JPS63188155A - 電子写真感光体の製法 - Google Patents
電子写真感光体の製法Info
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- JPS63188155A JPS63188155A JP2078287A JP2078287A JPS63188155A JP S63188155 A JPS63188155 A JP S63188155A JP 2078287 A JP2078287 A JP 2078287A JP 2078287 A JP2078287 A JP 2078287A JP S63188155 A JPS63188155 A JP S63188155A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコンカーバイドから成る表面
保護層を有する電子写真感光体の製法に関し、この層を
高速で成膜形成でき且つ画像流れ及び画像のカプリが生
じない電子写真感光体の製法に関するものである。
保護層を有する電子写真感光体の製法に関し、この層を
高速で成膜形成でき且つ画像流れ及び画像のカプリが生
じない電子写真感光体の製法に関するものである。
近時、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、超高速複写
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
に亘って高速で使用されるために動作の安定性及び耐久
性が要求されている。この要求に応じられる光導電材料
としてアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）
やアモルファスシリコンカーバイド（以下、ａ−５ｉＣ
と略す）が注目されている。
機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進め
られており、これらの機器に用いられる感光体は長期間
に亘って高速で使用されるために動作の安定性及び耐久
性が要求されている。この要求に応じられる光導電材料
としてアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）
やアモルファスシリコンカーバイド（以下、ａ−５ｉＣ
と略す）が注目されている。
ａ−Ｓｉ光導電層から成る電子写真感光体には第１図に
示すような積層型が提供されている。
示すような積層型が提供されている。
即ち、第１図によれば、アルミニウム製基板（１）上に
キャリア注入阻止層（２） 、ａ−３ｉ光導電層（３）
及び表面保護層（４）を順次積層しており、このキャリ
ア注入阻止層（２）は基板（１）からのキャリアの注入
を阻止して残留電位を低減化するために形成されており
、一方、表面保護層（４）には高硬度材料を用いて感光
体の耐久性を高めており、その他に耐コロナ性、化学的
安定性及び反射防止という特性も要求されているヶ この表面保護層用材料としてグロー放電分解法により形
成したａ−５ｉＣが提案されている。
キャリア注入阻止層（２） 、ａ−３ｉ光導電層（３）
及び表面保護層（４）を順次積層しており、このキャリ
ア注入阻止層（２）は基板（１）からのキャリアの注入
を阻止して残留電位を低減化するために形成されており
、一方、表面保護層（４）には高硬度材料を用いて感光
体の耐久性を高めており、その他に耐コロナ性、化学的
安定性及び反射防止という特性も要求されているヶ この表面保護層用材料としてグロー放電分解法により形
成したａ−５ｉＣが提案されている。
このａ−ＳｉＣ表面保護層を形成するに当たってシラン
ガスとアセチレンガスを用いることは既に本願出願人が
特願昭６１−７５２６７号にて提案しており、この組合
せのガスをグロー放電分解して表面保護層を形成した場
合、高硬度特性が得られ且つその層を高い成膜速度で形
成できることを見い出した。
ガスとアセチレンガスを用いることは既に本願出願人が
特願昭６１−７５２６７号にて提案しており、この組合
せのガスをグロー放電分解して表面保護層を形成した場
合、高硬度特性が得られ且つその層を高い成膜速度で形
成できることを見い出した。
しかし乍ら、上記のようにシランガスとアセチレンガス
を単に組合せてａ−ＳｉＣ表面保護層を形成して成る電
子写真感光体によれば、この感光体ドラムを複写機に搭
載して画像形成した場合、画像流れが生じ易くなり、鮮
鋭な画像が得られ難いという問題があることが判明した
。
を単に組合せてａ−ＳｉＣ表面保護層を形成して成る電
子写真感光体によれば、この感光体ドラムを複写機に搭
載して画像形成した場合、画像流れが生じ易くなり、鮮
鋭な画像が得られ難いという問題があることが判明した
。
また電子写真感光体の特性評価として残留電位があり、
残留電位が大きくなると画像にカブリが生じ易（なり、
そのために残留電位の低減化が望まれる。
残留電位が大きくなると画像にカブリが生じ易（なり、
そのために残留電位の低減化が望まれる。
従って本発明の目的は画像流れが生じない電子写真感光
体の製法を提供することにある。
体の製法を提供することにある。
本発明の他の目的は残留電位を低減化して画像にカブリ
が生じない電子写真感光体の製法を提供することにある
。
が生じない電子写真感光体の製法を提供することにある
。
本発明の更に他の目的はａ−ＳｉＣ表面保ｉ！層の成膜
速度を高め、それによって製造効率を改善することがで
きる電子写真感光体の製法を提供することにある。
速度を高め、それによって製造効率を改善することがで
きる電子写真感光体の製法を提供することにある。
本発明によれば、ａ−ＳｉＣ生成用ガスをグロー放電分
解して表面保１ｉｒｉを形成して成る電子写真感光体の
製法において、前記ガスがシランガス及びアセチレンガ
スから成る第１のガス並びに水素ガス及び不活性ガスの
うち少なくとも１種から成る第２のガ亥を成分とし、第
２のガスの第１のガスに対する容積比率を０．１乃至３
の範囲内に設定し且つ第１のガスのなかのアセチレンガ
ス容積比率を０．４乃至０．９５の範囲内に設定したこ
とを特徴とする電子写真感光体の製法が提供される。
解して表面保１ｉｒｉを形成して成る電子写真感光体の
製法において、前記ガスがシランガス及びアセチレンガ
スから成る第１のガス並びに水素ガス及び不活性ガスの
うち少なくとも１種から成る第２のガ亥を成分とし、第
２のガスの第１のガスに対する容積比率を０．１乃至３
の範囲内に設定し且つ第１のガスのなかのアセチレンガ
ス容積比率を０．４乃至０．９５の範囲内に設定したこ
とを特徴とする電子写真感光体の製法が提供される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明は叙上の通りａ−５ｉＣ生成用ガスの種類を特定
し、更にそのガス容積比率を所定の範囲内に設定し、こ
れにより、画像流れや画像にカブリが生じなくなって優
れた耐久性をもつ電子写真感光体を提供することが特徴
である。
し、更にそのガス容積比率を所定の範囲内に設定し、こ
れにより、画像流れや画像にカブリが生じなくなって優
れた耐久性をもつ電子写真感光体を提供することが特徴
である。
即ち、本発明者等は第２のガスを第１のガスに配合する
と画像流れや画像のカブリが解決できることを見い出し
たが、そのためには第２のガスの第１のガスに対する容
積比率を０．１乃至３、好適には０．３乃至２の範囲内
に設定すればよく、この比率が０．１未満の場合には画
像流れが未だ十分に解決できなく、残留電位も高くなっ
ており、この比率が３を超えた場合には高い成膜速度が
得られず且つ硬度が低下傾向にある。
と画像流れや画像のカブリが解決できることを見い出し
たが、そのためには第２のガスの第１のガスに対する容
積比率を０．１乃至３、好適には０．３乃至２の範囲内
に設定すればよく、この比率が０．１未満の場合には画
像流れが未だ十分に解決できなく、残留電位も高くなっ
ており、この比率が３を超えた場合には高い成膜速度が
得られず且つ硬度が低下傾向にある。
更に、第１のガスのなかのアセチレンガス容積比率を０
．４乃至０．９５、好適には０．５５乃至０．８５の範
囲内に設定すればよく、この比率が０．４未満の場合に
は硬度が低下して耐久性に劣り、そして、バンドギャッ
プが小さくなって表面保護層自体での光吸収が大きくな
り、これによって短波長での光感度が低下し、一方、上
記比率が０．９５を超えた場合には 硬度が低下傾向と
なる。
．４乃至０．９５、好適には０．５５乃至０．８５の範
囲内に設定すればよく、この比率が０．４未満の場合に
は硬度が低下して耐久性に劣り、そして、バンドギャッ
プが小さくなって表面保護層自体での光吸収が大きくな
り、これによって短波長での光感度が低下し、一方、上
記比率が０．９５を超えた場合には 硬度が低下傾向と
なる。
また前記不活性ガスには’ＬＮＬＡｒ＋にｒ、Ｘｅ等が
あるが、就中、Ｈｅを用いた場合には電離電圧が一段と
高くなってプラズマ温度を最も高めることができ、これ
により、膜の原子構造の緻密性が′改善され、画像流れ
や画像のカブリを最も有利に解決することができるとい
う点で望ましい。
あるが、就中、Ｈｅを用いた場合には電離電圧が一段と
高くなってプラズマ温度を最も高めることができ、これ
により、膜の原子構造の緻密性が′改善され、画像流れ
や画像のカブリを最も有利に解決することができるとい
う点で望ましい。
また本発明によれば、ａ−ＳｉＣ表面保護層を形成する
に当たって、カーボン供給用ガスとしてアセチレンを選
択採用したことによって著しく大きな高速成膜性が達成
できたという点も顕著な特徴であり、本発明者等の実験
によれば、６μｍ／時の成膜速度が得られた。
に当たって、カーボン供給用ガスとしてアセチレンを選
択採用したことによって著しく大きな高速成膜性が達成
できたという点も顕著な特徴であり、本発明者等の実験
によれば、６μｍ／時の成膜速度が得られた。
次に本発明の実施例に述べられる電子写真感光体の製法
において、それに用いられる容量結合型グロー放電分解
装置を第２図により説明する。
において、それに用いられる容量結合型グロー放電分解
装置を第２図により説明する。
図中、タンク（５） （６） （７） （８） （９）
（１０）にはそれぞれ５ｉＨｎ、 ＣＪｚ、ＢｔＨａ
（Ｈｚガス希釈で２０ｐｐｍ含有）、Ｈ，、）Ｉｅ及び
Ｈｅガスが密封されており、これらのガスは対応する調
整弁（１１） （１２） （１３） （１４） （１５
） （１６）を開設することによって放出され、その流
量がマスフローコントローラ（１７） （１８） （１
９） （２０） （２１） （２２）に１より制御され
、タンク（５） （６） （７） （８） （９）から
のガスは主管（２３）へ、タンク（１０）からのＨｅガ
スは主管（２４）へ送られる。尚、（２５） （２６）
は止め弁である。
（１０）にはそれぞれ５ｉＨｎ、 ＣＪｚ、ＢｔＨａ
（Ｈｚガス希釈で２０ｐｐｍ含有）、Ｈ，、）Ｉｅ及び
Ｈｅガスが密封されており、これらのガスは対応する調
整弁（１１） （１２） （１３） （１４） （１５
） （１６）を開設することによって放出され、その流
量がマスフローコントローラ（１７） （１８） （１
９） （２０） （２１） （２２）に１より制御され
、タンク（５） （６） （７） （８） （９）から
のガスは主管（２３）へ、タンク（１０）からのＨｅガ
スは主管（２４）へ送られる。尚、（２５） （２６）
は止め弁である。
主管（２３） （２４）を通じて流れるガスは反応管（
２７）へと送り込まれるが、この反応管（２７）の内部
には容量結合型放電用電極（２８）が設置されており、
それに印加される高周波電力は５０−乃至３ｈが、また
周波数はＩＭＨｚ乃至５０ＭＨｚが適当である。反応管
（２７）の内部にはアルミニウムから成る筒状の成膜用
基板（２９）が試料保持台（３０）の上に載置されてお
り、この保持台（３０）はモーター（３１）により回転
駆動されるようになっており、そして、基板（２９）は
適当な加熱手段により約２００乃至４００℃、好ましく
は約２００乃至３５０℃の温度に均一に加熱される。
２７）へと送り込まれるが、この反応管（２７）の内部
には容量結合型放電用電極（２８）が設置されており、
それに印加される高周波電力は５０−乃至３ｈが、また
周波数はＩＭＨｚ乃至５０ＭＨｚが適当である。反応管
（２７）の内部にはアルミニウムから成る筒状の成膜用
基板（２９）が試料保持台（３０）の上に載置されてお
り、この保持台（３０）はモーター（３１）により回転
駆動されるようになっており、そして、基板（２９）は
適当な加熱手段により約２００乃至４００℃、好ましく
は約２００乃至３５０℃の温度に均一に加熱される。
更に反応管（２７）はその内部がａ−ＳｉＣ膜形成時に
高度の真空状Ｂ（放電時のガス圧０．１乃至２．０Ｔｏ
ｒｒ）を必要とするために回転ポンプ（３２）と拡散ポ
ンプ（３３）が連結されている。
高度の真空状Ｂ（放電時のガス圧０．１乃至２．０Ｔｏ
ｒｒ）を必要とするために回転ポンプ（３２）と拡散ポ
ンプ（３３）が連結されている。
以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
Ｓｉｎ４＋Ｃｚｌｈ及びＨｅガスでもってａ−ＳｉＣ膜
を基板（２９）上に形成する場合には調整弁（１１）
（１２）（１５）を開いてそれぞれＳｉＨ＊、ＣＪｚ、
Ｈｅガスを放出し、放出量はマスフロコントローラ（１
７） （１Ｂ） （２１）により制御され、これらの混
合ガスは主管（２３）を介して反応管（２７）へと流し
込まれる。そして、反応管（２７）の内部がｏ、ｉ乃至
２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度が２００乃至
４００℃、容量結合型放電用電極（２８）の高周波電力
が５０賀乃至３Ｋｗ ％周波数が１乃至５０ＭＨｚに設
定されていることに相俟ってグロー放電がおこり、ガス
の分解に伴ってａ−３ｉＣｌｌが基板上に高速で形成さ
れる。
Ｓｉｎ４＋Ｃｚｌｈ及びＨｅガスでもってａ−ＳｉＣ膜
を基板（２９）上に形成する場合には調整弁（１１）
（１２）（１５）を開いてそれぞれＳｉＨ＊、ＣＪｚ、
Ｈｅガスを放出し、放出量はマスフロコントローラ（１
７） （１Ｂ） （２１）により制御され、これらの混
合ガスは主管（２３）を介して反応管（２７）へと流し
込まれる。そして、反応管（２７）の内部がｏ、ｉ乃至
２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度が２００乃至
４００℃、容量結合型放電用電極（２８）の高周波電力
が５０賀乃至３Ｋｗ ％周波数が１乃至５０ＭＨｚに設
定されていることに相俟ってグロー放電がおこり、ガス
の分解に伴ってａ−３ｉＣｌｌが基板上に高速で形成さ
れる。
次に本発明の実施例を述べる。
（例１）
本例においては５ｉＨａガス及びＣＪｚガスの比率を変
えて硬度を測定した。
えて硬度を測定した。
即ち、２ Ｘ５ｃｍの角形のガラス板を用意し、アルミ
ニウム製筒状基板（２９）の周面を一部切り欠いてこの
切り欠き部に上記ガラス板を設置し、このガラス板上に
ａ−ＳｉＣｌｌ！を生成する。その際、タンク（５）よ
りＳｉＨ，ガスを、タンク（６）よりＣｘＨｚガスを、
タンク（９）よりＨｅガスを放出し、グロー放電分解法
により上記ガラス板上に３μ−の厚みのａ−ＳｉＣ膜を
形成し、その形成にあたってＳｉＨ＋ガスとＣ，Ｈｚガ
スの合計流量値を３００！ＩｃｃＩＩに設定すると共に
５ｉＨｎガスとＣｘＨｔガスの比率を変えてａ−３ｉＣ
膜の硬度特性を調べたところ、第３図に示す通りの結果
が得られた。尚、この時の製造条件はガス圧をＱ、３Ｔ
ｏｒｒに、高周波電力を１５０−に、Ｈｅガスの流量を
２００ｓｅｃｍに設定した。
ニウム製筒状基板（２９）の周面を一部切り欠いてこの
切り欠き部に上記ガラス板を設置し、このガラス板上に
ａ−ＳｉＣｌｌ！を生成する。その際、タンク（５）よ
りＳｉＨ，ガスを、タンク（６）よりＣｘＨｚガスを、
タンク（９）よりＨｅガスを放出し、グロー放電分解法
により上記ガラス板上に３μ−の厚みのａ−ＳｉＣ膜を
形成し、その形成にあたってＳｉＨ＋ガスとＣ，Ｈｚガ
スの合計流量値を３００！ＩｃｃＩＩに設定すると共に
５ｉＨｎガスとＣｘＨｔガスの比率を変えてａ−３ｉＣ
膜の硬度特性を調べたところ、第３図に示す通りの結果
が得られた。尚、この時の製造条件はガス圧をＱ、３Ｔ
ｏｒｒに、高周波電力を１５０−に、Ｈｅガスの流量を
２００ｓｅｃｍに設定した。
第３図において、横軸はガス比率Ｃ，Ｈ□／（Ｓｉｎ４
＋Ｃｚｌｈ）を表し、縦軸は相対的な硬度値を表してお
り、この硬度の測定は引掻硬度測定器を用いてダイヤモ
ンド針がａ−５ｉＣ膜の表面を加重すると共にその表面
を移動し、これによ−って生じる引掻傷の有無を調べて
、その加重量を相対値として示した、また、図中、・印
は測定値のプロットであり、ａは硬度特性曲線である。
＋Ｃｚｌｈ）を表し、縦軸は相対的な硬度値を表してお
り、この硬度の測定は引掻硬度測定器を用いてダイヤモ
ンド針がａ−５ｉＣ膜の表面を加重すると共にその表面
を移動し、これによ−って生じる引掻傷の有無を調べて
、その加重量を相対値として示した、また、図中、・印
は測定値のプロットであり、ａは硬度特性曲線である。
かくして得られた第３図の結果より明らかな通り、第１
のガスのなかでＣｚＨｚガスの容積比率を０゜４乃至０
．９５の範囲内に設定すれば高硬度特性が得られること
が判るー。
のガスのなかでＣｚＨｚガスの容積比率を０゜４乃至０
．９５の範囲内に設定すれば高硬度特性が得られること
が判るー。
また、本例のなかでＨｅガスを３０ｓｃｃｓ、 １０１
００５ｃ、 ４００ｓｃｃｍ＋ ７００ｓｃｃｓ＋ ９
００ｓｃｃｍに設定するか、或いはＨｅガスの放出を止
め、それに代わってＨ２ガスを放出してその流量を３０
ｓｃｃｓ＋、 １００ｓｃｃ＋＊、 ２００ｓｅｃｍ、
４００ｓｃｃｍ、 ７００ｓｃｃｗ＋、 ９００ｓｃ
ｃｍに設定し、いずれもその他の製造条件は本例と同じ
にした場合、これによって得られたそれぞれのａ−５ｉ
Ｃ膜についても第３図に示す結果と同じ結果が得られた
。
００５ｃ、 ４００ｓｃｃｍ＋ ７００ｓｃｃｓ＋ ９
００ｓｃｃｍに設定するか、或いはＨｅガスの放出を止
め、それに代わってＨ２ガスを放出してその流量を３０
ｓｃｃｓ＋、 １００ｓｃｃ＋＊、 ２００ｓｅｃｍ、
４００ｓｃｃｍ、 ７００ｓｃｃｗ＋、 ９００ｓｃ
ｃｍに設定し、いずれもその他の製造条件は本例と同じ
にした場合、これによって得られたそれぞれのａ−５ｉ
Ｃ膜についても第３図に示す結果と同じ結果が得られた
。
（例２）
本例においては、アルミニウム製筒状基板（２９）の周
回に第１図に示すようなキャリア注入阻止層、ａ−５ｉ
光導電層及び表面保護層を第１表及び第２表に示すよう
な製作条件で順次形成し、この積層型感光体の電子写真
特性を測定した。
回に第１図に示すようなキャリア注入阻止層、ａ−５ｉ
光導電層及び表面保護層を第１表及び第２表に示すよう
な製作条件で順次形成し、この積層型感光体の電子写真
特性を測定した。
即ち、本例においてはａ−ＳｉＣ表面保護層をもつ電子
写真感光体ドラムを製作するにあたって、その表面保護
層の形成に用いられる第２のガスの種類及び流量を特定
し、これによって製作したそれぞれの電子写真感光体の
表面電位、残留電位及び光感度並びに画像流れの有無を
調べたところ、第３表及び第４表に示す結果が得られた
。
写真感光体ドラムを製作するにあたって、その表面保護
層の形成に用いられる第２のガスの種類及び流量を特定
し、これによって製作したそれぞれの電子写真感光体の
表面電位、残留電位及び光感度並びに画像流れの有無を
調べたところ、第３表及び第４表に示す結果が得られた
。
光感度はハロゲンランプの白色光（１，５ルツクス）を
用いて表面電位を初期電位から５０Ｖまで減衰させるの
に必要な露光量でもって表し、また、画像流れの評価は
４通りに区分し、Ｏ印は露光量を感光体自体の適正露光
量よりも２倍に高めてもテストチャートの指定文字に全
く画像流れが生じない位までに鮮明な画像が得られた場
合であり、Δ印は適正露光量においては指定文字に画像
流れがなく、実用上何等支障がないが、露光量をその２
倍にまで高めると指定文字に画像流れが生じた場合であ
り、Ｘ印はテストチャートの指定文字に画像流れを生じ
ているが、その文字が概ね判読できる場合であり、××
印は画像流れが著しくてテストチャートが全く判読でき
ない場合である。
用いて表面電位を初期電位から５０Ｖまで減衰させるの
に必要な露光量でもって表し、また、画像流れの評価は
４通りに区分し、Ｏ印は露光量を感光体自体の適正露光
量よりも２倍に高めてもテストチャートの指定文字に全
く画像流れが生じない位までに鮮明な画像が得られた場
合であり、Δ印は適正露光量においては指定文字に画像
流れがなく、実用上何等支障がないが、露光量をその２
倍にまで高めると指定文字に画像流れが生じた場合であ
り、Ｘ印はテストチャートの指定文字に画像流れを生じ
ているが、その文字が概ね判読できる場合であり、××
印は画像流れが著しくてテストチャートが全く判読でき
ない場合である。
第３表より明らかな通り、本発明の感光体隘３乃至Ｎ１
７によれば、画像流れが生じな（、特に感光体！！ｋＬ
４乃至７においてはそれが最も優れた特性であり、また
、いずれも残留電位が小さくて画像にカブリが生じなか
った。
７によれば、画像流れが生じな（、特に感光体！！ｋＬ
４乃至７においてはそれが最も優れた特性であり、また
、いずれも残留電位が小さくて画像にカブリが生じなか
った。
然るに感光体Ｎｌｌ及び阻２によれば、光感度。が小さ
くて検知不能であり、そして、画像流れや画像にカブリ
が生じた。一方、感光体阻８は大きな成膜速度が得られ
なかった。
くて検知不能であり、そして、画像流れや画像にカブリ
が生じた。一方、感光体阻８は大きな成膜速度が得られ
なかった。
第４表より明らかな通り、本発明の感光体患１１乃至１
ｌＩＩＬ１５によれば、画像流れが生じなく、また残留
電位が小さくて画像にカブリが生じなかった。
ｌＩＩＬ１５によれば、画像流れが生じなく、また残留
電位が小さくて画像にカブリが生じなかった。
然るに感光体−９及び患１０によれば光感度が小さくて
検知不能であり、そして、画像流れや画像にカブリが生
じた。一方、感光体１１ｋＬ１６は大きな成膜速度が得
られなかった。
検知不能であり、そして、画像流れや画像にカブリが生
じた。一方、感光体１１ｋＬ１６は大きな成膜速度が得
られなかった。
（例３）
本例においては、（例２）の第１表に示した製造条件の
なかで、表面保護層の形成にあたって、Ｈ２ガスとＨｅ
ガスを用いてその混合ガスのガス容積比率を第５表に示
す通りに変えた場合の特性評価を行った。
なかで、表面保護層の形成にあたって、Ｈ２ガスとＨｅ
ガスを用いてその混合ガスのガス容積比率を第５表に示
す通りに変えた場合の特性評価を行った。
第５表に示す結果によれば、感光体隘１７乃至Ｉｊｈ２
０はいずれも画像流れや画像のカプリが生じなかった。
０はいずれも画像流れや画像のカプリが生じなかった。
（例４）
本例においては、（例２）中第２のガスを放出しないで
第１のガスだけで表面保護層を形成して成る電子写真感
光体を製作した。その場合にＣ。
第１のガスだけで表面保護層を形成して成る電子写真感
光体を製作した。その場合にＣ。
■よとＳｉＨ，のガス流量比率を変えた以外は（例２）
の第１表と同じ製造条件に設定した。この結果は第６表
に示す通りである。
の第１表と同じ製造条件に設定した。この結果は第６表
に示す通りである。
第６表より明らかな通り、感光体Ｎａ２１乃至嵐２６は
いずれも光感度が小さくて検知不能であり、そして、画
像流れや画像にカプリが生じた。
いずれも光感度が小さくて検知不能であり、そして、画
像流れや画像にカプリが生じた。
また本発明者等の実験によれば、上記実施例にて用いら
れたＨｅガス以外の不活性ガス、例えばＮｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒを用いても同様な結果が得られることを確認した。
れたＨｅガス以外の不活性ガス、例えばＮｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒを用いても同様な結果が得られることを確認した。
以上の通り、本発明の製法によれば、ａ−ＳｉＣ表面保
護層をグロー放電分解法によって形成するに当たって、
その生成用ガスがシランガス及びアセチレンガスから成
る第１のガス並びに水素ガス及び不活性ガスの少なくと
も１種から成る第２のガスを成分とし、これらのガスの
組成比を所定の範囲内に設定するとこの表面保護層を有
する電子写真感光体には画像流れや画像にカプリが生じ
なくなり、これにより、高性能且つ高信頼性の電子写真
感光体が提供できる。
護層をグロー放電分解法によって形成するに当たって、
その生成用ガスがシランガス及びアセチレンガスから成
る第１のガス並びに水素ガス及び不活性ガスの少なくと
も１種から成る第２のガスを成分とし、これらのガスの
組成比を所定の範囲内に設定するとこの表面保護層を有
する電子写真感光体には画像流れや画像にカプリが生じ
なくなり、これにより、高性能且つ高信頼性の電子写真
感光体が提供できる。
更に本発明の製法によれば、シランとアセチレンの混合
ガスをグロー放電分解してａ−ＳｉＣ表面保護層を形成
しており、これにより、その層の成膜速度を著しく高め
、その結果、製造効率及び製造コストを改善することが
できる。
ガスをグロー放電分解してａ−ＳｉＣ表面保護層を形成
しており、これにより、その層の成膜速度を著しく高め
、その結果、製造効率及び製造コストを改善することが
できる。
第１図は電子写真感光体の積層構造を示す断面図、第２
図は容量結合型グロー放電分解装置の説明図、第３図は
ガス容積比率ＣｚＨｔ／ （ＳｉＨ４＋ Ｃｚｌｌ□）
に対するアモルファスシリコンカーバイド膜の相対的硬
度を示す線図である。 １・・・基板 ２・・・キャリア注入阻止層 ３・・・アモルファスシリコン光導電層４・・・表面保
護層 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者 安城
欽寿 同 汚材 孝夫
図は容量結合型グロー放電分解装置の説明図、第３図は
ガス容積比率ＣｚＨｔ／ （ＳｉＨ４＋ Ｃｚｌｌ□）
に対するアモルファスシリコンカーバイド膜の相対的硬
度を示す線図である。 １・・・基板 ２・・・キャリア注入阻止層 ３・・・アモルファスシリコン光導電層４・・・表面保
護層 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者 安城
欽寿 同 汚材 孝夫
Claims (1)
- アモルファスシリコンカーバイド生成用ガスをグロー放
電分解して表面保護層を形成して成る電子写真感光体の
製法において、前記ガスがシランガス及びアセチレンガ
スから成る第１のガス並びに水素ガス及び不活性ガスの
うち少なくとも１種から成る第２のガスを成分とし、第
２のガスの第１のガスに対する容積比率を０．１乃至３
の範囲内に設定し且つ第１のガスのなかのアセチレンガ
ス容積比率を０．４乃至０．９５の範囲内に設定したこ
とを特徴とする電子写真感光体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2078287A JPS63188155A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子写真感光体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2078287A JPS63188155A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子写真感光体の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188155A true JPS63188155A (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=12036697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2078287A Pending JPS63188155A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 電子写真感光体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63188155A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115559A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS5828751A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-02-19 | Canon Inc | 光導電部材の製造法 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP2078287A patent/JPS63188155A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115559A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS5828751A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-02-19 | Canon Inc | 光導電部材の製造法 |
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