JPS63186455A - 半導体用パツケ−ジ - Google Patents
半導体用パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS63186455A JPS63186455A JP62017931A JP1793187A JPS63186455A JP S63186455 A JPS63186455 A JP S63186455A JP 62017931 A JP62017931 A JP 62017931A JP 1793187 A JP1793187 A JP 1793187A JP S63186455 A JPS63186455 A JP S63186455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- sealing
- semiconductor
- silver
- pps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、熱可塑性樹脂ポリフェニレン・サルファイド
（以下ＰＰＳと略す）を用いた半導体用パッケージにお
いて、使用するリードフレームの材質と表面処理に関す
る。
（以下ＰＰＳと略す）を用いた半導体用パッケージにお
いて、使用するリードフレームの材質と表面処理に関す
る。
（従来の技術）
従来、半導体、特に集積回路の封止に用いられて来た材
質は、シェルとしては、セラミックかエポキシ系の封止
材が使わｎ％Ｕ−ド・フレーム材としては、表−１に示
すものに代表さｎて来た。
質は、シェルとしては、セラミックかエポキシ系の封止
材が使わｎ％Ｕ−ド・フレーム材としては、表−１に示
すものに代表さｎて来た。
表−１リード・フレーム材
リードフレームは、ダイボンティング部とワイヤ・ポン
ディングのみ、銀又は金の部分めっきをほどこし、封止
面は無めっきのままかはとんどである。
ディングのみ、銀又は金の部分めっきをほどこし、封止
面は無めっきのままかはとんどである。
（発明が解決しようとする問題点）
熱可塑性樹脂ＰＰＳを用いて、半導体果梗回路の封止を
行おうとする時、一つの方法として、あらかじめ、上、
下のシェルをそれぞれ成形し、リードフレームｔ−はさ
み込む封止面だけ、封止時熱溶融させ、加圧融着する封
止方法が考えられる。
行おうとする時、一つの方法として、あらかじめ、上、
下のシェルをそれぞれ成形し、リードフレームｔ−はさ
み込む封止面だけ、封止時熱溶融させ、加圧融着する封
止方法が考えられる。
この方法を実施する時、従来、セラミツクツ（ッケージ
又はエポキシ封止品で用いらｔて米たリードフレーム材
と表面処理法をそのまま適用しても、うｆく行かない。
又はエポキシ封止品で用いらｔて米たリードフレーム材
と表面処理法をそのまま適用しても、うｆく行かない。
但し、ここでいう封止性良否の判定は、ＭＩＬ−８ＴＤ
７５０ＣＭｅｔｈｏｄ １０７１ 、２ ｃｏ１４ｄ、
ＤＫＭ格化さｎているグロスリークテスト（Ｇｒｏｓｓ
Ｌｅａｋ Ｔｅ５ｔ、以下ｑｔテストと略す）によっ
た。
７５０ＣＭｅｔｈｏｄ １０７１ 、２ ｃｏ１４ｄ、
ＤＫＭ格化さｎているグロスリークテスト（Ｇｒｏｓｓ
Ｌｅａｋ Ｔｅ５ｔ、以下ｑｔテストと略す）によっ
た。
本発明においては、ＰＰＳ樹脂を用いた熱融着方式、半
導体封止法において、良好な封止性を得るために、リー
ドフレーム材質と表面処理について、種々実験を行い、
良い結果を得る条件を選び出した。
導体封止法において、良好な封止性を得るために、リー
ドフレーム材質と表面処理について、種々実験を行い、
良い結果を得る条件を選び出した。
（問題点を解決するための手段）（実施例〕第１図げ）
を工、本件のＰＰＳ樹脂を用いた半導体パッケージの封
止前の各部分の関係を示し、第１図（ロ）は封止後の状
態を示す。いずわも、模式的に示した断面図である。第
１図ビ）（ロフにおいて、１，１′は上側シェル、２，
２′は下側シェル５，６′＆’Ｓ Ｅ Ｐ ＲＯＭ （
Ｅｖａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂ ｌｅ Ｒｅ
ａｄＯｎｌｙ Ｍｅｍｓｒｙ）に使われる紫外＃ｉｔａ
過型のガラス・リッドである。４，４′はリードフレー
ム、５゜５′は半導体チップ、６，６′はボンティング
ワイヤテする。封止後、リードフレーム４′のシェル１
′。
を工、本件のＰＰＳ樹脂を用いた半導体パッケージの封
止前の各部分の関係を示し、第１図（ロ）は封止後の状
態を示す。いずわも、模式的に示した断面図である。第
１図ビ）（ロフにおいて、１，１′は上側シェル、２，
２′は下側シェル５，６′＆’Ｓ Ｅ Ｐ ＲＯＭ （
Ｅｖａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂ ｌｅ Ｒｅ
ａｄＯｎｌｙ Ｍｅｍｓｒｙ）に使われる紫外＃ｉｔａ
過型のガラス・リッドである。４，４′はリードフレー
ム、５゜５′は半導体チップ、６，６′はボンティング
ワイヤテする。封止後、リードフレーム４′のシェル１
′。
２′から外部にはみ出した部分は、余分なつなぎ部分は
カットさｎ（図示せず）、外部リードとなる部分Ｌ Ｌ
ｅｎｄ） は曲げらｎて、第１図（ロ）Ｋ示す形状と
なる。
カットさｎ（図示せず）、外部リードとなる部分Ｌ Ｌ
ｅｎｄ） は曲げらｎて、第１図（ロ）Ｋ示す形状と
なる。
第１図イ）に示す封止を行うには、上側シェル１と下側
シェル２のリード２レーム４に接する面の表層を熱風に
て浴かし、あらかじめ加熱してあったチップ付リード２
−ムをはさみ込む形で加圧熱融着を行う。
シェル２のリード２レーム４に接する面の表層を熱風に
て浴かし、あらかじめ加熱してあったチップ付リード２
−ムをはさみ込む形で加圧熱融着を行う。
良好な封止性を得るために、表−２に示すごときリード
フレーム材と表面処理の組合せで、封止実験を行ったが
、結果は、鋼糸のリードフレームに鋏めっきをほどこし
た場合のみに良好な結果が得らｎた。
フレーム材と表面処理の組合せで、封止実験を行ったが
、結果は、鋼糸のリードフレームに鋏めっきをほどこし
た場合のみに良好な結果が得らｎた。
以下余白
表−２９−トフレーム材とめっき内組台せにょる封止性
○印 封止性良好 ×印 封止性悪い −未実施 （作用〕 ＰＰＳ樹脂と銅系台金リードフレームの銀めっき品との
組付せの場合のみ良好な封止性が得らｎる理由は必ずし
も明確でないが、 （１） ＰＰ５Ｉ（脂の浴融から固化に至る過程で、
熱収縮が起るが、この時、勝＃５Ｂ係数がＰＰ５Ｖｃ近
い、リードフレーム材の方が、収縮応力が小さくてすむ
。
○印 封止性良好 ×印 封止性悪い −未実施 （作用〕 ＰＰＳ樹脂と銅系台金リードフレームの銀めっき品との
組付せの場合のみ良好な封止性が得らｎる理由は必ずし
も明確でないが、 （１） ＰＰ５Ｉ（脂の浴融から固化に至る過程で、
熱収縮が起るが、この時、勝＃５Ｂ係数がＰＰ５Ｖｃ近
い、リードフレーム材の方が、収縮応力が小さくてすむ
。
（２ＪＰＰＳ樹脂と銀めっき面との間に、何らかの化学
結合が行わｎる。
結合が行わｎる。
等が考えらｎろ。（υの理由については、使用したＰＰ
５ｆｌｔ４脂］線膨張係数＆Ｘ２３ Ｘ １０−’／℃
であり、リードフレーム材Ａ１１ｏｙ４２に比べれば、
０１ｉｎ１９４並びにＭＰ−２０２の線膨張係数は、を
よるかに近い。（２）の理由については、銀めっき面の
オージェ分析並びにＥＳＣＡ分析（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｑｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ａｎａｌｙｓｉｓ）の結果、表面にＡｇ２Ｓ ｙ、ＪＺ
ＡｇｚＯ等の化付物が存在するＳ曾は封止性が恩く、
汚ｎのから推定すると、ＰＰＳ樹脂のＳ元素側鎖とリー
ドフレーム表面のＡｇ元素との結合が起きていることも
考えらねる。
５ｆｌｔ４脂］線膨張係数＆Ｘ２３ Ｘ １０−’／℃
であり、リードフレーム材Ａ１１ｏｙ４２に比べれば、
０１ｉｎ１９４並びにＭＰ−２０２の線膨張係数は、を
よるかに近い。（２）の理由については、銀めっき面の
オージェ分析並びにＥＳＣＡ分析（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
５ｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｑｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ａｎａｌｙｓｉｓ）の結果、表面にＡｇ２Ｓ ｙ、ＪＺ
ＡｇｚＯ等の化付物が存在するＳ曾は封止性が恩く、
汚ｎのから推定すると、ＰＰＳ樹脂のＳ元素側鎖とリー
ドフレーム表面のＡｇ元素との結合が起きていることも
考えらねる。
（発明の効果〕
ＰＰＳ樹脂を用いたあらかじめ成形さｎた上下のシェル
のリードフレームをはさみ込む場合に、その封止面表層
を熱風にて短時間浴融させ、別途加熱さｎたチップ付リ
ードフレームを同時に上下のシェルではさみ込む半導体
用パッケージにおいては、使用するリードフレーム材金
銅系合金とし、表面金銀めっきした時のみ、良好な封止
結果が得らｎた。
のリードフレームをはさみ込む場合に、その封止面表層
を熱風にて短時間浴融させ、別途加熱さｎたチップ付リ
ードフレームを同時に上下のシェルではさみ込む半導体
用パッケージにおいては、使用するリードフレーム材金
銅系合金とし、表面金銀めっきした時のみ、良好な封止
結果が得らｎた。
第１図げ）（ロＨ工本発明で触ｆた熱司製性樹脂を用い
た半導体パーケージの構造を示す断面図である。 符号の説明 １．１′ 上側シェル ２，２′ 下側シェル６．６
′ ガラス・リッド ４，４′ リード・フレーム
５．５’ 半４体テップ ６，６′ ボンディン
グ・ワイヤ５．５′ 半導体テップ ６，６′
ホンディング・ワイヤ負へ １ 図
た半導体パーケージの構造を示す断面図である。 符号の説明 １．１′ 上側シェル ２，２′ 下側シェル６．６
′ ガラス・リッド ４，４′ リード・フレーム
５．５’ 半４体テップ ６，６′ ボンディン
グ・ワイヤ５．５′ 半導体テップ ６，６′
ホンディング・ワイヤ負へ １ 図
Claims (1)
- （１）熱可塑性樹脂ポリフェニレン・サルファイドを用
いた半導体用パッケージにおいて、リードフレームを銅
合金系とし、該リードフレームの封止面には銀めっきを
ほどこしたことを特徴とする半導体用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62017931A JPS63186455A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 半導体用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62017931A JPS63186455A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 半導体用パツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186455A true JPS63186455A (ja) | 1988-08-02 |
Family
ID=11957515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62017931A Pending JPS63186455A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | 半導体用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63186455A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276245A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0273744U (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-05 | ||
| JPH04309831A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-11-02 | Fujikura Ltd | プラスチックモールド圧力センサパッケージ |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP62017931A patent/JPS63186455A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276245A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0273744U (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-05 | ||
| JPH04309831A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-11-02 | Fujikura Ltd | プラスチックモールド圧力センサパッケージ |
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