極(506及び507)に電力を印加し、第1ボート
(504)を500℃、及び、第2ボート(505)を
270℃にまで昇温しだ。第1ボート(504)温度、
及び、第2ボート(505)iM度が安定したところで
、予め閉状態にしておいた第1遮蔽板(508)及び第
2遮蔽板(509)を駆動ソレノイド(510)を作動
させて交互に開状態にし、I X 10−5程度の真空
度のもとで、基板(503)上にチタニルフタロシアニ
ンとポリスチレンの多層蒸着膜を堆積させた。ここで、
第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)の開時
間はそれぞれ15秒及び10秒とし、双方の開時間の合
計が5分間となるまで蒸着を行なった後、何れも閉状態
とし、約2000人の膜厚を有する本発明によるPc膜
を電荷発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及
び第2電極(506及び507)への通電を停止すると
共に、真空槽(501)内を充分に排気した。
置において、まず、第1ボート(504)にチタニルフ
タロシアニンTi0Pcの粉末を、第2ボート (50
5)にポリスチレンの粉末を載置し、真空槽(501)
内を排気ポンプ(511)を用いて10−’To r
r程度の高真空にした。一方、基板保持部材(502)
には、有機プラズマ重合膜が設けられ、第11図に示す
本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置より移送さ
れてきた基板(503)を装着し、第1電極及び第21
E極(506及び507)に電力を印加し、第1ボート
(504)を500℃、及び、第2ボート(505)を
270℃にまで昇温しだ。第1ボート(504)温度、
及び、第2ボート(505)iM度が安定したところで
、予め閉状態にしておいた第1遮蔽板(508)及び第
2遮蔽板(509)を駆動ソレノイド(510)を作動
させて交互に開状態にし、I X 10−5程度の真空
度のもとで、基板(503)上にチタニルフタロシアニ
ンとポリスチレンの多層蒸着膜を堆積させた。ここで、
第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)の開時
間はそれぞれ15秒及び10秒とし、双方の開時間の合
計が5分間となるまで蒸着を行なった後、何れも閉状態
とし、約2000人の膜厚を有する本発明によるPc膜
を電荷発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及
び第2電極(506及び507)への通電を停止すると
共に、真空槽(501)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたPc膜につき、蒸着速度より
、チタニルフタロシアニンの蒸着膜とポリスチレンの蒸
着膜の膜厚を諒出したところ、チタニルフタロシアニン
の蒸着膜の膜厚は96゛入並びにポリスチレンの蒸着膜
の膜厚は71人であつた。
、チタニルフタロシアニンの蒸着膜とポリスチレンの蒸
着膜の膜厚を諒出したところ、チタニルフタロシアニン
の蒸着膜の膜厚は96゛入並びにポリスチレンの蒸着膜
の膜厚は71人であつた。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要ときれた光量は1.
8ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は6.3工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一4Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された5以上より、
本例に示した本発明による感光体は、実用上好適な特性
を有するものである。士な、この感光体をミノルタ製復
写a!1EP470Zに搭載し作像して転写したところ
、鮮明な画像が得られた。このことから、本例に示した
本発明による感光体は、実用的な円筒状形態でも作製可
能であることが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要ときれた光量は1.
8ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は6.3工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一4Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された5以上より、
本例に示した本発明による感光体は、実用上好適な特性
を有するものである。士な、この感光体をミノルタ製復
写a!1EP470Zに搭載し作像して転写したところ
、鮮明な画像が得られた。このことから、本例に示した
本発明による感光体は、実用的な円筒状形態でも作製可
能であることが確認された。
実施例戟
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けた本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程;
第9図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
I)の粉末を、第2ボート(505)にポリプロピレン
(低分子量アイソタクチック)の粉末を載置し、基板保
持部材(502)には直径80×長き330mmの円筒
状アルミニウムドラムを基板(503)として取り付け
た。次いて真空(!(501)内を排気ポンプ(511
)を用いて10−’Torr程度の高真空にした後、第
1電極及び第2電極(506及び5゜7)に電力を印加
し、第1ボート(504)を520℃、及び、第2ポー
ト(505)を180℃にまで昇温した。第1ボート(
504)温度、及び、第2ボート(505)温度が安定
したところで、予め閉状態にしておいた第1遮蔽板(5
08)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレノイド(5
10)を作動きせて交互に開状態にし、lX10−5程
度の真空度のもとで、基板(503)上にアルミニウム
クロロフタロシアニンクロライドとポリプロピレンの多
層蒸着膜を堆積きせた。ここで、第1遮蔽板(508)
及び第2遮蔽板(509)の開時間はそれぞれ1秒及び
1秒とし、双方の開時間の合計が5分間となるまで蒸着
を行なった後、何れも閉状態とし、約2200人の膜厚
を有する本発明によるPc膜を電荷発生層として得た。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
I)の粉末を、第2ボート(505)にポリプロピレン
(低分子量アイソタクチック)の粉末を載置し、基板保
持部材(502)には直径80×長き330mmの円筒
状アルミニウムドラムを基板(503)として取り付け
た。次いて真空(!(501)内を排気ポンプ(511
)を用いて10−’Torr程度の高真空にした後、第
1電極及び第2電極(506及び5゜7)に電力を印加
し、第1ボート(504)を520℃、及び、第2ポー
ト(505)を180℃にまで昇温した。第1ボート(
504)温度、及び、第2ボート(505)温度が安定
したところで、予め閉状態にしておいた第1遮蔽板(5
08)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレノイド(5
10)を作動きせて交互に開状態にし、lX10−5程
度の真空度のもとで、基板(503)上にアルミニウム
クロロフタロシアニンクロライドとポリプロピレンの多
層蒸着膜を堆積きせた。ここで、第1遮蔽板(508)
及び第2遮蔽板(509)の開時間はそれぞれ1秒及び
1秒とし、双方の開時間の合計が5分間となるまで蒸着
を行なった後、何れも閉状態とし、約2200人の膜厚
を有する本発明によるPc膜を電荷発生層として得た。
Pc膜作製後は、第1電極及び第2電極(506及び5
07)への通電を停止すると共に、真空(り(501)
内を充分に排気した。
07)への通電を停止すると共に、真空(り(501)
内を充分に排気した。
以上のようにして得られたp c MAにつき、蒸着速
度より、アルミニウムクロロフタロシアニンクロライド
の蒸着膜とポリプロピレンの蒸着膜の膜厚を算出したと
ころ、アルミニウムクロロフタロシアニンクロライドの
蒸着膜の膜厚は7人並びにポリプロピレンの蒸着膜の膜
厚は8人であった。
度より、アルミニウムクロロフタロシアニンクロライド
の蒸着膜とポリプロピレンの蒸着膜の膜厚を算出したと
ころ、アルミニウムクロロフタロシアニンクロライドの
蒸着膜の膜厚は7人並びにポリプロピレンの蒸着膜の膜
厚は8人であった。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第11図に示す本発明に係わる感光体のプラズ
マCVD法による電荷輸送層製造装置において、まず、
反応装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガスを出力圧1.0Kg/am
2の下で第1流量制御器(713)内へ流入させな。同
時に、第1容器(719)よりミルセンガスを第1温調
器(722)温度75℃のもと第7流量制御器(728
)内へ流入させた。水素ガスの流量を10scCffh
及び、ミルセンガスの流量を25sc″Cmとなるよう
に設定して、途中混合器(731)を介して、主管(7
32)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0.25
Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整した
。一方、Pc膜が設けられ、第9図に示す本発明に係わ
る感光体の電荷発生層製造装置より移送されてきた基板
(752)は、予め80℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(74
4)により接続しておいた低周波電源(741)を投入
し、電力中加電w3(736)に140Wattの電力
を周波数100KH2の下で印加して約40分プラズマ
重合反応を行ない、基板(752)上に厚ざ15μmの
有機プラズマ重合膜を電荷輸送層として形成した。成膜
完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(
733)内を充分に排気した。
マCVD法による電荷輸送層製造装置において、まず、
反応装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高
真空にした後、第1調節弁(707)を解放し、第1タ
ンク(701)より水素ガスを出力圧1.0Kg/am
2の下で第1流量制御器(713)内へ流入させな。同
時に、第1容器(719)よりミルセンガスを第1温調
器(722)温度75℃のもと第7流量制御器(728
)内へ流入させた。水素ガスの流量を10scCffh
及び、ミルセンガスの流量を25sc″Cmとなるよう
に設定して、途中混合器(731)を介して、主管(7
32)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室(733)内の圧力が0.25
Torrとなるように圧力調節弁(745)を調整した
。一方、Pc膜が設けられ、第9図に示す本発明に係わ
る感光体の電荷発生層製造装置より移送されてきた基板
(752)は、予め80℃に加熱しておき、ガス流量及
び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(74
4)により接続しておいた低周波電源(741)を投入
し、電力中加電w3(736)に140Wattの電力
を周波数100KH2の下で印加して約40分プラズマ
重合反応を行ない、基板(752)上に厚ざ15μmの
有機プラズマ重合膜を電荷輸送層として形成した。成膜
完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(
733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られた有機プラズマ重合膜につき有
機元素分析を行なったところ、含有される水素原子の量
は炭素原子と水素原子の総量に対して57原子%であっ
た。
機元素分析を行なったところ、含有される水素原子の量
は炭素原子と水素原子の総量に対して57原子%であっ
た。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630■に初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
5ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は4.8工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一7Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認きれた。
コロナ放電により少なくとも一630■に初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
5ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は4.8工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一7Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。また、この感光体の表
面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測定し
たところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感光体
として好適な表面性能を有することが確認された。ざら
に、この感光体について耐久試験を行なったところ、A
4紙20万枚の耐刷試験後も、好適な画像が得られた。
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。また、この感光体の表
面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測定し
たところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感光体
として好適な表面性能を有することが確認された。ざら
に、この感光体について耐久試験を行なったところ、A
4紙20万枚の耐刷試験後も、好適な画像が得られた。
実施例5
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けな本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
実施例4と同様にして、本発明に係わる感光体の電荷発
生層を作製し、基板を真空槽外へ取り出した。
生層を作製し、基板を真空槽外へ取り出した。
電荷輸送層形成工程:
次いで、ポリカーボネイト7重量部、テトラヒドロフラ
ン10重量部、及び、4−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−ジフェニルヒドラゾン7重量部よりなる塗液をデ
ィッピングコーティング法を用いて塗布し、乾燥後の膜
厚が15μmとなるようにして本発明感光体の電荷輸送
層を形成した。
ン10重量部、及び、4−ジエチルアミノベンズアルデ
ヒド−ジフェニルヒドラゾン7重量部よりなる塗液をデ
ィッピングコーティング法を用いて塗布し、乾燥後の膜
厚が15μmとなるようにして本発明感光体の電荷輸送
層を形成した。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一830Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約12秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
6ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は4.8工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一6Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一830Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約12秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
6ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は4.8工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一6Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。
去旅倒旦
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けた本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
実施例4と同様にして、本発明に係わる感光体の電荷発
生層を作製した。
生層を作製した。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第11図に示す本発明に係わる感光体のプラズ
マCVD法による電荷輸送層製造装置において、まず、
反応装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高
真空にした後、第1乃至第3調節弁(707乃至709
)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、第2
タンク(701)よりエヂリンガス、及び、第3タンク
(703)よりシランガスを各々出力圧1.0Kg/a
m2の下で第1乃至第3流量制御器(713乃至715
)内へ流入させた。流量制御器の目盛を調整して、水素
ガスの流量を200secm1エチレンガスの流量を1
20secm、及び、シランガスの流量を140sec
mとなるように設定して、途中混合器(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が1、ITorrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、PC膜が設けられ、第9図に示す本
発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置より移送きれ
てきた基板(752)は、予め110℃に加熱しておき
、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択ス
イッチ(744)により接続しておいた高周波電源(7
39)を投入し、電力印加電41(736)に200W
attの電力を周波数13.56MHzの下で印加して
約5時間プラズマ重合反応を行ない、基板(752)上
に厚ざ15μmの炭素含有水素化アモルファスシリコン
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分
に排気した。
マCVD法による電荷輸送層製造装置において、まず、
反応装置(733)の内部を1O−6Torr程度の高
真空にした後、第1乃至第3調節弁(707乃至709
)を解放し、第1タンク(701)より水素ガス、第2
タンク(701)よりエヂリンガス、及び、第3タンク
(703)よりシランガスを各々出力圧1.0Kg/a
m2の下で第1乃至第3流量制御器(713乃至715
)内へ流入させた。流量制御器の目盛を調整して、水素
ガスの流量を200secm1エチレンガスの流量を1
20secm、及び、シランガスの流量を140sec
mとなるように設定して、途中混合器(731)を介し
て、主管(732)より反応室(733)内へ流入した
。各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧
力が1、ITorrとなるように圧力調節弁(745)
を調整した。一方、PC膜が設けられ、第9図に示す本
発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置より移送きれ
てきた基板(752)は、予め110℃に加熱しておき
、ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択ス
イッチ(744)により接続しておいた高周波電源(7
39)を投入し、電力印加電41(736)に200W
attの電力を周波数13.56MHzの下で印加して
約5時間プラズマ重合反応を行ない、基板(752)上
に厚ざ15μmの炭素含有水素化アモルファスシリコン
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分
に排気した。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約18秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は2.
3ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は10.4工ルグ/cm2であり、このこと
から好適な長波長光感度を有することが確認された。ま
た、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面
電位を残留電位として測定したところ一5Vであり、好
適なイレース性能を有することが確認きれた。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約18秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は2.
3ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は10.4工ルグ/cm2であり、このこと
から好適な長波長光感度を有することが確認された。ま
た、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面
電位を残留電位として測定したところ一5Vであり、好
適なイレース性能を有することが確認きれた。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。また、この感光体の表
面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測定し
たところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感光体
として好適な表面性能を有することが確認された。ざら
に、この感光体について耐久試験を行なったところ、A
4紙40万枚の耐刷試験後も、好適な画像が得られた。
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。また、この感光体の表
面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測定し
たところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感光体
として好適な表面性能を有することが確認された。ざら
に、この感光体について耐久試験を行なったところ、A
4紙40万枚の耐刷試験後も、好適な画像が得られた。
比較備品
実施例6において電荷輸送層だけを作製した。
特性評価結果:
得られた膜につき、実施例6と同様の評価を行なったと
ころ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放電に
より少なくとも一630■の初期帯電が可能であった。
ころ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放電に
より少なくとも一630■の初期帯電が可能であった。
しかし、初期帯電後、白色光或は半導体レーザー光を用
いて明減衰を試みたところ、電位減衰は全<vA測され
なかった。
いて明減衰を試みたところ、電位減衰は全<vA測され
なかった。
以上より、本例に示した膜は、それだけでは光導電性を
有きないことが確認される。
有きないことが確認される。
第1図乃至第6図は本発明感光体の構成を示す図面、第
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の電荷発生層形
成装置を示す図面、及び、第9図乃至第10図は本発明
に係わる感光体の電荷輸送層形成装置を示す図面である
。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第3図 手続補正書く4バ′) 昭和62年 4月 8日
7図乃至第8図は本発明に係わる感光体の電荷発生層形
成装置を示す図面、及び、第9図乃至第10図は本発明
に係わる感光体の電荷輸送層形成装置を示す図面である
。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第3図 手続補正書く4バ′) 昭和62年 4月 8日
Claims (1)
- 導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層してな
る機能分離型感光体において、該電荷発生層がフタロシ
アニン系顔料の真空蒸着膜と絶縁性有機物質の真空蒸着
膜とを交互に積層してなることを特徴とする感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP251987A JPS63169654A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP251987A JPS63169654A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169654A true JPS63169654A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11531618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP251987A Pending JPS63169654A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169654A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0475644A3 (en) * | 1990-08-31 | 1992-05-20 | Xerox Corporation | A process for forming an electrophotographic imaging member |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP251987A patent/JPS63169654A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0475644A3 (en) * | 1990-08-31 | 1992-05-20 | Xerox Corporation | A process for forming an electrophotographic imaging member |
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