JPS6317888A - t−ブチルジメチルシリルカルバメ−ト誘導体の製造法 - Google Patents
t−ブチルジメチルシリルカルバメ−ト誘導体の製造法Info
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般式(3)
(式中R1は炭素数1〜3のアルキル基または水X/4
は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル
基又はアルアルキル基金表わし、これらはメチルチオ基
、低級アルコキシカルボニル基、低級アルコキシ基、イ
ンドリル基又はイミダゾリル基で置換されていてもよ<
、R” Fi低級アルコキシカルボニル基、炭素数2〜
6のN−アルキルアミド基、O−テトラヒドロピラニル
スレオニンメチルエステルアミド残基、0−1−ブチル
ジメチルシリルスレオニンメチルエステル残基または−
(CH,)、−COOR” (ここで舊は1〜3の整数
で、R@は低級アルキル基)を表わし、R4およびRS
は結合してシクロペンチル基、シクロヘキシル基、テト
ラヒドロフラニル基 又はジオキサニル基を形成し、これら環は低級アルキル
基、低級アルケニル基、低級アルコキシカルボニル基又
は低級アルコキシカルボニルメチル基で置換されていて
もよく、又R1およびBaFiいっしょになって炭素数
4ないし5の炭素環全形成し、これらの環は低級アルコ
キシカルボニル基で置換されていてもよい。) を有するt−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体
の製造法に関する。
基又はアルアルキル基金表わし、これらはメチルチオ基
、低級アルコキシカルボニル基、低級アルコキシ基、イ
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で、R@は低級アルキル基)を表わし、R4およびRS
は結合してシクロペンチル基、シクロヘキシル基、テト
ラヒドロフラニル基 又はジオキサニル基を形成し、これら環は低級アルキル
基、低級アルケニル基、低級アルコキシカルボニル基又
は低級アルコキシカルボニルメチル基で置換されていて
もよく、又R1およびBaFiいっしょになって炭素数
4ないし5の炭素環全形成し、これらの環は低級アルコ
キシカルボニル基で置換されていてもよい。) を有するt−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体
の製造法に関する。
本発明の方法により得られる前記一般式(3)の化合物
は、容易にハロゲン化物と反応し各樵カルバミン酸=ス
テルとすることができるので、該エステルの中間体とし
て有用でるる。これらカルバミン酸エステルは中枢神経
用系、循環器用薬および農薬、例えば殺虫剤、殺ダニ剤
、除草剤さらに抗菌物質として用いられる化合物でるる
。
は、容易にハロゲン化物と反応し各樵カルバミン酸=ス
テルとすることができるので、該エステルの中間体とし
て有用でるる。これらカルバミン酸エステルは中枢神経
用系、循環器用薬および農薬、例えば殺虫剤、殺ダニ剤
、除草剤さらに抗菌物質として用いられる化合物でるる
。
本発明者らは先にC−ブチルカルバメート誘導体をt−
ブチルジメチルシリルフルオロメタンスルホネート(七
BDMSoTf)と、塩基存在下処理することにより、
t−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体が得られ
ることを報告している(堺谷ら、テトラヘドロンレター
ズ(7’ttデαhadデ0nLatters) 55
43頁(1985))。
ブチルジメチルシリルフルオロメタンスルホネート(七
BDMSoTf)と、塩基存在下処理することにより、
t−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体が得られ
ることを報告している(堺谷ら、テトラヘドロンレター
ズ(7’ttデαhadデ0nLatters) 55
43頁(1985))。
このt−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体は、
これ1で不可能でめったアミノ基の保護基の変換(例え
ば、t−ブチルオキシカルボニルM<Baa)’tベン
ジルオキシカルボニルMCZ基)などにする等)を可能
にする重要な中間体でるる。
これ1で不可能でめったアミノ基の保護基の変換(例え
ば、t−ブチルオキシカルボニルM<Baa)’tベン
ジルオキシカルボニルMCZ基)などにする等)を可能
にする重要な中間体でるる。
しかし、上記で述べたように、これ壕では、を−ブチル
オキシカルボニル基(BoC)からの変換の報告にとど
まっており、また、この変換反応には塩基の存在が必要
でるることから、化合物中に塩基に不安定な基を含んで
いる場合にを工、台底方法が制限されることもめった。
オキシカルボニル基(BoC)からの変換の報告にとど
まっており、また、この変換反応には塩基の存在が必要
でるることから、化合物中に塩基に不安定な基を含んで
いる場合にを工、台底方法が制限されることもめった。
本発明者はペプチドの会成金行なっている過程で、アミ
ノ基の保護基を容易に変換することを考えた。1 fc
Eoc &よびZ基で代表されるカルバミン酸エステル
類は医薬および農薬合成の分野で有用な官能基でるり、
アミノ基金保護し次のち、その11で各種カルバミン酸
エステルに置換する倉しい台底方法もろわせて検討した
。
ノ基の保護基を容易に変換することを考えた。1 fc
Eoc &よびZ基で代表されるカルバミン酸エステル
類は医薬および農薬合成の分野で有用な官能基でるり、
アミノ基金保護し次のち、その11で各種カルバミン酸
エステルに置換する倉しい台底方法もろわせて検討した
。
本発明の一般式(1)ヲ有するt−ブチルジメチルシリ
ルカルバメート誘導体は驚くべきことに一般式(1) (式中R1は炭素数1〜3のアルキル基または水は水素
原子、炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基又は
アルアルキル基に=&わし、これらはメチルチオ基、低
級アルコキシカルボニル基、低級アルコキシ基、インド
リル基又はイミダゾリル基で置換されていてもよく、R
3は低級アルコキシカルボニル基、炭素数2〜6ON−
アルキルアミド基、O−テトラヒドロピラニルスレオニ
ンメチルエステルアミド残基、Q−t−ブチルジメチル
シリルスレオニンメチルエステル残基1次は<CHt)
%−COOR@ (ここで1工1〜3の整数で、R6は
低級アルキル基)を表わし、R4およびRsは結合しシ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、テトラヒドロフラ
ニル基 又はジオキサニル基を形成し、これら環を工低級アルキ
ル基、低級アルケニル基、低級アルコキシカルボニル基
又は低級アルコキシカルボニルメチル基で置換されてい
てもよく、又R1およびR1はいっしょになって炭素数
4ないし5の炭素環全形成し、これらの環は低級アルコ
キシカルボニル基で置換されていてもよく、R3はt−
ブチル基、アリール基tfcはベンジル基を表わす、)
全有するt−ブトキシカルボニル化され九アミノ基全式
(2) のt−ブチルジメチル7ランと有機沼媒中、パラジウム
触媒存在下反応させることにより得られる。
ルカルバメート誘導体は驚くべきことに一般式(1) (式中R1は炭素数1〜3のアルキル基または水は水素
原子、炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基又は
アルアルキル基に=&わし、これらはメチルチオ基、低
級アルコキシカルボニル基、低級アルコキシ基、インド
リル基又はイミダゾリル基で置換されていてもよく、R
3は低級アルコキシカルボニル基、炭素数2〜6ON−
アルキルアミド基、O−テトラヒドロピラニルスレオニ
ンメチルエステルアミド残基、Q−t−ブチルジメチル
シリルスレオニンメチルエステル残基1次は<CHt)
%−COOR@ (ここで1工1〜3の整数で、R6は
低級アルキル基)を表わし、R4およびRsは結合しシ
クロペンチル基、シクロヘキシル基、テトラヒドロフラ
ニル基 又はジオキサニル基を形成し、これら環を工低級アルキ
ル基、低級アルケニル基、低級アルコキシカルボニル基
又は低級アルコキシカルボニルメチル基で置換されてい
てもよく、又R1およびR1はいっしょになって炭素数
4ないし5の炭素環全形成し、これらの環は低級アルコ
キシカルボニル基で置換されていてもよく、R3はt−
ブチル基、アリール基tfcはベンジル基を表わす、)
全有するt−ブトキシカルボニル化され九アミノ基全式
(2) のt−ブチルジメチル7ランと有機沼媒中、パラジウム
触媒存在下反応させることにより得られる。
この反応において、有機溶媒は試薬の不安定性もるり、
無7に俗塵である必要かめるが、特に無水のクロル系溶
媒が好ましい。
無7に俗塵である必要かめるが、特に無水のクロル系溶
媒が好ましい。
パラジウム触媒としては、パラジウム・炭素、塩化パラ
ジウム(II八へ酸パラジウム(II)、ジクロロビス
(アセトニトリル)パラジウムtill、ジクロロビス
(トリフェニルフォスフイン)パラジウム(1)などが
代表例として挙げられる。
ジウム(II八へ酸パラジウム(II)、ジクロロビス
(アセトニトリル)パラジウムtill、ジクロロビス
(トリフェニルフォスフイン)パラジウム(1)などが
代表例として挙げられる。
又、反応温度は室温以下、好筐しくけ一10℃〜25℃
でるる。
でるる。
本発明のt−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体
は、一般的に、め1り安定な化合物でないが、この化合
物を合成する反応条件が極めて温和でりり副反応は起り
にくい。
は、一般的に、め1り安定な化合物でないが、この化合
物を合成する反応条件が極めて温和でりり副反応は起り
にくい。
実施例に示し友ように、出発原料に光学活性アミノ酸誘
導体を用いても、得られる本発明のt−ブチルジメチル
シリルカルバメートにおいて何らラセミ化は起らず、本
発明化合物を他のハライドと処理しカルバメート化合物
を合成する反応においても何らラセミ化は起っていない
。
導体を用いても、得られる本発明のt−ブチルジメチル
シリルカルバメートにおいて何らラセミ化は起らず、本
発明化合物を他のハライドと処理しカルバメート化合物
を合成する反応においても何らラセミ化は起っていない
。
本発明化合物は非常に活性の高い化合物であり、合成終
了後、ただちに次の反JCfすることが望ましい。
了後、ただちに次の反JCfすることが望ましい。
この発明は、一般式
(式中、R1、n 2およびR3は上記定義に同じ。)
で表わされろカルバメート銹専体2t−ブチルジメチル
シランと処理することにより、t−ブチルジメチルシリ
ルカルバメートを得ることでるるか、t−ブチルジメチ
ルシランの代わりに、例えばジメチルフェニルシラン、
トリエチルシランなどを用いることによってもジメチル
フェニルシリルカルバメート、トリエチルシリルカルハ
メートカ得られることは明白であり、これらのカルバメ
ートを用いテトラアルキルアンモニウムクロリド存在下
、ハライドと反応させることにより、対応する種々の基
を有するカルバメートとすることができる。但し、トリ
メチルシランでは、安定性が悪いためシリルカルバメー
トとしては得られない。
で表わされろカルバメート銹専体2t−ブチルジメチル
シランと処理することにより、t−ブチルジメチルシリ
ルカルバメートを得ることでるるか、t−ブチルジメチ
ルシランの代わりに、例えばジメチルフェニルシラン、
トリエチルシランなどを用いることによってもジメチル
フェニルシリルカルバメート、トリエチルシリルカルハ
メートカ得られることは明白であり、これらのカルバメ
ートを用いテトラアルキルアンモニウムクロリド存在下
、ハライドと反応させることにより、対応する種々の基
を有するカルバメートとすることができる。但し、トリ
メチルシランでは、安定性が悪いためシリルカルバメー
トとしては得られない。
このようにして得られる本発明化合物(3)は各1jの
ハライドと反応してカルバミン酸エステル金与える。
ハライドと反応してカルバミン酸エステル金与える。
例えば本発明の一般式(3)全有するt−ブチルジメチ
ルシリルカルバメート誘導体′(f″呈湿温以下、好1
しくは一10℃〜5℃、アルキルハライド、アリールハ
ライドまたけアラルキルハライドとテトラアルキルアン
モニウムフロリド存在下反応させることにより各々一般
式(4) (式中、R1およびR2は前記と同一意義を表わし、R
6はアルキル基、アリール基またはアラルキル基t−懺
わす。) を有するカルバミン酸エステルが得られる。
ルシリルカルバメート誘導体′(f″呈湿温以下、好1
しくは一10℃〜5℃、アルキルハライド、アリールハ
ライドまたけアラルキルハライドとテトラアルキルアン
モニウムフロリド存在下反応させることにより各々一般
式(4) (式中、R1およびR2は前記と同一意義を表わし、R
6はアルキル基、アリール基またはアラルキル基t−懺
わす。) を有するカルバミン酸エステルが得られる。
この方法を応用して医薬および農薬の合成例を以下に述
べる。
べる。
矢に本発明化合物の製造法を実施例によりさらに具体的
に説明するが、本発明がこれら実施例に駆足されないこ
とはいう1でもない。
に説明するが、本発明がこれら実施例に駆足されないこ
とはいう1でもない。
(ph=フェニル;E!=エチル)
パラジウム(1)アセテート(8■、0.04ミリモル
)及びトリエチルアミン(17μt 、 0.12ミリ
モル)ヲ含むジクロロメタン溶?ff1(1,01n!
、)にトリエチルシラン(172μt、 1.08ミリ
モル)を加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌
を行なった。つぎにこの黒色けん濁履にZ−バリンメチ
ルエステル(192η、0.72ミリモル)のジクロロ
メタン(1−)溶液を加え、さらに15時間の撹拌を続
けた。飽和塩化アンモニウム水浴gを加えた後、エーテ
ル抽出、エーテル層を無X硫酸マグネシウムで乾燥し、
ろ過、溶媒留去ヲ行ないN−トリエチルシリルカルボニ
ルバリンメチルエステル(208,71119,収率1
00%)を得た。
)及びトリエチルアミン(17μt 、 0.12ミリ
モル)ヲ含むジクロロメタン溶?ff1(1,01n!
、)にトリエチルシラン(172μt、 1.08ミリ
モル)を加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌
を行なった。つぎにこの黒色けん濁履にZ−バリンメチ
ルエステル(192η、0.72ミリモル)のジクロロ
メタン(1−)溶液を加え、さらに15時間の撹拌を続
けた。飽和塩化アンモニウム水浴gを加えた後、エーテ
ル抽出、エーテル層を無X硫酸マグネシウムで乾燥し、
ろ過、溶媒留去ヲ行ないN−トリエチルシリルカルボニ
ルバリンメチルエステル(208,71119,収率1
00%)を得た。
性状:無色油状物
IRスペクトル(フィルム、νcm−”) : 175
011704.1506 マススペクトル<tn/g)二290 (M++1)十
、260.230、188 NM Rスペクトル<cDct、、δpp惰)5.25
(iH。
011704.1506 マススペクトル<tn/g)二290 (M++1)十
、260.230、188 NM Rスペクトル<cDct、、δpp惰)5.25
(iH。
d 、J=9.0Hz)、4.20 (I H、dd
J = 9.0 Hz 。
J = 9.0 Hz 。
5.0Hz)、3.70(3H,s)、2.25(IH
,m)、0.3〜1.4(21B、惰〕 (ph=フェニル;Mε=メチル、以下同a)パラジウ
ム(Illアセテート(13■、0.06ミリモル)及
びトリエチルアミン(25μt、0.18ミリモル)を
宮むジクロロメタン浴数(1,0m)にt−ブチルジメ
チルシラン(282μt、 1.7ミリモル)を加え、
アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌を行なった。こ
の黒色けん濁にZバリンメチルエステル(300It1
g、 1.1ミリモル)のジクロロメタン溶液(1,0
mj)i加え、さらに16時間撹拌をαけた。飽和塩化
アンモニウム水溶液を加えた後、エーテル抽出、エーテ
ル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過、溶媒留去
を行ないN−t−ブチルジメチルシリルオキシカルボニ
ルバリンメチルエステル(327■、収1100%)を
得た。
,m)、0.3〜1.4(21B、惰〕 (ph=フェニル;Mε=メチル、以下同a)パラジウ
ム(Illアセテート(13■、0.06ミリモル)及
びトリエチルアミン(25μt、0.18ミリモル)を
宮むジクロロメタン浴数(1,0m)にt−ブチルジメ
チルシラン(282μt、 1.7ミリモル)を加え、
アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌を行なった。こ
の黒色けん濁にZバリンメチルエステル(300It1
g、 1.1ミリモル)のジクロロメタン溶液(1,0
mj)i加え、さらに16時間撹拌をαけた。飽和塩化
アンモニウム水溶液を加えた後、エーテル抽出、エーテ
ル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過、溶媒留去
を行ないN−t−ブチルジメチルシリルオキシカルボニ
ルバリンメチルエステル(327■、収1100%)を
得た。
この化合物のすべてのデータは、以前報告した既知デー
タと一致した。
タと一致した。
性状:無色油状物質
IRスペクトル(フィルム、νゴ”)3380゜174
8.1716.1506 マススペクトル(m/g) :290 (M+1 )+
、274.232.16O NMRスペクトル<cnct8.δppm) 0.26
(6H。
8.1716.1506 マススペクトル(m/g) :290 (M+1 )+
、274.232.16O NMRスペクトル<cnct8.δppm) 0.26
(6H。
婁ン、0.94(9ff、s)、0−92 (3H、d
、 J=7.0)、0.98(3H,d 、J=7.
0)、2.15(IH,仇)、3.72(3ff、g)
、4.20 (IH,dd、J=10.0.5.0Hz
)、5.28 (IH,d 、 !=10.0Hz)パ
ラジウム(II)アセテ−) (8,0■、 0.04
ミリモル)及びトリエチルアミン(15μt、 0.1
1ミリモル)を含むジクロロメタン浴歇(1,omt)
にt−ブチルジメチルシラン(179μt、1.1ミリ
モルi加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌を
行なった。この点色けん濁液に、N−アリルオキシカル
ボニルノくリンメチルエステル(154■、0.72ミ
リモル)のジクロロメタン溶液(1,0ゴ)を加え、さ
らに15時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶
液を加えた後、エーテル抽出、エーテル看を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、ろ過、溶媒留去を行ない、N−1
−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル7くリンメチ
ルエステル(2o7I!9.収率100%)を得た。
、 J=7.0)、0.98(3H,d 、J=7.
0)、2.15(IH,仇)、3.72(3ff、g)
、4.20 (IH,dd、J=10.0.5.0Hz
)、5.28 (IH,d 、 !=10.0Hz)パ
ラジウム(II)アセテ−) (8,0■、 0.04
ミリモル)及びトリエチルアミン(15μt、 0.1
1ミリモル)を含むジクロロメタン浴歇(1,omt)
にt−ブチルジメチルシラン(179μt、1.1ミリ
モルi加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌を
行なった。この点色けん濁液に、N−アリルオキシカル
ボニルノくリンメチルエステル(154■、0.72ミ
リモル)のジクロロメタン溶液(1,0ゴ)を加え、さ
らに15時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶
液を加えた後、エーテル抽出、エーテル看を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、ろ過、溶媒留去を行ない、N−1
−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル7くリンメチ
ルエステル(2o7I!9.収率100%)を得た。
(物性データは実施例1に同じ。)
パラジウム(11アセテ−) (8,01t9 、0.
04ミリモル)及びトリエチルアミン(15μt、 0
.11 ミリそル)を含むジクロロメタン溶液(1,0
ゴ)に、t−ブチルジメチルシラン(182μL、 1
.1ミリモル)を加え、アルゴン雰囲気下、室温で15
分間撹拌を行なった。この黒色けん濁液に乙−アリルグ
リシンメチルエステル(1929,0,73ミリモル)
のジクロロメタン溶液(1,0mj)を加え、さらに1
5時間撹拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液全方
えた後、エーテル抽出、エーテル層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、濾過、溶媒留去を行ない、無色油状物(
204,0It9)’を得た。
04ミリモル)及びトリエチルアミン(15μt、 0
.11 ミリそル)を含むジクロロメタン溶液(1,0
ゴ)に、t−ブチルジメチルシラン(182μL、 1
.1ミリモル)を加え、アルゴン雰囲気下、室温で15
分間撹拌を行なった。この黒色けん濁液に乙−アリルグ
リシンメチルエステル(1929,0,73ミリモル)
のジクロロメタン溶液(1,0mj)を加え、さらに1
5時間撹拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液全方
えた後、エーテル抽出、エーテル層を無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、濾過、溶媒留去を行ない、無色油状物(
204,0It9)’を得た。
このものは、”H−%myより乙−アリルグリシンメチ
ルエステル(71!7)とN−t−ブチルジメチルシリ
ルオキシカルボニルアリルグリシンメチルエステル(1
301v、収率62%、原料回収考慮すると100%)
の混合物だった。
ルエステル(71!7)とN−t−ブチルジメチルシリ
ルオキシカルボニルアリルグリシンメチルエステル(1
301v、収率62%、原料回収考慮すると100%)
の混合物だった。
性状:無色油状物質
IRスペクトル(フィルム、ycm−”) 3372.
3100.1760.1710 マススペクトル(m/ z ) : 288 (M+1
) 十NMRスペクトル<cnct8.δppm )
0.25 (6H。
3100.1760.1710 マススペクトル(m/ z ) : 288 (M+1
) 十NMRスペクトル<cnct8.δppm )
0.25 (6H。
S)、0.92(9H,a)、2.52(2H,m)、
3.73(3H,g)、4.40 (IH,d、 t
、 J=8.0.6,0Hz)、 4.9〜5.3 (
3H、m )、 5.70 (IH,dat。
3.73(3H,g)、4.40 (IH,d、 t
、 J=8.0.6,0Hz)、 4.9〜5.3 (
3H、m )、 5.70 (IH,dat。
J=18.0.10.0.6.0Hz)実施例4゜
パラジウム(…)アセテート(8,0m9 、0.04
ミリモル)及びトリエチルアミン(16μt、 0.1
2ミリモル)ヲ言むジクロロメタン溶液(1,0ゴ)に
t−ブチルジメチルシラy(187μt、1.1ミリモ
ル)を加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌を
行なった。この黒色けん濁液にN−アリルオキシカルボ
ニルアリルグリシンメチルエステル(150mg、 0
.75ミリモル)のジクロロメタン溶液(1,0ゴ)を
加え、さらに20時間撹拌金続けた。飽和塩化アンモニ
ア水溶液を加えた後、エーテル抽出、無水硫酸マグネシ
ウムでエーテル鳩を乾燥し、濾過、溶媒留去を行なうこ
とにより、N−t−ブチルジメチルシリルオキ7カルボ
ニルアリルグリシン(184i9.収率90%)を得た
。
ミリモル)及びトリエチルアミン(16μt、 0.1
2ミリモル)ヲ言むジクロロメタン溶液(1,0ゴ)に
t−ブチルジメチルシラy(187μt、1.1ミリモ
ル)を加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌を
行なった。この黒色けん濁液にN−アリルオキシカルボ
ニルアリルグリシンメチルエステル(150mg、 0
.75ミリモル)のジクロロメタン溶液(1,0ゴ)を
加え、さらに20時間撹拌金続けた。飽和塩化アンモニ
ア水溶液を加えた後、エーテル抽出、無水硫酸マグネシ
ウムでエーテル鳩を乾燥し、濾過、溶媒留去を行なうこ
とにより、N−t−ブチルジメチルシリルオキ7カルボ
ニルアリルグリシン(184i9.収率90%)を得た
。
(物性データは実施例3に同じ。)
パラジウム(1)アセテート(8,0119,0,04
ミリモルノ及びトリエチルアミン(15μt、 0.1
1ミリモル)を含むジクロロメタン溶i(1,0m)!
(、t−ブチルジメチルシラン(186μt、1.1ミ
リモル)つづいてZ−スレオニンメチルエステル(20
0〜、 0.75ミリモル)のジクロロメタン溶液(1
,0m/)t”加え、アルゴン雰囲気下、室温で20時
間撹拌を行なった。飽和塩化アンモニウム水浴液を加え
た後、エーテル抽出、エーテル層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、濾過、溶媒留去を行なうことによりN−t
−ブチルジメチルシリルオキシカルボニルスレオニンメ
チルエステル(215■、収率99%)を得た。
ミリモルノ及びトリエチルアミン(15μt、 0.1
1ミリモル)を含むジクロロメタン溶i(1,0m)!
(、t−ブチルジメチルシラン(186μt、1.1ミ
リモル)つづいてZ−スレオニンメチルエステル(20
0〜、 0.75ミリモル)のジクロロメタン溶液(1
,0m/)t”加え、アルゴン雰囲気下、室温で20時
間撹拌を行なった。飽和塩化アンモニウム水浴液を加え
た後、エーテル抽出、エーテル層を無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、濾過、溶媒留去を行なうことによりN−t
−ブチルジメチルシリルオキシカルボニルスレオニンメ
チルエステル(215■、収率99%)を得た。
性状:無色油状物
IRスペクトル(フィルム、ご”):3460.175
8.1706.1518 マススペクトル(m/ x ) 276 (Af”
CHsン、247.234.215 NMRスペクトル(CDCAs−δpp惰ン: 5.6
0 (iff。
8.1706.1518 マススペクトル(m/ x ) 276 (Af”
CHsン、247.234.215 NMRスペクトル(CDCAs−δpp惰ン: 5.6
0 (iff。
d 、 J=9.0Hz)、4.20 (2H、m )
、3.70(3H。
、3.70(3H。
#)、3.15 (IH、brs)、 1.20<3H
,d、J=7.0Hzj、0.92(9H,s)、0.
25(6H,g)実施例6゜ パラジウムtI[)アセテ−) (9,01n9 、0
.04ミリモル)及びトリエチルアミン(17μt、
0.12ミリモル)を當むジクロロメタン溶液(1−O
d)に、t−ブチルジメチルシラン(199μt、1.
2ミリモル)を加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分
間撹拌を行なった。この黒色けん濁液にZ−プロリンメ
チルエステル(210In9,0.80ミリモル〕のジ
クロロメタン浴液(1,0m)を加え、さらに15時間
撹拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後
、エーテル抽出、エーテル層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、濾過、溶媒留去することにより、N−t−ブチ
ルジメチルシリルオキシ力ルポニルブロリンメチルエス
テル(230■、収率100%)を得た。
,d、J=7.0Hzj、0.92(9H,s)、0.
25(6H,g)実施例6゜ パラジウムtI[)アセテ−) (9,01n9 、0
.04ミリモル)及びトリエチルアミン(17μt、
0.12ミリモル)を當むジクロロメタン溶液(1−O
d)に、t−ブチルジメチルシラン(199μt、1.
2ミリモル)を加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分
間撹拌を行なった。この黒色けん濁液にZ−プロリンメ
チルエステル(210In9,0.80ミリモル〕のジ
クロロメタン浴液(1,0m)を加え、さらに15時間
撹拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後
、エーテル抽出、エーテル層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、濾過、溶媒留去することにより、N−t−ブチ
ルジメチルシリルオキシ力ルポニルブロリンメチルエス
テル(230■、収率100%)を得た。
性状:無色油状物質
1Bスペクトル(フィルム、m−’):3350.マス
スペクトル(tlL/ s ) : 272 (M C
Hs)、243(M C0t)、 23 1 (M
−t Bs)NMRスペクトル(CDCL、、δp
p惧) : 0.25(6H。
スペクトル(tlL/ s ) : 272 (M C
Hs)、243(M C0t)、 23 1 (M
−t Bs)NMRスペクトル(CDCL、、δp
p惧) : 0.25(6H。
S)、0.86 cL%d0.92 (9H、d )、
1.7〜2.4(4H,m)、3.47 (2H,t
、 J=6.0Hす、3.65および3.68(3H,
d)、4.25(IH,溝)HBoe 呈 ZNH/!”/\Cot’s −−一→パラジウム印
アセテ−) (5m9.0.03ミリモル〕及び、トリ
エチルアミン(12μt、 (LO9ミリモル)を含む
ジクロロメタン溶Q(1,0m/)に、t−ブチルジメ
チルシラン(63μt、 0.38ミリモル)つづいて
I−t−ブトキシカルボニル−N′−カルボベンゾキシ
リジンメチルエステ/L/(100ダ、0.25ミリモ
ル)のジクロロメタン溶液(1,0m)’に加え、アル
ゴン雰囲気下、室温で16時間撹拌を行なった。飽和塩
化アンモニウム水溶液を加えた後、エーテル抽出し、エ
ーテル層を無7X硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過、溶
媒留去を行なうことにより、Ha−ブトキシカルボニル
−N−1−ブチルジメチルシリルオキシカルボニルリジ
ンメチルエステル(95,59,収率9o%)を得た。
1.7〜2.4(4H,m)、3.47 (2H,t
、 J=6.0Hす、3.65および3.68(3H,
d)、4.25(IH,溝)HBoe 呈 ZNH/!”/\Cot’s −−一→パラジウム印
アセテ−) (5m9.0.03ミリモル〕及び、トリ
エチルアミン(12μt、 (LO9ミリモル)を含む
ジクロロメタン溶Q(1,0m/)に、t−ブチルジメ
チルシラン(63μt、 0.38ミリモル)つづいて
I−t−ブトキシカルボニル−N′−カルボベンゾキシ
リジンメチルエステ/L/(100ダ、0.25ミリモ
ル)のジクロロメタン溶液(1,0m)’に加え、アル
ゴン雰囲気下、室温で16時間撹拌を行なった。飽和塩
化アンモニウム水溶液を加えた後、エーテル抽出し、エ
ーテル層を無7X硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過、溶
媒留去を行なうことにより、Ha−ブトキシカルボニル
−N−1−ブチルジメチルシリルオキシカルボニルリジ
ンメチルエステル(95,59,収率9o%)を得た。
性状:無色油状物
IRスペクトル(フィルム、cf”):3368.17
48.1704.1520 マススペクトル(m/ z ) : 419 (M”+
1 )+、345.305.287 NMRスペ/トル(CDCLs −a pPg ) 5
.00 (2H。
48.1704.1520 マススペクトル(m/ z ) : 419 (M”+
1 )+、345.305.287 NMRスペ/トル(CDCLs −a pPg ) 5
.00 (2H。
m)、4.20(IH,m)、3.69(3ff、j)
、3.08(2H,m)、1−42(9H,a)、1.
1〜2.0 (6H。
、3.08(2H,m)、1−42(9H,a)、1.
1〜2.0 (6H。
1八0.91(9H,a)、0.24(6H,g)BE
oe = Na−客一フトキシカルボニルーN′−カルボベンゾオ
キシリジンメチルエステル(191,0■。
oe = Na−客一フトキシカルボニルーN′−カルボベンゾオ
キシリジンメチルエステル(191,0■。
0.48ミリモル)のジクロロメタンMW(1,0−)
に、2,6−ルチジン(113μt、 0.97ミリモ
ル>及びt−)“チルジメチルシリルトリフルオロメタ
ンスルホネー)(167μt、 0.73ミリモルノを
加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌を行なっ
た。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、エーテル
抽出、エーテル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ
過、溶媒留去を行なうことにより、Na−ブチルジメチ
ルシリルオキシカルボニル−N −カルボベンゾキシリ
ジンメチルエステル(238I#9.収率100%)を
得た。
に、2,6−ルチジン(113μt、 0.97ミリモ
ル>及びt−)“チルジメチルシリルトリフルオロメタ
ンスルホネー)(167μt、 0.73ミリモルノを
加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間撹拌を行なっ
た。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、エーテル
抽出、エーテル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ
過、溶媒留去を行なうことにより、Na−ブチルジメチ
ルシリルオキシカルボニル−N −カルボベンゾキシリ
ジンメチルエステル(238I#9.収率100%)を
得た。
性状:無色油状物質
IRスペクトル(フィルム、a−): 3352.17
08、1526 マススペクトル(惰/雰):452M+、395.35
2mMRスペクトル<cnct8.δpp惧) : 7
.35 (5H。
08、1526 マススペクトル(惰/雰):452M+、395.35
2mMRスペクトル<cnct8.δpp惧) : 7
.35 (5H。
S )、 5.24 (I H、d 、J=8.0H
z)、 5.09(2ff。
z)、 5.09(2ff。
8)、4.80(IH,6デ82.4.15(IH,惰
〕、3.74(3H,a)、3−19(2H,m)、1
.2〜1.9 (6H。
〕、3.74(3H,a)、3−19(2H,m)、1
.2〜1.9 (6H。
m)、0.94(9H9s)
パラジウムfilアセテート(6■、0.03ミリモル
ン及びトリエチルアミン(12μt、 o、o sミリ
モル)金言むジクロロメタン溶液(1,011It)ニ
を一ブチルジメチルシラン(137μt、 0.83ミ
リモル)!−加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間
撹拌を行なった。この黒色けん濁溶液番こN−t−ブト
キシカルボニルアリルグリシンベンジルエステル(14
9!F9,0.55ミリモル)のジクロロメタン溶液(
1,0ゴ)を加え、さらに15時間撹拌を続けた。飽和
塩化アンモニウムを加えた後、エーテル抽出し、エーテ
ル層金無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過し、溶媒留去
全行なうことにより、N−t−ブトキシカルボニルアリ
ルグリシン−t−1チルジメチルシリルエステル(18
29゜収率100%)を得た。
ン及びトリエチルアミン(12μt、 o、o sミリ
モル)金言むジクロロメタン溶液(1,011It)ニ
を一ブチルジメチルシラン(137μt、 0.83ミ
リモル)!−加え、アルゴン雰囲気下、室温で15分間
撹拌を行なった。この黒色けん濁溶液番こN−t−ブト
キシカルボニルアリルグリシンベンジルエステル(14
9!F9,0.55ミリモル)のジクロロメタン溶液(
1,0ゴ)を加え、さらに15時間撹拌を続けた。飽和
塩化アンモニウムを加えた後、エーテル抽出し、エーテ
ル層金無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過し、溶媒留去
全行なうことにより、N−t−ブトキシカルボニルアリ
ルグリシン−t−1チルジメチルシリルエステル(18
29゜収率100%)を得た。
性状:無色油状物質
JRスペクトル(フィルム、イ1.):3460゜17
18.1645.1500 マススペクトル(惜/g ) : 330 (M”+1
)士、306.216 NMRスペクトル(CDCLs 、692m ) :
5.60(IH、m )、5.05(3H,m)、4.
25 (III 、 m)、2−50(2ff、mへ1
−42(9H,s)、O−93(9H。
18.1645.1500 マススペクトル(惜/g ) : 330 (M”+1
)士、306.216 NMRスペクトル(CDCLs 、692m ) :
5.60(IH、m )、5.05(3H,m)、4.
25 (III 、 m)、2−50(2ff、mへ1
−42(9H,s)、O−93(9H。
#)、0.27(6ff、aン
代 理 人 弁理士 湯 浅 恭 三−ニー′も(外
5名) 手続補正書 昭和61年11月λト日 1、事件の表示 昭和61年特許願第163443 号2、発明の名称 t−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体の製造法
6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名称 (190)サントリー株式会社4、代理人 5、補正の対象 (1)特許請求の範囲を次のように訂正する。
5名) 手続補正書 昭和61年11月λト日 1、事件の表示 昭和61年特許願第163443 号2、発明の名称 t−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体の製造法
6、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 名称 (190)サントリー株式会社4、代理人 5、補正の対象 (1)特許請求の範囲を次のように訂正する。
r(1)一般式
(式中R1は炭素数1〜3のアルキル基または水は水素
原子、炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基又は
アルアルキル基を表わし、これらは、ヒト0ロキシ基、
メチルチオ基、低級アルコキシカルボニル基、低級アル
コキシ基、インドリル基又はイミダゾリル基で置換され
ていてもよ<、R5は低級アルコキシカルボニル基、炭
素数2〜6ON−アルキルアミド基、0−ナト2ヒドロ
ピラニルスレオニンメチルエステルアミ)”残基、O−
t−グチルジメチルシリルスレオニンメチルエステル残
基または−(CH2)n−C0OR’ (ここでnは1
〜3の整数で、R6低級アルキル基)を表わしR4およ
びR5は結合してシクロインチル基、シクロヘキシル基
、テトラヒト90フラニル基又はジオキサニル基を形成
し、これらの環は低級アルキル基、低級アルケニル基、
低級アルコキシカルボニル基又は低級アル;キシカルボ
ニルメチル基で置換されていてもよく、又R1およびR
2はいつしよになって炭素数4ないし5の炭素環を形成
し、これらの環は低級アルコキシカルボニル基で置換さ
れていてもよ<、Rはアリル基またはベンジル基を表わ
す。) を有するカルバメート誘導体を式(2)%式%(2) を有するt−プチルジメチルシツンとパラジウム触媒存
在下反忠させることを特徴とする一般式(3)(式中R
1とR2は上記定義と同じである。)を有するt−ブチ
ルジ・メチルシリルカルバメート鰐導体の製造法。
原子、炭素数1〜10のアルキル基、アルケニル基又は
アルアルキル基を表わし、これらは、ヒト0ロキシ基、
メチルチオ基、低級アルコキシカルボニル基、低級アル
コキシ基、インドリル基又はイミダゾリル基で置換され
ていてもよ<、R5は低級アルコキシカルボニル基、炭
素数2〜6ON−アルキルアミド基、0−ナト2ヒドロ
ピラニルスレオニンメチルエステルアミ)”残基、O−
t−グチルジメチルシリルスレオニンメチルエステル残
基または−(CH2)n−C0OR’ (ここでnは1
〜3の整数で、R6低級アルキル基)を表わしR4およ
びR5は結合してシクロインチル基、シクロヘキシル基
、テトラヒト90フラニル基又はジオキサニル基を形成
し、これらの環は低級アルキル基、低級アルケニル基、
低級アルコキシカルボニル基又は低級アル;キシカルボ
ニルメチル基で置換されていてもよく、又R1およびR
2はいつしよになって炭素数4ないし5の炭素環を形成
し、これらの環は低級アルコキシカルボニル基で置換さ
れていてもよ<、Rはアリル基またはベンジル基を表わ
す。) を有するカルバメート誘導体を式(2)%式%(2) を有するt−プチルジメチルシツンとパラジウム触媒存
在下反忠させることを特徴とする一般式(3)(式中R
1とR2は上記定義と同じである。)を有するt−ブチ
ルジ・メチルシリルカルバメート鰐導体の製造法。
(2) パラジウム触媒がパラジウム・炭素、塩化パ
ラジウム(n)、酢酸ノ5ラジウム(ID、ジクロロビ
ス(アセトニトリル)パラジウム(II)、またはジク
ロロビス(トリフェニルフォスフイン)パラジウム(I
I)である、特許請求の範囲第1項記αの方法、」(2
)明細書を次のように訂正する。
ラジウム(n)、酢酸ノ5ラジウム(ID、ジクロロビ
ス(アセトニトリル)パラジウム(II)、またはジク
ロロビス(トリフェニルフォスフイン)パラジウム(I
I)である、特許請求の範囲第1項記αの方法、」(2
)明細書を次のように訂正する。
頁 行 訂正前 訂正後目 下5
(11(31 82〜3 t−ブチル・・アリ アリルール カルボニル化された 12 1 シはロト0ン ジはロト9ン
(3)明細書8頁と9頁との間に下記を挿入する。
(11(31 82〜3 t−ブチル・・アリ アリルール カルボニル化された 12 1 シはロト0ン ジはロト9ン
(3)明細書8頁と9頁との間に下記を挿入する。
r本発明の方法の特徴は、特願昭60−207204号
と比較した場合羽確に示される。
と比較した場合羽確に示される。
すなわち、Irf願昭60−207204号ノ方法は、
下記反応例(a)の如く、t−ブチルジメチルシリルト
リフルオロメタンスルホネートを使用してBoa基をt
−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル基へ変換する
ものである。
下記反応例(a)の如く、t−ブチルジメチルシリルト
リフルオロメタンスルホネートを使用してBoa基をt
−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル基へ変換する
ものである。
反応例(SL)
HBoc
ZNH/\/\/\CO2Me →
ZNE/ν′ZゝCO2Me
Nα−t−ブトキシカルボニル−Nε−カルボインジオ
キシリジンメチルエステル(19LO”P、α48ミリ
モル)のジクロロメタン溶液(x、od)に、2.6−
ルチジン(113μ!、0.97ミリモル)及びt−ブ
チルジメチルシリルトリフルオロメ、タンスルホネ−)
(167μ!、α73ミリモル)を加え、アルゴン雰囲
気下、室温で15分間攪拌を行なった。飽和塩化アンモ
ニウム水溶液を加えた後、エーテル抽出、エーテル層を
無水訛酸マグネシウムで乾燥し、ろ過、溶媒留去を行な
うことにより、N(″t−ブチルジメチルシリルオキシ
カルボニル−Nε−カルボ・はンゾキシリジンメチルエ
ステル(238■、収率100%)を得た。
キシリジンメチルエステル(19LO”P、α48ミリ
モル)のジクロロメタン溶液(x、od)に、2.6−
ルチジン(113μ!、0.97ミリモル)及びt−ブ
チルジメチルシリルトリフルオロメ、タンスルホネ−)
(167μ!、α73ミリモル)を加え、アルゴン雰囲
気下、室温で15分間攪拌を行なった。飽和塩化アンモ
ニウム水溶液を加えた後、エーテル抽出、エーテル層を
無水訛酸マグネシウムで乾燥し、ろ過、溶媒留去を行な
うことにより、N(″t−ブチルジメチルシリルオキシ
カルボニル−Nε−カルボ・はンゾキシリジンメチルエ
ステル(238■、収率100%)を得た。
性状:無色油状物質
工Rスはクトル(フィルム、偲−”):3352.17
08.1526 ’vxスペクトル(m/z): 452M”、395.
352MMRx堅クトル(CDC13,δ−)ニア、3
5 (5H。
08.1526 ’vxスペクトル(m/z): 452M”、395.
352MMRx堅クトル(CDC13,δ−)ニア、3
5 (5H。
S)、5.24 (IH、d、 J−&OH2)、5.
09C2H,ts)、4.80 (I Hs br’)
、4.15(ILm)、3.74(3H,s)、&19
(2H、m )、1.2〜L9 (6H、m )、α
94(9H,8)一方、本発明の方法においては、パラ
ジウム試薬存在下t−ブチルジメチルシランを使用する
ことにより、反応体の2基またはA11oa基を選択的
にt−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル基へ変換
できる。
09C2H,ts)、4.80 (I Hs br’)
、4.15(ILm)、3.74(3H,s)、&19
(2H、m )、1.2〜L9 (6H、m )、α
94(9H,8)一方、本発明の方法においては、パラ
ジウム試薬存在下t−ブチルジメチルシランを使用する
ことにより、反応体の2基またはA11oa基を選択的
にt−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル基へ変換
できる。
このような選択的変換は、下記反応例(b)および(C
)における如(、反応体中にBoa基が共存していたと
しても生じる。
)における如(、反応体中にBoa基が共存していたと
しても生じる。
反応例(b)
ぺHBo c
ZNB/(′7\CO2Me →
1HBoc
パラジウム(n)アセテート(6■、0.03ミリモル
)及び、トリエチルアミン(12μJ、0.09ミリモ
ル)を含むジクロロメタン溶液(toy)に、t−ブチ
ルジメチルシラン(63μl、0.38ミリモル)つづ
いてN(l!−t−ブトキシカルボニル−Nε−カルボ
ベンゾキシリジンメチルエステル(100■、α25ミ
リモル)のジクロロメタン溶液(1,Od)を加え、ア
ルゴン雰囲気下、室温で16時間攪拌を行なった。飽和
塩化アンモニウム水溶液を加えた後、エーテル抽出し、
エーテル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ヂ過、溶
媒留去を行なうことにより HCl−ブトキシカルボニ
ル−Nε−1−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル
リシンメチルエステル(95,5■、収率90%)を得
た。
)及び、トリエチルアミン(12μJ、0.09ミリモ
ル)を含むジクロロメタン溶液(toy)に、t−ブチ
ルジメチルシラン(63μl、0.38ミリモル)つづ
いてN(l!−t−ブトキシカルボニル−Nε−カルボ
ベンゾキシリジンメチルエステル(100■、α25ミ
リモル)のジクロロメタン溶液(1,Od)を加え、ア
ルゴン雰囲気下、室温で16時間攪拌を行なった。飽和
塩化アンモニウム水溶液を加えた後、エーテル抽出し、
エーテル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ヂ過、溶
媒留去を行なうことにより HCl−ブトキシカルボニ
ル−Nε−1−ブチルジメチルシリルオキシカルボニル
リシンメチルエステル(95,5■、収率90%)を得
た。
性状:無色油状物
工Rスペクトル(フィルム、偲−” ): 3368.
1748.1704.1520 マススはクトル(m/z): 419(M++1 )+
、345.305,287 NMRx−eクトル(CDC13、δP)&00(2H
,m)、4.20(lHtm)、3.69 (3H,a
)、3.08(2H,m)、1.42C9H,s)、
1.1〜zO(6E、m)、α91(9H,s)、0.
24(6B。
1748.1704.1520 マススはクトル(m/z): 419(M++1 )+
、345.305,287 NMRx−eクトル(CDC13、δP)&00(2H
,m)、4.20(lHtm)、3.69 (3H,a
)、3.08(2H,m)、1.42C9H,s)、
1.1〜zO(6E、m)、α91(9H,s)、0.
24(6B。
e)
反応例(C)
ゝMe
ノラジウム印アセテート(6q% 0.03ミリモル)
及びトリエチルアミン(12μJ、0.08ミリモル)
を含むジクロロメタン溶液(1,0d)Kt−ブチルジ
メチルシラ/(137μm、0.83ミリモル)を加え
、アルゴン雰囲気下、室温で15分間攪拌を行なった。
及びトリエチルアミン(12μJ、0.08ミリモル)
を含むジクロロメタン溶液(1,0d)Kt−ブチルジ
メチルシラ/(137μm、0.83ミリモル)を加え
、アルゴン雰囲気下、室温で15分間攪拌を行なった。
この黒色けん温溶液にN−を−ブトキシカルボニルアリ
ルグリシン(シリルエステル(149■、0.55ミリ
モル)のジクロロメタン磐液(1,Od)を加え、さら
に15時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウムを加え
た後、エーテル抽出し、エーテル石な無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥、ろ過し、溶媒留去を行な5ことにより、N
−t−ブトキシカルボニルアリルグリシン−1−ブチ
ルジメチルシリルエステル(182岬、収率100%)
を得た。
ルグリシン(シリルエステル(149■、0.55ミリ
モル)のジクロロメタン磐液(1,Od)を加え、さら
に15時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウムを加え
た後、エーテル抽出し、エーテル石な無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥、ろ過し、溶媒留去を行な5ことにより、N
−t−ブトキシカルボニルアリルグリシン−1−ブチ
ルジメチルシリルエステル(182岬、収率100%)
を得た。
性状:無色油状物質
工Rスペクトル(フィルム、cfn−1):345Q。
1718.1645,1500
マススペクトル(m/z):330(M++1)+、3
06.216 NMRスはクトル(CD(Js、δP):5.60(I
H。
06.216 NMRスはクトル(CD(Js、δP):5.60(I
H。
m)、5.05(3H,IIII)、4.25(IH,
m)、2.50(2H,m)、x、4z(9H,s)、
0.93(9H,e )、α27(6H*’)j以上
m)、2.50(2H,m)、x、4z(9H,s)、
0.93(9H,e )、α27(6H*’)j以上
Claims (2)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中R^1は炭素数1〜3のアルキル基または水素原
子を表わし、R^2は基▲数式、化学式、表等がありま
す▼、ここでR^4は水素原子、炭素数1〜10のアル
キル基、アルケニル基又はアルアルキル基を表わし、こ
れらはメチルチオ基、低級アルコキシカルボニル基、低
級アルコキシ基、インドリル基又はイミダゾリル基で置
換されていてもよく、R^5は低級アルコキシカルボニ
ル基、炭素数2〜6のN−アルキルアミド基、O−テト
ラヒドロピラニルスレオニンメチルエステルアミド残基
、O−t−ブチルジメチルシリルスレオニンメチルエス
テル残基または−(CH_2)_n−COOR^6(こ
こでnは1〜3の整数で、R^6は低級アルキル基)を
表わし、R^4およびR^5は結合してシクロペンチル
基、シクロヘキシル基、テトラヒドロフラニル基 又はジオキサニル基を形成し、これらの環は低級アルキ
ル基、低級アルケニル基、低級アルコキシカルボニル基
又は低級アルコキシカルボニルメチル基で置換されてい
てもよく、又R^1およびR^2はいつしよになつて炭
素数4ないし5の炭素環を形成し、これらの環は低級ア
ルコキシカルボニル基で置換されていてもよく、R^3
はt−ブチル基、アリール基またはベンジル基を表わす
。) を有するカルバメート誘導体を式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) を有するt−ブチルジメチルシランとパラジウム触媒存
在下反応させることを特徴とする一般式(3)▲数式、
化学式、表等があります▼(3) (式中R^1とR^2は上記定義と同じである。)を有
するt−ブチルジメチルシリルカルバメート誘導体の製
造法。 - (2)パラジウム触媒がパラジウム・炭素、塩化パラジ
ウム(II)、酢酸パラジウム(II)、ジクロロビス(ア
セトニトリル)パラジウム(II)、またはジクロロビス
(トリフエニルフオスフイン)パラジウム(II)である
、特許請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163443A JPS6317888A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | t−ブチルジメチルシリルカルバメ−ト誘導体の製造法 |
| US06/909,397 US4837349A (en) | 1985-09-19 | 1986-09-19 | Tertiary-butyldimethylsilyl carbamate derivative and process for producing the same |
| EP86112938A EP0217243A3 (en) | 1985-09-19 | 1986-09-19 | Tertiary-butyldimethylsilyl carbamate derivative and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163443A JPS6317888A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | t−ブチルジメチルシリルカルバメ−ト誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6317888A true JPS6317888A (ja) | 1988-01-25 |
Family
ID=15773985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61163443A Pending JPS6317888A (ja) | 1985-09-19 | 1986-07-11 | t−ブチルジメチルシリルカルバメ−ト誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6317888A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513592A (ja) * | 2005-10-28 | 2009-04-02 | グラクソ グループ リミテッド | N,n−置換カルバモイルハライドの製造方法 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61163443A patent/JPS6317888A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513592A (ja) * | 2005-10-28 | 2009-04-02 | グラクソ グループ リミテッド | N,n−置換カルバモイルハライドの製造方法 |
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