JPS63174973A - ビフエニルピリジン誘導体 - Google Patents

ビフエニルピリジン誘導体

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JPS63174973A
JPS63174973A JP62005849A JP584987A JPS63174973A JP S63174973 A JPS63174973 A JP S63174973A JP 62005849 A JP62005849 A JP 62005849A JP 584987 A JP584987 A JP 584987A JP S63174973 A JPS63174973 A JP S63174973A
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liquid crystal
stirring
water
dry
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JP62005849A
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Yoshitake Shionozaki
塩野崎 由勇
Hiroshi Mukai
啓 向井
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Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な液晶化合物に関わり、さらに詳しくは電
気光学的液晶セル中に用いられるビフェニルピリジン誘
導体に関する。
〔従来の技術〕
近年、電気光学的液晶セルはCRTに代わる表示素子と
して期待され、その高マルチグレツクス化の検討が盛ん
である。
特に注目すべき技術として、T、J0日C緘争デ等#i
%液晶の分子配列を光学活性物質により制御(彼らは液
晶層全2フ0°ツイストさせている。)。
表示特性の改良を成した。いわゆるスーパー・ツイスト
型液晶セル(以下8TNセルと称す)を提案しft (
Appl 、 Phya Latt 、 45 、41
0 、 P4O10、’84 ) 、この方式によれば
無電場での分子配列と、電場により生ずる分子配列はエ
ネルギー的に極めて安定化され、この両者間で行なわれ
るスイッチング動作社通常のTIセルに比べて極めて高
いコントラスト及び急峻なしきい[特性が得られ、さら
に視角範囲も広くとれる。従って今後の液晶マルチプレ
ックス表示の主流となるであろうことは衆目の一致する
ところである。
セして8TNセルの表示特aは、主に光学活性物質の螺
旋ピッチあるいはパネルの配向技術等に支配されること
から、そこに用いられる液晶は化学的並びに光化学的及
び電場等の影響に対して安定であ)、低粘性であり、且
クネマチツク液晶温EL範囲が広い化合物が良いとされ
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
電気光学的液晶セルに使用される液晶組成物の実用温度
範囲を確保するためには、液晶温度範囲が低温〜室温領
域にある成分(ベース液晶)と高温領域にある成分(高
透明点液晶)を適切に配合することによシ稠整される。
ここで、一般に高透明点液晶は、その質量の増加と共に
粘度が高くなって、特に前記EITNセル用の液晶組成
物を構成する場合、液晶の配合操作において、高透明点
成分をできるだけ少量に押える必要がある。そのために
は極めて広いネマチック液晶温度範囲を有し。
且つ一層高い高透明点を有する液晶化合物が望まれる。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は一般式が R凰″O″3:飄〉”@y−F’s         
           (1)(式中R1およびR1は
炭素数1〜8個のアルキルまたはCNである。但しR1
およびRsの少なくとも1個はアルキルである。) で表わされることを特徴とする。
一般式(1)で表わされる化合物は1例えば以下に例示
するC * H5−(=クー3=す・11=9−Cs 
Htでは171’C〜197℃でネマチック相を呈し、
C!H−酬伽)CsHslでは150℃〜188℃でネ
マチック相を呈す、これは従来の類似の2−フェニルピ
リジン誘導体、列えtf C5Hxt−o−o−CiH
uカ透’Jj1点33 ’c 、 % / h o ヒ
ツクで32℃〜(イ)℃でスメクチック相を呈すのに比
較し、極めて高い透明点を有し、かつ広いネマチック相
を有する。また以下に例示するC1Bnり4h)CNで
は184〜264℃でネマチック相を呈し。
CsH11−<ζj)i・(ミ2〉−・り;2譬CNで
は145〜255℃でネマチック相を呈す、これは従来
の類似の2−フェニルビリジ7m導体、列えばCsHt
t−o−o−CM テd’45.5℃〜68℃テ4−r
 f 7り相に呈L/% C5Hu−o−o−cN’t
’i31℃〜4] Cでネマチック相を呈すのに比較し
て、極めて高い透明点を有し、かつ広いネマチック相を
有する。
さらに一般式U)で表わされる化合物は、その分子Il
l造的にみても諸安定性に起因する不安定要素及び高粘
性に寄与する要素は何一つ無く、極めて安定であり、且
つ低粘性な化合物である。
一般式α)の化合物は列えば以下のスキームに従がって
合成できる。
(スキームl) 都合o−Br     (…) Rs−)◎−h6     (m) Rs−))餡”s    (1−1) (スキーム2) R3−o−o−Bデ        (■)R、−@−
Q−L t     (m)R1は)(災(叶Bデ  
       (fV)Btep5   j  CBC
M R3イ洲◎−0−に N       (1−2)(ス
キーム3) Btap8   ↓ RsBf   (■)8 t a
pLO↓ 0gCN N6−’、Q)や4>Rs     (1−3)(式中
R,,R,は炭素数1〜8個のアルキルである) 以下に反応工程の概略全説明する。
’tgp1.CII) k乾燥ベンゼン中外−ブチルリ
チウムによジリチオ化しく1) t−得る。
8℃gp2.(III) を乾燥ジエチルエーテル中、
ピリジンと反応させる。
8tep3.コれe乾燥テトラヒドロフラン中R4Bf
と反応させ、加水分離しくニー1)を得る。
E3tgp4.乾燥テトラヒドロ7ラン中IIr、と反
応させ、加水分解しくfV)を得る。
stgp5.(IV)をN−メチル−2−ピロリドン中
シアン化第1銅によジシアノ化し、(1−2)を得る。
5teps、(V) t 5taplと同様にして(V
l)t−得る。
Btep7.CVi) t E3tap2と同様にし’
CFjL応す#ル。
8tep8.F3tap3と同様にして(■)を得る。
Btep9.硫酸中、硫酸銀とヨウ素から10を得る。
13 t e pl(1,(i) ′f:日tep5と
同様にして(1−3)’を得る。
〔実施列〕
以下実施的に従す本発明の態様全詳述する。
実施列工 CsH5−)G)Cs Hyの製造 c、a、−<酬)Br 53 ft乾燥ベンゼン150
湛lK溶解し、窒素気流下に置き、この攪拌下に15チ
、n−ブチルリチウムを含むヘキサン溶f&izsm 
t f加え、室温で一夜攪拌を続けた。生成した結晶を
窒素気流下で濾過して集め、これをヘキサンで洗浄し、
乾燥ジエチルエーテル500mAに溶解した。・このエ
ーテルlWH,t−5℃に冷却し。
攪拌しながら乾燥ピリジン16f’Cゆっくり滴下し、
その後室温にもどし、3時間攪拌をつづけた。
再度−5℃に冷却し、これに乾燥テトラヒドロフラン9
00mJi加え、つづいてC5HtBr 25.Off
:15分かけて滴下し、その後室温で1時間攪拌を行な
った1反応抜水lit加えよく攪拌した後、エーテル層
上分取し、これを水で3回洗浄した後。
エーテルを留去した。
残留物を減圧蒸留し、215℃/ 2 w Ht の留
分を集める。シリカゲルカラムクロマトダラフイでベン
ゼン七溶媒として流し、得られたものをクロロホルムー
ア七トン混合溶媒を用いて再結晶を繰り返し、C5Hs
+o−o−C5Hy 9 ”k得た。
相転移温度 C譚夫−μび工 実施列2 C,Hsや曇←Cs Hlsの製造 実施IMJ I J:、 同FM K L ”CCtH
s−@−@−9−c、a、、 ’i得た。
相転移温度 。12!!cBl腎V臀工実施列3 CIHllや畳重C1iの製造 C5Ho−o−o−By 123 f t−乾燥へyセ
y300yyuに溶解し、窒素気152’Fに置き、こ
の攪拌下に15優n−ブチルリチウムを含むヘキサン溶
液250―を加え、室温で一夜攪拌を続けた。生成した
結晶を窒素気流下で濾過して集め、これをヘキサンを洗
浄しm乾燥シx5−srニーfsz500mJIICf
l!解した。このエーテル溶液を一5℃に冷却し、攪拌
しながら乾燥ピリジン32 f kゆりくり滴下し、そ
の後室温にもどし、3時間攪拌をつづけ友、このエーテ
ル#液を、臭素659”k溶解したテトラヒドロフラン
1.5 jに、−40℃、攪拌下に15分かけて加え、
その後室温で1時間攪拌金行なった。
反応抜水l!を加えよく攪拌した後、エーテル層を分取
し、これを水で3回洗浄した後、エーテル全留去し、比
残留物をシリカゲルカラムククマトグラフイでベンゼン
を溶媒として流し、得られたものをクロロホルム−アセ
トン混合溶媒を用いて再結晶してC1Hu−o−Go−
By  11.Oft得り。
相転移臨度 C−+8→S2→s、→1次に、シアン化
第−鋼2.1ft−乾燥N−メチル−2−ピクリドン5
0m1に加熱溶解し、これにC,Hl、−o−o@−B
r 4.5f t−加、t 2 時間加M、  還i 
した1反応後冷却し2反応混合物を水100ylLA’
に加え、沈殿を濾取した。これt塩化第二鉄15t。
塩酸5mA、水20惧!の溶液中に加え、攪拌した後沈
殿を濾取し九、この沈殿をクロロホルムに溶融し、1(
1%水酸化カリウム水溶液100mAで2回洗浄し、さ
らに水で洗浄した後りcroホルムを留去し九、残留物
を減圧蒸留し、230℃/ 2 WJH,の留分を集め
、これをエタノールで再結晶して Cs”o−o−o−o−CN 1 、Of t 得九。
実施列4 C5H11−o−o−o−CNノ製造 )◎−nra8ft乾燥ベンゼン140mJfC溶解し
、窒素気流下に置き、この攪拌下Vcx5%、n−プチ
ルリチウムを含むヘキサン溶液100mJを加え、室温
で一夜攪拌を続けた。生成した結晶を窒素気流下で濾過
して集め、これをヘキサンで洗浄した後、乾燥ジエチル
エーテル400mAに溶解した。このエーテル溶液を一
5℃に冷却し。
攪拌しながら乾燥ピリジン12.6f eゆっくり滴下
し、その後室温にもどし、3時間攪拌をつづけた。
再度−5℃に冷却し、これに乾燥テトラヒドロ7ラン8
00mAを加え、つづいてCIH111’f 22.7
f金15分かけて滴下し、その後室温で1時間攪拌を行
なった1反応抜水1!を加え、よく攪拌した後。
エーテル層ヲ分取し、これを水で3回洗浄した後。
エーテルを留去した。
残留物を減圧蒸留し、、 220℃/ 2 m Hzの
留分を集める。これをシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィでベンゼンtg媒として流し、得られたも(7) t
 工j’ / −k テFT結J& L/、 C5Hu
4−o−C9,0fを得た。
相転移温度 C腎S15 硫酸銀2.2 r 、 Ill硫[34mA、水4 m
 !f混合し、40℃で攪拌し溶解させ、室温にもどし
た後、粉末ヨウ素3.72を加え九m C1l”ll<
鰍(◎3.02を室温を保ったまま加え、その後2時間
攪拌した0反応混合物を水200rnJに徐々に加え。
亜硫酸す)IJウム259の水200mJi液を加え攪
拌した。沈殿を濾取し5%酸化カリウム水溶液500m
J中に加え、攪拌した後クロロホルムで抽出し、水で洗
浄した。
クロロホルムヲ留去し、残留物tクロロホルムーアセト
ン混合溶媒上用いて再結晶を繰り返し。
C,H1重−@−@−’Q)−工 1.52 を 得 
た。
相転移温度 015S凪へ・5解 次に、シアン化第−銅0.5 f ’ji乾燥N−メチ
ルー2−ピロリドン20mAに加熱溶解し、これにCa
H1s−U−))工1.2 f’を加え2時間加熱、還
mした1反応後冷却し1反応混合物を水50m!に加え
、これに塩化第二鉄5f塩酸5m!、水20ツの溶液金
加え攪拌した後、沈殿を濾取した。この沈殿をクロロホ
ルムに溶解し、’10%水酸化カリウム水溶H50mb
で2回洗浄した後クロロホルムを留去した。残留物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィでベンゼンt−溶媒と
して流し、得られ友ものをエタノールで再結晶して C11”11う−))CN O,’lt を得た91℃
145C255C C+−+Sm←−啼N←−ゆ 工 (尚、C,am、N、工はそれぞれ結晶相、スメクチッ
ク相、ネマチック相1等方a液体相を示す、) 以との実施列夫々と同様にして以下の化合物が製造でき
る。
CH,←◇−◎i◎−CH。
CH3−◎−o−o−Cz Hs CH,一つくづ◎−C,H。
CH3−o−◎1◎−C5H11 CH3−◎−◎iC→CIH13 CH3−)→〉(ト(7’E 15 CEI3−◎−◎108Cs H1r C2H@−◎←◎1◎−CH3 C2H5クー◎−D−CgHs C2H5−o−■→ニーCa He C2Hs −(=)−く=シー=輸=9−〇 藝Hts
C雪Hs−o÷昏Cy H15 C2H,−功→φ″″′!j;Fに虐H17Cs By
  O−@−@−CUs C3H,−包−◎6D−C2H5 C3H,−◎−◎10←C3H。
C3H7−◎−◎hか−C,H。
C3H,−◎−◎→ゆHC5”1l− C3H,−◎−◎−o−Cs Hri C3H,−◎→D1◎−C7H15 C3H7−唖ト◎薯◎−CロH17 C4He −@−@−*◎−CH1 C4H,−◎−訪1◎→C,H。
C4H,−◎−ト餐+C5Hy CiHsR)ベト(HCa He C,He−◇ベト(HCs H□、 C4Hs −◎−◎−o−Cs H1sC4H,−◎−
◎→◎−C7HII C,H,−◎−’O−i◎−cIH17Cs Hu −
)(ト(−〇 B 5 CBH11−◎づト(←C2H。
C3H11−◎−◎1◎−C3H。
C3H11←)イト(トC*He C3HII−◎−◎1◎−C5H11 C5”11←)(ト(HCa Hts CsHu−0←”n→O−Cy HtsC5H11−◎
−営←C’w Cs H17’:”l5H13べ)イト
−@−CH3CISH11÷◎→◎−C2H。
06HIB−めト◎−@−c s H7C6H13−ト
◎→◎−C4H。
C6H13−◎−◎−4N←CI$H11CISHIS
−◎0◇−◎−C6HLBC6H13−◎−”J刊D−
Cy HtsCs Tl 1m −(=〉−−〈=シー
省CチーCm H17C7H15−◎−◎1◎−CH5 C?H15−◎−◇→◎−C,H5 C?H15−◎−◎六◎−C3H7 C?Fi15−◎−◎1◎−C:4H。
C7H15−◎−◎−イD−CsHu C7H15−◎−◎1◎−C6H13 C7”115−◎−◎1◎−C7B15C7H1B−ト
◎→ゆ−CIH17 CIH17−◎−■→か−CH8 C8H17−◎−◎→ゆ−C,H。
CI”17−◎−◎1◎−C3E[。
CIHI?−◎→◇→ゆ−C4H。
C8H17−◎−◎−o−C6I11□CIH17−◎
−◎うひ−C1iH13C虐H17−Cト@−−C)−
CT Hl5CH3−◎−@−@−CN C2Es−◎−◎−1cN C3H7−@−◎→◎−CN C4H,−◎−ト(HCN C6H13−@−◎−C→CBJ C7H1B −◇−ト(トCN CIH17−@−◎−◎−CN NG  +◎−◎−C→Ca3 IC−◇−◎−fL’−C2N15 NG  −@−◎−C)−C3hy NC−◎−◎→◎−c4m。
NC−◎←◇1◎−”Is”11 NG  −◎−◎−C−C7HIIs NC←)(ト(HCs H17 〔発明の効果〕 以上に述べた如く、本発明の特徴は、極めて広いネマチ
ック液晶温度範囲、特に高い透明点を有する点にある。
これらは極少量の配合で、他の液晶混合系の液晶温度範
囲の拡大に役立つことは明らかである。
又1本発明に介在するピリジン環は、 B、8.Soh
gu6jgらによる1複素すの分子間相互作用1(Ja
pan Display ’83.,8より 7224
)と同様な効果ヲ訪起し、*気光学的諸特注の向とが期
待できる。
以   上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中R_1およびR_2は炭素数1〜8個のアルキル
    またはCNである、但しR_1およびR_2の少なくと
    も1個はアルキルである)で示されることを特徴とする
    ビフェニルピリジン誘導体。
JP62005849A 1987-01-13 1987-01-13 ビフエニルピリジン誘導体 Expired - Fee Related JP2534486B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3428986A1 (en) * 2004-07-07 2019-01-16 Universal Display Corporation Stable and efficient electroluminescent materials

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62242665A (ja) * 1986-04-15 1987-10-23 Chisso Corp ピリジン誘導体

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