JPS63187652A - 耐熱性樹脂封止半導体装置 - Google Patents
耐熱性樹脂封止半導体装置Info
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- JPS63187652A JPS63187652A JP1835787A JP1835787A JPS63187652A JP S63187652 A JPS63187652 A JP S63187652A JP 1835787 A JP1835787 A JP 1835787A JP 1835787 A JP1835787 A JP 1835787A JP S63187652 A JPS63187652 A JP S63187652A
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- Japan
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- resin
- moisture
- aluminum foil
- foil
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂で封止される半導体装置に係り。
特に半田付は実装時の加熱に対して、樹脂クラックを発
生させなくすることに好適な構造に関する。
生させなくすることに好適な構造に関する。
半導体素子を樹脂で封止した構造のパッケージは、樹脂
主成分が有機物であるため、雰囲気中に含まれる水蒸気
を多かれ少なかれ吸湿してしまうが、この吸湿量が多く
なると半田付は等の基板への接続実装時に樹脂にクラン
クが発生することが、知られている。このメカニズムと
しては、沖電気研究開発第１２８号、Ｖｏ １．５２．
Ｎｏ、４゜Ｐ ７３〜７８ （１９８５） 及び特開昭
６０−２０８８４７にも述べら九でいる様に、樹脂中に
含まれている水分が、実装時の加熱により水蒸気となり
、樹脂パッケージ内部の水蒸気圧が高くなって、終に樹
脂クラックに至ると考えられている。特にフッ素系不活
性液体の高温蒸気中での半田リフロー （Ｖ Ｐ Ｓ
： Ｖａｐｅｒ Ｐｈａｓｅ Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ
）や、赤外線加熱等による半田付けでは樹脂パッケージ
全体が高温状態になるため、クラックが発生し易い。
主成分が有機物であるため、雰囲気中に含まれる水蒸気
を多かれ少なかれ吸湿してしまうが、この吸湿量が多く
なると半田付は等の基板への接続実装時に樹脂にクラン
クが発生することが、知られている。このメカニズムと
しては、沖電気研究開発第１２８号、Ｖｏ １．５２．
Ｎｏ、４゜Ｐ ７３〜７８ （１９８５） 及び特開昭
６０−２０８８４７にも述べら九でいる様に、樹脂中に
含まれている水分が、実装時の加熱により水蒸気となり
、樹脂パッケージ内部の水蒸気圧が高くなって、終に樹
脂クラックに至ると考えられている。特にフッ素系不活
性液体の高温蒸気中での半田リフロー （Ｖ Ｐ Ｓ
： Ｖａｐｅｒ Ｐｈａｓｅ Ｓｏｌｄｅｒｉｎｇ
）や、赤外線加熱等による半田付けでは樹脂パッケージ
全体が高温状態になるため、クラックが発生し易い。
この対策としては、樹脂封止半導体の保管における湿度
管理等を行う必要があるが、構造面では前記引用文献に
示された例が公知となっている。即ち、第６図において
、半導体素子１をタブフレーム２に固着し、リードピン
３と上記半導体素子１をワイヤ４によって電気的に接続
した後、樹脂５で封止を行うが、この時、上記樹脂５の
形状として、水蒸気排出孔９を設けて、高温加熱時のパ
ッケージ内部水蒸気圧が高くならない様にするものであ
る。しかし、この構造では水蒸気排出孔８から逆に雰囲
気中水分や汚染物がパッケージ内部に侵入し易く、タブ
フレーム２及び半導体素子１と樹脂５との界面に隙間が
存在すると、金属部の腐食及び半導体素子の電気特性劣
化の危険性が存在する。
管理等を行う必要があるが、構造面では前記引用文献に
示された例が公知となっている。即ち、第６図において
、半導体素子１をタブフレーム２に固着し、リードピン
３と上記半導体素子１をワイヤ４によって電気的に接続
した後、樹脂５で封止を行うが、この時、上記樹脂５の
形状として、水蒸気排出孔９を設けて、高温加熱時のパ
ッケージ内部水蒸気圧が高くならない様にするものであ
る。しかし、この構造では水蒸気排出孔８から逆に雰囲
気中水分や汚染物がパッケージ内部に侵入し易く、タブ
フレーム２及び半導体素子１と樹脂５との界面に隙間が
存在すると、金属部の腐食及び半導体素子の電気特性劣
化の危険性が存在する。
上記従来技術は、雰囲気中水分や外部汚染物による内部
金属腐食や電気的特性劣化に対するＯ性確保が不充分で
あるという問題があった。
金属腐食や電気的特性劣化に対するＯ性確保が不充分で
あるという問題があった。
本発明の目的は、上記問題が生じる様な構造上の変更を
行わず、樹脂パッケージの吸湿量を低減させて、高温加
熱時に樹脂クラックを発生させないの熱性パッケージを
提供することにある。
行わず、樹脂パッケージの吸湿量を低減させて、高温加
熱時に樹脂クラックを発生させないの熱性パッケージを
提供することにある。
上記目的は、樹脂パッケージの上面または下面の一方の
面、あるいは上下両面に水分の透過を防止できる材料か
らなる箔または板を接着した構造とすることにより、達
成される。
面、あるいは上下両面に水分の透過を防止できる材料か
らなる箔または板を接着した構造とすることにより、達
成される。
樹脂パッケージに接着した箔または板は、雰囲気に直接
接する樹脂表面積、即ち雰囲気中水分が侵入するための
面積を著しく１誠少させ、かつ上記箔または板白身は水
分を透過させないため、樹脂パッケージの吸ｇＢ１を大
幅に低減させることができる。
接する樹脂表面積、即ち雰囲気中水分が侵入するための
面積を著しく１誠少させ、かつ上記箔または板白身は水
分を透過させないため、樹脂パッケージの吸ｇＢ１を大
幅に低減させることができる。
また樹脂パッケージ上面に金属光沢を有する箔または板
を接着すれば、赤外線照射による半田リフロ一時に赤外
線を反射して、樹脂パッケージの温度−」１昇を抑制す
ることができる。
を接着すれば、赤外線照射による半田リフロ一時に赤外
線を反射して、樹脂パッケージの温度−」１昇を抑制す
ることができる。
以下、本発明の実施例を第１図〜第５図により説明する
。第１図は本発明の一実施例を示す樹脂封止パッケージ
の断面図。第２図は該実施例の効果を示す。第３図〜第
５図は他の実施例を示す断面図である。
。第１図は本発明の一実施例を示す樹脂封止パッケージ
の断面図。第２図は該実施例の効果を示す。第３図〜第
５図は他の実施例を示す断面図である。
第１図において、半導体素子１はタブフレーム２に固着
され、リードピン３はワイヤ４によって」１記半導体索
子１と電気的に接続されている。全体はり一１〜ピン３
の外部接続部を除いて樹脂５で封止されている。樹脂５
の上面及び下面にはアルミ箔６が接着剤７により接着さ
れている。第１図に示した構造において、雰囲気中の水
分が樹脂５に侵入する量は、アルミ箔６によって大幅に
低減される。
され、リードピン３はワイヤ４によって」１記半導体索
子１と電気的に接続されている。全体はり一１〜ピン３
の外部接続部を除いて樹脂５で封止されている。樹脂５
の上面及び下面にはアルミ箔６が接着剤７により接着さ
れている。第１図に示した構造において、雰囲気中の水
分が樹脂５に侵入する量は、アルミ箔６によって大幅に
低減される。
第２図は、第１図に示した構造の試料と、比較のため、
アルミ箔を貼付しない試料及び樹脂の下面のみにアルミ
箔を貼付した試料の３種類を吸湿させた後、Ｖａｐｅｒ
Ｐｈａｓｅ Ｓｏｌ、ｄｅｒｉｎｇにより加熱し
た実験結果を示している。加湿条件は６５℃、９５％Ｒ
Ｈ，１６８７（放置であるが、吸湿量はアルミ箔を樹脂
パッケージの下面または上下両面に貼付することにより
低減されている。Ｖａｐｅｒ Ｐｈａ５ｅ ５ｏ１
ｄｅｒｉｎ（Ｈの条件は、２１５°Ｃ１１５０秒である
が、クラックはアルミ箔の貼付無しで殆んどの試料で発
生しているのに対し、アルミ箔を樹脂パッケージの少く
とも片面に貼付した試料では発生していない。
アルミ箔を貼付しない試料及び樹脂の下面のみにアルミ
箔を貼付した試料の３種類を吸湿させた後、Ｖａｐｅｒ
Ｐｈａｓｅ Ｓｏｌ、ｄｅｒｉｎｇにより加熱し
た実験結果を示している。加湿条件は６５℃、９５％Ｒ
Ｈ，１６８７（放置であるが、吸湿量はアルミ箔を樹脂
パッケージの下面または上下両面に貼付することにより
低減されている。Ｖａｐｅｒ Ｐｈａ５ｅ ５ｏ１
ｄｅｒｉｎ（Ｈの条件は、２１５°Ｃ１１５０秒である
が、クラックはアルミ箔の貼付無しで殆んどの試料で発
生しているのに対し、アルミ箔を樹脂パッケージの少く
とも片面に貼付した試料では発生していない。
以上の様に、樹脂パッケージの表面（裏面）にアルミ箔
を貼り付けることにより、樹脂の吸湿量を低く抑えるこ
とができ、従ってＶａｐｅｒ ＰｈａｓｅＳｏｌｄｅ
ｒｉｒ＋ｇの様な高温加熱時の樹脂パッケージ内部での
水蒸気圧上昇を抑えることが出来るので、樹脂クラック
の発生を防止することができる。従って、アルミ箔の貼
付方法としては、第１図、第２回に示した以外に、樹脂
５の上面のみに貼付しても良い。また本実施例ではアル
ミＭを用いたが、樹脂が吸湿することを防ぐのがＹ」的
であるから、他の水分透過を防止する材料を用いること
もできる。従って済または板の厚さも規定する必要はな
い。また樹脂パッケージ上面にアルミ箔の様な金属光沢
を有するものを貼付すると、赤外線による半田付は方法
では、赤外線を反射して、樹脂パッケージの温度上昇を
抑制することができ、吸湿紙低減と合わせて、樹脂クラ
ックに対して二重の効果が得られる。
を貼り付けることにより、樹脂の吸湿量を低く抑えるこ
とができ、従ってＶａｐｅｒ ＰｈａｓｅＳｏｌｄｅ
ｒｉｒ＋ｇの様な高温加熱時の樹脂パッケージ内部での
水蒸気圧上昇を抑えることが出来るので、樹脂クラック
の発生を防止することができる。従って、アルミ箔の貼
付方法としては、第１図、第２回に示した以外に、樹脂
５の上面のみに貼付しても良い。また本実施例ではアル
ミＭを用いたが、樹脂が吸湿することを防ぐのがＹ」的
であるから、他の水分透過を防止する材料を用いること
もできる。従って済または板の厚さも規定する必要はな
い。また樹脂パッケージ上面にアルミ箔の様な金属光沢
を有するものを貼付すると、赤外線による半田付は方法
では、赤外線を反射して、樹脂パッケージの温度上昇を
抑制することができ、吸湿紙低減と合わせて、樹脂クラ
ックに対して二重の効果が得られる。
次に第３図に他の実施例を示す。樹脂５の下面に貼付す
るアルミ箔６は、上下両面に接着剤７の層を有し、更に
最下面に例えば紙でできている接着防止層８が貼付され
ている。このパッケージをプリント基板等に接続する際
には、上記接着防止層８のみを除去して、所定の位置に
接着剤７によりパッケージを仮固定できる。
るアルミ箔６は、上下両面に接着剤７の層を有し、更に
最下面に例えば紙でできている接着防止層８が貼付され
ている。このパッケージをプリント基板等に接続する際
には、上記接着防止層８のみを除去して、所定の位置に
接着剤７によりパッケージを仮固定できる。
次に第４図にもう一つの他の実施例を示す。樹脂５の表
面に貼付するアルミ箔６の表面に、例えば有機物膜の様
な電気的な絶縁性の高い絶縁物層１０を施す。該絶縁物
層１０は、プリント基板上の配線や他の部品と上記アル
ミ箔６との電気的接触を防止する効果を有する。
面に貼付するアルミ箔６の表面に、例えば有機物膜の様
な電気的な絶縁性の高い絶縁物層１０を施す。該絶縁物
層１０は、プリント基板上の配線や他の部品と上記アル
ミ箔６との電気的接触を防止する効果を有する。
次に金属以外の、水分透過を防止する材料を用いた実施
例を第５図に示す。樹脂５の表面にはアルマイト箔１１
を接着剤７によって貼付する。アルマイト箔１１は電気
的絶縁性が高く、本実施例は前記した第４図での実施例
と同様の効果を有する。
例を第５図に示す。樹脂５の表面にはアルマイト箔１１
を接着剤７によって貼付する。アルマイト箔１１は電気
的絶縁性が高く、本実施例は前記した第４図での実施例
と同様の効果を有する。
以上、第１図〜第５図の実施例においては、プリント基
板等に接続する形態として、リードピンを基板の穴に挿
入しない、いわゆる面実装型についてのみ示したが、も
ちろんこれに限定されるものではなく、基板の穴にリー
トピンを挿入して接続する、いわゆる挿入型パッケージ
についても適用できる。
板等に接続する形態として、リードピンを基板の穴に挿
入しない、いわゆる面実装型についてのみ示したが、も
ちろんこれに限定されるものではなく、基板の穴にリー
トピンを挿入して接続する、いわゆる挿入型パッケージ
についても適用できる。
本発明によれば、樹脂封止半導体装置の樹脂内への水分
侵入を低減できる。また赤外線加熱での樹脂の赤外線吸
収量を大幅に低減できる。従って半田付は等の接続実装
時に樹脂に発生するクラックを防止する効果がある。
侵入を低減できる。また赤外線加熱での樹脂の赤外線吸
収量を大幅に低減できる。従って半田付は等の接続実装
時に樹脂に発生するクラックを防止する効果がある。
第１図は本発明の一実施例の樹脂封止半導体装置の縦断
面図、第２＠は第１図の実施例の効果を示す実験データ
、第３図及び第５図は他の実施例の樹脂封止半導体装置
の縦断面図である。第６図は、従来技術を示す縦断面図
。 １・・・半導体素子、２・・・タブフレーム、３・・・
リードピン、４・・・ワイヤ、５・・・樹脂、６・・・
アルミ箔。 ７・接着剤、８・・・接着防止層、９・・・水蒸気排出
孔。 １０・・絶縁物層、１１・・・アルマイト箔。 第 １ 図 葛２ 図 ％ ＶＰＳ： Ｖａｐｅｒ’ｐｈｔｂｓｅ ５ｏｌＡｅ
ｒｒｎ＞！手書１は、承） ２ タフ゛
フし−へ ３ リートげン４ワグヤ
ダ 田Ｉ３詐 ２ アノムミ箔７ ＋ ’４
ｆ’ｌ ６ ’＋４７Ｌｔ−漕
’？ ）ＲＱＩＡｑＢＬ第＋ 図 ７０−絶縁物層 第５図 ノ／−一一アルマブト負ゴ
面図、第２＠は第１図の実施例の効果を示す実験データ
、第３図及び第５図は他の実施例の樹脂封止半導体装置
の縦断面図である。第６図は、従来技術を示す縦断面図
。 １・・・半導体素子、２・・・タブフレーム、３・・・
リードピン、４・・・ワイヤ、５・・・樹脂、６・・・
アルミ箔。 ７・接着剤、８・・・接着防止層、９・・・水蒸気排出
孔。 １０・・絶縁物層、１１・・・アルマイト箔。 第 １ 図 葛２ 図 ％ ＶＰＳ： Ｖａｐｅｒ’ｐｈｔｂｓｅ ５ｏｌＡｅ
ｒｒｎ＞！手書１は、承） ２ タフ゛
フし−へ ３ リートげン４ワグヤ
ダ 田Ｉ３詐 ２ アノムミ箔７ ＋ ’４
ｆ’ｌ ６ ’＋４７Ｌｔ−漕
’？ ）ＲＱＩＡｑＢＬ第＋ 図 ７０−絶縁物層 第５図 ノ／−一一アルマブト負ゴ
Claims (1)
- １、半導体素子を樹脂で封止してなる樹脂封止半導体装
置において、封止樹脂の外部表面に水分の透過を防止す
る箔または板を接着したことを特徴とする耐熱性樹脂封
止半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62018357A JPH0750758B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 耐熱性樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62018357A JPH0750758B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 耐熱性樹脂封止半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63187652A true JPS63187652A (ja) | 1988-08-03 |
| JPH0750758B2 JPH0750758B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=11969437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62018357A Expired - Lifetime JPH0750758B2 (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 耐熱性樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750758B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119167A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-05-07 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5367766A (en) * | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method |
| US5377077A (en) * | 1990-08-01 | 1994-12-27 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus |
| US5420751A (en) * | 1990-08-01 | 1995-05-30 | Staktek Corporation | Ultra high density modular integrated circuit package |
| US5446620A (en) * | 1990-08-01 | 1995-08-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US5475920A (en) * | 1990-08-01 | 1995-12-19 | Burns; Carmen D. | Method of assembling ultra high density integrated circuit packages |
| US6144108A (en) * | 1996-02-22 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6144107A (en) * | 1998-03-26 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Solid state pickup device excellent in heat-resistance and method of manufacturing the device |
| US6326687B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57196547A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP62018357A patent/JPH0750758B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57196547A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02119167A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-05-07 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5367766A (en) * | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method |
| US5377077A (en) * | 1990-08-01 | 1994-12-27 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus |
| US5420751A (en) * | 1990-08-01 | 1995-05-30 | Staktek Corporation | Ultra high density modular integrated circuit package |
| US5446620A (en) * | 1990-08-01 | 1995-08-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US5475920A (en) * | 1990-08-01 | 1995-12-19 | Burns; Carmen D. | Method of assembling ultra high density integrated circuit packages |
| US5543664A (en) * | 1990-08-01 | 1996-08-06 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit package |
| US5550711A (en) * | 1990-08-01 | 1996-08-27 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
| US5566051A (en) * | 1990-08-01 | 1996-10-15 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method and apparatus |
| US6144108A (en) * | 1996-02-22 | 2000-11-07 | Nitto Denko Corporation | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6144107A (en) * | 1998-03-26 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Solid state pickup device excellent in heat-resistance and method of manufacturing the device |
| US6326687B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6518098B2 (en) | 1998-09-01 | 2003-02-11 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6765291B2 (en) | 1998-09-01 | 2004-07-20 | Micron Technology, Inc. | IC package with dual heat spreaders |
| US6920688B2 (en) | 1998-09-01 | 2005-07-26 | Micron Technology, Inc. | Method for a semiconductor assembly having a semiconductor die with dual heat spreaders |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750758B2 (ja) | 1995-05-31 |
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