JPS63220168A - 感光体とその製造方法 - Google Patents
感光体とその製造方法Info
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- JPS63220168A JPS63220168A JP5363087A JP5363087A JPS63220168A JP S63220168 A JPS63220168 A JP S63220168A JP 5363087 A JP5363087 A JP 5363087A JP 5363087 A JP5363087 A JP 5363087A JP S63220168 A JPS63220168 A JP S63220168A
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- JP
- Japan
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- photoreceptor
- protective layer
- surface protective
- atoms
- layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、表面保護膜を設けた有機系感光体並びにその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
従来夕技術
電子写真感光体として有機系感光体はよく知られており
(例えば、NIKKEI NEW MATERIA
LS 1986年12月15日号 第83頁〜第98
頁等)、感度、帯電能、製造コスト面で優れた感光体で
あり実用化がなされている。
(例えば、NIKKEI NEW MATERIA
LS 1986年12月15日号 第83頁〜第98
頁等)、感度、帯電能、製造コスト面で優れた感光体で
あり実用化がなされている。
一般に、有機系感光層の作製に用いられる材料としては
、電荷発生に寄与する光導電性材料として、例えば、フ
タロシアニン系顔料、アゾ系顔料、ペリレン系顔料等が
用いられ、電荷輸送に寄与する電荷輸送性材料として、
例えば、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミ
ン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾ
リン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化
合物等が用いられ、これらを分散塗布せしめるための結
着材料のとして、例えば、ポリエステル、ポリビニルブ
チラール、ポリカーボネイト、ボリアリレート、フェノ
キシ、スチレンアクリル等の樹脂が用いられる。
、電荷発生に寄与する光導電性材料として、例えば、フ
タロシアニン系顔料、アゾ系顔料、ペリレン系顔料等が
用いられ、電荷輸送に寄与する電荷輸送性材料として、
例えば、トリフェニルメタン化合物、トリフェニルアミ
ン化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾ
リン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化
合物等が用いられ、これらを分散塗布せしめるための結
着材料のとして、例えば、ポリエステル、ポリビニルブ
チラール、ポリカーボネイト、ボリアリレート、フェノ
キシ、スチレンアクリル等の樹脂が用いられる。
しかし、そのような感光体でも繰り返し使用すると画像
欠陥、白スジ等の問題が発生する。これは、有(′;に
系感光体の表面がJ I S−に−5400規18鉛筆
硬度にしておよそ5BないしB程度と柔らかいため、繰
り返し使用における転写紙、クリーニング部材、現像剤
等との摩耗により感光体表面が削れたり、傷付いたりす
るためである。また1、 ペーパージャム時および
その復帰の際の人為的操作等による苛酷な表面接触もそ
の一因となる。また、感光体表面の削れにより表面電位
の低下を招く。
欠陥、白スジ等の問題が発生する。これは、有(′;に
系感光体の表面がJ I S−に−5400規18鉛筆
硬度にしておよそ5BないしB程度と柔らかいため、繰
り返し使用における転写紙、クリーニング部材、現像剤
等との摩耗により感光体表面が削れたり、傷付いたりす
るためである。また1、 ペーパージャム時および
その復帰の際の人為的操作等による苛酷な表面接触もそ
の一因となる。また、感光体表面の削れにより表面電位
の低下を招く。
そこで、感光体の表面に保護層を設は上記問題点を解消
する試みが提案されている。
する試みが提案されている。
特開昭50−20728号公報に記載の技術はセレン層
またはセレン−テルル合金層とポリビニルカルバゾール
重合体とを順次積層してなる感光層上に、グロー放電重
合ポリマー膜を設ける感光体の製造方法を開示している
。
またはセレン−テルル合金層とポリビニルカルバゾール
重合体とを順次積層してなる感光層上に、グロー放電重
合ポリマー膜を設ける感光体の製造方法を開示している
。
特開昭60−61761号公報に記載の技術は感光活性
層の表面に、ダイヤモンド状炭素膜を被覆した感光体を
開示している。
層の表面に、ダイヤモンド状炭素膜を被覆した感光体を
開示している。
発明が解決しようとする4題4、
しかしながら、上記特開昭50−20728号公報記載
の製造方法は感光体の耐溶剤性を改善しようとするもの
であり、耐湿性および耐摩耗性については充分とはいえ
ず、画像流れおよび削れが発生しやすいという欠点が存
在する。上記開示にはこれらの欠点を改善するための示
唆はない。
の製造方法は感光体の耐溶剤性を改善しようとするもの
であり、耐湿性および耐摩耗性については充分とはいえ
ず、画像流れおよび削れが発生しやすいという欠点が存
在する。上記開示にはこれらの欠点を改善するための示
唆はない。
また、上記特開昭60−61761号公報記載の感光体
は耐湿性が悪く、画像流れが発生しやすいという欠点が
存在する。
は耐湿性が悪く、画像流れが発生しやすいという欠点が
存在する。
一方、有機系感光体は耐熱性に乏しいものが殆どであり
、表面保護層を設ける工程において過度に高温加熱する
過程が含まれると感度が失われる。
、表面保護層を設ける工程において過度に高温加熱する
過程が含まれると感度が失われる。
上記特開昭60−61761号公報に記載の技術は、感
光活性層として通常150ないし300℃で作製される
アモルファスシリコン屡の形成に続けてダイヤモンド状
炭素膜を形成する方法を示唆しており、この方法を有機
系感光体に用いると感度が全く無くなるという欠点が存
在する。
光活性層として通常150ないし300℃で作製される
アモルファスシリコン屡の形成に続けてダイヤモンド状
炭素膜を形成する方法を示唆しており、この方法を有機
系感光体に用いると感度が全く無くなるという欠点が存
在する。
すなわち、有機系感光体は、その表面が柔らかく傷が付
きやすく、また、長期間使用しても画像流れ等の発生し
ない有効な保護膜は存在しない。
きやすく、また、長期間使用しても画像流れ等の発生し
ない有効な保護膜は存在しない。
そこで、本発明の目的は、繰り返し使用しても感光体表
面に傷が付かず、かつ耐候性に優れた感光体を提供する
ことにある。
面に傷が付かず、かつ耐候性に優れた感光体を提供する
ことにある。
本発明のざらなる目的は、有機系感光層の感度特性を損
なうことなく表面保護層を形成する感光体の製造方法を
提供することにある。
なうことなく表面保護層を形成する感光体の製造方法を
提供することにある。
I=1.を °するための P
すなわち本発明は、導電性基板上に有機系感光層を設け
た感光体において、表面保護層を設け、該表面保護層は
グロー放電法により生成きれ、少なくとも周期律表第■
族原子を含む非晶質炭化水素膜であることを特徴とする
感光体に関する。
た感光体において、表面保護層を設け、該表面保護層は
グロー放電法により生成きれ、少なくとも周期律表第■
族原子を含む非晶質炭化水素膜であることを特徴とする
感光体に関する。
ざらに本発明け、導電性基板上に、有機系感光層を形成
する工程と、該感光層上にグロー放電法により前記導電
性基板の温度を100℃以下に保った状態で少なくとも
周期律表第■族原子を含有する表面保護層を形成する工
程とを含むことを特徴とする感光体の製造方法に関する
。
する工程と、該感光層上にグロー放電法により前記導電
性基板の温度を100℃以下に保った状態で少なくとも
周期律表第■族原子を含有する表面保護層を形成する工
程とを含むことを特徴とする感光体の製造方法に関する
。
本発明感光体の構成例を第1図に示す。アルミニウム等
の導電性基板(3)上に感光層(2)および非晶質炭化
水素膜よりなる表面保護層(1)が順次積石されている
。感光! (2)はそれ自体公知の有機系感光体を基板
(3)上に設けたものであり、感光層(2)内部構造は
、電荷発生層と電荷輸送層とを積層してなる機能分離型
構成であってもよいし、電荷発生材料と電荷輸送材料と
を結着材中に分散してなるバインダー型構成であっても
よいし、これら以外の構成であってもよい。
の導電性基板(3)上に感光層(2)および非晶質炭化
水素膜よりなる表面保護層(1)が順次積石されている
。感光! (2)はそれ自体公知の有機系感光体を基板
(3)上に設けたものであり、感光層(2)内部構造は
、電荷発生層と電荷輸送層とを積層してなる機能分離型
構成であってもよいし、電荷発生材料と電荷輸送材料と
を結着材中に分散してなるバインダー型構成であっても
よいし、これら以外の構成であってもよい。
本発明の特徴は、表面保aI層(1)の非晶質炭化水素
膜中に少なくとも周期律表第■族原子を含むことである
。非晶質炭化水素膜はそれ自体4H程度の硬い膜である
が、周期律表第■族原子を含有させることにより、より
硬度のある傷付きにくいかつ、耐湿性を有し、好適な帯
電能を保証し、しかもより透光性に優れた表面保護層(
1)とすることができる。
膜中に少なくとも周期律表第■族原子を含むことである
。非晶質炭化水素膜はそれ自体4H程度の硬い膜である
が、周期律表第■族原子を含有させることにより、より
硬度のある傷付きにくいかつ、耐湿性を有し、好適な帯
電能を保証し、しかもより透光性に優れた表面保護層(
1)とすることができる。
非晶質炭化水素膜中に含有される周期律表第■族原子の
量は、全構成原子に対して0.1ないし50原子%、好
ましくは0.5ないし30原子%、より好ましくは1゜
0ないし2o原子%である。
量は、全構成原子に対して0.1ないし50原子%、好
ましくは0.5ないし30原子%、より好ましくは1゜
0ないし2o原子%である。
周期律表第IV族原子の量が全構成原子に対して0゜1
原子%より少ない場合には、耐湿性の面で好ましくない
。周期律表第tV族凍原子量が全構成原子に対して50
原子%より多い場合には、膜の吸光係数が高くなり、照
射光を有機系感光層中に有効に導くことができなくなり
感度低下を招き好ましくない。
原子%より少ない場合には、耐湿性の面で好ましくない
。周期律表第tV族凍原子量が全構成原子に対して50
原子%より多い場合には、膜の吸光係数が高くなり、照
射光を有機系感光層中に有効に導くことができなくなり
感度低下を招き好ましくない。
非晶質炭化水素膜中に含有きれる水素原子の量は特に制
限はないが、表面保護層の構造およびグロー放電という
製造面から必然的に制約され、その量は概ね30ないし
60原子%となる。
限はないが、表面保護層の構造およびグロー放電という
製造面から必然的に制約され、その量は概ね30ないし
60原子%となる。
非晶質炭化水素膜中に含有される炭素原子、水素原子、
周期律表第■族原子等の量は、有機元素分析、オージェ
分析等の手段により知ることができる。
周期律表第■族原子等の量は、有機元素分析、オージェ
分析等の手段により知ることができる。
本発明の表面保護層(1)は、0.01ないし5μm1
好ましくは0.05ないし2μm1より好ましくは0.
1ないし1μmの厚ざに形成する。
好ましくは0.05ないし2μm1より好ましくは0.
1ないし1μmの厚ざに形成する。
0.01μmより薄いと膜強度が低下し、傷が付ざやす
くなる。、+:た、5μmより厚いと透光性が低下し、
照射光を有機感光層中に有効に導くことができなくなり
感度低下を招く。
くなる。、+:た、5μmより厚いと透光性が低下し、
照射光を有機感光層中に有効に導くことができなくなり
感度低下を招く。
本発明の感光体の表面保護層(1)は、自体公知な有機
系感光体の上に形成すればよく、本発明の目的を有効に
達成することができる。
系感光体の上に形成すればよく、本発明の目的を有効に
達成することができる。
表面保護層(1)はグロー放電法により形成する。表面
保護層(1)は気相状態の少なくとも炭素原子および水
素原子を含む分子を少なくとも周期律表第■族原子を含
む分子とともに減圧下で放電し、発生したプラズマ雰囲
気中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡
散、電気力あるいは磁気力等により誘導し、基板上での
再結合反応により固相として堆積きせる、いわゆるプラ
ズマ反応(以下、P−CVD反応という)することによ
り少なくとも周期律表第■族原子を含む非晶質炭化水素
膜として調整することができる。
保護層(1)は気相状態の少なくとも炭素原子および水
素原子を含む分子を少なくとも周期律表第■族原子を含
む分子とともに減圧下で放電し、発生したプラズマ雰囲
気中に含まれる活性中性種あるいは荷電種を基板上に拡
散、電気力あるいは磁気力等により誘導し、基板上での
再結合反応により固相として堆積きせる、いわゆるプラ
ズマ反応(以下、P−CVD反応という)することによ
り少なくとも周期律表第■族原子を含む非晶質炭化水素
膜として調整することができる。
上記各分子は常温常圧において必ずしも気相で有る必要
はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも固相で乙使用
可能である。
はなく、加熱あるいは減圧等により溶融、蒸発、昇華等
を経て気化し得るものであれば、液相でも固相で乙使用
可能である。
少なくとも炭素原子および水素原子を含む分子としては
炭化水素、例えば、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素、等を用いることができ
る。
炭化水素、例えば、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂
環式炭化水素、芳香族炭化水素、等を用いることができ
る。
飽和炭化水素としては、例えば、メタン、エタン、プロ
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキサ
ン、エチルペンタン、ジメチルペンタン、トリブタン、
メチルへブタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタ
ン、イソナノン、等を用いることができる。
パン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘ
キサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキサ
ン、エチルペンタン、ジメチルペンタン、トリブタン、
メチルへブタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタ
ン、イソナノン、等を用いることができる。
不飽和炭化水素としては、例えば、エチレン、プロピレ
ン、イソブチレン、ブテン、ペンテン、メチルブテン、
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘプテン、オクテン
、アレン、メチルアレン、ブタジエ5.ン、ペンタジェ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、オシメン、ア
ロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、アセチレン、メ
チルアセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキシン、ヘプテ
ン、オクチン、ブタジイン等を用いることができる。
ン、イソブチレン、ブテン、ペンテン、メチルブテン、
ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘプテン、オクテン
、アレン、メチルアレン、ブタジエ5.ン、ペンタジェ
ン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、オシメン、ア
ロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、アセチレン、メ
チルアセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキシン、ヘプテ
ン、オクチン、ブタジイン等を用いることができる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロプロパン、シクロブ
テン、シクロペンテン、シクロヘキサン、シクロブテン
、シクロオクテン、リモネン、テルビルン、フエランド
レン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボル
ニラン、カンフエン、フエンチェン、シクロブタンチエ
ン、トリシクレン、ビサボラン、ジンギベラン、クルク
メン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン、
カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホラン、
フィロクラテン、ボドカルブレン、ミラン等を用いるこ
とができる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロプロパン、シクロブ
テン、シクロペンテン、シクロヘキサン、シクロブテン
、シクロオクテン、リモネン、テルビルン、フエランド
レン、シルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボル
ニラン、カンフエン、フエンチェン、シクロブタンチエ
ン、トリシクレン、ビサボラン、ジンギベラン、クルク
メン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン、
カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホラン、
フィロクラテン、ボドカルブレン、ミラン等を用いるこ
とができる。
芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スヂラン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、ト・ジフェニルメタン
、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テ
トラリン、アントラセン、フェナントレン等を用いるこ
とかで伊る。
、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、メシチレ
ン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペンタメチ
ルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベンゼン、
プロピルベンゼン、クメン、スヂラン、ビフェニル、テ
ルフェニル、ジフェニルメタン、ト・ジフェニルメタン
、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリン、テ
トラリン、アントラセン、フェナントレン等を用いるこ
とかで伊る。
非晶質炭化水素膜中に含まれる水素原子の量は、成膜装
置の形態並びに成膜時の条件により変化し水素量が低く
なる場合としては、例えば、基板温度を高くする、圧力
を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低くする、水
素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の場合が挙げられる。
置の形態並びに成膜時の条件により変化し水素量が低く
なる場合としては、例えば、基板温度を高くする、圧力
を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低くする、水
素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力を高くする
、交番電界の周波数を低くする、交番電界に重畳せしめ
た直流電界強度を高くする、等の場合が挙げられる。
少なくとも周期律表第■族原子を含む分子としては、例
えば、SiH+、Si2H6、(C2H5)3SiH1
SiF+、5iH2Ch、5iC1+、Si(OCH3
)4、S i (OC2H5)4、S 1(OC3H7
)4、GeH4、GeCl4、G e F 4、Ge2
Hs、Ge(OC2H5)4、Ge(C2H5)+、(
CH3)4Sn、(C2Hs)4snSSnC14等を
用いることができる。
えば、SiH+、Si2H6、(C2H5)3SiH1
SiF+、5iH2Ch、5iC1+、Si(OCH3
)4、S i (OC2H5)4、S 1(OC3H7
)4、GeH4、GeCl4、G e F 4、Ge2
Hs、Ge(OC2H5)4、Ge(C2H5)+、(
CH3)4Sn、(C2Hs)4snSSnC14等を
用いることができる。
非晶質炭化水素膜中にかよれる周期律表第IV族原子の
鼠は、P−CVD反応に用いる少なくとも周期律表第I
V族原子を含む分子の量を増減することにより調整する
ことができる。
鼠は、P−CVD反応に用いる少なくとも周期律表第I
V族原子を含む分子の量を増減することにより調整する
ことができる。
第2図および第3図は本発明の表面保護膜を形成するた
めのグロー放電分解装置の一例を示す図である。第2図
は平行平板型P−CVD装置、第3図は円筒型P−CV
D装置を示す。
めのグロー放電分解装置の一例を示す図である。第2図
は平行平板型P−CVD装置、第3図は円筒型P−CV
D装置を示す。
まず、第2図を用いて説明する。
第2図中(701)〜(706)は常温において気相状
態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第1
ないし第6タンクで、各々のタンクは第1ないし第6調
節弁(707)〜(712)と第1ないし第6流量制御
器(713)〜(718)に接続されている。
態にある原料化合物およびキャリアガスを密封した第1
ないし第6タンクで、各々のタンクは第1ないし第6調
節弁(707)〜(712)と第1ないし第6流量制御
器(713)〜(718)に接続されている。
図中(719)〜(721)は常温において液相または
固相状態にある原料化合物を封入した第1ないし第3容
器で、各々の容器は気化のため、第1ないし第3加熱器
(722)〜(724)により与熱可能であり、ざらに
各々の容器は第7ないし第9調節弁(725)〜(72
7)と第7なイシ第9流量制御! (728) 〜(7
30)!、:接続されている。
固相状態にある原料化合物を封入した第1ないし第3容
器で、各々の容器は気化のため、第1ないし第3加熱器
(722)〜(724)により与熱可能であり、ざらに
各々の容器は第7ないし第9調節弁(725)〜(72
7)と第7なイシ第9流量制御! (728) 〜(7
30)!、:接続されている。
これらのガスは混合器(731)で混合された後、主管
(,732)を介して反応室(733)に送り込まれる
。
(,732)を介して反応室(733)に送り込まれる
。
途中の配管は、常温において液相または固相状態にあっ
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱
可能ときれている。
た原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないよう
に、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱
可能ときれている。
反応室内には接地型wi1(735)と電力印加電極(
736)が対向して設置きれ、各々の電極は電極加熱器
(737)により与熱可能とされている。
736)が対向して設置きれ、各々の電極は電極加熱器
(737)により与熱可能とされている。
電力印加電極(736)には、高周波電力用整、
合器(738)を介して高周波電源(739)、低周波
電力用整合器(740)を介して低周波電源(741L
ローパスフイルタ(742)を介して直流電源(743
)が接続されており、接続選択スイッチ(744)によ
り周波数の異なる電力が印加可能とされている。
合器(738)を介して高周波電源(739)、低周波
電力用整合器(740)を介して低周波電源(741L
ローパスフイルタ(742)を介して直流電源(743
)が接続されており、接続選択スイッチ(744)によ
り周波数の異なる電力が印加可能とされている。
反応室(733)内の圧力は圧力制御弁(745)によ
りFA整可能であり、反応室(733)内の減圧は、排
気系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(747)
、油回転ポンプ(748)、あるいは、冷却除外装置(
749) 、メカニカルブースターポンプ(750)、
油回転ポンプ(748)により行なわれる。
りFA整可能であり、反応室(733)内の減圧は、排
気系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(747)
、油回転ポンプ(748)、あるいは、冷却除外装置(
749) 、メカニカルブースターポンプ(750)、
油回転ポンプ(748)により行なわれる。
排ガスについては、ざらに適当な除外装置(753)に
より安全無害化した後、大気中に排気される。
より安全無害化した後、大気中に排気される。
これら排気系配管についても、常温において液相または
同相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(734
)により、与熱可能とされている。
同相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(734
)により、与熱可能とされている。
反応室(733)も同様の理由から反応室加熱器(75
1)により与熱可能とされ、内部に配された電極上に基
板(752)が設置きれる。
1)により与熱可能とされ、内部に配された電極上に基
板(752)が設置きれる。
第2図において基板(752)は接地電極(735)に
固定して配されているが、電力印加型(あ(736)に
固定して配されても良く、さらに双方に配されても良い
。
固定して配されているが、電力印加型(あ(736)に
固定して配されても良く、さらに双方に配されても良い
。
第3図に示した装置も基本的には第2図に示しt:装置
と同様であり、反応室(733)内の形態が基板(75
2)が円筒形であることに応じて変更されているもので
ある。基板(752)は接地電極<735)@兼ね、電
力印加電極(736)および電極加熱器(737)共に
円筒形をなしている。また、導電性基板(752)は、
外部より駆動モータ(754)を用いて自転可能となっ
ている。
と同様であり、反応室(733)内の形態が基板(75
2)が円筒形であることに応じて変更されているもので
ある。基板(752)は接地電極<735)@兼ね、電
力印加電極(736)および電極加熱器(737)共に
円筒形をなしている。また、導電性基板(752)は、
外部より駆動モータ(754)を用いて自転可能となっ
ている。
以上の構成において、感光体製造に供する反応室は、拡
散ポンプにより予め10−4ないし1O−6Torr程
度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸着したガ
スの脱離を行なう。
散ポンプにより予め10−4ないし1O−6Torr程
度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸着したガ
スの脱離を行なう。
同時に電極加熱器により、電極並びに電極に固定して配
された基板を所定の温度まで昇温する。
された基板を所定の温度まで昇温する。
このとき、有機系感光層の熱変成を防止するために基板
温度は100℃以下(常温ないし100℃)に温度設定
きれるっ基板としては導電性基板上に自体公知の有機系
感光体を用いる。
温度は100℃以下(常温ないし100℃)に温度設定
きれるっ基板としては導電性基板上に自体公知の有機系
感光体を用いる。
次いで、第1ないし第6タンクおよび第1ないし第3容
器から原料ガスを第1ないし第9流量制御器を用いて定
流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により反
応室内を一定の減圧状態に保つ。
器から原料ガスを第1ないし第9流量制御器を用いて定
流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により反
応室内を一定の減圧状態に保つ。
ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。
両電極間には放電が開始され、時間と共に基板上に固相
の非晶質炭化水素膜が形成される。所定の膜厚に達した
ところで放電を停止し、本発明による感光体を得る。
の非晶質炭化水素膜が形成される。所定の膜厚に達した
ところで放電を停止し、本発明による感光体を得る。
本発明の表面保護層には、ざらにハロゲン原子を添加し
て感光体表面に高い滑性を付与することも可能である。
て感光体表面に高い滑性を付与することも可能である。
本発明の表面保護層には、ざらにカルコゲン原子を添加
して感光層との高い接着性を付与することも可能である
。
して感光層との高い接着性を付与することも可能である
。
本発明の表面保護層には、さらに周期律表第111族原
子、周期律表第V族原子等をして高い帯電能を付与する
ことも可能である。
子、周期律表第V族原子等をして高い帯電能を付与する
ことも可能である。
以下、実施例を挙げながら本発明を説明する。
まず、有機系感光層A−Eの作製を行なった。
以下、樅50×横50X厚き3mmの平板状アルミニウ
ム基板上に形成したしたものを補助記号pを用いて有機
系感光層Ap=Epと称し、直径80mmX−j%ざ3
30mmの円筒状アルミニウム基板上に形成したものを
補助記号dを用いて有機系感光層Ad〜Edと称する。
ム基板上に形成したしたものを補助記号pを用いて有機
系感光層Ap=Epと称し、直径80mmX−j%ざ3
30mmの円筒状アルミニウム基板上に形成したものを
補助記号dを用いて有機系感光層Ad〜Edと称する。
直例遁歴兄厘ΔΩ作羞
ジスアゾ顔料としてクロロジアンブルー(CDB)ig
、ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−200)Ig、及
び、シクロヘキサノン98gの混合液をサンドブライン
ダ−で13時間分散した。
、ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−200)Ig、及
び、シクロヘキサノン98gの混合液をサンドブライン
ダ−で13時間分散した。
この分散液を!50X横50X厚さ3mmの平板状アル
ミニウム基板上にパーコーターを用いて乾燥後の膜厚が
0.3μmとなるように塗布し、乾燥して電荷発生層を
形成した。
ミニウム基板上にパーコーターを用いて乾燥後の膜厚が
0.3μmとなるように塗布し、乾燥して電荷発生層を
形成した。
次いで、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェ
ニルヒドラゾン(DEH)5g、及び、ポリカーボネイ
ト(音大化成社HK−1300)5gをTHF30gに
溶解させ、この溶液を電荷発生層上に乾燥後膜厚が15
μmとなるように塗布し、乾燥させてWiFJ輸送暦輸
送酸し、有機系感光層Apを得た。
ニルヒドラゾン(DEH)5g、及び、ポリカーボネイ
ト(音大化成社HK−1300)5gをTHF30gに
溶解させ、この溶液を電荷発生層上に乾燥後膜厚が15
μmとなるように塗布し、乾燥させてWiFJ輸送暦輸
送酸し、有機系感光層Apを得た。
同様の工程にて、ディッピングを用いて、直径80mm
X長き330mmの円筒状アルミニウム基板上に有機系
感光層Adを形成した。
X長き330mmの円筒状アルミニウム基板上に有機系
感光層Adを形成した。
ル蚊例上
得られた有機系感光層Apを常用のカールソンプロセス
の中でコロナ放電を用いて一600■に帯電し、白色光
半減光量(以下、E1/2と称する)を測定したところ
、2.0ルツクス・秒、残留電位は一5vであった。ま
た、J I S−に−5400規格による鉛筆硬度を測
定したところ、約5Bの表面硬度を有していた。
の中でコロナ放電を用いて一600■に帯電し、白色光
半減光量(以下、E1/2と称する)を測定したところ
、2.0ルツクス・秒、残留電位は一5vであった。ま
た、J I S−に−5400規格による鉛筆硬度を測
定したところ、約5Bの表面硬度を有していた。
また、得られた有機系感光層Adについても同様の性能
が認められたが、有機系感光層Adにっいてはざらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、A
4復写紙約5千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚減少が観
察された。従って、静電特性には優れるものの、耐久性
には乏しいことが確認された。
が認められたが、有機系感光層Adにっいてはざらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、A
4復写紙約5千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚減少が観
察された。従って、静電特性には優れるものの、耐久性
には乏しいことが確認された。
育槻基壁元屋旦Ω作公
電荷輸送層形成用のポリカーボネイトをメチルメタクリ
レートPMMA (三菱レーヨン社製BR−85)に代
える事以外は有機系感光層Ap、Adと同様にして有機
系感光層Bps Bdを作製した。
レートPMMA (三菱レーヨン社製BR−85)に代
える事以外は有機系感光層Ap、Adと同様にして有機
系感光層Bps Bdを作製した。
比較伝旦
得られた有機系感光層Bpを常用のカールソンプロセス
の中でコロナ放電を用いて一600Vに帯電し、El/
2を測定したところ、6.2ルツクス・秒、残留電位は
一12Vであった。また、JIS−に−5400規格に
よる鉛筆硬度を測定したところ、約Bの表面硬度を有し
ていた。
の中でコロナ放電を用いて一600Vに帯電し、El/
2を測定したところ、6.2ルツクス・秒、残留電位は
一12Vであった。また、JIS−に−5400規格に
よる鉛筆硬度を測定したところ、約Bの表面硬度を有し
ていた。
また、得られた有機系感光層Bdについても同様の性能
が認められたが、有機系感光層Bdについてはざらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、Δ
4複写紙約8千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚)α少が
観察された。従って、静電特性には優れるものの、耐久
性には乏しいことが確認きれた。
が認められたが、有機系感光層Bdについてはざらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、Δ
4複写紙約8千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚)α少が
観察された。従って、静電特性には優れるものの、耐久
性には乏しいことが確認きれた。
立慎玉愁光雁旦Ω作製
ポリカーボネイトをボリアリレート (ユニチカ′社製
U−100)に代えること以外は有機系感光層ApN
Adと同様にして有機系感光層cp、cdを作製した。
U−100)に代えること以外は有機系感光層ApN
Adと同様にして有機系感光層cp、cdを作製した。
比較例旦
得られた有機系感光層Cpを常用のカールソンプロセス
の中でコロナ放電を用いて一600Vに帯電し、El/
2を測定したところ、2.3ルツクス・秒、残留電位は
一8■であった。また、JIS−に−5400規格によ
る鉛筆硬度を測定したところ、約5Bの表面硬度を有し
ていた。
の中でコロナ放電を用いて一600Vに帯電し、El/
2を測定したところ、2.3ルツクス・秒、残留電位は
一8■であった。また、JIS−に−5400規格によ
る鉛筆硬度を測定したところ、約5Bの表面硬度を有し
ていた。
また、得られた有機系感光層Cdについても同様の性能
が認められたが、有機系感光層Cdについてはざらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、A
4復写紙約4千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚減少が観
察された。従って、静電特性には優れるものの、耐久性
には乏しいことが確認された。
が認められたが、有機系感光層Cdについてはざらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、A
4復写紙約4千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚減少が観
察された。従って、静電特性には優れるものの、耐久性
には乏しいことが確認された。
育墾ぼ遷り璽1と2作製
ポリカーボネイトをポリエステル(東洋紡社製V−20
0)に代えること以外は有機系感光層Ap、Adと同様
にして有機系感光層Dps Ddを作製した。
0)に代えること以外は有機系感光層Ap、Adと同様
にして有機系感光層Dps Ddを作製した。
比較例4
得られた有機系感光層Dpを常用のカールソンプロセス
の中でコロナ放電を用いて一600Vに帯電し、El/
2を測定したところ、2.2ルツクス・秒、残留電位は
一7Vであった。また、JIS−に−5400規格によ
る鉛筆硬度を測定したところ、約5Bの表面硬度を有し
ていた。
の中でコロナ放電を用いて一600Vに帯電し、El/
2を測定したところ、2.2ルツクス・秒、残留電位は
一7Vであった。また、JIS−に−5400規格によ
る鉛筆硬度を測定したところ、約5Bの表面硬度を有し
ていた。
また、得られた有機系感光層Ddについても同様の性能
が認められたが、有機系感光層Ddについてはざらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、A
4複写紙約5千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚減少が観
察された。従って、静電特性には優れる乙のの、耐久性
には乏しいことが確認されt:。
が認められたが、有機系感光層Ddについてはざらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、A
4複写紙約5千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚減少が観
察された。従って、静電特性には優れる乙のの、耐久性
には乏しいことが確認されt:。
有機系隆光層旦9作製
特殊α型鋼フタロシアニン(東洋インキ製)25重量部
、アクリルメラミン熱硬化型樹脂(大日本インキ製 A
−405とスーパーベッカミンJ820の混合物)50
重量部、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェ
ニルヒドラゾン25重量部、有機溶剤(キシレン7重量
部とブタノール3重量部の混合物)500重量部の混合
液をボールミルで10時間粉砕分散した。この分散液を
縦50X[50X厚ざ3mmの平板状アルミニウム基板
上にバーコーターを用いて乾燥、焼き付は後の膜厚が1
5μmとなるように塗布し、150℃で1時間焼き付け
て、有機系感光層Epを得た。
、アクリルメラミン熱硬化型樹脂(大日本インキ製 A
−405とスーパーベッカミンJ820の混合物)50
重量部、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−ジフェ
ニルヒドラゾン25重量部、有機溶剤(キシレン7重量
部とブタノール3重量部の混合物)500重量部の混合
液をボールミルで10時間粉砕分散した。この分散液を
縦50X[50X厚ざ3mmの平板状アルミニウム基板
上にバーコーターを用いて乾燥、焼き付は後の膜厚が1
5μmとなるように塗布し、150℃で1時間焼き付け
て、有機系感光層Epを得た。
同様の工程にて、ディッピングを用いて、直径80mm
x長ざ330mmの円筒状アルミニウム基板上に有機系
感光層Edを形成した。
x長ざ330mmの円筒状アルミニウム基板上に有機系
感光層Edを形成した。
比較例5
得られた有機系感光層Epを常用のカールソンプロセス
の中でコロナ/ik電を用いて+600Vに帯電し、E
1/2を測定したところ、4.3ルツクス・秒、残留電
位は+5■であった。士な、JIS−に−5400規格
にょろりa筆硬度を測定したところ、約Bの表面硬度を
有していた。
の中でコロナ/ik電を用いて+600Vに帯電し、E
1/2を測定したところ、4.3ルツクス・秒、残留電
位は+5■であった。士な、JIS−に−5400規格
にょろりa筆硬度を測定したところ、約Bの表面硬度を
有していた。
また、得られた有機系感光層Edについても同様の性能
が認められたが、有機系感光層Edについてはさらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、A
4複写紙約1万枚の耐刷試験にて1μmの膜厚減少が観
察きれた。従って、静電特性には優れるものの、耐久性
には乏しいことが確認された。
が認められたが、有機系感光層Edについてはさらに、
実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったところ、A
4複写紙約1万枚の耐刷試験にて1μmの膜厚減少が観
察きれた。従って、静電特性には優れるものの、耐久性
には乏しいことが確認された。
友施透に旦
第2図に示すグロー放電分解装置において、感光体の表
面保護層を作製した。
面保護層を作製した。
まず、反応装置(733)の内部を10′″6TOrr
程度の高真空にした後、第11第2および第3調節弁(
707,708および709)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガス、第2タンク(702)よりブタ
ジェンガスおよび第3タンク(703)より水素で20
%に希釈したシラン(S i H4)ガスを各々出力圧
1.0Kg/cm2の下で第1、第2および第3流量制
御器(713,714および715)内へ流入させた。
程度の高真空にした後、第11第2および第3調節弁(
707,708および709)を解放し、第1タンク(
701)より水素ガス、第2タンク(702)よりブタ
ジェンガスおよび第3タンク(703)より水素で20
%に希釈したシラン(S i H4)ガスを各々出力圧
1.0Kg/cm2の下で第1、第2および第3流量制
御器(713,714および715)内へ流入させた。
そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量
を11l105e、ブタジェンガスの流量を60sCC
mおよび水素で20%に希釈したシランの流量を101
005eとなるように設定して、途中混合器(731)
を介して、主管(732)より反応室(733)内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室(733)
内の圧力が0.5Torrとなるように圧力調節弁(7
45)を調整した。一方、基板(752)としては、有
機系感光層が設けられたAp (実施例1) 、Bp
(実施例2) 、Cp (実施例3) 、Dp (実施
例4)、Ep(実施例5)を用いた。基板(752)は
、ガス導入前に約15分間をかけて常温より50℃にま
で昇温しな。ガス流量および圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた低
周波電源(741)を投入し、電力印加電極(736)
に50Wattの電力を周波数100KHzの下で印加
して約2分間プラズマ重合反応を行ない、基板(752
)上に厚ざ0.3μmの非晶質炭化水素膜を表面保護層
として形成した。成膜完了後は電力印加を停止し、水素
ガス以外の調節弁を閉じ、反応室(733)内に水素ガ
スだけを200secm流入し、圧力を10Torrに
保持し、約15分間で30℃まで降温した。その後、水
素ガスの調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排
気し、反応室(733)の真空を破り、本発明による表
面保護層を有する感光体を取り出した。
を11l105e、ブタジェンガスの流量を60sCC
mおよび水素で20%に希釈したシランの流量を101
005eとなるように設定して、途中混合器(731)
を介して、主管(732)より反応室(733)内へ流
入した。各々の流量が安定した後に、反応室(733)
内の圧力が0.5Torrとなるように圧力調節弁(7
45)を調整した。一方、基板(752)としては、有
機系感光層が設けられたAp (実施例1) 、Bp
(実施例2) 、Cp (実施例3) 、Dp (実施
例4)、Ep(実施例5)を用いた。基板(752)は
、ガス導入前に約15分間をかけて常温より50℃にま
で昇温しな。ガス流量および圧力が安定した状態で、予
め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた低
周波電源(741)を投入し、電力印加電極(736)
に50Wattの電力を周波数100KHzの下で印加
して約2分間プラズマ重合反応を行ない、基板(752
)上に厚ざ0.3μmの非晶質炭化水素膜を表面保護層
として形成した。成膜完了後は電力印加を停止し、水素
ガス以外の調節弁を閉じ、反応室(733)内に水素ガ
スだけを200secm流入し、圧力を10Torrに
保持し、約15分間で30℃まで降温した。その後、水
素ガスの調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排
気し、反応室(733)の真空を破り、本発明による表
面保護層を有する感光体を取り出した。
以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につ営有機
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる水素原子の量は全構成原子に対して45原子%、周
期律表第■族原子、即ち、珪素原子の量は全構成原子に
対し9.8原子%であった。
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる水素原子の量は全構成原子に対して45原子%、周
期律表第■族原子、即ち、珪素原子の量は全構成原子に
対し9.8原子%であった。
特性:
得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をJI S−
に−5400規格に基づいて測定したところ実施例1な
いし実施例5の何れも約6Hであり、本発明による感光
体の表面保護層により高硬度化されることが確認きれた
。
に−5400規格に基づいて測定したところ実施例1な
いし実施例5の何れも約6Hであり、本発明による感光
体の表面保護層により高硬度化されることが確認きれた
。
また、感度特性は比較例1ないし比較例5とほぼ同等で
あり、このことから本発明による感光体の表面保護層は
有機系感光体が本来有する感度を損なわないことが確認
された。
あり、このことから本発明による感光体の表面保護層は
有機系感光体が本来有する感度を損なわないことが確認
された。
また、実施例工ないし実施例5で得られた感光体を、温
度10℃相対湿度30%の低温低湿雰囲気と温度50℃
相対湿度90%の高温高湿雰囲気とが30分毎に交互に
繰返される環境下に6時間放置したところ、表面保護層
の剥離、あるいは、ひび割れ等は認められず、本発明に
よる感光体め表面保護層は、有機系感光体との接着性に
優れた膜であることが確認された。
度10℃相対湿度30%の低温低湿雰囲気と温度50℃
相対湿度90%の高温高湿雰囲気とが30分毎に交互に
繰返される環境下に6時間放置したところ、表面保護層
の剥離、あるいは、ひび割れ等は認められず、本発明に
よる感光体め表面保護層は、有機系感光体との接着性に
優れた膜であることが確認された。
実施然旦二1旦
第3図に示すグロー放電分解装置において、感光体の表
面保護層を作製した。
面保護層を作製した。
まず、反応装置(733)の内部を1O−6T。
rr程度の高真空にした後、第1、第2および第3調節
弁(707,708お、よび7o9)を解放し、第1タ
ンク(701’Jより水素ガス、第2タンク(702)
よりブタジェンガスおよび第3タンク(703)より水
素で10%に希釈したゲルマン(GeH4)ガスを各々
出力圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2および第3
流量制(卸器(713,714および715)内へ流入
させた。そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を250secm、ブタジェンガスの流量を6
0secmおよび水素で10%に希釈したゲルマンガス
の流量を50secmとなるように設定して、途中混合
器(731)を介して、主管(732)より反応室(7
33)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が2.0Torrとなるように圧
力調節弁(745)を調整した。一方、基板(752)
としては、有機系感光層が設けられたAd (実施例6
)、Bd(実施例?) 、Cd (実施例8) 、Dd
(実施例9) 、Ed (実施例10)を用いた。基
板(752)は、ガス導入前に約15分間をかけて常温
より50℃にまでW温しt:。ガス流量および圧力が安
定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)により
接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印
加電極(736)に100Wa11の電力を周波数50
KHzの下で印加して約1分間プラズマ重合反応を行な
い、基板(752)上に厚と0.3μmの非晶質炭化水
素膜を表面保護層として形成した。成膜完了後は電力印
加を停止し、水素ガス以外の調節弁を閉じ、反応室(7
33)内に水素ガスだけを200secm流入し、圧力
を10Torrに保持し、約15分間で30℃まで降温
した。その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室(73
3)内を充分に排気し、反応室(733)の真空を破り
、本発明による表面保護層を有する感光体を取り出した
。
弁(707,708お、よび7o9)を解放し、第1タ
ンク(701’Jより水素ガス、第2タンク(702)
よりブタジェンガスおよび第3タンク(703)より水
素で10%に希釈したゲルマン(GeH4)ガスを各々
出力圧1.0Kg/cm2の下で第1、第2および第3
流量制(卸器(713,714および715)内へ流入
させた。そして各流量制御器の目盛を調整して、水素ガ
スの流量を250secm、ブタジェンガスの流量を6
0secmおよび水素で10%に希釈したゲルマンガス
の流量を50secmとなるように設定して、途中混合
器(731)を介して、主管(732)より反応室(7
33)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応
室(733)内の圧力が2.0Torrとなるように圧
力調節弁(745)を調整した。一方、基板(752)
としては、有機系感光層が設けられたAd (実施例6
)、Bd(実施例?) 、Cd (実施例8) 、Dd
(実施例9) 、Ed (実施例10)を用いた。基
板(752)は、ガス導入前に約15分間をかけて常温
より50℃にまでW温しt:。ガス流量および圧力が安
定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)により
接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力印
加電極(736)に100Wa11の電力を周波数50
KHzの下で印加して約1分間プラズマ重合反応を行な
い、基板(752)上に厚と0.3μmの非晶質炭化水
素膜を表面保護層として形成した。成膜完了後は電力印
加を停止し、水素ガス以外の調節弁を閉じ、反応室(7
33)内に水素ガスだけを200secm流入し、圧力
を10Torrに保持し、約15分間で30℃まで降温
した。その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室(73
3)内を充分に排気し、反応室(733)の真空を破り
、本発明による表面保護層を有する感光体を取り出した
。
以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につき有機
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる尿素原子の量は全構成原子に対して43原子%、周
期律表第■族原子、即ち、ゲルマニウム原子の量は全構
成原子に対し5.1原子%であった。
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる尿素原子の量は全構成原子に対して43原子%、周
期律表第■族原子、即ち、ゲルマニウム原子の量は全構
成原子に対し5.1原子%であった。
特性:
得られた感光体の表面について、鉛筆硬度なJIS−に
−5400規格に基づいて測定したところ実施例6ない
し実施例1oの何れも約6Hであり、このことから本発
明による感光体の表面保護層により高硬度化されること
が確認された。
−5400規格に基づいて測定したところ実施例6ない
し実施例1oの何れも約6Hであり、このことから本発
明による感光体の表面保護層により高硬度化されること
が確認された。
また、感度特性は比較例工ないし比較例5とほぼ同等で
あり、このことから本発明による感光体の表面保護層は
有機系感光体が本来有する感度を損なわないことが確認
きれた。
あり、このことから本発明による感光体の表面保護層は
有機系感光体が本来有する感度を損なわないことが確認
きれた。
また、実施例6ないし実施例10で得られた感光体を、
温度10℃相対湿度30%の低温低湿雰囲気と温度50
℃相対湿度90%の高温高湿雰囲気とが30分毎に交互
−繰返される環境下に6時間放置したところ、表面保護
層の剥離、あるいは、ひび割れ等は認められず、本発明
による感光体の表面保護層は、有機系感光体との接着性
に優れた膜であることが確認された。
温度10℃相対湿度30%の低温低湿雰囲気と温度50
℃相対湿度90%の高温高湿雰囲気とが30分毎に交互
−繰返される環境下に6時間放置したところ、表面保護
層の剥離、あるいは、ひび割れ等は認められず、本発明
による感光体の表面保護層は、有機系感光体との接着性
に優れた膜であることが確認された。
また、実施例6ないし実施例10で得られた感光体をミ
ノルタカメラ(株)製写紙機EP650Zに搭載し実写
したところ、何れも鮮明な画像が得られ、さらに、温度
35℃相対湿度80%の環境下で実写してもいわゆる画
像流れは認められなかった。また、複写機内での現像剤
、転写紙、並びに、清掃部材との接触においても表面保
護層の剥離は認められなかった。また、通常の室内にお
いて実写を25万枚行なったところ、最後まで鮮明な画
像が得られた。また、25万枚実写後においても感光層
膜厚の現象は認められなかった。これらのことから本発
明による感光体の表面保護層は、画像品位を損なわずに
耐久性の向上と有害性の改善を達成するものであること
が確認された。
ノルタカメラ(株)製写紙機EP650Zに搭載し実写
したところ、何れも鮮明な画像が得られ、さらに、温度
35℃相対湿度80%の環境下で実写してもいわゆる画
像流れは認められなかった。また、複写機内での現像剤
、転写紙、並びに、清掃部材との接触においても表面保
護層の剥離は認められなかった。また、通常の室内にお
いて実写を25万枚行なったところ、最後まで鮮明な画
像が得られた。また、25万枚実写後においても感光層
膜厚の現象は認められなかった。これらのことから本発
明による感光体の表面保護層は、画像品位を損なわずに
耐久性の向上と有害性の改善を達成するものであること
が確認された。
几蚊Δ旦二1旦
ゲルマンガスを流入せず、水素ガスの流量を300se
cmとすること以外は、実施例6ないし実施例10と同
様にして有機系感光層上に表面層を形成した。
cmとすること以外は、実施例6ないし実施例10と同
様にして有機系感光層上に表面層を形成した。
得られた感光体の表面について鉛筆硬度をJIS−に−
5400規格に基づいて測定したところ、比較例6ない
し比較例10の何れも約4Hであり、実施例6ないし実
施例10と比較して低硬度であることが確認きれた。こ
のことから周期律表第1v族原子を添加することにより
高硬度化されることが確認された。
5400規格に基づいて測定したところ、比較例6ない
し比較例10の何れも約4Hであり、実施例6ないし実
施例10と比較して低硬度であることが確認きれた。こ
のことから周期律表第1v族原子を添加することにより
高硬度化されることが確認された。
次いで、実施例6ないし実施例1oと同様にして実際の
複写機に搭載して実写を試みたところ、温度35℃相対
湿度80%の環境下でいわゆる画像流れが発生した。こ
のことから周期律表第■族原子を添加することにより耐
湿性が向上することが確認された。
複写機に搭載して実写を試みたところ、温度35℃相対
湿度80%の環境下でいわゆる画像流れが発生した。こ
のことから周期律表第■族原子を添加することにより耐
湿性が向上することが確認された。
ざらに、実写後、比較例6ないし比較例10で得られた
感光体を、温度10℃相対湿度30%の低温低湿雰囲気
と温度50℃相対湿度90%の高温高BfJ囲気とが3
0分毎に交互に繰返される環境下に6時間放置したとこ
ろ、表面保護層が部分的に剥離し、このことから周期律
表第■族原子を添加することにより密着性が向上するこ
とが確認された。
感光体を、温度10℃相対湿度30%の低温低湿雰囲気
と温度50℃相対湿度90%の高温高BfJ囲気とが3
0分毎に交互に繰返される環境下に6時間放置したとこ
ろ、表面保護層が部分的に剥離し、このことから周期律
表第■族原子を添加することにより密着性が向上するこ
とが確認された。
比較例11〜IS
ゲルマンガスの水素ガス希釈をなくt、100%ゲルマ
ンガスな用いてその流量を150secmとし、水素ガ
ス流量を150secmとすること以外は実施例6ない
し実施例10と同様にして有機系感光層表面層を形成し
た。
ンガスな用いてその流量を150secmとし、水素ガ
ス流量を150secmとすること以外は実施例6ない
し実施例10と同様にして有機系感光層表面層を形成し
た。
以上のようにして得られた非晶質炭化水素膜につき有機
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる水素原子の量は全構成原子に対して24原子%、周
期律表第■族原子、即ち、ゲルマニウム原子の量は全構
成原子に対し53原子%であった。
定量分析およびオージェ分析を行なったところ、含有さ
れる水素原子の量は全構成原子に対して24原子%、周
期律表第■族原子、即ち、ゲルマニウム原子の量は全構
成原子に対し53原子%であった。
特性:
実施例6ないし実施例10と同様にして実際の複写機に
搭載して実写を試みたところ、感度がそれぞれ実施例6
ないし実施例10の感光体の半分に低下しており、表面
層の吸光係数が高くなったため有機系感光層への入射光
量が減り感度低下を招いたことが確認された。このこと
から周期律表第■族原子を過剰に添加することは好まし
くないことが確認された。
搭載して実写を試みたところ、感度がそれぞれ実施例6
ないし実施例10の感光体の半分に低下しており、表面
層の吸光係数が高くなったため有機系感光層への入射光
量が減り感度低下を招いたことが確認された。このこと
から周期律表第■族原子を過剰に添加することは好まし
くないことが確認された。
4、図面ノr!rI!1tす説明
第1図は本発明感光体の模式的断面図を示す。
第2図および第3図は感光体製造用装置の一例を示す図
である。
である。
図中の記号は以下の通りである。
(1)・・・表面保護層
(2)・・・感光層
(3)・・・導電性基板
(701)〜(706)・・・タンク
(707)〜(712)・・・調節弁
(725)〜(727)・・・調節弁
(713) 〜(718)−−−流量制(a!IW(7
28)〜(730)・・・流量#御器(719)〜(7
21)・・・容器 (722)〜(724)・・・加熱器 (731)・・・混合器 (732)・・・主管 (733)・・・反応室 (734)・・・配管加熱器 (735)・・・接地電極 (736)・・・電力印加電極 (737)・・・電極加熱器 (738)・・・高周波電力用整合器 (739)・・・高周波電源 (740)・・・低周波電力用整合器 (741)・・・低周波電源 (742)・・・ローパスフィルタ (743)・・・直流電源 (744)・・・接続選択スイッチ (745)・・・圧力調節弁 (746)・・・排気系選択弁 (747)・・・拡散ポンプ (748)・・・油回転ポンプ (749)・・・冷却除外装置 (750)・・・メカニカルブースターポンプ(751
)・・・反応室加熱器 (752)・・・基板 (753)・・・除外装置 (754)・・・駆動モータ
28)〜(730)・・・流量#御器(719)〜(7
21)・・・容器 (722)〜(724)・・・加熱器 (731)・・・混合器 (732)・・・主管 (733)・・・反応室 (734)・・・配管加熱器 (735)・・・接地電極 (736)・・・電力印加電極 (737)・・・電極加熱器 (738)・・・高周波電力用整合器 (739)・・・高周波電源 (740)・・・低周波電力用整合器 (741)・・・低周波電源 (742)・・・ローパスフィルタ (743)・・・直流電源 (744)・・・接続選択スイッチ (745)・・・圧力調節弁 (746)・・・排気系選択弁 (747)・・・拡散ポンプ (748)・・・油回転ポンプ (749)・・・冷却除外装置 (750)・・・メカニカルブースターポンプ(751
)・・・反応室加熱器 (752)・・・基板 (753)・・・除外装置 (754)・・・駆動モータ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導電性基板上に有機系感光層を設けた感光体におい
て、表面保護層を設け、該表面保護層はグロー放電法に
より生成され少なくとも周期律表第IV族原子を含む非晶
質炭化水素膜であることを特徴とする感光体。 2、導電性基板上に、有機系感光層を形成する工程と、
該感光層上にグロー放電法により前記導電性基板の温度
を100℃以下に保った状態で少なくとも周期律表第I
V族原子を含有する表面保護層を形成する工程とを含む
ことを特徴とする感光体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5363087A JPS63220168A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 感光体とその製造方法 |
| US07/164,891 US4886724A (en) | 1987-03-09 | 1988-03-07 | Photosensitive member having an overcoat layer and process for manufacturing the same |
| DE3807782A DE3807782A1 (de) | 1987-03-09 | 1988-03-09 | Fotoempfindliches element mit einer deckschicht und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5363087A JPS63220168A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 感光体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220168A true JPS63220168A (ja) | 1988-09-13 |
Family
ID=12948225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5363087A Pending JPS63220168A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 感光体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63220168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250166A (ja) * | 1987-12-08 | 1990-02-20 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH02210458A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-21 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP5363087A patent/JPS63220168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250166A (ja) * | 1987-12-08 | 1990-02-20 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH02210458A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-21 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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