JPS6317848A - 光学活性６−置換ナフタレン−２−カルボン酸エステル化合物および液晶 - Google Patents
光学活性６−置換ナフタレン−２−カルボン酸エステル化合物および液晶Info
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- JPS6317848A JPS6317848A JP61162383A JP16238386A JPS6317848A JP S6317848 A JPS6317848 A JP S6317848A JP 61162383 A JP61162383 A JP 61162383A JP 16238386 A JP16238386 A JP 16238386A JP S6317848 A JPS6317848 A JP S6317848A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な６−置換ナフタレン−２−カルボン酸エ
ステル化合物に関する。
ステル化合物に関する。
かかる６−置換ナフタレン−２−カルボン酸エステル化
合物は、液晶性化合物として有用である。
合物は、液晶性化合物として有用である。
液晶には、ネマチック液晶、スメクチック液晶、コレス
テリック液晶があるが、本発明の化合物はその内スメク
チック液晶、特に強誘電性を有し、表示素子材料として
有用なカイラルスメクチックＣ液晶である。 また、か
かるカイラルスメクチック液晶は、光プリンターヘッド
、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等の光エレクトロ
ニクス譜子にも使用可能である。
テリック液晶があるが、本発明の化合物はその内スメク
チック液晶、特に強誘電性を有し、表示素子材料として
有用なカイラルスメクチックＣ液晶である。 また、か
かるカイラルスメクチック液晶は、光プリンターヘッド
、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等の光エレクトロ
ニクス譜子にも使用可能である。
カイラルスメクチックＣｅ晶は、ピッチ長ざのかなり長
いらせん構造を有するが、そのらせん構造のピッチ長き
よりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分極を
示し、外部電場に対して極めて早い速度（１〜１００マ
イクロ秒）で応答し、かつメモリー性も示す（Ｎ、Ａ、
Ｃ１ａｒｋらＡｐｐ １．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ ｔ、、３
６．８９９（１９８０）参照）。
いらせん構造を有するが、そのらせん構造のピッチ長き
よりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分極を
示し、外部電場に対して極めて早い速度（１〜１００マ
イクロ秒）で応答し、かつメモリー性も示す（Ｎ、Ａ、
Ｃ１ａｒｋらＡｐｐ １．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ ｔ、、３
６．８９９（１９８０）参照）。
カイラルスメクチックＣ液晶の窩速の光スイツチング現
象を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素
子に比べて、遥かに窩速応答性の液晶表示素子の製作が
可能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ること
ができる。
象を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素
子に比べて、遥かに窩速応答性の液晶表示素子の製作が
可能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ること
ができる。
このようなカイラルスメクチ・ツクＣ４＆品としては、
ｐ−デシルオキシベンジリデン−ｐ゛−アミノ−２−メ
チルブチルシンナメート（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略称す
る）が知られている（Ｒ，Ｂ。
ｐ−デシルオキシベンジリデン−ｐ゛−アミノ−２−メ
チルブチルシンナメート（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略称す
る）が知られている（Ｒ，Ｂ。
Ｍｅｙｅｒら Ｊ、ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ ３昼
、Ｌ−６９（１９７５）参照）。
、Ｌ−６９（１９７５）参照）。
６−置換ナフタレン−２−カルボン酸エステル骨格を持
つネマチック液晶はいくつか報告されているが、スメク
チック液晶の例は少なく、特にスメクチックＣ液晶と同
定されているのは６−ｎ−アルコキシナフタレン−２−
カルボンＷ−４−−ｎ−フルコキシフェニルエステルが
殆ど唯一の例である（Ｄ、Ｃｏａｔｅｓ ａｎｄ Ｇ
、Ｗ、Ｇｒａｙ、Ｍｏ １．Ｃｒｙｓ ｔ、Ｌ ｉｑ、
Ｃｒｙｓ ｔ。
つネマチック液晶はいくつか報告されているが、スメク
チック液晶の例は少なく、特にスメクチックＣ液晶と同
定されているのは６−ｎ−アルコキシナフタレン−２−
カルボンＷ−４−−ｎ−フルコキシフェニルエステルが
殆ど唯一の例である（Ｄ、Ｃｏａｔｅｓ ａｎｄ Ｇ
、Ｗ、Ｇｒａｙ、Ｍｏ １．Ｃｒｙｓ ｔ、Ｌ ｉｑ、
Ｃｒｙｓ ｔ。
Ｖｏｌ、４１．ｐ１９７ （１９７８）参照）。
しかしながら、ＤＯＢＡＭＢＣはシッフ塩基構造を持つ
ために、水分に対して不安定であり、また桂皮酸のエチ
レン構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を
有する。 すなわち、耐候性が悪いため液晶として広範
に使用することができない。
ために、水分に対して不安定であり、また桂皮酸のエチ
レン構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を
有する。 すなわち、耐候性が悪いため液晶として広範
に使用することができない。
〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明者ら
は、耐候性に優れた新規なカイラルスメクチックＣＷ晶
性を示す化合物を提供することを目的として、鋭意検討
した結果、一般式（Ｉ）（式中、Ｒ□は炭素数４〜１８
のアルキル基を示し、Ｒ２は光学活性アルキル基、Ｘは
炭素原子または窒素原子を示す） で表わきれる、光学活性６−置換ナフタレン−２＝力ル
ボン酸エステル化合物を見い出し、ざらにかかる化合物
が、室温付近の温度範囲において目的とするカイラルス
メクチックＣ液晶となることを見い出し、本発明に到達
した。 また、かかる化合物は他の液晶性化合物との相
互溶解性がよいため、液晶組成物の一成分として用いれ
ば、液晶組成物のカイラルスメクチックＣ相の液晶温度
範囲の拡張に効果的である。一般式（Ｉ）におけるＲ＋
は炭素数４〜１８のアルキル基である。また、一般式（
Ｉ）におけるＲ２は光学活性アルキル基であり、好まし
く使用できるものとして光学活性２−メチルブチル基、
２−メチルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−メ
チルヘプチル基、２−メチルオクチル基、１−メチルプ
ロピル基、１−メチルブチル基、１−メチルペンチル基
、１−メチルヘキシル基、１−メチルヘプチル基、３−
メチルペンデル基、３−メチルヘキシル基、３−メチル
ヘプチル基、５−メチルヘプチル基などを例示すること
ができ、光学活性２−メチルブチル基の使用が特に好ま
しい。
は、耐候性に優れた新規なカイラルスメクチックＣＷ晶
性を示す化合物を提供することを目的として、鋭意検討
した結果、一般式（Ｉ）（式中、Ｒ□は炭素数４〜１８
のアルキル基を示し、Ｒ２は光学活性アルキル基、Ｘは
炭素原子または窒素原子を示す） で表わきれる、光学活性６−置換ナフタレン−２＝力ル
ボン酸エステル化合物を見い出し、ざらにかかる化合物
が、室温付近の温度範囲において目的とするカイラルス
メクチックＣ液晶となることを見い出し、本発明に到達
した。 また、かかる化合物は他の液晶性化合物との相
互溶解性がよいため、液晶組成物の一成分として用いれ
ば、液晶組成物のカイラルスメクチックＣ相の液晶温度
範囲の拡張に効果的である。一般式（Ｉ）におけるＲ＋
は炭素数４〜１８のアルキル基である。また、一般式（
Ｉ）におけるＲ２は光学活性アルキル基であり、好まし
く使用できるものとして光学活性２−メチルブチル基、
２−メチルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−メ
チルヘプチル基、２−メチルオクチル基、１−メチルプ
ロピル基、１−メチルブチル基、１−メチルペンチル基
、１−メチルヘキシル基、１−メチルヘプチル基、３−
メチルペンデル基、３−メチルヘキシル基、３−メチル
ヘプチル基、５−メチルヘプチル基などを例示すること
ができ、光学活性２−メチルブチル基の使用が特に好ま
しい。
本発明の一般式（Ｉ）の光学活性６−置換ナフタレン−
２−カルボン酸エステル化合物は、構造成分としてアゾ
メチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など水分や
光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエステル基
およびエーテル基のみから成り立っているので、非常に
優れた耐候性を有すると共に、室温付近の温度範囲でカ
イラルスメクチックＣＭ晶となるので、実用性が高い。
２−カルボン酸エステル化合物は、構造成分としてアゾ
メチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など水分や
光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエステル基
およびエーテル基のみから成り立っているので、非常に
優れた耐候性を有すると共に、室温付近の温度範囲でカ
イラルスメクチックＣＭ晶となるので、実用性が高い。
−ＩＧ式（Ｉ）の光学活性６−置換ナフタレン−２−カ
ルボン酸エステル化合物は、以下に述べる反応式に従っ
て合成することができる。
ルボン酸エステル化合物は、以下に述べる反応式に従っ
て合成することができる。
リ
一−−−−→ （Ｉ）
式（ＩＩ）の化合物を過剰量の塩化チオニルと数時間加
熱還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去
して、対応する酸塩化物（ＩＩＩ）を得る。 次に、酸
塩化物（ＩＩＩ）をベンゼン、トルエンなどの芳香族炭
化水素溶媒に溶かし、ピリジン、トリエチルアミンなど
の有機塩基化合物の存在下で６−ヒトロキシナフタレン
ー２−カルボン酸光学活性アルキルエステル（ＩＶ）と
室温又は加熱条件下で数時間反応きせることによって、
一般式（Ｉ）の化合物を合成する。 得られた粗製の化
合物（Ｉ）はカラムクロマトグラフィー、再結晶など書
法に従って精製する。
熱還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去
して、対応する酸塩化物（ＩＩＩ）を得る。 次に、酸
塩化物（ＩＩＩ）をベンゼン、トルエンなどの芳香族炭
化水素溶媒に溶かし、ピリジン、トリエチルアミンなど
の有機塩基化合物の存在下で６−ヒトロキシナフタレン
ー２−カルボン酸光学活性アルキルエステル（ＩＶ）と
室温又は加熱条件下で数時間反応きせることによって、
一般式（Ｉ）の化合物を合成する。 得られた粗製の化
合物（Ｉ）はカラムクロマトグラフィー、再結晶など書
法に従って精製する。
式（ＩＩ）の化合物でＸが窒素原子である場合は、公知
の方法（Ａ、１．Ｐａｖｌｕｃｈｅｎｋ。
の方法（Ａ、１．Ｐａｖｌｕｃｈｅｎｋ。
ら Ｍｏ１． Ｃｒｙｓｔ、 Ｌｉｑ、 Ｃｒ
ｙｓｔ。
ｙｓｔ。
３７巻 １−４号 ｐ、３５ （１９７６））により、
無水の炭素数４〜１８のアルコールを全屈ナトリウムと
反応きせて対応するアルコラードとし、このアルコラー
ドを６−クロルピリジン−３−力ルボン酸と反応させる
ことにより合成できる。
無水の炭素数４〜１８のアルコールを全屈ナトリウムと
反応きせて対応するアルコラードとし、このアルコラー
ドを６−クロルピリジン−３−力ルボン酸と反応させる
ことにより合成できる。
また、６−ヒトロキシビリジンー３−カルボン酸のアル
カリ金属塩をジメチルホルムアミドなどの極性非プロト
ン溶媒中で炭素数４〜１８のアルキルハライドと反応き
せることによっても合成可能である。 式（ＩＩ）の化
合物でＸが炭素原子である場合は、４−ヒドロキシ安息
香酸を水酸化カリウムのエタノール／水混合溶液中で炭
素数４〜１８のアルキルハライドと反応させることによ
って合成できる。
カリ金属塩をジメチルホルムアミドなどの極性非プロト
ン溶媒中で炭素数４〜１８のアルキルハライドと反応き
せることによっても合成可能である。 式（ＩＩ）の化
合物でＸが炭素原子である場合は、４−ヒドロキシ安息
香酸を水酸化カリウムのエタノール／水混合溶液中で炭
素数４〜１８のアルキルハライドと反応させることによ
って合成できる。
式（ＩＶ）の化合物は、６−ヒトロキシナフタレンー２
−カルボン酸（Ｖ）を硫酸触媒の存在下、所定の光学活
性アルコールでエステル化する方法あるいはヒドロキシ
基をベンジルエーテルとして保護した後、酸塩化物に変
換して所定の光学活性アルコールと反応きせ、保護基で
あるベンジルエーテルを水素化分解する方法などによっ
て容易に合成することができる。
−カルボン酸（Ｖ）を硫酸触媒の存在下、所定の光学活
性アルコールでエステル化する方法あるいはヒドロキシ
基をベンジルエーテルとして保護した後、酸塩化物に変
換して所定の光学活性アルコールと反応きせ、保護基で
あるベンジルエーテルを水素化分解する方法などによっ
て容易に合成することができる。
式（Ｖ）の６−ヒトロキシナフタレンー２−カルボン酸
はβ−ナフトールカリウム塩と二酸化炭素を反応させ方
法によって合成することができる（特開昭５７−９５９
３９号公報参照）、７ あるいは、別法として２−ブロ
ム−６−ヒドロキシナフタレン（Ｖｔ）のヒドロキシ基
をアルカリ条件下でジメチル硫酸によってメチル化して
２−ブロム−６−メトキシナフタレン（■）を得、ニト
ロベンゼン溶媒中無水塩化アルミニウム触媒の存在下で
塩化アセチルと反応させて２−アセチル−６−メトキシ
ナフタレン（■）とした後、ジオキサン溶媒中での次亜
臭累酸ナトリウムによる酸化によって６−メドキシナフ
タレンー２−カルボンＲ（ＩＸ）とする方法も実施可能
である。 化合物（ＩＸ）は酢酸溶媒中で臭化水素酸と
反応きせることによって、６−ヒトロキシナフタレンー
２−カルボン酸（Ｖ）に変換することができる（Ｑ、Ｗ
、Ｇ ｒ ａ ｙａｎｄ Ｂｒｙｎｍｏｒ Ｊｏｎｅｓ
、Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、 ｐ６７８ （１９５４）
参照）。
はβ−ナフトールカリウム塩と二酸化炭素を反応させ方
法によって合成することができる（特開昭５７−９５９
３９号公報参照）、７ あるいは、別法として２−ブロ
ム−６−ヒドロキシナフタレン（Ｖｔ）のヒドロキシ基
をアルカリ条件下でジメチル硫酸によってメチル化して
２−ブロム−６−メトキシナフタレン（■）を得、ニト
ロベンゼン溶媒中無水塩化アルミニウム触媒の存在下で
塩化アセチルと反応させて２−アセチル−６−メトキシ
ナフタレン（■）とした後、ジオキサン溶媒中での次亜
臭累酸ナトリウムによる酸化によって６−メドキシナフ
タレンー２−カルボンＲ（ＩＸ）とする方法も実施可能
である。 化合物（ＩＸ）は酢酸溶媒中で臭化水素酸と
反応きせることによって、６−ヒトロキシナフタレンー
２−カルボン酸（Ｖ）に変換することができる（Ｑ、Ｗ
、Ｇ ｒ ａ ｙａｎｄ Ｂｒｙｎｍｏｒ Ｊｏｎｅｓ
、Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、 ｐ６７８ （１９５４）
参照）。
また、化合物（■）のグリニヤール反応によって直接化
合物（ＩＸ）を合成することもできる（Ｆｒｉｅｓ
ａｎｄ Ｋ、Ｓｃｈｉｍｅｌｓｃｈｍｉｄｔ、Ｂｅｒ、
ｐ２８３５ （１９２５） 参照）。
合物（ＩＸ）を合成することもできる（Ｆｒｉｅｓ
ａｎｄ Ｋ、Ｓｃｈｉｍｅｌｓｃｈｍｉｄｔ、Ｂｅｒ、
ｐ２８３５ （１９２５） 参照）。
す
〔実施例〕
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定きれるものではない。
発明はこれらの実施例に限定きれるものではない。
実施例１
６−（６−−ｎ−オクチロキシピリジルー３−一カルボ
ニルオキシ）ナフタレン−２−カルボンａ（Ｓ）−２−
メチルブチルエステル（一般式％式％） ６−ヒトロキシナフタレンー２−カルボン酸１０．０ｇ
（０，０５３モル）、（Ｓ） −２−メチルブチルアル
コール１４．１ｇ （０，１６０モル）、濃硫酸０．５
２ｇおよびトルエン３０ｍ１の混合液を、副生水を共沸
除去しながら６時間加熱還流した。冷却後エーテル１０
０ｍ１を加えて生成エステルを抽出し、エーテル暦を５
％炭酸水素ナトリウム水溶液で２回洗浄した後水洗して
、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し
て得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーおよびｎ−ヘキサン／酢酸エチル／ベンゼン混合
溶媒からの再結晶によって精製し、６−ヒトロキシナフ
タレンー２−カルボン酸（Ｓ）−２−メチルブチルエス
テル８．９６ｇ（収率６５％）を得た。この化合物の融
点は８４〜５℃であった。
ニルオキシ）ナフタレン−２−カルボンａ（Ｓ）−２−
メチルブチルエステル（一般式％式％） ６−ヒトロキシナフタレンー２−カルボン酸１０．０ｇ
（０，０５３モル）、（Ｓ） −２−メチルブチルアル
コール１４．１ｇ （０，１６０モル）、濃硫酸０．５
２ｇおよびトルエン３０ｍ１の混合液を、副生水を共沸
除去しながら６時間加熱還流した。冷却後エーテル１０
０ｍ１を加えて生成エステルを抽出し、エーテル暦を５
％炭酸水素ナトリウム水溶液で２回洗浄した後水洗して
、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し
て得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーおよびｎ−ヘキサン／酢酸エチル／ベンゼン混合
溶媒からの再結晶によって精製し、６−ヒトロキシナフ
タレンー２−カルボン酸（Ｓ）−２−メチルブチルエス
テル８．９６ｇ（収率６５％）を得た。この化合物の融
点は８４〜５℃であった。
ｎ−オクチルアルコール１２５ｍ１に全屈ナトリウム１
．６１ｇ （０，０７モル）を加えてバＬはん溶解し
た後、６−クロルピリジン−３−カルボン酸５．ｏｇ
（０，０３２モル）を添加し１５０℃で１５時間加＃、
攪はんした。 得られた固体状生成物を分離し、ｎ−ヘ
キサン１５０ｍ１で洗浄機、酢酸５０ｍ１で再結晶精製
して、６−ｎ−オクチロキシピリジン−３−カルボン酸
６．３ｇ（収率７８％）を得た。 この化合物の融点は
９０〜９１℃であった。
．６１ｇ （０，０７モル）を加えてバＬはん溶解し
た後、６−クロルピリジン−３−カルボン酸５．ｏｇ
（０，０３２モル）を添加し１５０℃で１５時間加＃、
攪はんした。 得られた固体状生成物を分離し、ｎ−ヘ
キサン１５０ｍ１で洗浄機、酢酸５０ｍ１で再結晶精製
して、６−ｎ−オクチロキシピリジン−３−カルボン酸
６．３ｇ（収率７８％）を得た。 この化合物の融点は
９０〜９１℃であった。
この６−ｎ−オクチロキシピリジン−３−カルボン酸０
．６３ｇ （２，５ミリモル）を塩化チオニル６．０ｇ
に加え３時間加熱還流した後、未反応の塩化チオニルを
減圧留去した。 得られた粗製の酸塩化物をベンゼン１
０ｍ１に加えて溶解した後、６−ヒトロキシナフタレン
ー２−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチルブチルエステル
０．７７ｇ（３，０ミリモル）、トリエチルアミン０．
７６ｇ （７，５ミリモル）の混合物に室温で加えて、
３時間加熱還流した。放冷後反応混合物をろ過し、ろ液
を順次ｌＮ−ＨＣｌ、ｌＮ−ＮａＯＨおよび飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を
減圧留去して得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーおよびエタノール／ベンゼン混合溶媒から
の再結晶によって精製した。 得られた６−（６−−ｎ
−オクチロキシピリジルー３′−カルボニルオキシ）ナ
フタレン−２−カルボンＭ（Ｓ）−２−メチルブチルエ
ステルの収量は０．９３ｇで収率７６％であった。
．６３ｇ （２，５ミリモル）を塩化チオニル６．０ｇ
に加え３時間加熱還流した後、未反応の塩化チオニルを
減圧留去した。 得られた粗製の酸塩化物をベンゼン１
０ｍ１に加えて溶解した後、６−ヒトロキシナフタレン
ー２−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチルブチルエステル
０．７７ｇ（３，０ミリモル）、トリエチルアミン０．
７６ｇ （７，５ミリモル）の混合物に室温で加えて、
３時間加熱還流した。放冷後反応混合物をろ過し、ろ液
を順次ｌＮ−ＨＣｌ、ｌＮ−ＮａＯＨおよび飽和食塩水
で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 溶媒を
減圧留去して得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーおよびエタノール／ベンゼン混合溶媒から
の再結晶によって精製した。 得られた６−（６−−ｎ
−オクチロキシピリジルー３′−カルボニルオキシ）ナ
フタレン−２−カルボンＭ（Ｓ）−２−メチルブチルエ
ステルの収量は０．９３ｇで収率７６％であった。
この化合物の赤外吸収スペクトルを第１図に示す。マタ
、１ＨＮＭＲスペクト）Ｉｔ （ＣＤＣｌ２、ＴＭＳ内
部標準）のδ（ｐｐｍ）は下記の通りであった。
、１ＨＮＭＲスペクト）Ｉｔ （ＣＤＣｌ２、ＴＭＳ内
部標準）のδ（ｐｐｍ）は下記の通りであった。
６．７２〜９．０５ （ｍ、９Ｈ，ピリジン環およびナ
フタレン環） ４．４２ （ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，〇−Ω上ユＣＨ２
） ４．３０ （ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，０−ＣＨ−−ＣＨ
） ０．６〜２．２０ （ｍ、２４Ｈ） この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一散した。理論値（Ｃ３０Ｈ３７ＮＯｓとＬＴ
） Ｃ７３，２９％ ８７．５９％ Ｎ２．８５％
分析値 Ｃ７３，０％Ｈ７，６％ Ｎ ３．０％。
フタレン環） ４．４２ （ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，〇−Ω上ユＣＨ２
） ４．３０ （ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，０−ＣＨ−−ＣＨ
） ０．６〜２．２０ （ｍ、２４Ｈ） この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一散した。理論値（Ｃ３０Ｈ３７ＮＯｓとＬＴ
） Ｃ７３，２９％ ８７．５９％ Ｎ２．８５％
分析値 Ｃ７３，０％Ｈ７，６％ Ｎ ３．０％。
以上の分析データにより、この化合物を６−（６＝−ｎ
−オクチロキシピリジル−３′−力ルボニルオキシ）ナ
フタレン−２−カルボン酸（Ｓ）−２−メチルブチルエ
ステルと同定した。
−オクチロキシピリジル−３′−力ルボニルオキシ）ナ
フタレン−２−カルボン酸（Ｓ）−２−メチルブチルエ
ステルと同定した。
また、この化合物の融点は４２．２℃であり、降温時に
おいて下記の液晶相転移を示し、室温付近でモノトロピ
ックなカイラルスメクチックＣ相を有していた。
おいて下記の液晶相転移を示し、室温付近でモノトロピ
ックなカイラルスメクチックＣ相を有していた。
実施例２〜３
実施例１における６−ｎ−オクチロキシ−ピリジン−３
−カルボン酸を目的物に対応する６−ｎ−アルコキシピ
リジン−３−カルボン酸に変更した他は、実施例１と全
く同様にして下記の６−（６−−ｎ−アルコキシビリジ
ルー３′−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボ
ンｉ （Ｓ）−２−メチルブチルエステルを合成した
。
−カルボン酸を目的物に対応する６−ｎ−アルコキシピ
リジン−３−カルボン酸に変更した他は、実施例１と全
く同様にして下記の６−（６−−ｎ−アルコキシビリジ
ルー３′−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボ
ンｉ （Ｓ）−２−メチルブチルエステルを合成した
。
実施例２６−（６′−ｎ−ドブシロキシビリジルー３′
−カルボニルオキシ）ナフタレン−２＝カルボンａ（Ｓ
）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）において
Ｒ１＝ｃ ｒ２Ｈ＝ｓ、Ｒ，＝（Ｓ）−２−メチルブチ
ル、Ｘ＝Ｎ） 実施例３６−（６＝−ｎ−ヘキシロキシビリジルー３−
一カルポニルオキシ〕ナフタレン−２−カルボンＨｆｆ
（Ｓ）２−メチルブチルエステル（一般式ＣＩ）におい
てＲｘ＝Ｃ５Ｈｔｔ、Ｒ２＝（Ｓ）−２−メチルブチル
、Ｘ＝Ｎ） これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトル、”ＨＮ
ＭＲスペクトル（ＣＤＣ１ｘ、ＴＭＳ内部標準）および
元素分析によって行なった。
−カルボニルオキシ）ナフタレン−２＝カルボンａ（Ｓ
）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）において
Ｒ１＝ｃ ｒ２Ｈ＝ｓ、Ｒ，＝（Ｓ）−２−メチルブチ
ル、Ｘ＝Ｎ） 実施例３６−（６＝−ｎ−ヘキシロキシビリジルー３−
一カルポニルオキシ〕ナフタレン−２−カルボンＨｆｆ
（Ｓ）２−メチルブチルエステル（一般式ＣＩ）におい
てＲｘ＝Ｃ５Ｈｔｔ、Ｒ２＝（Ｓ）−２−メチルブチル
、Ｘ＝Ｎ） これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトル、”ＨＮ
ＭＲスペクトル（ＣＤＣ１ｘ、ＴＭＳ内部標準）および
元素分析によって行なった。
実施例２および３の化合物の液晶相転移温度の６１定結
果を、実施例１の結果と共に第１表に示す。
果を、実施例１の結果と共に第１表に示す。
実施例４〜６
実施例１における６−ｎ−オクチロキシピリジン−３−
カルボン酸を目的物に対応する４−ｎ−アルコキシ安思
香酸に変更した他は、実施例１と全く同様にして下記の
６−（４−−ｎ−アルコキシフェニル−１−一カルポニ
ルオキシ）ナフタレン−２−カルボンｕ （Ｓ）
２−メチルブチルエステルを合成した。
カルボン酸を目的物に対応する４−ｎ−アルコキシ安思
香酸に変更した他は、実施例１と全く同様にして下記の
６−（４−−ｎ−アルコキシフェニル−１−一カルポニ
ルオキシ）ナフタレン−２−カルボンｕ （Ｓ）
２−メチルブチルエステルを合成した。
実施例４６−（４′−ｎ−オクチロキシフェニル−１−
一カルポニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン９（Ｓ
）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）において
Ｒｓ ＝ Ｃｓ Ｈ１”、、Ｒ２＝（Ｓ） −２−メチ
ルブチル、Ｘ＝Ｃ）この化合物の赤外吸収スペクトルを
第２図に示す。 また、”ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ
１３、ＴＭＳ内部標準）のδ（ｐｐｍ）は下記の通りで
あった。
一カルポニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン９（Ｓ
）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）において
Ｒｓ ＝ Ｃｓ Ｈ１”、、Ｒ２＝（Ｓ） −２−メチ
ルブチル、Ｘ＝Ｃ）この化合物の赤外吸収スペクトルを
第２図に示す。 また、”ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ
１３、ＴＭＳ内部標準）のδ（ｐｐｍ）は下記の通りで
あった。
６．８０〜８．７０ （ｍ、ＩＯＨ，ベンゼン環および
ナフタレン環） ４．２５ （ＣｉＳＪ＝６Ｈｚ、２Ｈ，〇−Ω上ニーＣ
Ｈ） ４．０２ （ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，〇−ΩＨ。
ナフタレン環） ４．２５ （ＣｉＳＪ＝６Ｈｚ、２Ｈ，〇−Ω上ニーＣ
Ｈ） ４．０２ （ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，〇−ΩＨ。
−ＣＨｔ）
０．７〜２．２０ （ｍ、２４Ｈ）
この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。 理論値（ＣｘｔＨ１ｓＯ５として
） Ｃ７５，８９％ ８７．８１％ 分析値 Ｃ７
５，７％ Ｈ８，０％以上の分析データにより、この化
合物を６−（４”−ｎ−オクチロキシフェニル−１′−
カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸（Ｓ）
−２−メチルブチルエステルと同定した。
値と良く一致した。 理論値（ＣｘｔＨ１ｓＯ５として
） Ｃ７５，８９％ ８７．８１％ 分析値 Ｃ７
５，７％ Ｈ８，０％以上の分析データにより、この化
合物を６−（４”−ｎ−オクチロキシフェニル−１′−
カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸（Ｓ）
−２−メチルブチルエステルと同定した。
実施例５６−（４−−ｎ−ドブシロキシフェニル−１′
−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸 （
Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）におい
てＲ１＝ＣｔｚＨ：ｓ、Ｒ２＝（Ｓ）−２−メチルブチ
ル区Ｘ＝Ｃ） 実施例６６−（４−−ｎ−へキシロキシフェニル−１′
−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸 （
Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）におい
てＲ１” Ｃｓ Ｈｔ ｚ、Ｒ，＝（Ｓ）−２−メチル
ブチル、Ｘ＝Ｃ） 実施例４．５および６の化合物の液晶相転移温度の測定
結果を、第１表に示す。
−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸 （
Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）におい
てＲ１＝ＣｔｚＨ：ｓ、Ｒ２＝（Ｓ）−２−メチルブチ
ル区Ｘ＝Ｃ） 実施例６６−（４−−ｎ−へキシロキシフェニル−１′
−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸 （
Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）におい
てＲ１” Ｃｓ Ｈｔ ｚ、Ｒ，＝（Ｓ）−２−メチル
ブチル、Ｘ＝Ｃ） 実施例４．５および６の化合物の液晶相転移温度の測定
結果を、第１表に示す。
実施例７
実施例４の化合物を、厚き１μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムをスペーサとし、ＩＴＯガラスで構成
したセルに封入し、温度勾配法で配向させた。 Ｔｃ−
Ｔ＝５° （ＴｃはスメクチックＡ相からカイラルスメ
クチックＣ相への転移温度を示す）において三角波法（
ビーク高さ１００Ｖ、５Ｈｚ）で自発分極をδ１１定し
たところ、ＰＳ＝２．２ｎＣ／ｃｍ２とＤ ＯＢ Ａ
Ｍ Ｂ Ｃと同程度の値であった。
タレートフィルムをスペーサとし、ＩＴＯガラスで構成
したセルに封入し、温度勾配法で配向させた。 Ｔｃ−
Ｔ＝５° （ＴｃはスメクチックＡ相からカイラルスメ
クチックＣ相への転移温度を示す）において三角波法（
ビーク高さ１００Ｖ、５Ｈｚ）で自発分極をδ１１定し
たところ、ＰＳ＝２．２ｎＣ／ｃｍ２とＤ ＯＢ Ａ
Ｍ Ｂ Ｃと同程度の値であった。
また、ビーク高ざ２０Ｖ、ＩＨｚの矩形波を印加したと
ころ、応答時間４００マイクロ秒で迅速なスイッチング
が認められた。
ころ、応答時間４００マイクロ秒で迅速なスイッチング
が認められた。
実施例８
（液晶組成物）
実施例２の６−（６＝−ｎ−ドブシロキシビリジルー３
′−カルボニルオキシ）ナフタレン−２３−カルボンＭ
（Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）にお
いてＲＩ＝Ｃ１：！Ｈ２Ｓ、Ｒ２＝ （Ｓ）−２−メチ
ルブチル、Ｘ＝Ｎ）と下記構造式（Ｘ）の６−（４−−
ｎ−デシルビフェニル−４−カルボニルオキシ）ピリジ
ン−３−カルボンａ （Ｓ） ２−メチルブチルエ
ステルを等モル量混合して液晶組成物を調製した。
′−カルボニルオキシ）ナフタレン−２３−カルボンＭ
（Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）にお
いてＲＩ＝Ｃ１：！Ｈ２Ｓ、Ｒ２＝ （Ｓ）−２−メチ
ルブチル、Ｘ＝Ｎ）と下記構造式（Ｘ）の６−（４−−
ｎ−デシルビフェニル−４−カルボニルオキシ）ピリジ
ン−３−カルボンａ （Ｓ） ２−メチルブチルエ
ステルを等モル量混合して液晶組成物を調製した。
この液晶組成物の融点は４４．８℃であり、降温時の相
転移温度は下記の通りであって、室温付近でエナンチオ
トコピックなカイラルスメクチックＣ相を有していた。
転移温度は下記の通りであって、室温付近でエナンチオ
トコピックなカイラルスメクチックＣ相を有していた。
９５＠５６’ −３″′
Ｉ （液体）→ＳＡ−−→Ｓｃ’″−−→Ｃ（結晶）
なお、化合物（Ｘ）単独の降温時の相転移温度は下記の
通りである。
なお、化合物（Ｘ）単独の降温時の相転移温度は下記の
通りである。
一一→Ｃ（結晶）
実施例９
（液晶組成物）
実施例１の６−（６−−ｎ−オクチロキシビリジルー３
′−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルポン酸
（Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）にお
いてＲ□＝Ｃａ Ｈ１”、、Ｒ２＝（Ｓ） −２−メチ
ルブチル、Ｘ＝Ｎ）と実施例６の６−（４−−ｎ−へキ
シロキシフェニル−１′−カルボニルオキシ）ナフタレ
ン−２−カルボンａ（Ｓ）−２−メチルブチルエステル
（一般式％式％（） −メチルブチル、Ｘ＝Ｃ）を等モル量混合して液晶組成
物を調製した。
′−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルポン酸
（Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）にお
いてＲ□＝Ｃａ Ｈ１”、、Ｒ２＝（Ｓ） −２−メチ
ルブチル、Ｘ＝Ｎ）と実施例６の６−（４−−ｎ−へキ
シロキシフェニル−１′−カルボニルオキシ）ナフタレ
ン−２−カルボンａ（Ｓ）−２−メチルブチルエステル
（一般式％式％（） −メチルブチル、Ｘ＝Ｃ）を等モル量混合して液晶組成
物を調製した。
この液晶組成物の融点は４２℃であ４７、降温時の相転
移温度；よ下記の通りであって、室温付近でモノトロピ
ックなカイラルスメクチックＣ相を有していた。
移温度；よ下記の通りであって、室温付近でモノトロピ
ックなカイラルスメクチックＣ相を有していた。
実施例１０
（液晶組成物）
実施例３の６−（６′−ｎ−ドブシロキシビリジルー３
′−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸
（Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）にお
いてＲ１＝ＣＩ２８？ｊＳ、Ｒ２＝（Ｓ）−２−メチル
ブチル、Ｘ＝Ｎ）と実施例６の６−（４−−ｎ−へキシ
ロキシフェニル−１′−カルボニルオキシ）ナフタレン
−２−カルボンＨ（Ｓ）−２−メチルブチルエステル（
一般式％式％（） 一メチルブチル、Ｘ＝Ｃ）を等モル量混合して液晶組成
物を調製した。
′−カルボニルオキシ）ナフタレン−２−カルボン酸
（Ｓ）−２−メチルブチルエステル（一般式（Ｉ）にお
いてＲ１＝ＣＩ２８？ｊＳ、Ｒ２＝（Ｓ）−２−メチル
ブチル、Ｘ＝Ｎ）と実施例６の６−（４−−ｎ−へキシ
ロキシフェニル−１′−カルボニルオキシ）ナフタレン
−２−カルボンＨ（Ｓ）−２−メチルブチルエステル（
一般式％式％（） 一メチルブチル、Ｘ＝Ｃ）を等モル量混合して液晶組成
物を調製した。
この液晶組成物の融点は２２．６℃であり、降温時の相
転移温度は下記の通りであって、実施例６の化合物単独
ではカイラルスメクチックＣ相を持たないにもかかわら
ず、混合物にすることにより室温付近でモノトロピック
なカイラルスメクチックＣ相を有していた。
転移温度は下記の通りであって、実施例６の化合物単独
ではカイラルスメクチックＣ相を持たないにもかかわら
ず、混合物にすることにより室温付近でモノトロピック
なカイラルスメクチックＣ相を有していた。
本発明によれば、新規な６−置換ナフタレン−２−カル
ボン酸エステル化合物を提供できる。また、本発明の化
合物は水分や光に対して安定であり、優れた耐候性を有
すると共に室温付近の温度範囲でカイラルスメクチック
ＣＪＦＩ晶となる。
ボン酸エステル化合物を提供できる。また、本発明の化
合物は水分や光に対して安定であり、優れた耐候性を有
すると共に室温付近の温度範囲でカイラルスメクチック
ＣＪＦＩ晶となる。
第１図は実施例１の化合物である６−（６−−ｎ−オク
チロキシビリジルー３′−カルボニルオキシ）ナフタレ
ン−２−カルボンｇ（Ｓ）−２−メチルブチルエステル
、第２図は実施例４の化合物である６−（４−−ｎ−オ
クチロキシフェニル−１′−カルボニルオキシ）ナフタ
レン−２−カルボン酸 （Ｓ）２−メチルブチルエステ
ルの赤外吸収スペクトルのチャートである。 特許出願大東し株式会社 １１４！ｇ鴨蔓
チロキシビリジルー３′−カルボニルオキシ）ナフタレ
ン−２−カルボンｇ（Ｓ）−２−メチルブチルエステル
、第２図は実施例４の化合物である６−（４−−ｎ−オ
クチロキシフェニル−１′−カルボニルオキシ）ナフタ
レン−２−カルボン酸 （Ｓ）２−メチルブチルエステ
ルの赤外吸収スペクトルのチャートである。 特許出願大東し株式会社 １１４！ｇ鴨蔓
Claims (3)
- （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数４〜１８のアルキル基を示し、
Ｒ＿２は光学活性アルキル基、Ｘは炭素原子または窒素
原子を示す） で表わされる、光学活性６−置換ナフタレン−２−カル
ボン酸エステル化合物。 - （２）一般式（ I ）のＲ＿２が光学活性な２−メチル
ブチル基である特許請求の範囲第１項記載の光学活性６
−置換ナフタレン−２−カルボン酸エステル化合物。 - （３）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数４〜１８のアルキル基を示し、
Ｒ＿２は光学活性アルキル基、Ｘは炭素原子または窒素
原子を示す） で表わされる、光学活性６−置換ナフタレン−２−カル
ボン酸エステル化合物からなる液晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162383A JPS6317848A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 光学活性６−置換ナフタレン−２−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162383A JPS6317848A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 光学活性６−置換ナフタレン−２−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6317848A true JPS6317848A (ja) | 1988-01-25 |
Family
ID=15753536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61162383A Pending JPS6317848A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | 光学活性６−置換ナフタレン−２−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6317848A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02191240A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-27 | Adeka Argus Chem Co Ltd | 光学活性なナフチルエステル化合物 |
| US5061399A (en) * | 1986-04-28 | 1991-10-29 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Optically active naphthalene compounds and liquid crystal materials and devices incorporating them |
| US5072021A (en) * | 1986-12-26 | 1991-12-10 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Optically active naphthalene derivatives |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP61162383A patent/JPS6317848A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5061399A (en) * | 1986-04-28 | 1991-10-29 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Optically active naphthalene compounds and liquid crystal materials and devices incorporating them |
| US5072021A (en) * | 1986-12-26 | 1991-12-10 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Optically active naphthalene derivatives |
| JPH02191240A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-27 | Adeka Argus Chem Co Ltd | 光学活性なナフチルエステル化合物 |
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