JPH0212934A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPH0212934A
JPH0212934A JP63164325A JP16432588A JPH0212934A JP H0212934 A JPH0212934 A JP H0212934A JP 63164325 A JP63164325 A JP 63164325A JP 16432588 A JP16432588 A JP 16432588A JP H0212934 A JPH0212934 A JP H0212934A
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JP
Japan
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thick film
substrate
integrated circuit
circuit device
hybrid integrated
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Pending
Application number
JP63164325A
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English (en)
Inventor
Masahide Murakami
村上　正秀
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、混成集積回路装置に関し、特にＩＣペレット
、チップコンデンサ等の部品を搭載した厚膜基板を金属
ステムに貼り付けてＡｕワイヤで金属ステムと厚膜基板
との接続を行って形成される混成集積回路装置に関する
。
〔従来の技術〕
従来、ＩＣベレット、チップコンデンサ等の部品を搭載
した厚膜基板を金属ステムに貼り付け、Ａｕワイヤにて
金属ステムの端子と厚膜基板のＡｇ−Ｐｄ合金の導体ラ
ンドとの接続゛を行い厚膜基板にキャップをかぶせてキ
ャップと金属ステムをレーザーシール又はハンダシール
にて封止を行って混成集積回路装置を形成している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の混成集積回路装置の構造では、Ａｕワイ
ヤで金属ステムの端子と厚膜基板のＡｇ−Ｐｄ合金の導
体ランドとの接続を行う場合、ボンディング性を維持す
るのに厚膜基板を３００”Ｃ前後に加熱し、高温で熱圧
着によりワイヤボンディングを行う必要がある為、厚膜
基板と金属ステムとの接着強度が劣化するという欠点が
ある。
又、厚膜基板上にはんだを使用してチップコンデンサ等
の部品を搭載することは、はんだがとける為使用できな
いという欠点があった。
本発明の目的は、厚膜基板と金属ステムの接着強度が高
く、厚膜基板上にはんだを使用して部品を搭載できる混
成集積回路装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、厚膜基板を金属ステムに貼り付けて、Ａｕワ
イヤで前記厚膜基板と前記金属ステムとの接続を行って
形成される混成集積回路装置において、前記金属ステム
の端子と接続を行う前記厚膜基板の導体ランド上に、あ
らかじめ、アルミディスクを搭載しておき前記金属ステ
ムの端子と前記アルミディスクをＡｕワイヤで接続して
形成されている。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第１図は本発明の一実施例の製造工程を説明する為の斜
視図である。
先ず、第１図のように厚膜基板１上にＩＣベレット２及
び０．５１１１ｍ角のアルミディスク３を導体ランド上
に接着剤にて搭載し、ＩＣベレット２はＡｕワイヤ４で
膜厚基板１上のパッドにワイヤボンディングを行い樹脂
５で覆う。
次に、チップコンデンサ６をはんだにて搭載する。
次に、部品の搭載された厚膜基板１を金属ステム７に貼
り付け、金属ステム７の端子８と厚膜基板１の導体ラン
ド上に搭載された前記アルミディスク３とをＡｕワイヤ
９で厚膜基板１を１５０℃前後に加熱し、熱圧着により
ワイヤボンディングを行い接続する。
その後、金属キャップを被せて、レーザーシールを行い
混成集積回路装置が得られる。
〔発明の詳細な 説明したように本発明は、厚膜基板の導体ランド上にア
ルミディスクを搭載して、金属ステムとの接続を行うこ
とにより、１５０℃前後の低温でワイヤボンディングす
ることが可能になり、厚膜基板と金属ステムとの接着強
度が劣化しないという効果がある。又、はんだがとけな
い低温でワイヤボンディングができる為、厚膜基板上に
はんだを使用して部品を搭載できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の製造工程を説明するための
斜視図である。 １・・・厚膜基板、２・・・ＩＣベレット、３・・・ア
ルミディスク、４・・・Ａｕワイヤ、５・・・樹脂、６
・・・チップコンデンサ、７・・・金属ステム、８・・
・端子、９・・・Ａｕワイヤ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　厚膜基板を金属ステムに貼り付けて、Ａｕワイヤで前
    記厚膜基板と前記金属ステムとの接続を行って形成され
    る混成集積回路装置において、前記金属ステムの端子と
    接続を行う前記厚膜基板の導体ランド上に、あらかじめ
    、アルミディスクを搭載しておき前記金属ステムの端子
    と前記アルミディスクをＡｕワイヤで接続して形成する
    ことを特徴とする混成集積回路装置。
JP63164325A 1988-06-30 1988-06-30 混成集積回路装置 Pending JPH0212934A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63164325A JPH0212934A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 混成集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP63164325A JPH0212934A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 混成集積回路装置

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JPH0212934A true JPH0212934A (ja) 1990-01-17

Family

ID=15791018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63164325A Pending JPH0212934A (ja) 1988-06-30 1988-06-30 混成集積回路装置

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