JPS6318629A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPS6318629A JPS6318629A JP16438386A JP16438386A JPS6318629A JP S6318629 A JPS6318629 A JP S6318629A JP 16438386 A JP16438386 A JP 16438386A JP 16438386 A JP16438386 A JP 16438386A JP S6318629 A JPS6318629 A JP S6318629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- plasma processing
- semiconductor substrate
- processing apparatus
- reaction vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野」
この発明は、半導体装置の！Ｒ造におけるプラズマ処理
装置く関するものである。
装置く関するものである。
〔従来の技術］
第３図は、従来のプラズマ処理装置を示す断面図である
。図において、（１）はプラズマ処理装置の下部電極、
（２）？″ｉ上部電極（１）と所定の間隔を隔てて対向
する下部電極である。この下部電極（２）は半導体基板
（７）が載置されると共に前記半導体基板（７）のロー
ド及びアンロードに際して、図示しないエアシリンダ等
で上下動される。（３）は上部電極（１）及び下部電極
（２）の少なくとも表面を包囲する反応容器、（４）Ｉ
′ｉ、上部電極（１）に設けられた反応ガス供給口であ
る。（５）は反応容器（３）の底部に設けられ、この反
応容器（３）を真空に保つための第１排気口である。
。図において、（１）はプラズマ処理装置の下部電極、
（２）？″ｉ上部電極（１）と所定の間隔を隔てて対向
する下部電極である。この下部電極（２）は半導体基板
（７）が載置されると共に前記半導体基板（７）のロー
ド及びアンロードに際して、図示しないエアシリンダ等
で上下動される。（３）は上部電極（１）及び下部電極
（２）の少なくとも表面を包囲する反応容器、（４）Ｉ
′ｉ、上部電極（１）に設けられた反応ガス供給口であ
る。（５）は反応容器（３）の底部に設けられ、この反
応容器（３）を真空に保つための第１排気口である。
このような従来のプラズマ処理装置は、まず、下部電極
（２）に半導体基板（７）を載置し反応容器（３）を真
空にした後、反応ガス供給口（４）から、例えばエツチ
ングの場合塩素ガス等のエッチングガスヲ供給し、上部
電極（１）に高周波電力を印加し、下部電極（２）をア
ースしてプラズマを発生させ、半導体基板（７）をエツ
チングする。
（２）に半導体基板（７）を載置し反応容器（３）を真
空にした後、反応ガス供給口（４）から、例えばエツチ
ングの場合塩素ガス等のエッチングガスヲ供給し、上部
電極（１）に高周波電力を印加し、下部電極（２）をア
ースしてプラズマを発生させ、半導体基板（７）をエツ
チングする。
〔発明が解決しようとする問題点］
従来のプラズマ処理装置ｐま以上のように構成されてい
るので、反応容器（３）の上部は比較的排気の効率が悪
くなり、反応生成物がこの部分に付着し、さらに、この
反応生成物が落下する等して、半導体基板（７）を汚染
するという問題があった。
るので、反応容器（３）の上部は比較的排気の効率が悪
くなり、反応生成物がこの部分に付着し、さらに、この
反応生成物が落下する等して、半導体基板（７）を汚染
するという問題があった。
この発明は上記のような問題を解消するためになされた
ものであり、反応生成物による半導体基板の汚染のない
プラズマ処理装置を得ることを目的とする。
ものであり、反応生成物による半導体基板の汚染のない
プラズマ処理装置を得ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段」
この発明に係るプラズマ処理装置は、反応容器の上部に
第２の排気口を設けたものである。
第２の排気口を設けたものである。
［作用］
この発（７）に２けるプラズマ処理装置は、第２の排気
口により、反応容器の上部に滞留する反応生成物を効率
よく外部に排気することができる。
口により、反応容器の上部に滞留する反応生成物を効率
よく外部に排気することができる。
以下、第１図に示すこの発明の一実施例について説明す
る。図中、第３図と同一符号は同一または相当部分であ
り説明は省略する。
る。図中、第３図と同一符号は同一または相当部分であ
り説明は省略する。
（６）は反応容器（３）の上部に設けられ、前記反応容
器（３）の上部を真空に引くための第２排気口である。
器（３）の上部を真空に引くための第２排気口である。
本実施例では、上部電極（１）の直上に二つの第２排気
口（６）を設けている。
口（６）を設けている。
このような本発明のプラズマ処理装置では、例えば、プ
ラズマエツチングＫＦｔして反応容器（３）の上部に滞
留する反応生成物は第２排気口（６）から効率よく排気
され、反応容器（３）の上部に反応生成物が付着しない
。従って、この反応容器（３）の上部に付着する反応生
成物が落下するなどして半導体基板（７）を汚染するこ
ともない。
ラズマエツチングＫＦｔして反応容器（３）の上部に滞
留する反応生成物は第２排気口（６）から効率よく排気
され、反応容器（３）の上部に反応生成物が付着しない
。従って、この反応容器（３）の上部に付着する反応生
成物が落下するなどして半導体基板（７）を汚染するこ
ともない。
なお、上記実施例では、上部電極（１）に何も取付けな
い場合のものを示したが、第２図のように遮閉板（８）
を収付けてもよい。前記遮閉板（８）は、反応ガス供給
口（４）から出たエツチングガスが直接第２排気口（６
）から排気されるのを防ぐ効果がある。なお、ここでは
、遮閉板（８）は上部電極（１〕の上部に円環状のもの
を設けたものを示したが、これだけに限定されるもので
なく、遮閉板（８）の形状、取付位置等多くの種類が考
えられ適当に選択することにより、上記と同様の効果が
期待できる。
い場合のものを示したが、第２図のように遮閉板（８）
を収付けてもよい。前記遮閉板（８）は、反応ガス供給
口（４）から出たエツチングガスが直接第２排気口（６
）から排気されるのを防ぐ効果がある。なお、ここでは
、遮閉板（８）は上部電極（１〕の上部に円環状のもの
を設けたものを示したが、これだけに限定されるもので
なく、遮閉板（８）の形状、取付位置等多くの種類が考
えられ適当に選択することにより、上記と同様の効果が
期待できる。
また、上記実施例では、エンチングの場合について説明
したが、他にフォトレジスト膜除去や、その他のプラズ
マを利用した場合にも適用できる。
したが、他にフォトレジスト膜除去や、その他のプラズ
マを利用した場合にも適用できる。
以上のようにこの発明によれば、反応容器の上部に第２
の排気口を設けたので、反応生成物による半導体基板へ
の汚染のない優れたプラズマ処理装置を得ることができ
る。
の排気口を設けたので、反応生成物による半導体基板へ
の汚染のない優れたプラズマ処理装置を得ることができ
る。
第１図はこの発明の一実施例によるプラズマ処理装置を
示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す断面
図、第３図は従来のプラズマ処理装置を示す断面図であ
る。 図中、（１）は上部電極、（２）は下部電極、（３）は
反応容器、（４）は反応力゛ス供袷口、（５〕は第１排
気口、（６）は第２排気口である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
示す断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す断面
図、第３図は従来のプラズマ処理装置を示す断面図であ
る。 図中、（１）は上部電極、（２）は下部電極、（３）は
反応容器、（４）は反応力゛ス供袷口、（５〕は第１排
気口、（６）は第２排気口である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）上部電極と、この上部電極と対向して設けられた
下部電極と、前記上部電極及び下部電極の表面を包囲す
る反応容器と、この反応容器に設けられた反応ガス供給
口と、前記反応容器の下部に設けられた第１の排気口と
、前記反応容器の上部に設けられた第２の排気口とを備
えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16438386A JPS6318629A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16438386A JPS6318629A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6318629A true JPS6318629A (ja) | 1988-01-26 |
Family
ID=15792083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16438386A Pending JPS6318629A (ja) | 1986-07-10 | 1986-07-10 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6318629A (ja) |
-
1986
- 1986-07-10 JP JP16438386A patent/JPS6318629A/ja active Pending
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