JPS63185032A - シリコン基板のエツチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、エツチング液を用いたシリコン基板のエツチ
ング装置に関する。

（従来の技術） 従来のエツチング装置は、第５図に示すように、反応槽
１内にエツチング液２を満たし、ここにホルダ固定軸３
によって支持された回転駆動可能なホルダ４を浸漬した
構造となっており、該ホルダ４に多数枚のシリコン基板
５を挟持し、ホルダ４と共に一体回転せしめてエツチン
グを行ってい−る。したがって、シリコン基板５は、静
止したエツチング液２との接触によって反応処理が行わ
れるものであり、モして′エツチング液２との接触は、
専らシリコン基板５の回転動作に依存している。　　　
　　・ （発明が解決しようとする問題点） しかしながら、゛上記エツチング装置でシリコン基板５
を反応処理した場合、−のホルダ４によって挟持されて
いる多数枚のシリコン基板Ｓ、Ｓ−・・間に平行度のバ
ラツキが発生する。すなわち、上述したように、シリコ
ン基板５を高嫌回転させているので、該シリコン基板５
のエツチング液２に対する接液状態を制御することがで
きない。そのため、シリコン基板５とエツチング液２と
の接触にバ曳ツキを生じ、その結果、シリコン基板５゜
５・・・間に平行度のバラツキを生じる。

（問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
下記技術手段を採用する。

すなわち、本発明は、複数枚のシリコン基板を回転可能
に支持するホルダと該ホルダを収設し且つエツチング液
を収容する反応槽とからなるシリコン基板のエツチング
装置において、前記反応槽に液流付与手段を付設して構
成される。

（作　用） 上記構成によれば、シリコン基板の高速回転動作に加え
、エツチング液自体か流れて行き、シリコン基板とエツ
チング液との接触状態が促進され・、シリコン基板の平
行度のバラツキが除去される。

（実施例） 以下、例示図面に基いて本発明を更に詳述する。

第１図は本発明の一実施例を示す正面図、第２図は同側
面図であって、１１は反応槽、１２はホルダ固定軸、１
３はホルダ、１４はエツチング液、１５はシリコン基板
、１６は熱電対を示す。

そして、本発明のシリコン基板のエッング装置は、液流
付与手段１７を備えている。

すなわち１本発明は、反応槽１１の近傍にエツチング液
１４を収めた貯槽１８を配設し、該貯槽１８内のエツチ
ング液１４を、ポンプ１９及び複数本の各独立した供給
管２０により反応槽１１の底部に設けた分割槽２１へと
導き、更にここに導かれたエツチング液１４を反応槽１
１の下部に形成した多分割の噴出口２２から噴出させ、
他方、反応４％”ｊＬｌの上部と貯槽１８との間に戻り
管２３を配設し、使用したエツチング液１４を貯槽１８
へ戻す構成としている。２４は各供給管２０に相互に独
立して付設した複数の可変流量弁、２５は貯槽１８に設
けた熱交換器である。

上述した本発明に係るエツチング装はは、次のように使
用する。

まず、反応槽１１内に配設した熱電対１６て液温を測定
し、貯槽１８に設けた熱交換器２５で液温を制御する。

温度制御されたエツチング液１４は複数個のポンプ１９
で圧送されるか、その際に供給管２０に付設しである可
変流量弁２４で流量を調整する。具体的には、エツチン
グを行うに際し、ダミーウェハでエツチングを行い、平
行度を干渉縞測定器で測って適量の流量となるよう可変
流量弁２４を調整する。つまりホルダ１３内の複数枚の
シリコン基板１５の平行度に見合ったエツチング液１４
の流量を、反応槽１１中に噴出させる。第３図はエツチ
ング液１４の流量と厚みムラの相関関係を示すグラフで
、例えば４０４１／ｗｉｎの流量では、１〜３ｇｍの厚
みムラとなったことを示す。このグラフから厚みムラは
流量を増やせば小さくなるが、５０！Ｌ／＋ｓｉｎ以上
では全く流量を増やす価値が認められないことが分る。

他方、複数枚のシリコン基板１５を保持しているホルダ
１３は、液の流れを乱さない程度の回転数（例えば５０
ｒｐ■±５ｒｐ■）で回転させる。

かくして、シリコン基板１５は流れゆくエツチング液１
４に接触して反応処理される状態となり、反応槽１１に
注入された液はオーバーフローして戻り管２３を通り貯
槽１８へと戻る。

（発明の効果） 以上説明したように本発明は、液流付与手段を備えて構
成され、該液流によりシリコン基板を反応処理させるも
のであり、従って流量を変えることによってシリコン基
板に見合った反応処理が可能となり、従来大きかった平
行度のバラツキが小さなものとなる。

第４図は本発明に係るエツチング装置を使用した場合の
厚みムラの分布図で、第６図（従来袋ごによる場合）に
比べると、−見して本発明の顕著な効果が認められる。

なお、これらの図において縦軸は個数（ｎ）、横軸は厚
みムラ（ｐｍ）であり、Ｎは試験数、Ｘは算術平均、σ
は分布の標準偏差を示している。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例を示す正面図、第２図は同側
面図、第３図は液流量とエツチングの厚みムラとの相関
関係図、第４図は本発明を用いた場合の厚みムラ分布図
、第５図は従来装置を示す正面図、第６図は従来装置に
よる場合の厚みムラの分布図である。 １１・・・反応槽　　１３・・・ホルダ１５・・・シリ
コン　１７・・・液流付与手段特許出願人　九州電子金
属株式会社 （嬶１ル） 代　理　人　　弁理士　　森　　　　　正　　澄第３図 第４図 龜 外 へ衿 ！糖ｎ＊ 域全′：Ｓ漢 駕畳、’ｓ＠ −の膿ト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数枚のシリコン基板を回転可能に支持するホルダと該
   ホルダを収設し且つエッチング液を収容する反応槽とか
   らなるシリコン基板のエッチング装置において、前記反
   応槽に液流付与手段を付設したことを特徴とするシリコ
   ン基板のエッチング装置。