JPS6318568B2 - - Google Patents
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- JPS6318568B2 JPS6318568B2 JP55030435A JP3043580A JPS6318568B2 JP S6318568 B2 JPS6318568 B2 JP S6318568B2 JP 55030435 A JP55030435 A JP 55030435A JP 3043580 A JP3043580 A JP 3043580A JP S6318568 B2 JPS6318568 B2 JP S6318568B2
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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- C07C4/06—Catalytic processes
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J29/00—Catalysts comprising molecular sieves
- B01J29/04—Catalysts comprising molecular sieves having base-exchange properties, e.g. crystalline zeolites
- B01J29/06—Crystalline aluminosilicate zeolites; Isomorphous compounds thereof
- B01J29/70—Crystalline aluminosilicate zeolites; Isomorphous compounds thereof of types characterised by their specific structure not provided for in groups B01J29/08 - B01J29/65
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- B01J29/74—Noble metals
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- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2229/00—Aspects of molecular sieve catalysts not covered by B01J29/00
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- B01J2229/40—Special temperature treatment, i.e. other than just for template removal
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2521/00—Catalysts comprising the elements, oxides or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium or hafnium
- C07C2521/06—Silicon, titanium, zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
- C07C2521/08—Silica
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2523/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00
- C07C2523/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00 of noble metals
- C07C2523/40—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group C07C2521/00 of noble metals of the platinum group metals
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- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
本発明は、分子中に2〜4個の炭素原子を有す
るパラフイン、またはC2〜4パラフインを75重量%
より多く含む炭化水素混合物であり、該C2〜4パラ
フインが、生成物のC- 2パラフイン留分の平均モ
ラル炭素数(average molar carbon number)
より少なくとも0.5だけ大きい平均モル炭素数を
有する該分子中に2〜4個の炭素原子を有するパ
ラフイン、または該C2〜4パラフインを75重量%よ
り多く含む炭化水素混合物から、触媒として結晶
シリケートを用いてメタンおよびエタンを製造す
る方法に関する。該結晶シリケートは、空気中で
の1時間の焼成後、次の構成を有することを特徴
とする: (a) 粉末X線回折図(X―ray powder
diffraction pattern)が、とりわけ表Aに示す
反射(reflections)を示す;
るパラフイン、またはC2〜4パラフインを75重量%
より多く含む炭化水素混合物であり、該C2〜4パラ
フインが、生成物のC- 2パラフイン留分の平均モ
ラル炭素数(average molar carbon number)
より少なくとも0.5だけ大きい平均モル炭素数を
有する該分子中に2〜4個の炭素原子を有するパ
ラフイン、または該C2〜4パラフインを75重量%よ
り多く含む炭化水素混合物から、触媒として結晶
シリケートを用いてメタンおよびエタンを製造す
る方法に関する。該結晶シリケートは、空気中で
の1時間の焼成後、次の構成を有することを特徴
とする: (a) 粉末X線回折図(X―ray powder
diffraction pattern)が、とりわけ表Aに示す
反射(reflections)を示す;
【表】
ここで使用文字は次の意味を有する;
VS=非常に強い;S=強い;M=中程度;
W=弱い;θ=Braggに従う角度
(b) シリケートのH型への変換後、および2×
10-9Kg/cm2で16時間400℃での排気後、炭化水
素圧力8×10-2Kg/cm2で100℃で測定して、n
―ヘキサンの吸着が少なくとも0.8mmol/g、
2,2―ジメチルブタンの吸着が少なくとも
0.5mmol/gで、 n―ヘキサンの吸着/2,2―メチルブタンの吸着 の比が少なくとも1.5であり、 (c) 酸化物のモル数で表わした組成が、次のよう
になる: y・(1.0+0.3)Mo/2o・y・Al2O3・SiO2 (ここでM=Hおよび/またはアルカリ金属
および/またはアルカリ土類金属であり、nは
Mの価数であり、そしてo<y0.1である)。 前記(b)で示した吸着測定に対しては、シリケー
トは、まずH型に変換されねばならない。この変
換は、500℃で焼成したシリケートを、NH4NO3
の1モル溶液で煮沸させてから、水洗し、後に再
びNH4NO3の1モル溶液で煮沸してから水洗し、
次に120℃で乾燥後、500℃で焼成して行う。 前記の方法に関する研究で、生成物中のメタン
とエタンとを加えた重量百分率が、シリケートの
全組成物を与える式中のyの値にまず大きく依存
し、さらにこの方法での使用圧力に依存すること
が見いだされた。本発明方法の商業的使用を受け
入れられるものとするメタンとエタンとを加えた
重量百分率を有する生成物を得るには、yは、少
なくとも0.005で、10Kg/cm2より大きい圧力で本
発明の方法を行うべきことが明らかとされた。 したがつて、本発明は、メタンおよびエタンの
製造方法において、C2〜4パラフインまたは75重量
%より多いC2〜4パラフインを含んでなる炭化水素
混合物であり、該C2〜4パラフインが、生成物の
C- 2パラフイン留分の平均モル炭素数より少なく
とも0.5大きい平均モル炭素数を有する該C2〜4パ
ラフインまたは該75重量%よりC2〜4パラフインを
含んでなる炭化水素混合物を、10Kg/cm2より大き
な圧力で、前記に定めた結晶シリケートと接触さ
せるようにし、そしてシリケートの全組成を与え
る式中でyの値が少なくとも0.005であることを
特徴とする前記メタンおよびエタンの製造方法に
関する。 本発明に従う方法では、出発物質は、C2〜4パラ
フインまたは75重量%より多いC2〜4パラフインを
含んでなる炭化水素混合物であるべきである。適
当なC2〜4パラフインは、エタン,プロパン,ブタ
ンおよびイソブタンである。出発物質が、1種ま
たはそれ以上のC2〜4パラフインに加えて1種また
はそれ以上の他の炭化水素を含んでなる炭化水素
混合物である場合、これら他の炭化水素は、とり
わけ、モノオレフイン、ジオレフイン、メタンま
たはC+ 5パラフインであつてよい。供給材料に依
存するC2〜4パラフインに関していえば、これら
C2〜4パラフインは、生成物のC- 2パラフイン留分
の平均モル炭素数より少なくとも0.5大きい平均
モル炭素数を有すべきである。この点に関し平均
モル炭素数は、次を意味すると解釈されたい: Σo×Coパラフインのモル数/ΣCoパラフインのモル
数 供給材料に対してnは、2および/または3およ
び/または4であつてよく、生成物に対しnは、
1および/または2である。したがつて、供給材
料中のC2〜4パラフインに対する平均モル炭素数
は、2と4の間で変化してもよく(NF)、生成物
のC- 2パラフイン留分に対しては、1と2の間で
変化してよい(NP)。本発明に従う方法では、必
要条件:NFNP+0.5が満足されるべきである。
本発明の方法に対する非常に適当な供給材料は、
鉱油生成物の副生物として得られるC3とC4のパ
ラフインから実質的になる炭化水素混合物であ
る。 本発明に従う方法は、温度400ないし800℃、特
に425ないし650℃、圧力100Kg/cm2未満、特に15
ないし75Kg/cm2、そして空間速度0.1ないし20g・
g-1・h-1、特に0.5ないし10g・g-1・h-1で好まし
く行われる。所望なら、本発明に従う方法は、水
素の存在で行われ得る。 使用温度に依存して、本発明に従う方法は、パ
ラフイン留分がメタンまたはエタンを支配的に含
んでなる生成物を生じ得る。425ないし500℃の温
度が、エタンを支配的に含んでなるC- 2パラフイ
ン留分の生成物を与え得、一方530ないし650℃の
温度が、メタンを支配的に含んでなるC- 2パラフ
イン留分の生成物を生ずる。 本発明に従う方法では、75重量%より多いC2〜4
パラフインを含んでなる炭化水素混合物または
C2〜4パラフインを、500℃で空気中での1時間の
焼成後のシリケートにより示されるX線粉末回折
図でとりわけ規定される結晶シリケートと、この
供給材料と接触させることによりメタンおよびエ
タンに変換される。このX線粉末回折図は、表A
に示した反射をとりわけ含むべきである。本発明
に従つて使用するのに適するシリケートの典型例
の完全なX線粉末回折図を、表Bに示す(輻射
線:Cu―Kα;波長:0.15118nm)。
10-9Kg/cm2で16時間400℃での排気後、炭化水
素圧力8×10-2Kg/cm2で100℃で測定して、n
―ヘキサンの吸着が少なくとも0.8mmol/g、
2,2―ジメチルブタンの吸着が少なくとも
0.5mmol/gで、 n―ヘキサンの吸着/2,2―メチルブタンの吸着 の比が少なくとも1.5であり、 (c) 酸化物のモル数で表わした組成が、次のよう
になる: y・(1.0+0.3)Mo/2o・y・Al2O3・SiO2 (ここでM=Hおよび/またはアルカリ金属
および/またはアルカリ土類金属であり、nは
Mの価数であり、そしてo<y0.1である)。 前記(b)で示した吸着測定に対しては、シリケー
トは、まずH型に変換されねばならない。この変
換は、500℃で焼成したシリケートを、NH4NO3
の1モル溶液で煮沸させてから、水洗し、後に再
びNH4NO3の1モル溶液で煮沸してから水洗し、
次に120℃で乾燥後、500℃で焼成して行う。 前記の方法に関する研究で、生成物中のメタン
とエタンとを加えた重量百分率が、シリケートの
全組成物を与える式中のyの値にまず大きく依存
し、さらにこの方法での使用圧力に依存すること
が見いだされた。本発明方法の商業的使用を受け
入れられるものとするメタンとエタンとを加えた
重量百分率を有する生成物を得るには、yは、少
なくとも0.005で、10Kg/cm2より大きい圧力で本
発明の方法を行うべきことが明らかとされた。 したがつて、本発明は、メタンおよびエタンの
製造方法において、C2〜4パラフインまたは75重量
%より多いC2〜4パラフインを含んでなる炭化水素
混合物であり、該C2〜4パラフインが、生成物の
C- 2パラフイン留分の平均モル炭素数より少なく
とも0.5大きい平均モル炭素数を有する該C2〜4パ
ラフインまたは該75重量%よりC2〜4パラフインを
含んでなる炭化水素混合物を、10Kg/cm2より大き
な圧力で、前記に定めた結晶シリケートと接触さ
せるようにし、そしてシリケートの全組成を与え
る式中でyの値が少なくとも0.005であることを
特徴とする前記メタンおよびエタンの製造方法に
関する。 本発明に従う方法では、出発物質は、C2〜4パラ
フインまたは75重量%より多いC2〜4パラフインを
含んでなる炭化水素混合物であるべきである。適
当なC2〜4パラフインは、エタン,プロパン,ブタ
ンおよびイソブタンである。出発物質が、1種ま
たはそれ以上のC2〜4パラフインに加えて1種また
はそれ以上の他の炭化水素を含んでなる炭化水素
混合物である場合、これら他の炭化水素は、とり
わけ、モノオレフイン、ジオレフイン、メタンま
たはC+ 5パラフインであつてよい。供給材料に依
存するC2〜4パラフインに関していえば、これら
C2〜4パラフインは、生成物のC- 2パラフイン留分
の平均モル炭素数より少なくとも0.5大きい平均
モル炭素数を有すべきである。この点に関し平均
モル炭素数は、次を意味すると解釈されたい: Σo×Coパラフインのモル数/ΣCoパラフインのモル
数 供給材料に対してnは、2および/または3およ
び/または4であつてよく、生成物に対しnは、
1および/または2である。したがつて、供給材
料中のC2〜4パラフインに対する平均モル炭素数
は、2と4の間で変化してもよく(NF)、生成物
のC- 2パラフイン留分に対しては、1と2の間で
変化してよい(NP)。本発明に従う方法では、必
要条件:NFNP+0.5が満足されるべきである。
本発明の方法に対する非常に適当な供給材料は、
鉱油生成物の副生物として得られるC3とC4のパ
ラフインから実質的になる炭化水素混合物であ
る。 本発明に従う方法は、温度400ないし800℃、特
に425ないし650℃、圧力100Kg/cm2未満、特に15
ないし75Kg/cm2、そして空間速度0.1ないし20g・
g-1・h-1、特に0.5ないし10g・g-1・h-1で好まし
く行われる。所望なら、本発明に従う方法は、水
素の存在で行われ得る。 使用温度に依存して、本発明に従う方法は、パ
ラフイン留分がメタンまたはエタンを支配的に含
んでなる生成物を生じ得る。425ないし500℃の温
度が、エタンを支配的に含んでなるC- 2パラフイ
ン留分の生成物を与え得、一方530ないし650℃の
温度が、メタンを支配的に含んでなるC- 2パラフ
イン留分の生成物を生ずる。 本発明に従う方法では、75重量%より多いC2〜4
パラフインを含んでなる炭化水素混合物または
C2〜4パラフインを、500℃で空気中での1時間の
焼成後のシリケートにより示されるX線粉末回折
図でとりわけ規定される結晶シリケートと、この
供給材料と接触させることによりメタンおよびエ
タンに変換される。このX線粉末回折図は、表A
に示した反射をとりわけ含むべきである。本発明
に従つて使用するのに適するシリケートの典型例
の完全なX線粉末回折図を、表Bに示す(輻射
線:Cu―Kα;波長:0.15118nm)。
【表】
力な別個の鏡映の強度
鏡映を示すため表Bで用いた文字は次の意味を
有する: SP=シヤープ;SP=シヨルダー;
NL=ノーマル;BD=ブロード;θ=Braggに従
う角度。 本発明に従う方法で触媒として用いられる結晶
シリケートは、次の化合物を含有する水性混合物
から出発して製造され得る:アルカリ金属または
アルカリ土類金属(M)の1種またはそれ以上の
化合物、有機陽イオン(R)を含有するが、また
はこのような陽イオンがシリケートの製造中に形
成される1種またはそれ以上の化合物、1種また
はそれ以上の珪素化合物、および1種またはそれ
以上のアルミニウム化合物・製造は、混合物を高
められた温度に保ち、シリケートが形成されるよ
うになし、次に母液からシリケートの結晶を別離
することにより行われる。シリケートがつくられ
る水性混合物中には、各種の化合物が、酸化物の
モル数で示して次の比で存在すべきである: M2/oO:(R)2/PO=0.1〜20、 (R)2/PO:SiO2=0.01〜0.5、 SiO2:Al2O3<400、および H2O:SiO2=5〜50; nは、Mの価で、PはRの価数である。 シリケートの製造では、Mが、ナトリウム化合
物中に存在し、そしてRがテトラポリアンモニウ
ム化合物中に存在する塩基混合物から出発するこ
とが好ましい。 触媒として用いるのに適するシリケートに対し
y0.005であり、y0.01の使用が好ましい。 シリケートの組成を与える式中のyの値は、出
発混合物中のSiO2対Al2O3のモル比の助けで調節
され得、ここで、出発混合物中のSiO2対Al2O3の
モル比が高く選ばれるに従いyに対し低い値のシ
リケートが得られることになる。 前記したようにして得たシリケートは、アルカ
リ金属イオンおよび/またはアルカリ土類金属イ
オンおよび有機陽イオンを含んでいる。適当な交
換法が用いられると、アルカリ金属イオンおよび
アルカリ土類金属イオンは、他の陽イオンたとえ
ば水素イオンまたはアンモニウムイオンで置き換
えられ得る。有機陽イオンは、シリケートを焼成
することにより水素イオンに非常に都合よく変換
される。本発明に従う方法で触媒として使用され
る結晶シリケートは、0.1重量%未満、特に0.01
重量%未満のアルカリ金属含量を好ましくは有し
ている。結晶シリケートが触媒として用いられる
際、所望の場合、これらはベントナイトまたはカ
オリンの如き結合物質と組合せられてよい。 本発明に従う方法で用いられるシリケートは、
それ自体高い触媒活性を有しているが、さらに
は、1種またはそれ以上の触媒活性のある金属成
分を組み入れることが推奨される。非常に適切な
触媒活性のある金属成分は、属の貴金属と亜鉛
である。族の貴金属が使用される場合、白金、
パラジウムまたはイリジウムが、好ましく選ば
れ、特に白金が選ばれる。亜鉛または白金、ある
いは亜鉛と白金との組合せを含むシリケートが用
いられると、本発明に従う方法で非常に好結果が
得られる。本発明に従う方法で好ましく用いられ
るシリケートは、亜鉛を0.05ないし20重量%、特
に0.1ないし10重量%およびまた属の貴金属を
0.01ないし5重量%、特に0.1ないし2重量%含
むシリケートである。本発明に従う方法で、1種
またはそれ以上の触媒活性を有する金属成分を含
むシリケートが用いられる場合、触媒活性を有す
る金属成分の組み入れは、関与する金属の1種ま
たはそれ以上の塩の水溶液でシリケートを含浸
し、次に乾燥してからこの含浸物質を焼成するよ
うにして行うのが好ましい。 本発明に従う方法は、関与する触媒の固定床ま
たは移動床が存在する垂直に設置した反応器内を
上方向または下方向に供給材料を導くことにより
非常に適切に行われ得る。 前記したように、本発明に従う方法は、使用温
度に依存してメタンまたはエタンからC- 2パラフ
イン留分が実質的になつている生成物を生じ得
る。本発明に従つて得られたメタンは、天然ガス
に置き代わる燃料ガスとして非常に適し、また本
発明に従つて得たエタンは、エチレン製造用の熱
分解ユニツトのための供給材料として非常に適す
る。 以下本発明を次の例と関連してさらに説明す
る。 例 水にSiO2,NaAlO2,NaOHおよび
〔(C3H7)4N〕OHを含んでなる混合物をオートク
レーブ中で24時間150℃で自己発生圧の下で加熱
することにより、3種の結シリケート(シリケー
トA〜C)をつくつた。反応混合物が冷却した
後、生成したシリケートを別し、水洗し、洗液
のPHが約8となるまでにし、次に120℃で2時間
乾燥した。500℃で空気中で1時間焼成した後、
シリケートA〜Cは、次の性質を有していた: (a) 800℃より高い温度まで熱的に安定、 (b) X線粉末回折図が、表Bのものに実質的に等
しい、 (c) シリケートのH型への変換後、および2×
10-9Kg/cm2で400℃で16時間排気後に、炭化水
素圧力8×10-2Kg/cm2で測定して、n―ヘキサ
ンの吸着は1.2mmol/g,2,2―メチルブタ
ンの吸着0.7mmol/gおよび比が n―ヘキサンの吸着/2,3―ジメチルブタンの吸着
1.7 であつた、 (d) 酸化物のモル数で表わした組成は、次の如く
である; シリケートA:0.030M2O・0.030
Al2O3・SiO2 〃 B:0.0038M2O・0.0038
Al2O3・SiO2 〃 C:0.0059M2O・0.0059
Al2O3・SiO2 (ここでM=HおよびNa) シリケートA〜Cが得られた水性混合物のモル
組成を表Cに示す:
鏡映を示すため表Bで用いた文字は次の意味を
有する: SP=シヤープ;SP=シヨルダー;
NL=ノーマル;BD=ブロード;θ=Braggに従
う角度。 本発明に従う方法で触媒として用いられる結晶
シリケートは、次の化合物を含有する水性混合物
から出発して製造され得る:アルカリ金属または
アルカリ土類金属(M)の1種またはそれ以上の
化合物、有機陽イオン(R)を含有するが、また
はこのような陽イオンがシリケートの製造中に形
成される1種またはそれ以上の化合物、1種また
はそれ以上の珪素化合物、および1種またはそれ
以上のアルミニウム化合物・製造は、混合物を高
められた温度に保ち、シリケートが形成されるよ
うになし、次に母液からシリケートの結晶を別離
することにより行われる。シリケートがつくられ
る水性混合物中には、各種の化合物が、酸化物の
モル数で示して次の比で存在すべきである: M2/oO:(R)2/PO=0.1〜20、 (R)2/PO:SiO2=0.01〜0.5、 SiO2:Al2O3<400、および H2O:SiO2=5〜50; nは、Mの価で、PはRの価数である。 シリケートの製造では、Mが、ナトリウム化合
物中に存在し、そしてRがテトラポリアンモニウ
ム化合物中に存在する塩基混合物から出発するこ
とが好ましい。 触媒として用いるのに適するシリケートに対し
y0.005であり、y0.01の使用が好ましい。 シリケートの組成を与える式中のyの値は、出
発混合物中のSiO2対Al2O3のモル比の助けで調節
され得、ここで、出発混合物中のSiO2対Al2O3の
モル比が高く選ばれるに従いyに対し低い値のシ
リケートが得られることになる。 前記したようにして得たシリケートは、アルカ
リ金属イオンおよび/またはアルカリ土類金属イ
オンおよび有機陽イオンを含んでいる。適当な交
換法が用いられると、アルカリ金属イオンおよび
アルカリ土類金属イオンは、他の陽イオンたとえ
ば水素イオンまたはアンモニウムイオンで置き換
えられ得る。有機陽イオンは、シリケートを焼成
することにより水素イオンに非常に都合よく変換
される。本発明に従う方法で触媒として使用され
る結晶シリケートは、0.1重量%未満、特に0.01
重量%未満のアルカリ金属含量を好ましくは有し
ている。結晶シリケートが触媒として用いられる
際、所望の場合、これらはベントナイトまたはカ
オリンの如き結合物質と組合せられてよい。 本発明に従う方法で用いられるシリケートは、
それ自体高い触媒活性を有しているが、さらに
は、1種またはそれ以上の触媒活性のある金属成
分を組み入れることが推奨される。非常に適切な
触媒活性のある金属成分は、属の貴金属と亜鉛
である。族の貴金属が使用される場合、白金、
パラジウムまたはイリジウムが、好ましく選ば
れ、特に白金が選ばれる。亜鉛または白金、ある
いは亜鉛と白金との組合せを含むシリケートが用
いられると、本発明に従う方法で非常に好結果が
得られる。本発明に従う方法で好ましく用いられ
るシリケートは、亜鉛を0.05ないし20重量%、特
に0.1ないし10重量%およびまた属の貴金属を
0.01ないし5重量%、特に0.1ないし2重量%含
むシリケートである。本発明に従う方法で、1種
またはそれ以上の触媒活性を有する金属成分を含
むシリケートが用いられる場合、触媒活性を有す
る金属成分の組み入れは、関与する金属の1種ま
たはそれ以上の塩の水溶液でシリケートを含浸
し、次に乾燥してからこの含浸物質を焼成するよ
うにして行うのが好ましい。 本発明に従う方法は、関与する触媒の固定床ま
たは移動床が存在する垂直に設置した反応器内を
上方向または下方向に供給材料を導くことにより
非常に適切に行われ得る。 前記したように、本発明に従う方法は、使用温
度に依存してメタンまたはエタンからC- 2パラフ
イン留分が実質的になつている生成物を生じ得
る。本発明に従つて得られたメタンは、天然ガス
に置き代わる燃料ガスとして非常に適し、また本
発明に従つて得たエタンは、エチレン製造用の熱
分解ユニツトのための供給材料として非常に適す
る。 以下本発明を次の例と関連してさらに説明す
る。 例 水にSiO2,NaAlO2,NaOHおよび
〔(C3H7)4N〕OHを含んでなる混合物をオートク
レーブ中で24時間150℃で自己発生圧の下で加熱
することにより、3種の結シリケート(シリケー
トA〜C)をつくつた。反応混合物が冷却した
後、生成したシリケートを別し、水洗し、洗液
のPHが約8となるまでにし、次に120℃で2時間
乾燥した。500℃で空気中で1時間焼成した後、
シリケートA〜Cは、次の性質を有していた: (a) 800℃より高い温度まで熱的に安定、 (b) X線粉末回折図が、表Bのものに実質的に等
しい、 (c) シリケートのH型への変換後、および2×
10-9Kg/cm2で400℃で16時間排気後に、炭化水
素圧力8×10-2Kg/cm2で測定して、n―ヘキサ
ンの吸着は1.2mmol/g,2,2―メチルブタ
ンの吸着0.7mmol/gおよび比が n―ヘキサンの吸着/2,3―ジメチルブタンの吸着
1.7 であつた、 (d) 酸化物のモル数で表わした組成は、次の如く
である; シリケートA:0.030M2O・0.030
Al2O3・SiO2 〃 B:0.0038M2O・0.0038
Al2O3・SiO2 〃 C:0.0059M2O・0.0059
Al2O3・SiO2 (ここでM=HおよびNa) シリケートA〜Cが得られた水性混合物のモル
組成を表Cに示す:
【表】
シリケート〜が、それぞれシリケートA〜
Cから、NH4NO3の1.0モル溶液を用い500℃で焼
成物質を煮沸し、後水洗してからNH4NO3の1.0
モル溶液を用いて再び煮沸し、後水洗してから、
120℃で乾燥後、500℃で焼成することによりつく
られた。 出発物質としてシリケート〜から、亜鉛お
よび/または白金を含むシリケート1〜6が製造
された。製造は、該当元素の1種またはそれ以上
の塩を含む水溶液でシリケート〜のサンプル
を含浸しさらに含浸材料を乾燥、焼成して行なつ
た。 シリケート1〜6は、次の組成を有した: シリケート1:シリケートにPt/重量%含む。 シリケート2:シリケートにZn2重量%含む。 シリケート3:シリケートにZn10重量%含む。 シリケート4:シリケートにPt0.33重量%+
Zn0.33重量%含む。 シリケート5:シリケートにPt0.40重量%含
む。 シリケート6:シリケートにZn2重量%含む。 シリケート1〜6およびシリケートが、プロ
パンおよびイソブタンからメタンおよびエタンの
製造のための触媒としてテストされた。テスト
は、該当シリケートの5ml固定触媒床を含む50ml
反応容器で行なつた。プロパンまたはイソプロパ
ンは、475ないし580℃の温度、1.5ないし50Kg/
cm2の圧力、2g―g-1―h-の空間速度で触媒へ導入
した。これらの実験の結果を表Dに示す。次のデ
ータを表に入れてある: (a) 生成物中のメタンの量 (b) 生成物中のエタンの量 (c) 生成物中のメタンとエタンの総量、および (d) 使用温度、使用圧力および使用供給材料。
Cから、NH4NO3の1.0モル溶液を用い500℃で焼
成物質を煮沸し、後水洗してからNH4NO3の1.0
モル溶液を用いて再び煮沸し、後水洗してから、
120℃で乾燥後、500℃で焼成することによりつく
られた。 出発物質としてシリケート〜から、亜鉛お
よび/または白金を含むシリケート1〜6が製造
された。製造は、該当元素の1種またはそれ以上
の塩を含む水溶液でシリケート〜のサンプル
を含浸しさらに含浸材料を乾燥、焼成して行なつ
た。 シリケート1〜6は、次の組成を有した: シリケート1:シリケートにPt/重量%含む。 シリケート2:シリケートにZn2重量%含む。 シリケート3:シリケートにZn10重量%含む。 シリケート4:シリケートにPt0.33重量%+
Zn0.33重量%含む。 シリケート5:シリケートにPt0.40重量%含
む。 シリケート6:シリケートにZn2重量%含む。 シリケート1〜6およびシリケートが、プロ
パンおよびイソブタンからメタンおよびエタンの
製造のための触媒としてテストされた。テスト
は、該当シリケートの5ml固定触媒床を含む50ml
反応容器で行なつた。プロパンまたはイソプロパ
ンは、475ないし580℃の温度、1.5ないし50Kg/
cm2の圧力、2g―g-1―h-の空間速度で触媒へ導入
した。これらの実験の結果を表Dに示す。次のデ
ータを表に入れてある: (a) 生成物中のメタンの量 (b) 生成物中のエタンの量 (c) 生成物中のメタンとエタンの総量、および (d) 使用温度、使用圧力および使用供給材料。
【表】
表Dに示した実験中、No.1〜11だけが、本発明
に従う実験である。これらの実験は、特許請求の
範囲に規定したシリケートの要件(a)〜(c)を満たす
シリケート1,2,3またはを触媒として使用
し10Kg/cm2より大きな圧力で行なつた。これらの
実験で、メタンおよびエタンを高い百分率で含む
生成物が得られた。実験12〜18は、本発明の範囲
外であり、比較のために入れた。実験13〜17で
は、低すぎるy値のシリケートが用いられ、実験
12,17および18では低すぎる圧力で行われ、これ
ら全てではメタンとエタンの重量百分率は受け入
れられないほど低い生成物をもたらした。
に従う実験である。これらの実験は、特許請求の
範囲に規定したシリケートの要件(a)〜(c)を満たす
シリケート1,2,3またはを触媒として使用
し10Kg/cm2より大きな圧力で行なつた。これらの
実験で、メタンおよびエタンを高い百分率で含む
生成物が得られた。実験12〜18は、本発明の範囲
外であり、比較のために入れた。実験13〜17で
は、低すぎるy値のシリケートが用いられ、実験
12,17および18では低すぎる圧力で行われ、これ
ら全てではメタンとエタンの重量百分率は受け入
れられないほど低い生成物をもたらした。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 メタンおよびエタンの製造方法において、
C2〜4パラフインまたはC2〜4パラフインを75重量%
より多く含む炭化水素混合物(該C2〜4パラフイン
は、生成物のC- 2パラフイン留分の平均モラル炭
素数より少なくとも0.5だけ大きい平均モル炭素
数を有する)を、触媒としての結晶シリケートと
10Kg/cm2より高い圧力で接触させ、該シリケート
は、空気中で500℃で1時間の焼成後、次の性質
を有することを特徴とする: (a) 粉末X線回折図がとりわけ表Aに示す反射を
示す; 【表】 【表】 (b) シリケートのH型への変換後、および2×
10-9Kg/cm2で16時間400℃での排気後、炭化水
素圧力8×10-2Kg/cm2で100℃で測定して、n
―ヘキサンの吸着が少なくとも0.8mmol/g、
2,2―ジメチルブタンの吸着が少なくとも
0.5mmol/gで、 n―ヘキサンの吸着/2,2―ジメチルブタンの吸着 の比が少なくとも1.5であり、 (c) 酸化物のモル数で表わした組成が、次のよう
になる: y・(1.0±0.3)M2/oO・y・Al2O3・SiO2 (ここでM=Hおよび/またはアルカリ金属
およびまたはアルカリ土類金属であり、nはM
の価数であり、そしてy0.005である)、 前記メタンおよびエタンの製造方法。 2 前記第1項に従う方法において、供給材料
が、鉱油の製造の副生物として得られたC3およ
びC4パラフインから実質的になる炭化水素混合
物であることを特徴とする前記方法。 3 前記第1または2項に従う方法において、前
記方法が、400ないし800℃の温度、100Kg/cm2未
満の圧力および空間速度0.1ないし20g・g-1・
h-1で行われることを特徴とする前記方法。 4 前記第1〜3項のいずれかに従う方法におい
て、y〓0.01としたシリケートが用いられること
を特徴とする前記方法。 5 前記第1〜4項のいずれかに従う方法におい
て、アルカリ金属含量が0.1%未満のシリケート
が用いられることを特徴とする前記方法。 6 前記第1〜5項のいずれかに従う方法におい
て、1種またはそれ以上の触媒活性を有する金属
成分を含むシリケートが用いられることを特徴と
する前記方法。 7 前記第6項に従う方法において、族の貴金
属0.01ないし5重量%および/または亜鉛0.05な
いし20重量%を含むシリケートが用いられること
を特徴とする前記方法。 8 前記第6または7項に従う方法において、触
媒活性を有する金属成分のシリケートへの組み入
れが、該当金属の1種またはそれ以上の塩の水溶
液でシリケートを含浸し、該含浸済物質を乾燥し
そして焼成することにより行われることを特徴と
する前記方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7902021A NL7902021A (nl) | 1979-03-14 | 1979-03-14 | Werkwijze voor de bereiding van methaan en/of ethaan. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55124726A JPS55124726A (en) | 1980-09-26 |
| JPS6318568B2 true JPS6318568B2 (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=19832802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3043580A Granted JPS55124726A (en) | 1979-03-14 | 1980-03-12 | Manufacture of methane and ethane |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4291188A (ja) |
| EP (1) | EP0016495B1 (ja) |
| JP (1) | JPS55124726A (ja) |
| CA (1) | CA1127187A (ja) |
| DE (1) | DE3060671D1 (ja) |
| NL (1) | NL7902021A (ja) |
| NZ (1) | NZ193108A (ja) |
| ZA (1) | ZA801443B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05103461A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧変換装置およびそれを用いたビデオカメラ |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4359378A (en) * | 1979-04-16 | 1982-11-16 | Chevron Research Company | Catalytic cracking process for improved octane |
| US4744883A (en) * | 1982-07-29 | 1988-05-17 | Ashland Oil, Inc. | Production of synthesis gas and related products via the cracking of heavy oil feeds |
| US4600499A (en) * | 1982-07-29 | 1986-07-15 | Ashland Oil, Inc. | Combination process for upgrading reduced crude |
| JPH0740171Y2 (ja) * | 1991-11-20 | 1995-09-13 | 安藤建設株式会社 | 測量用視準尺 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3827867A (en) * | 1972-11-16 | 1974-08-06 | Mobil Oil Corp | Production of methane and aromatics |
| US3941871A (en) * | 1973-11-02 | 1976-03-02 | Mobil Oil Corporation | Crystalline silicates and method of preparing the same |
| US4061724A (en) * | 1975-09-22 | 1977-12-06 | Union Carbide Corporation | Crystalline silica |
| US4088605A (en) * | 1976-09-24 | 1978-05-09 | Mobil Oil Corporation | ZSM-5 containing aluminum-free shells on its surface |
| US4073865A (en) * | 1976-09-27 | 1978-02-14 | Union Carbide Corporation | Silica polymorph and process for preparing same |
| US4086186A (en) * | 1976-11-04 | 1978-04-25 | Mobil Oil Corporation | Crystalline zeolite ZSM-34 and method of preparing the same |
| NZ185397A (en) * | 1976-11-04 | 1979-12-11 | Mobil Oil Corp | Crystalline aluminosilicate zeolites and use as catalysts |
| US4079096A (en) * | 1976-11-04 | 1978-03-14 | Mobil Oil Corporation | Manufacture of light olefins |
-
1979
- 1979-03-14 NL NL7902021A patent/NL7902021A/nl not_active Application Discontinuation
-
1980
- 1980-02-07 CA CA345,198A patent/CA1127187A/en not_active Expired
- 1980-03-06 EP EP80200214A patent/EP0016495B1/en not_active Expired
- 1980-03-06 DE DE8080200214T patent/DE3060671D1/de not_active Expired
- 1980-03-11 US US06/129,445 patent/US4291188A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-03-12 JP JP3043580A patent/JPS55124726A/ja active Granted
- 1980-03-12 ZA ZA00801443A patent/ZA801443B/xx unknown
- 1980-03-12 NZ NZ193108A patent/NZ193108A/xx unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05103461A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧変換装置およびそれを用いたビデオカメラ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NZ193108A (en) | 1982-03-30 |
| NL7902021A (nl) | 1980-09-16 |
| CA1127187A (en) | 1982-07-06 |
| US4291188A (en) | 1981-09-22 |
| EP0016495A1 (en) | 1980-10-01 |
| EP0016495B1 (en) | 1982-07-21 |
| JPS55124726A (en) | 1980-09-26 |
| DE3060671D1 (en) | 1982-09-09 |
| ZA801443B (en) | 1980-12-31 |
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