JPS63264573A - 光学活性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化合物および液晶 - Google Patents
光学活性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化合物および液晶Info
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- JPS63264573A JPS63264573A JP62100417A JP10041787A JPS63264573A JP S63264573 A JPS63264573 A JP S63264573A JP 62100417 A JP62100417 A JP 62100417A JP 10041787 A JP10041787 A JP 10041787A JP S63264573 A JPS63264573 A JP S63264573A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は新規な６−置換−ビリジン−３−カルボン酸エ
ステル化合物に関する。
ステル化合物に関する。
かかる６−置換−ビリジン−３−カルボン酸エステル化
合物は、液晶性化合物として有用である。
合物は、液晶性化合物として有用である。
液晶には、ネマチック液晶、スメクチック液晶、コレス
テリック液晶があるが、本発明の化合物はその内スメク
チック液晶、特に強訪電性を有し、表示素子材料として
有用なカイラルスメクチックＣ液晶である。
テリック液晶があるが、本発明の化合物はその内スメク
チック液晶、特に強訪電性を有し、表示素子材料として
有用なカイラルスメクチックＣ液晶である。
カイラルスメクチックｃＦｐｉ晶は、ピッチ長ざのかな
り長いらせん構造を有するが、そのらせん構造のピッチ
長ざよりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分
極を示し、外部電場に対して極めて早い速度（１〜１０
０マイクロ秒）で応答し、かつメモリー性も示す（Ｎ、
Ａ、Ｃ１ａｒｋらＡｐｐ １．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ ｔ、
、３６．８９９（１９８０）参照）。
り長いらせん構造を有するが、そのらせん構造のピッチ
長ざよりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分
極を示し、外部電場に対して極めて早い速度（１〜１０
０マイクロ秒）で応答し、かつメモリー性も示す（Ｎ、
Ａ、Ｃ１ａｒｋらＡｐｐ １．Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ ｔ、
、３６．８９９（１９８０）参照）。
カイラルスメクチックＣ液晶の高速の光スイッング現象
を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素子
に比べて、みかに高速応答性の液晶表示素子の製作が可
能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ることが
できる。
を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素子
に比べて、みかに高速応答性の液晶表示素子の製作が可
能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ることが
できる。
このようなカイラルスメクチックＣ液晶としては、ｐ−
デシルオキシベンジリデン−ｐ”−アミノ−２−メチル
ブチルシンナメート（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略称する）
が知られている（Ｒ，Ｂ。
デシルオキシベンジリデン−ｐ”−アミノ−２−メチル
ブチルシンナメート（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略称する）
が知られている（Ｒ，Ｂ。
ＭｅｙＢｒら Ｊ、ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ ３旦
、Ｌ−６９（１９７５）参照）。
、Ｌ−６９（１９７５）参照）。
ピリジン環を有する液晶は、従来ネマチック液晶材料と
していくつか報告されている（特開昭５８−１２１２７
２号公報、特開昭６０−１６３８６４号公報、特開昭６
０−１６３８６５号公報など参照）が、スメクチック液
晶を示すものの例は少なく、スメクチックＣと同定され
た化合物はほとんど知られていない。
していくつか報告されている（特開昭５８−１２１２７
２号公報、特開昭６０−１６３８６４号公報、特開昭６
０−１６３８６５号公報など参照）が、スメクチック液
晶を示すものの例は少なく、スメクチックＣと同定され
た化合物はほとんど知られていない。
しかしながら、ＤＯＢＡＭＢＣはシッフ塩基構造を持つ
ために、水分に対して不安定であり、桂皮酸のエチレン
構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を有す
るので、液晶として広範に使用することができない。
また、高速スイッチング現象が可能になるカイラルスメ
クチックＣ相の温度範囲が室温より高く、実用的ではな
い。
ために、水分に対して不安定であり、桂皮酸のエチレン
構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を有す
るので、液晶として広範に使用することができない。
また、高速スイッチング現象が可能になるカイラルスメ
クチックＣ相の温度範囲が室温より高く、実用的ではな
い。
〔問題を解決するための手段および作用〕本発明者らは
、耐候性に優れ、かつ室温域でカイラルスメクチックＣ
液晶性を示す新規な化合物を提供することを目的として
、鋭意検討した結果、一般式（Ｉ） （式中、Ｒ１は炭素数６〜１８のアルキル基を示し、Ｒ
２は光学活性アルキル基を示す）で表わされる、光学活
性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化合物
を見い出し、ざらにかかる化合物が、室温付近の温度範
囲において目的とするカイラルスメクチックＣ液晶とな
ることを見い出し、本発明に到達した。 また、かかる
化合物は他の液晶性化合物との相溶性がよいため液晶組
成物の一成分として用いれば、液晶組成物のカイラルス
メクチックＣ相の温度範囲の拡張に効果的である。 一
般式（Ｉ）におけるＲ１は炭素数６〜１８のアルキル基
である。また、一般式（Ｉ）におけるＲ２は光学活性ア
ルキル基であり、好ましく使用できるものとして光学活
性２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、２−メ
チルヘキシル基、２−メチルへブチル基、２−メチルオ
クチル基、１−メチルプロピル基、１−メチルブチル基
、１−メチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、１−
メチルへブチル基、３−メチルペンチル基、３−メチル
ヘキシル基、３−メチルヘプチル基、５−メチルへブチ
ル基などを例示することができ、光学活性２−メチルブ
チル基の使用が特に好ましい。
、耐候性に優れ、かつ室温域でカイラルスメクチックＣ
液晶性を示す新規な化合物を提供することを目的として
、鋭意検討した結果、一般式（Ｉ） （式中、Ｒ１は炭素数６〜１８のアルキル基を示し、Ｒ
２は光学活性アルキル基を示す）で表わされる、光学活
性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化合物
を見い出し、ざらにかかる化合物が、室温付近の温度範
囲において目的とするカイラルスメクチックＣ液晶とな
ることを見い出し、本発明に到達した。 また、かかる
化合物は他の液晶性化合物との相溶性がよいため液晶組
成物の一成分として用いれば、液晶組成物のカイラルス
メクチックＣ相の温度範囲の拡張に効果的である。 一
般式（Ｉ）におけるＲ１は炭素数６〜１８のアルキル基
である。また、一般式（Ｉ）におけるＲ２は光学活性ア
ルキル基であり、好ましく使用できるものとして光学活
性２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、２−メ
チルヘキシル基、２−メチルへブチル基、２−メチルオ
クチル基、１−メチルプロピル基、１−メチルブチル基
、１−メチルペンチル基、１−メチルヘキシル基、１−
メチルへブチル基、３−メチルペンチル基、３−メチル
ヘキシル基、３−メチルヘプチル基、５−メチルへブチ
ル基などを例示することができ、光学活性２−メチルブ
チル基の使用が特に好ましい。
また、一般式（Ｉ）におけるＲ２の光学活性アルキル基
は、炭素鎖中の炭素原子の一部が酸素原子で置換されて
いてもよい。 このような光学活性基で好ましく使用で
きるものとしては、２−メトキシプロピル基、２−エト
キシプロピル基、２−プロポキシプロピル基、２−ブト
キシプロピル基、２−ベンチロキシプロピル基、２−へ
キシロキシプロピル基等を挙げることができる。
は、炭素鎖中の炭素原子の一部が酸素原子で置換されて
いてもよい。 このような光学活性基で好ましく使用で
きるものとしては、２−メトキシプロピル基、２−エト
キシプロピル基、２−プロポキシプロピル基、２−ブト
キシプロピル基、２−ベンチロキシプロピル基、２−へ
キシロキシプロピル基等を挙げることができる。
本発明の一般式（Ｉ）の光学活性６−置換−ビリジン−
３−カルボン酸エステル化合物は、構造成分としてアゾ
メチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など水分や
光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエステル基
およびエーテル基のみから成り立っているので、非常に
優れた耐候性を有すると共に、室温付近の温度範囲でカ
イラルスメクチックＣ液晶となるので、実用性が高い。
３−カルボン酸エステル化合物は、構造成分としてアゾ
メチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニル基など水分や
光に対して不安定な官能基を持たず、安定なエステル基
およびエーテル基のみから成り立っているので、非常に
優れた耐候性を有すると共に、室温付近の温度範囲でカ
イラルスメクチックＣ液晶となるので、実用性が高い。
一般式（Ｉ）の光学活性６−置換−ビリジンー３−カル
ボン酸エステル化合物は、以下に述べる反応式に従って
合成することができる。
ボン酸エステル化合物は、以下に述べる反応式に従って
合成することができる。
Ｒ工０（旨０ｔ（
（■）
〇
一一一−−−→ （Ｉ）
式（旧の化合物を過剰量の塩化チオニルと数時間加熱還
流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去して
、対応する酸塩化物（ｌ■）を得る。 次に、酸塩化物
（ＩＩＩ）をベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素
溶媒に溶かし、ピリジン、トリエチルアミンなどの有機
塩基化合物の存在下で６−ヒドロギシニコチン酸光学活
性アルキルエステル（ＩＶ）と室温又は加熱条件下で数
時間反応きせることによって、一般式（Ｉ）の化合物を
合成する。 得られた粗製の化合物（Ｉ）はカラムクロ
マトグラフィー、再結晶など常法に従って精製する。
流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去して
、対応する酸塩化物（ｌ■）を得る。 次に、酸塩化物
（ＩＩＩ）をベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素
溶媒に溶かし、ピリジン、トリエチルアミンなどの有機
塩基化合物の存在下で６−ヒドロギシニコチン酸光学活
性アルキルエステル（ＩＶ）と室温又は加熱条件下で数
時間反応きせることによって、一般式（Ｉ）の化合物を
合成する。 得られた粗製の化合物（Ｉ）はカラムクロ
マトグラフィー、再結晶など常法に従って精製する。
また、式（ＩＩ）の化合物は常法に従って、エタノール
と水酸化カリウム水溶液中で炭素数６〜１８のアルキル
ハライド好ましくはアルキルブロマイドと４−ヒドロキ
シ安息香酸を反応させて、４−アルコキシ安息香酸カリ
ウム塩とし、塩酸などで酸性にすることによって容易に
合成することができる。
と水酸化カリウム水溶液中で炭素数６〜１８のアルキル
ハライド好ましくはアルキルブロマイドと４−ヒドロキ
シ安息香酸を反応させて、４−アルコキシ安息香酸カリ
ウム塩とし、塩酸などで酸性にすることによって容易に
合成することができる。
式（ＩＶ）の化合物は、６−ヒドロキシニコチン酸を硫
酸触媒の存在下、所定の光学活性アルコールでエステル
化する方法あるいはヒドロキシ基をベンジルエーテルと
して保護した後、酸塩化物に変換して所定の光学活性ア
ルコールと反応させ、保護基であるベンジルエーテルを
水素化分解する方法などによって容易に合成することが
できる。
酸触媒の存在下、所定の光学活性アルコールでエステル
化する方法あるいはヒドロキシ基をベンジルエーテルと
して保護した後、酸塩化物に変換して所定の光学活性ア
ルコールと反応させ、保護基であるベンジルエーテルを
水素化分解する方法などによって容易に合成することが
できる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
６−（４′−ｎ−ドブシロキシベンゾイルオキシ）ピリ
ジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチルブチルエス
テル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝ＣｒｚＨａｓ、Ｒ２
＝ （Ｓ） −２−メチルブチル）６−ヒドロキシニコ
チン酸２０．０ｇ （０，１４４モル）、 （Ｓ）−２
−メチルブチルアルコール３７．９５ｇ （０，４３１
モル）、濃硫酸８゜９ｍｌおよびトルエン７０ｍ１の混
合液を、副生水を共沸除去しながら１０時間加熱還流し
た。
ジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチルブチルエス
テル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝ＣｒｚＨａｓ、Ｒ２
＝ （Ｓ） −２−メチルブチル）６−ヒドロキシニコ
チン酸２０．０ｇ （０，１４４モル）、 （Ｓ）−２
−メチルブチルアルコール３７．９５ｇ （０，４３１
モル）、濃硫酸８゜９ｍｌおよびトルエン７０ｍ１の混
合液を、副生水を共沸除去しながら１０時間加熱還流し
た。
冷却後クロロホルム２００ｍ１を加えて生成エステルを
抽出し、クロロホルム層を５％炭酸ナトリウム水溶液で
２回洗浄した後水洗して、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。 溶媒を減圧留去して得られた粗生成物を、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーおよびｎ−ヘキサン／
酢酸エチル混合溶媒からの再結晶によって精製し、６−
ヒドロキシニコチン酸 （Ｓ）−２−メチルブチルエス
テル１４．１４ｇ （収率４７％）を得た。 この化合
物の融点は１０３〜４℃であった。
抽出し、クロロホルム層を５％炭酸ナトリウム水溶液で
２回洗浄した後水洗して、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。 溶媒を減圧留去して得られた粗生成物を、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーおよびｎ−ヘキサン／
酢酸エチル混合溶媒からの再結晶によって精製し、６−
ヒドロキシニコチン酸 （Ｓ）−２−メチルブチルエス
テル１４．１４ｇ （収率４７％）を得た。 この化合
物の融点は１０３〜４℃であった。
４−ｎ−ドブシロキシ安息香酸０．９２ｇ （３゜０ミ
リモル）を塩化チオニル４ｍｌに加えて、２時間加熱還
流した後、未反応の塩化チオニルを減圧下で留去した。
リモル）を塩化チオニル４ｍｌに加えて、２時間加熱還
流した後、未反応の塩化チオニルを減圧下で留去した。
得られた粗製の酸塩化物をベンゼン１０ｍ１に加えて
溶解した後、６−ヒドロキシニコチン酸 （Ｓ）−２−
メチルブチルエステル０．８４−ｇ （４，０ミリモル
）、トリエチル、アミン２．０２ｇ （２０ミリモル）
およびベンゼン５ｍｌの混合物に室温で加えて、４時間
加熱還流した。 放冷後、反応混合物をろ過し、ろ液を
順次ｌＮＨＣｌ、ｌＮＮａＯＨおよび飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶解した後、６−ヒドロキシニコチン酸 （Ｓ）−２−
メチルブチルエステル０．８４−ｇ （４，０ミリモル
）、トリエチル、アミン２．０２ｇ （２０ミリモル）
およびベンゼン５ｍｌの混合物に室温で加えて、４時間
加熱還流した。 放冷後、反応混合物をろ過し、ろ液を
順次ｌＮＨＣｌ、ｌＮＮａＯＨおよび飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
溶媒を減圧留去して得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーおよびエタノール／水混合溶媒か
らの再結晶によって精製した。 ６−（４’−ｎ−ドブ
シロキシベンゾイルオキシ）ピリジン−３−カルボン酸
（Ｓ）−２−メチルブチルエステルの収量は０．６０
ｇで収率４０％であった。 この化合物の赤外吸収スペ
クトルを第１図に示す。 また、”ＨＮＭＲスペクトル
（ＣＤ Ｃｌ ｇ、ＴＭＳ内部標準）のδ（ｐｐｍ）は
下記の通りであった。
ムクロマトグラフィーおよびエタノール／水混合溶媒か
らの再結晶によって精製した。 ６−（４’−ｎ−ドブ
シロキシベンゾイルオキシ）ピリジン−３−カルボン酸
（Ｓ）−２−メチルブチルエステルの収量は０．６０
ｇで収率４０％であった。 この化合物の赤外吸収スペ
クトルを第１図に示す。 また、”ＨＮＭＲスペクトル
（ＣＤ Ｃｌ ｇ、ＴＭＳ内部標準）のδ（ｐｐｍ）は
下記の通りであった。
６．８９〜９．０７ （ｍ、７Ｈ，ピリジン環およびベ
ンゼン環） ４．２１ （ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，０−ＣＨ−−Ｃ
Ｈ） ４．０３ （ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ１０−ＣＨ−ＣＨｘ
） ０．７〜２．１ （ｍ、３２Ｈ） この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。 理論値（ＣｉｏＨａｔＮＯ５とし
ｒ） Ｃ７２，４０％ Ｈ８，７１％ Ｎ２．８１
％ 分析値 Ｃ７２，３％Ｈ８，８％ Ｎ ２．７％。
ンゼン環） ４．２１ （ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，０−ＣＨ−−Ｃ
Ｈ） ４．０３ （ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ１０−ＣＨ−ＣＨｘ
） ０．７〜２．１ （ｍ、３２Ｈ） この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。 理論値（ＣｉｏＨａｔＮＯ５とし
ｒ） Ｃ７２，４０％ Ｈ８，７１％ Ｎ２．８１
％ 分析値 Ｃ７２，３％Ｈ８，８％ Ｎ ２．７％。
以上の分析データにより、この化合物を６−（４＝−ｎ
−ドブシロキシベンゾイルオキシ）ピリジン−３−カル
ボン酸 （Ｓ）−２−メチルブチルエステルと同定した
。
−ドブシロキシベンゾイルオキシ）ピリジン−３−カル
ボン酸 （Ｓ）−２−メチルブチルエステルと同定した
。
また、この化合物は、下記の液晶相転移を示し、室温付
近でモノトロピックなカイラルスメクチックＣ相を有し
ていた。
近でモノトロピックなカイラルスメクチックＣ相を有し
ていた。
実施例２〜５
実施例１における４−ｎ−ドブシロキシ安息香酸を目的
物に対応する４−ｎ−アルコキシ安息香酸に変更した他
は実施例１と全く同様にして、下記の６−（４−−ｎ−
アルコキシベンゾイルオキシ）ピリジン−３−カルボン
酸 （Ｓ） −２−メチルブチルエステルを合成した。
物に対応する４−ｎ−アルコキシ安息香酸に変更した他
は実施例１と全く同様にして、下記の６−（４−−ｎ−
アルコキシベンゾイルオキシ）ピリジン−３−カルボン
酸 （Ｓ） −２−メチルブチルエステルを合成した。
実に例２ ６− （４’ −ｎ−へキシロキシベンゾイ
ルオキシ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メ
チルブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲｓ ”
Ｃ６Ｈｓ ３、Ｒ１Ｌ＝ （Ｓ）−２−メチルブチル） 実施例３６−（４”−ｎ−オクチロキシベンゾイルオキ
シ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチルブ
チルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝ Ｃｅ Ｈ
ｓフ、Ｒｔ＝ （Ｓ） ２−メチルブチル） 実施例４６−（４−−ｎ−デシロキシベンゾイルオキシ
）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチルブチ
ルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ、＝ Ｃｔ。Ｈｔ
ｌ、Ｒ５Ｌ＝ （Ｓ） −２−メチルブチル） 実施例５６−（４−−ｎ−ヘキサデシロキシベンゾイル
オキシ）ピリジン−３−カルボン酸（Ｓ）−２−メチル
ブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝Ｃｌ１；
Ｒ１３、Ｒｔ＝（Ｓ） ２−メチルブチル） これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトル、’ＨＮ
ＭＲスペクトル（ＣＤＣ１ｘ、ＴＭＳ内部標準）および
元素分析によって行なった。
ルオキシ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メ
チルブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲｓ ”
Ｃ６Ｈｓ ３、Ｒ１Ｌ＝ （Ｓ）−２−メチルブチル） 実施例３６−（４”−ｎ−オクチロキシベンゾイルオキ
シ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチルブ
チルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝ Ｃｅ Ｈ
ｓフ、Ｒｔ＝ （Ｓ） ２−メチルブチル） 実施例４６−（４−−ｎ−デシロキシベンゾイルオキシ
）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチルブチ
ルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ、＝ Ｃｔ。Ｈｔ
ｌ、Ｒ５Ｌ＝ （Ｓ） −２−メチルブチル） 実施例５６−（４−−ｎ−ヘキサデシロキシベンゾイル
オキシ）ピリジン−３−カルボン酸（Ｓ）−２−メチル
ブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝Ｃｌ１；
Ｒ１３、Ｒｔ＝（Ｓ） ２−メチルブチル） これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトル、’ＨＮ
ＭＲスペクトル（ＣＤＣ１ｘ、ＴＭＳ内部標準）および
元素分析によって行なった。
実施例２〜５の化合物の液晶相転移の測定結果を、実施
例１の結果と共に第１表に示す。
例１の結果と共に第１表に示す。
（以下余白）
第１表
実施例６
６−（４−−ｎ−デシロキシベンゾイルオキシ）ピリジ
ン−３−カルボン酸 （Ｓ） −２−ブトキシプロピル
エステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝ Ｃｔ ｏ Ｈ
ｔ ｔ、Ｒｚ＝ （Ｓ） ２−ブトキシプロピル） （Ｓ）−２−メチルブチルアルコールの代わりに、（Ｓ
）−乳酸エチルエステルから合成した（Ｓ） −２−ブ
トキシ−１−プロパツールを用いた以外は実施例４と全
く同様にして、表題の化合物を合成した。 この化合物
の同定は、赤外吸収スペクトル、’ＨＮＭＲスペクトル
（ＣＤＣ１３、ＴＭＳ内部標準）および元素分析によっ
て行った。
ン−３−カルボン酸 （Ｓ） −２−ブトキシプロピル
エステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝ Ｃｔ ｏ Ｈ
ｔ ｔ、Ｒｚ＝ （Ｓ） ２−ブトキシプロピル） （Ｓ）−２−メチルブチルアルコールの代わりに、（Ｓ
）−乳酸エチルエステルから合成した（Ｓ） −２−ブ
トキシ−１−プロパツールを用いた以外は実施例４と全
く同様にして、表題の化合物を合成した。 この化合物
の同定は、赤外吸収スペクトル、’ＨＮＭＲスペクトル
（ＣＤＣ１３、ＴＭＳ内部標準）および元素分析によっ
て行った。
この化合物は下記の液晶相転移を示した。
なお、 （Ｓ）−２−ブトキシ−１−プロパツールの合
成は下記の方法で行フた。
成は下記の方法で行フた。
（Ｓ）−乳酸エチルエステル３５．４ｇ （０゜３モル
）とヨウ化ｎ−ブチル１４７．２ｇ （０゜８モル）の
混合物に酸化銀９２．８ｇ （０，４モル）を添加して
、室温で３日間攪拌した。 酸化銀をろ別し、ろ液を濃
縮後蒸留することによって、（Ｓ）−２−ブトキシプロ
ピオン酸エチルエステル（ｂ、 ｐ、 ９３℃／２４ｍ
ｍＨｇ） ３０．６ｇ（０，１８モル）を得た。 窒素
置換したフラスコに水素化リチウムアルミニウム３．８
ｇ （０゜１モル）を秤り取り、乾燥エーテル１００ｍ
１を加えて、室温で攪拌しながら（Ｓ）−２−ブトキシ
プロピオン酸エチルエステル２２．７ｇ （０゜１３モ
ル）を２０分間で滴下した。 室温で１時間攪拌を続け
た後、水３．６ｍｌ、１５％水酸化ナトリウム水溶液３
．６ｍｌ水１０．８ｍｌを順次滴下し、３０分間攪拌し
た。 生成した酸化アルミニウムをろ別した後、ろ液を
濃縮し蒸留することによって、（Ｓ）−２−ブトキシ−
１−プロパツール（９２℃／３９ｍｍＨｇ）１３．５ｇ
を得た。
）とヨウ化ｎ−ブチル１４７．２ｇ （０゜８モル）の
混合物に酸化銀９２．８ｇ （０，４モル）を添加して
、室温で３日間攪拌した。 酸化銀をろ別し、ろ液を濃
縮後蒸留することによって、（Ｓ）−２−ブトキシプロ
ピオン酸エチルエステル（ｂ、 ｐ、 ９３℃／２４ｍ
ｍＨｇ） ３０．６ｇ（０，１８モル）を得た。 窒素
置換したフラスコに水素化リチウムアルミニウム３．８
ｇ （０゜１モル）を秤り取り、乾燥エーテル１００ｍ
１を加えて、室温で攪拌しながら（Ｓ）−２−ブトキシ
プロピオン酸エチルエステル２２．７ｇ （０゜１３モ
ル）を２０分間で滴下した。 室温で１時間攪拌を続け
た後、水３．６ｍｌ、１５％水酸化ナトリウム水溶液３
．６ｍｌ水１０．８ｍｌを順次滴下し、３０分間攪拌し
た。 生成した酸化アルミニウムをろ別した後、ろ液を
濃縮し蒸留することによって、（Ｓ）−２−ブトキシ−
１−プロパツール（９２℃／３９ｍｍＨｇ）１３．５ｇ
を得た。
実施例７
６−（４′−ｎ−デシロキシベンゾイルオキシ）ピリジ
ン−３−カルボン酸 （Ｓ） −２−エトキシプロピル
エステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝Ｃ１゜Ｉ（ｚｔ
、Ｒ４＝（Ｓ） ２−エトキシプロピル） （Ｓ）−２−二トキシ−１−プロパツールを用いて、実
施例４と同様にして表題の化合物を合成した。 この化
合物の同定は、赤外吸収スペクトル、’ＨＮＭＲスペク
トル（ＣＤＣ１ａ、ＴＭＳ内部標準）および元素分析に
よって行った。
ン−３−カルボン酸 （Ｓ） −２−エトキシプロピル
エステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝Ｃ１゜Ｉ（ｚｔ
、Ｒ４＝（Ｓ） ２−エトキシプロピル） （Ｓ）−２−二トキシ−１−プロパツールを用いて、実
施例４と同様にして表題の化合物を合成した。 この化
合物の同定は、赤外吸収スペクトル、’ＨＮＭＲスペク
トル（ＣＤＣ１ａ、ＴＭＳ内部標準）および元素分析に
よって行った。
この化合物の融点は４５℃であった。
実施例８
（液晶組成物）
実施例１の６−（４′−ｎ−ドブシロキシベンゾイルオ
キシ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチル
ブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ＋＝ＣｘｔＨ
ｔｓ、Ｒｔ＝ （Ｓ） ２−メチルブチル）と下記構
造式（Ｖ）の６−（４−−ｎ−デシルビフェニル−４−
カルボニルオキシ）とリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）
−２−メチルブチルエステルを等モル量混合して液晶組
成物を調製した。
キシ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチル
ブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ＋＝ＣｘｔＨ
ｔｓ、Ｒｔ＝ （Ｓ） ２−メチルブチル）と下記構
造式（Ｖ）の６−（４−−ｎ−デシルビフェニル−４−
カルボニルオキシ）とリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）
−２−メチルブチルエステルを等モル量混合して液晶組
成物を調製した。
この液晶組成物の降温時の相転移温度は下記の通りであ
り、室温付近の広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ
相を有していた。
り、室温付近の広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ
相を有していた。
８４° ５４° １１’
Ｉ（ｉ体）→ＳＡ−＋Ｓｃ８→ Ｃ（結晶）なお、化合
物（■）単独の降温時の相転移温度は下記の通りである
。
物（■）単独の降温時の相転移温度は下記の通りである
。
実施例９
（液晶組成物）
実施例５の６−（４”−ｎ−ヘキサデシロキシベンゾイ
ルオキシ）ピリジン−３−カルボン酸（Ｓ）−２−メチ
ルブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝ ＣＩ
６８１３、Ｒ２＝（Ｓ） ２−メチルブチル）と下
記構造式（ＶＩ）の６−ｎ−へキシロキシ−３−ピリジ
ンカルボンａ−４−−（Ｓ）−２−メチルブチロキシカ
ルボニル−４−ピフェニルエステルを等モル量混合して
液晶組成物を調製した。
ルオキシ）ピリジン−３−カルボン酸（Ｓ）−２−メチ
ルブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲ１＝ ＣＩ
６８１３、Ｒ２＝（Ｓ） ２−メチルブチル）と下
記構造式（ＶＩ）の６−ｎ−へキシロキシ−３−ピリジ
ンカルボンａ−４−−（Ｓ）−２−メチルブチロキシカ
ルボニル−４−ピフェニルエステルを等モル量混合して
液晶組成物を調製した。
この液晶組成物の降温時の相転移温度は下記の通りであ
り、室温付近の広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ
相を有していた。
り、室温付近の広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ
相を有していた。
なお、化合物（Ｖｌ）単独の降温時の相転移温度は下記
の通りである。
の通りである。
実施例１０
（液晶組成物）
実施例３の６−（４′−ｎ−オクデロキシベンゾイルオ
キシ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチル
ブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲＩ＝ Ｃａ
Ｈ１７、Ｒｚ＝（Ｓ） ２−メチルブチル）と実施例
８の化合物（Ｖ）を等モル量混合して液晶組成物を調製
した。
キシ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ）−２−メチル
ブチルエステル（一般式（Ｉ）においてＲＩ＝ Ｃａ
Ｈ１７、Ｒｚ＝（Ｓ） ２−メチルブチル）と実施例
８の化合物（Ｖ）を等モル量混合して液晶組成物を調製
した。
この液晶組成物の降温時の相転移温度は下記の通りであ
り、室温以下の温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を
有していた。
り、室温以下の温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を
有していた。
実施例３の化合物は単独では液晶とならないが、組成物
とすることにより低温域でカイラルスメクチックＣ液晶
相を示す。
とすることにより低温域でカイラルスメクチックＣ液晶
相を示す。
本発明によれば、新規なピリジン化合物を提供できる。
また、本発明の化合物は水分や光に対して安定であり、
優れた耐候性を有すると共に室温付近の温度範囲でカイ
ラルスメクチックＣ液晶となる。
優れた耐候性を有すると共に室温付近の温度範囲でカイ
ラルスメクチックＣ液晶となる。
第１図は実施例１の化合物６−（４＝−ｎ−ドブシロキ
シベンゾイルオキシ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ
）−２−メチルブチルエステルの赤外吸収スペクトルの
チャートである。 特許出願大東し株式会社
シベンゾイルオキシ）ピリジン−３−カルボン酸 （Ｓ
）−２−メチルブチルエステルの赤外吸収スペクトルの
チャートである。 特許出願大東し株式会社
Claims (3)
- （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数６〜１８のアルキル基を示し、
Ｒ＿２は光学活性アルキル基を示す）で表わされる、光
学活性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化
合物。 - （２）一般式（ I ）のＲ＿２が光学活性な２−メチル
ブチル基である特許請求の範囲第１項記載の光学活性６
−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化合物。 - （３）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数６〜１８のアルキル基を示し、
Ｒ＿２は光学活性アルキル基を示す）で表わされる、光
学活性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化
合物からなる液晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100417A JPS63264573A (ja) | 1986-04-24 | 1987-04-23 | 光学活性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9507586 | 1986-04-24 | ||
| JP61-95075 | 1986-04-24 | ||
| JP62100417A JPS63264573A (ja) | 1986-04-24 | 1987-04-23 | 光学活性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63264573A true JPS63264573A (ja) | 1988-11-01 |
Family
ID=26436360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100417A Pending JPS63264573A (ja) | 1986-04-24 | 1987-04-23 | 光学活性６−置換−ピリジン−３−カルボン酸エステル化合物および液晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63264573A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130048A (en) * | 1988-03-04 | 1992-07-14 | Displaytech, Inc. | Ferroelectric liquid crystal compositions containing chiral haloalkoxy tails units |
| US5167855A (en) * | 1988-03-04 | 1992-12-01 | University Research Corporation | Ferroelectric liquid crystal compositions chiral haloalkoxy tail units |
| US5180520A (en) * | 1988-03-04 | 1993-01-19 | University Research Corporation | Ferroelectric liquid crystal compositions containing halogenated cores and chiral halogenated cores and chiral haloalkoxy tail units |
| USRE34726E (en) * | 1988-03-04 | 1994-09-13 | Displaytech, Inc. | Ferroelectric liquid crystal compositions containing chiral haloalkoxy tail units |
| WO2009071606A1 (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Novartis Ag | Organic compounds |
| KR100938740B1 (ko) | 2003-11-14 | 2010-01-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 질소 함유 유기 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
-
1987
- 1987-04-23 JP JP62100417A patent/JPS63264573A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130048A (en) * | 1988-03-04 | 1992-07-14 | Displaytech, Inc. | Ferroelectric liquid crystal compositions containing chiral haloalkoxy tails units |
| US5167855A (en) * | 1988-03-04 | 1992-12-01 | University Research Corporation | Ferroelectric liquid crystal compositions chiral haloalkoxy tail units |
| US5180520A (en) * | 1988-03-04 | 1993-01-19 | University Research Corporation | Ferroelectric liquid crystal compositions containing halogenated cores and chiral halogenated cores and chiral haloalkoxy tail units |
| USRE34726E (en) * | 1988-03-04 | 1994-09-13 | Displaytech, Inc. | Ferroelectric liquid crystal compositions containing chiral haloalkoxy tail units |
| KR100938740B1 (ko) | 2003-11-14 | 2010-01-26 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 질소 함유 유기 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
| WO2009071606A1 (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Novartis Ag | Organic compounds |
| US8003640B2 (en) | 2007-12-05 | 2011-08-23 | Novartis Ag | Organic compounds |
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