JPS58150963A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比（光電流（Ｉｐ）
／暗′醒流（Ｉｄ）’）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
、使用時において人体に対して無公害であるとと、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。殊に
、事務機と１〜てオフィスで使用される電子写真装置内
に組込まれる電子写真用像形成部材の鴨合には、上記の
使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

丙午ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点、更に
は経済的安定性及び耐久性の点において、各々、個々に
は特性の向上が計られているが総合的な特性向上を計る
上で更に改良される余地が存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この稲の光導電部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ず
る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかった。

又、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に１白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレ
ードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に［白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりしていた。

又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗に云う画像のボケが
生ずる場合が少なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｉ材別そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ　−Ｓ　
ｉに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装
置等に使用される光導電部材としての適用性とその応用
性という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、
シリコン原子を母体とし、水素原子■又は）・ロゲン原
子（３）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ノ・ロゲ
ン化アモルファスシリコン、或いはノ翫ロゲン含有水素
化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記とし
て［ａ−８ｉ　（Ｈ、Ｘ　）ＪＳを使用する〕から構成
される光導電層を有する光導電部材の層構成を以後に説
明される様な特定化の下に設計されて作成された光導電
部材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従
来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕
していること、殊に電子写真用の光導電部材として著し
く優れた特性を有していることを見出しだ点に基づいて
いる。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に著
しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず耐久
性、面４湿性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測さ
れない光導電部材を提供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密層性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層重質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のだめの帯電処理の際の′イ荷
保持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に
適用され得る優れた卓子写真特性を有する光導電部材を
提供することである。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得るととが
容易にでぺる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を提供す
ることでもある。

本発明の光導電部材は、光導′区部材用の支持シ 体と、シリコン原子（Ｓｉ）を母体とし、構成原子とし
て窒素原子（Ｎ）を含有する非晶質材料で構成された補
助層と、シリコン原子を母体とし、必要に応じて構成原
子と１〜て水素原子（鴨又はハロゲン原子（３）のいず
れか一方を少々くとも含有する非晶質材料［ａ−８ｉ　
（Ｈ，Ｘ　）　］で構成され、光導電性を有する第一の
非晶質層とを有し、前記第一の非晶質層が、構成原子と
して酵素原側の方に内在している第二の１＠領域とを有
し、これ等は、少なくとも互いの一部を共有しており、
前記第二の層領域の層厚をｔＢとし、前記第一の非晶質
層の層厚と第二の層領域の層厚ｔＢとの差をＴとすれば
ｔｉ＋／（Ｔ＋ｔＢ’）≦０．４の関係が成立し、前記
第一の非晶質層上に、シリコン原子と炭素原子と水素原
子とを構成原子として含む非晶質材料で構成された第二
の非晶質層を有する事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その篭気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、計つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光４を部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、補助層１０２　ａ　−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（Ｊ）
　１０３及び第二の非晶質層（ＩＩＨｏｓを有する。補
助層１０２は、主に、支持体１０１と非晶質層１０３と
の間の密着性を計る目的の為に設けられ支持体１０１と
非晶質層１０３の両方と親和性がある様に後述する特性
を有する材質で構成される。

本発明の光導電部材に於ける補助層は、シリコン原子（
Ｓｔ）を母体とし、構成原子として窒素原子（Ｎ）と、
必要に応じて水素原子σ−力、ハロゲン原子（３）とを
含有する非晶質材料（以後「ａ−８ｉ　Ｎ（Ｈ、Ｘ）　
」と記す）で構成される。

ａ−８ｉＮ（ｆ（、Ｘ４）としては、シリコン原子（Ｓ
ｉ）を母体とし窒素原子例を構成原子とする非晶質材料
（以後（−ａ−８ｔａｒ’Ｌ−３Ｊ　と記す）、シリコ
ン原子（Ｓｉ　）を母体とし窒素原子（へ）と水素原子
（Ｈ）を構成原子とする非晶質材料（以後［ａ−（Ｓｉ
ｂＮ＋　−ｂ　）　ｃＨＩ−Ｃ］と記す）、シリコン原
子（Ｓｌ）を母体とし窒素原子Ｎとノ・ロゲン原子囚と
必要に応じて水素原子（１１）とを構成原子とする非晶
質材料（以後１−　ａ−（ＳｉｄＮ、−ｄ）　ｅ（Ｈ、
Ｘ）１−ｅＪと記す）とを挙げることが出来る。

本発明において、必要に応じて補助層中に含有されるハ
ロゲン原子囚としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

補助層を上記の非晶質材料で構成する場合の層形成法と
してはグロー放電法、スパッターリング法、イオンイン
プランテーション法、イオンブレーティング法、エレク
トロンビーム法等が挙げられる。これ等の製造法は、製
造条件。

設備資本投下の負荷程度、製造規模２作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製造
する為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコン
原子と共に窒素原子、必要に応じて水素原子やハロゲン
原子を作製する補助層中に導入するのが容易に行える等
の利点からグロー放電法或いはスパッターリング法が好
適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して補助層を形成しても
良い。

グロー放電法によって、ａ−８ｉＮ（Ｈ、Ｘ　）　テ構
成される補助層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｉ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと、窒素
原子（へ）導入用の原料ガスと、必要に応じて水素原子
σ力導入用の又は／及びハロゲン原子（３）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグルー放電を生起させ、予め所定位置に設置
されである所定の支持体表面一ヒにａ　　Ｓ　’　Ｎ　
（）Ｔ　＋　Ｘ　）からなる補助層を形成させれば良い
。

又、スパッタリング法で補助層を形成する場合には、例
えば次の様にされる。

第一には、例えばＡ、ｒ、ｌ−Ｔｅ等の不活性ガス又は
これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中で８１
で構成されたターゲットをスパッタリングする際、窒素
原子Ｎ導入用のＦＡ刺ガスを、必要に応じて水素原子σ
η導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）４人用の原料
ガスと共にスパッタリングを行なう真空堆積室内に導入
してやれば良い。

゛第二には、スパッタリング用のターゲットとしてＳｉ
３Ｎ４で構成されたターゲットか、或いはＳＬで構成さ
れたターゲットとＳｉ３Ｎ、で構成されたターゲットの
二枚か、又はＳｌとＳ　ｉ　、　Ｎ、とで構成されたタ
ーゲットを使用することで形成される補助層中へ窒素原
子ぺ）を導入することが出来る。この際、前記の窒素原
子Ｎ導入用の原料ガスを併せて使用すればその流量を制
御すること補助層中に導入される窒素原子への量を任意
に制御することが容易である。

補助層中へ導入される窒素原子ぺの含有量は、窒素原子
（ト）導入用の原料ガスが堆積室中の導入される際の流
量を制御するか、又は窒素原子（Ｎ）導入用のターゲ、
）中に含有される窒素原子Ｎの割合を該ターゲットを作
成する際に調整するか、或いはこの両者を行うことによ
って、所望に従って任意に制御することが出来る。

本発明において使用されるＳ＋供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、５ｉＦ１．　、８ｉ２Ｈ，、Ｓｉ。

Ｉ−１，、Ｓ　ｉ　、　Ｈ，ｏ等のガス状態の又（ｄガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用される
ものとして挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓ
Ｉ供給効率の良さ等の点で５ｉｔ−（４，５ｉ２）Ｊ、
が好ましいものとして挙げられる。

これ等の出発物質を使用すれば層形成条件を適切に選択
することによって形成される補助層中に３ｔと共にＨも
導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては上
記の水素化硅素の他にハロゲン原子（３）を含む硅素化
合物、所謂、・・ロゲン原子で置換されたシラン誘導体
、具体的には例えばＳｉＦ、。

５ｉ２Ｆ、　、　５ｉｃｌ、　、　５ｉＢｒ、等のハロ
ゲン化硅素が好ましいものとして挙げるととが出来、四
には、ＳｉＨ，、Ｆ’２．５ｉ）Ｉ、、　Ｔ２．　Ｓｉ
Ｈ，Ｃｌ、　、　８ｉＨＣ１１３，８ｉＨ，Ｂｒ、　。

Ｓ＋ＨＢｒ、等のハロゲン置換水素化硅素、等々のガス
状態の或いはガス化し得る、水素原子を構成要素の１つ
とするハロゲン化物も有効な補助層形成の為のＳｉ供給
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロゲン原子（３）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択１でよ
って形成される補助層中にＳｉと共にＸを導入すること
が出来る。

上＋ｉＦ　１．／た出発物質の中水素原子を含むハロゲ
ン化硅素化合物は、補助層形成の際に層中にハロゲン原
子内の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極
めて有効な水素原子（ｌＩ）も導入されるので、本発明
においては好適なハロゲン原子（Ｘ）屏入用の出発物質
として使用される。

本発明において補助層を形成する際に使用されるハロゲ
ン原子間導入用の原料ガスとなる有効な出発物質として
は上記したものの他に、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨ
ウ素のハロゲンガス　、　　１３ｒＦ　　、　　（Ｊ！
Ｆ　　、　　ＣｌＦ、、　　ＢｒＦ、、　　Ｂｒｆイ’
　３．　　ＩＦ”、、　　ＴＰ、　　　。

ＩＣｌ、　ＩＨｒ等のハロゲン間化合物、■旧”　、　
Ｈ（Ｊ。

ＨＢｒ　、　Ｉ■Ｉ等のハロゲン化水素を挙げることが
出来る。

補助層を形成する際に使用される♀素原子Ｎ導入用の原
料ガスに成り得るものとして有効に使用される出発物質
は、Ｎを構成原子とする或いはＮと■］とを構成原子と
する例えば窒素（Ｎ２）　。

アンモニア（ＮＨ，）　、ヒドラジン（Ｔ−Ｊ２ＮＮＨ
，、）　、アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム
（ＮＵ、　Ｎ、　）等のガス状の又はガス化し得る窒素
、窒化物及びアジ化物等の９素化合物を挙げることが出
来る。

この他に、９索原子（へ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（３）の導入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ
３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４　Ｎ２　）等のハロゲン化窒
素化合物を挙げることが出来る。

本発明に於いて、補助層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂、希ガス、例えばＩＩｅ。

Ｎｅ、Ａ、ｒ等が好適なものとして挙げることが出来る
。

本発明の補助層を構成するａ−８ｉＮ　（Ｈ、Ｘ　）な
る非晶質材料は、補助層の機能が、支持体と非晶質層と
の間の密着を強固にし、加えてそれ等の間に於ける電気
的接触性を均一にするものであるから、補助層に要求さ
れる特性が所望通りに与えられる様にその作成条件の選
択が厳密に成されて、注意深く作成される。

本発明の目的に適した特性を有するａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ
）から成る補助層が形成される為の層作成条件の中の重
要な要素として、層作成時の支持体温度を挙げる事が出
来る。

即ち、支持体の表面にａ−８ｉＮ（Ｈ、Ｘ　）から成る
補助層を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成さ
れる層の構造及び特性を左右する重要な因子であって、
本発明に於いては、目的とする特性を有するａ−８ｉＮ
（Ｈ、Ｘ）が所望通りに作成され得る様に層作成時の支
持体温度が厳密に制御される。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の補助層を
形成する際の支持体温度としては補助層の形成法に併せ
て適宜最適範囲が選択されて、補助層の形成が実行され
るが、通常の場合、５０°Ｃ〜３５０℃、好適には、１
００℃〜２５０℃とされるのが望ましいものである。補
助層の形成には、同一系内で補助層、非晶質層（Ｉ）、
から非晶質層（■）、更には必要に応じて他の層まで連
続的に形成する事が出来る、各層を構成する原子の組成
比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に比べて比較的
容易である事等の為に、グロー放電法やスパッターリン
グ法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で補助層
を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成
の際の放電パワー、ガス圧が、作成される補助層の特性
を左右する重要な因子として挙げることが出来る。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有する補助
ｊ−が生産性よく効果的に作成される為の放電パワー条
件としては、通常１〜３００　Ｗ好適には２〜１５０Ｗ
である。又、堆積室内のガス圧は通常３×１０〜５　Ｔ
ｏｒｒ、好適には８×１０〜０．５１．’ｏ　１ｒ程度
とされるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける補助層に含有される窒素原
子の量及び必要に応じて含有される水素原子、ハロゲン
原子の址は、補助層の作製条件と同様、本発明の目的を
達成する所望の特性が得られる補助層が形成される重要
な因子である。

補助層中に含有される官素原子（Ｎの量、水素原子日の
量、ハロゲン原子間の量の夫々は、本発明の目的が効果
的に達成される様に上記の層作成粂件を考慮しＴら所望
に従って任意に決定される。

補助層をａ　　ｂ　１３　ＮＨ−ａで構成する場合には
、窒素原子の補助層中の含有量は好ましくは１×１０−
３〜６０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜５ｏａｔ
ｏｍｉｃ％、ａの表示では好ましくｄ、０．４〜０．９
９９９９、ヨリ好適には５〜０９９とされるのが望せし
い。

ａ−（ＳｉｂＮ、−ｂ）ｃＨ，−ｏで構成する場合には
、窒素原子（へ）の含有量としては、好ましくは、１×
１０−３〜５５　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜５
５　ａｔｏｍｉｃ％、水素原子の含有量としては、好ま
しくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０
　ａｔｏｍｉｃ％とされ、ｂ、ｃで表示すれば、ｂとし
ては通常０．４３〜０．９９９９９、より好適には０．
４３〜０．９９、Ｃとしては通常０．６５〜０９８、好
適には０．７〜０９５　　とされ、ａ（Ｓ’ｄＮ１−ｄ
　）ｅ（Ｈ＋　Ｘ）＋−ｅで構成する場合には、窒素原
子の含有量は、好ましくは１×１０〜６０ａｔｏｍｉｃ
％、より好適には１〜６０ａｔＯｍＩｃ％、ハロゲン原
子の含有酸、又は、ハロゲン原子と水素原子とを併せた
含有量は、好ましくは１〜２０ａｔｏｍｉｃ％、より好
適には２−１５　ａｔｏｍｉｃ％とされ、この場合の水
素原子の含有量は好咬しくは１９３ｔｏｍｉｃ％以下、
より好適には１３ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ま
しい。

ｄ、ｅの表示で示せば、ｄとしては、好ましくは、０．
４３〜０．９９９９９、より好ましくは、０．４３〜０
．９９、Ｃとしては、好ましくは、０．８〜０．９９よ
り好オしくは、０８５〜０．９８とされるのが望ましい
。

本発明に於ける光導′亀部材を構成する補助層の層厚と
しては、該補助層上に設けられる非晶質層の層厚及び非
晶質層の特性に応じて、所望に従って適宜決定される。

本発明に於いて、補助層の層厚としては、通常は、３０
λ〜２μ、好ましくは４０人〜１５μ、最適には５０人
〜１．５μとされるのが望ましい。

第１図に示される光導電部材］００に於ける第一の非晶
質層（１）　１０３は、構成原子として酸素原子を含有
する第一の層領域（０）１０４、周期律表第■族に属す
る原子（第Ｖ族原子）を含有する第二の層領域Ｍ１０５
、及び第二の層領域（Ｖ）　１０５上に、酸素原子及び
第■族原子が含有されてない層領域１０７とから成る層
構造を有する。

第一の層領域Ｉｏ）１０４と層領域１０７との間に設け
られている層領域１０６には第■族原子は含有されてい
るが酸素原子は含有されてない。

第一の層領域（０）１０４に含有される酸素原子は、或
いは第二の層領域Ｍ　１０５に含有される第Ｖ族原子は
、各層領域に於いて、層厚方向には連続的に均一に分布
し、支持体１０１の表面に実質的に平行な面内に於いて
は連続的に且つ実質的に均一に分布されるのが好ましい
ものである。

第１図に示す場合の例の様々本発明の光導電部材に於い
ては、非晶質層（１）　１０３の上部表面側部分には、
酸素原子及び第■族原子が含有されない層領域（第１図
に示す表面層領域１０７に相当）を有するが、第Ｖ族原
子は含有されているが、酸素原子は含有されない層領域
（第１図に示す層領域１０６）は必ずしも設けられるこ
とを要しない。

あっても良いし、又、第一の層領域（０）１０４の中に
第二の層領域（Ｖ）　１０５が設けられても良いもので
ある。

本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域１ｏ）に
は、酸素原子の含有によって、高暗抵抗化と、第一の非
晶質層印が直接設けられる補助層との間の密着性の向上
が重点的に計られ、上部表面側の層領域には酸素原子を
含有させずに高感度化が重点的に計られている。

殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、非晶質層
（１）　１０３が、酸素原子を含有する第一の層領域（
０）　１０４、第Ｖ族原子を含有する第二の層領域（Ｖ
）１０５、酸素原子の含有されていない層領域１０６、
及び酸素原子及び第■族原子の含有されていない層領域
１０７とを有し、第一の層領域（０）１０４と第二の層
領域（Ｖｌ］０５とが共有する層領域を有する層構造の
場合により良好な結果が得られる。

本発明の光４ｖ！、部材に於いては第一の非晶質Ｉｎ）
の一部を構成し酸素原子の含有される第一の層領域（Ｑ
は、１つには非晶質層（１１の補助層との密着性の向上
を計る目的の為に１又、非晶質層（１）の一部を構成１
〜第Ｖ族原子の含有される第二の層領域間は、１つには
、非晶質層（Ｉｆ）の自由表面側より帯電処理を施され
た際、支持体側より非晶質層（Ｉ）の内部に電荷が注入
されるのを阻止する目的の為に夫々、非晶質層（１）の
一部として支持体と非晶質層（１）とが接合する７！領
域として、少なくとも斤いの一部を共有する構造で設け
られる。

又、別には第二の層領域（■は補助層と、載いは第二の
層領域Ｍの上に直接設けられる層領域との密着性の向上
をより一層効果的に達成するには、第一の層領域（０）
を補助層との接触界面から、第二の層領域（■を内包す
る様に設ける、詰り、補助層との接触界面から第二の層
領域曳の上方丑で延在させて第二の層領域（■を含んだ
層構造となる様に第一の層領域（０）を非晶質層中（１
）中に設けるのが好ましいものである。

本発明において、第一の非晶質層（Ｉｌを構成する第二
の層領域間中に含有される周期律表第■族に属する原子
として使用されるのは、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ
（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に好適
に用いられるのはＰ、Ａｓである。

本発明において、第二の層領域（層中に含有される第■
族原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成
される様に所望に従って適宜法められるが、層領域Ｖに
於いて通常は３０〜５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、好ま［２〈は５０〜１×１０４ａ　ｊｏｍｌ　Ｃｐ
ｌ””　ｓ最適には１．　ＯＯ〜５　Ｘ　ｌ　Ｏａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

第一の層領域（０）中に含有される酸素原子の量に就て
も形成される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従って適宜法められるが、通常の場合、０．００１〜
５０　ａｔｏｍｉ　ｃ％、好ましくは、０．００２〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、第■族原子の含有され
ている層領域（至）の層厚ｔＢと（第１図では層領域１
０４の層厚）、層領域（■の上に設けられた、層領域（
■を除いた部分の層領域（第１図では層領域１０６）の
層厚Ｔとは、その関係が先に示した様な関係成金満足す
る様に決められるものであるが、より好ましくは、先に
示しだ関係式の値が０．３５以ド、最適には０．３以下
とされるのが望ましい。

本発明に於いて、第Ｖ族原子の含有される層領域Ｍの層
厚ｔＢとしては、通常は３０λ〜５μ、好適には４０λ
〜４μ、最適には５０λ〜３μとされるのが望ましいも
のである。

又、前記層厚Ｔと層厚ｔＢとの和（Ｔ＋ｔｎ）としては
、通常は１〜１００μ、好適には１〜８０μ、最適には
２〜５０μとされるのが望ましいものである。

酸素原子の含有される層領域（Ｏ）の層厚ｔ。とじては
、少なくともその一部の層領域を共有する層領域やの層
厚１Ｂとの関係に於いて適宜所望する目的に従って決定
されるのが望ましい。即ち層領域やと、該層領域（■と
直に接触する補助層との間の密着性の強化を計る目的で
あれば、層領域（０）は、層領域間の支持体側端部層領
域に少なくとも設けられてあれば良いから、層領域Ｏ）
のｊ−厚ｔ。とには高々層領埴Ｍの層厚ｔＢ分だけあれ
ば良い。

又、１領Ｍ（Ｖｌと該層領穢Ｍ上に直に設けられる１−
領域（第１図で示せば層領域１０７に相当する）との間
の密着性の強化を計るのであれば、層領域（０）は層領
域（■の支持体の設けである側とは反対の端部層領域に
少なくとも設けてあれば良いから、層領域（０）の層厚
ｔ。としては、高々、要領滅菌のノー厚ｔＢ分だけあれ
ば良い。

更に、上記２つの点を満足する場合を考慮すれば層領域
（０）の層厚ｔ。とじては、少なくとも層領域■）の１
−厚ｔＢだけある必要があり、目、つ、この場合は、層
領域（０１中に要領ｊｔ（Ｖ）が設けられだ層構造とさ
れる必要がある。

層領域（■と、該層領域Ｍ上に直に設けられる層領域と
の間の密着性を一層効果的に計るには層領域ｐ）を層領
域（■の上方（支持体のある側とは反対方向）に延在さ
せるのが好ましいものである。

本発明に於いて、非晶質層（ｆ）の非晶質層ｆｉｌ）側
端部層領域に酸素原子の含有されてない部分を設け、層
領域（０）を非晶質層（１１）の反対側に局所的に偏在
させる場合には、層厚ｔ。とじては上記した点を考慮１
〜つつ所望に従って適宜状められるが、通常の場合１０
λ〜１０μ、好適には２０λ〜８μ、最適には３０λ〜
５μとされるのが望ましいものである０ 第１図に示される光導電部材１００に於いては、第一の
非晶質層（１１０３上に形成される第二の非晶質層（ｌ
Ｉ）１０８は、自由赤面１０９を有［７、主に耐湿性、
連続繰返し使用特性、耐圧性使用環境特性、耐久性に於
いて本発明の目的を達成する為に設けられる。

本発明に於いては、第一の非晶質層（１）と第二の非晶
質１＠（ＩＩ）とを形成する非晶質材料の各々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので、積層界
面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第二の非晶質層（ｎ）は、シリコン原子と炭素原子と水
素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−（Ｓ　１　ｘＣ
１−ｘ　）ＹＨＩ　−ｙ　＋俳しＯ＜ｘ、ｙ＜１１で形
成される。

ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）、Ｈ，、で構成される第二の非
晶質層（１１）の形成はグロー放電法、スパッターリン
グ法、イオンインプランテーション法、イオンブレーテ
ィング法、エレクトロンビーム法等によって成される。

これ等の製造法は、製造条件、設備資本投丁の負荷程度
、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等
の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する
特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である。シリコン原子と共に炭素原子及び
水素原子を作製する第二の非晶質層（損中に導入するが
容易に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッタ
ーリング法が好適に採用される。

更に本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（１１
）を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質層（Ｉｔ）を形成す
るには、ａ−（ＳｉｘＣＩ−、）、Ｈ，−、形成用。原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導
入し、導入されたガスをグロー放電を生起させることで
ガスプラズマ化シテ前配支持体上に既に形成されである
第一の非晶質層ｍ上にａ　　（Ｓ　ＩｘＣ＋　−ｘ　）
　ｙＨＨ−ｙを堆積させれば良い０ 本発明に於いてａ　−（ＳｉｘＣ，ｘ）、Ｈ，−ｙ形成
用の原料ガスとしては、Ｓｉ、Ｃ，Ｈの中の少なくとも
一つを構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物
質をガス化したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，Ｈの中の１つとしてＳｉを構成原子とする原
料ガスを使用する場合は、例えば８ｉを構成原子とする
原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈを構成
原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用す
るか、又は、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、８ｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス
とを混合して使用することが出来る。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の非晶・質層（１１）形成用の原
料ガスとして有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成
原子とする８口（、、Ｓｉ、Ｈ，、Ｓｉ、Ｈ，、Ｓｉ、
Ｈ，。

等のシラン（Ｓｉｌａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、列えば炭素数１〜４の飽和炭
化水素、炭素数２−４のエチレン系炭化水素、炭素数２
〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素とし７ては、メタン（Ｃｆ（
、）、エタ７（Ｃ２Ｈ６）、プロパｙ　（ＣＨ８）　、
　ｎ−ブタ／（ｎ　Ｃ４Ｈ１Ｏ）　、ペンタ／（Ｃ５Ｈ
Ｉ２）　、　エチレン系炭化水素としては、エテレ／（
０２日、）、プロピレン（Ｃ，ｆ（、）、ブテン−１，
（０４Ｈ８）Ｉブテン−２（Ｃ（Ｈ８）。

インブチレン（Ｃ４Ｈｓ）　、ペンテン（Ｃ，Ｈ，。）
、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ
２）。

メチルアセチレン（Ｃ，８Ｇ　）、ブチン（Ｃ４Ｈ，ｌ
’１　等が挙げられる。

ＳｒとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉＣＣＨｓ’）＜　＋　８’　（ＣｔＨＩ＋）４等のケ
イ化アルキルを挙げることが出来る。これ等の原料ガス
の他、Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も有効なも
のとして使用される。

スパッーターリ／グ法によって第二の非晶質層（ＩＩ）
を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエーハー又
はＣウェーハー又はＳｒとＣが混合されて含有されてい
るウェーハーをターゲットとして、これ等を種々のガス
雰囲気中でスパッターリングすることによって行えば良
い。

例えば、Ｓｉウエーノ・−をターゲットとして使用すれ
ば、Ｃとｌ（を導入する為の原料ガスを、必要に応じて
稀釈ガスで稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｒウェ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳ　ｔとＣの混合した一枚のターゲットを使用するこ
とによって、少なくとも水素原子を含有するガス雰囲気
中でスパッターリングすることによって成される。

Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスが、スパッターリングの場合に
も有効なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）をグロー放電
法又はスパッターリング法で形成する際に使用される稀
釈ガスとしては、所謂蔦希ガス。

例えばＨｅ　、　Ｎｅ　、　Ａｒ等が好適なものとして
挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の非晶質層（１）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、Ｓｉ、Ｃ及びＨを構成原子とする物質はその作成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導体性、絶縁性
までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性質
までの間の性質を、各々示すので、本発明に於いては、
目的に応じた所望の特性を有する３−８１ＸＣＩ−Ｘ　
　が形成される様に、所望に従ってその作成条件の選択
が厳密に成される。

例えば、第二の非晶質層（１−１）を耐圧性の向上を主
な目的として設けるには、ａ−（ＳｉｘＣ＋−ｘ）　’
ＩＨ＋　　ｙは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動の
顕著な非晶質材料として作成される。

父、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層σＤが設けられる場合には、
上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射され
る光に対しである程度の感度を有する非晶質材料として
ａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙＨｔ　　３’が作成される。

第一の非晶質層（１）の表面にａ　−（ＳｉｘＣｔ　ｘ
）、ｙＨｌ−ｙから成る第二の非晶質層（印を形成する
際、層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であって、本発明に於いては
、目的とする特性を有するａ→ｉｘＣ＋−ｘ）ｙＬ　Ｙ
が所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が
散音に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける目的が効果的に達成される為の第二の非
晶質層σＤを形成する際の支持体温度としては第二の非
晶質層面の形成法に併せて適宜最適範囲が選択されて、
第二の非晶質層σＤの形成が実行されるが、通常の場合
、５０ｎ−３５０℃、好適には１００℃〜２５０℃とさ
れるのが望ましいものである。第二の非晶質層面の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の
制御が他の方法に較べて比較的容易である事等の為に、
グロー放電法やスパッターリング法の採用が有利である
が、これ等の層形成法で第二の非晶質層（ロ）を形成す
る場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放
電パワー、ガス圧が作成されるａ　−（ＳｉｘＣｔ　−
ｘ））’Ｈｔ−ｙの特性を左右する重要な因子の１つで
ある０ 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ　
−（ＳｉｘＣｓ　ｘ）ｙＨ＋　ｙが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては、通常、１（）
−３００Ｗ　、好適には２０〜２００Ｗとされるのが望
ましい。堆積室内のガス圧は通常０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒ
ｒ、好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされるのが
望捷しい。

本発明に於いては、第二の非晶質層面を作成する為の支
持体温度、放電パワーの望ましい数の 値範囲と１．て前記した範囲が値が挙げられるが、これ
等の層作成ファクターは、独立的に別々に決められるも
のではなく、所望特性のａ　−（ＳｉｘＣ＋−ｘ）ｙＴ
（ｓ　　Ｖから成る第二の非晶質層（５）が形成される
保に相互的有機的関連性に基いて、各層作成ファクター
の最適値が決められるのが望ま但に含有される炭素原子
及び水素原子の菫は、第二の非晶質層０］）の作製条件
と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる
第二の非晶質層の）か形成される１快な因子である。

本発明に於ける第二の非晶質層面に含有される炭素原子
の量は通常はｌ×１０〜９０ａｔＯｍｉＣｃＩｂとされ
、好ましくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜
８０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。

水素原子の含有量としては、通常の場合１〜４０ａｔｏ
ｍｉｃ　％、好ましく　！ｄ　２〜３５ａｔｏｍｉｃ％
　、最適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しく、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成され
る光導電部材は、実際面に於いて優れたものとして充分
適用させ得るものである。

即ち、先のａ　−（ＳｉｘＣ＋　ｘ）ＹＨｔ−ｙの表示
で行えばＸが通常は０．１〜Ｑ、９９９９９、好適には
Ｏ，ト０９９、最適には０．１５〜０９、ｙが通常０．
６〜０９９、好適には０．６５〜０９８、最適には０．
７〜０．９５であるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（社）の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の
１つである。

本発明に於ける第二の非晶質層（ロ）の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に
応じて適宜所望に従って決められる。

又、第二の非晶質層σＤの層厚は、該層（社）中に含有
される炭素原子や水素原子の量、第一の非晶質層（Ｉ）
の層厚等との関係に於いても、各々の層領域に要求され
る特性に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜
決定される必要がある。更に加え得るに１生産性や量産
性を加味した経済：住Ｄ・気：て於いても考属されるの
が望ましいＣ・ 本発明に於ける呵二の非晶質層１Ｄの１厚としては、通
常０．００３・〜３０μ好適には０．００４〜２０μ最
適には０．００５〜１０μとされるのが望ましいもので
ある。

本発明ｆ（おいて使用される支持体としては、導電性で
も電気畑喉性でおってもよい。導電性支持体としては、
例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

Ａｔ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　＋　−Ａａ　、　ｈ”ｂ　
、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　ｔ　Ｐｔ＋Ｐｄ　等の金
属又はこれらの合金が挙げられる。

電気絶繰性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が逆、常使用される。これらの電気絶
盪性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導
電処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けら
れるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎ１ｃｒ。

Ａｔ　、　Ｃｒ　ｒ　Ｍｏ　＊　Ａｕ　ｔ　Ｉｒ　ｐ　
Ｎｂ　ｔ　Ｔａ　ｐ　Ｖ　ｒ　ＴＬＰｔ　ｒ　、Ｐｄ　
ｒ　Ｔｎｚ０３ｒ　５ｎ０２　、ＩＴＯｒ　（ＩｎｚＯ
ｓ　＋　５ｎｏｚ　）等から成る４膜を設けることによ
って導電性が付与式れ、或いはポリエステルフィルム等
ノ合成樹脂フィルムであれば、ＮｊＣｒ　＋　Ａｔ＋　
ＡＩＬＰｂ＋Ｚｎ　＋　Ｎｉ　＋　Ａｕ　、　Ｃｒ　、
　Ｍｏ　＊　Ｉｒ　＋　Ｎｂ　、Ｔａ　、　Ｖ＋Ｔｉ　
、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、
スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属でそ
の表面をラミネート処理して、その表面に導電性が付与
される。支持体の形成としては、円筒状、ベルト状、板
状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決定
されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子真
写用像形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成され
る様に適宜決定されるが、光導電部制として可撓性が要
求される場合には、支持体と１−ての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常は１０μ以上とされる。

本発明において、ａ　　５ｔ（Ｈ＋　Ｘ）で構成される
第一の非晶質層（Ｉ）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−５ｔ（ＨＬＸ）
で構成される非晶質層（Ｉ）を形成するには、基本的に
はシリコン原（（Ｓ　ｉ　）を供給し得るＳｉ供給用の
原料ガスと共に、水素原子■導入用の又は／及びハロゲ
ン原子（３）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に導入１〜て、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持既 体表面上に概に形成されである補助層上にａ−８ｉ　（
Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スペッタ
リング法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等
の不活性ガス又はこれらのガスをベースとした混合ガス
の雰囲気中でＳｔで構成されたターゲットをスパッタリ
ングする際、水素原子（財）又は／及びハロゲン原子（
３）導入用のガスをスパッタリング用のＱ檀家に導入し
てやれば良。

八 本発明において、必要に応じて非晶質層（１）中に含有
されるハロゲン原子■としては、基体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素為を好
適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於て使用されるＳｉ供給用の原料ガスとしては
、５ｉｌ（ｉ　ｐ　ＳＬ＋Ｈａ　＊　５ｉｓｌＨｓ　ｒ
　５ｔ４Ｈｔｏ等ノカス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ
等の点で５Ｎ−Ｉ４．５ＬｚＨｅが好捷しいものとして
挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えば、ノ・ロゲンガス。

ハロゲン化物、ハロゲン間化合物、ノ）ロゲンで置換系
れたシラン肪導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好壕しく挙げられる○ 又、史には、シリコン原子とノーロゲン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得るハロゲン原子を含
む硅素化合物も有効なものとして本′Ｊ西明においては
挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロゲン化合゛吻と
しては、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハ
ロゲンガスｒ　ＢｒＦ　＊　ＣｔＦ　、ＣｔルＢｒＦ５
　＋　Ｂｒ、Ｆ３＋　ＩＦ＊　ｒ　ＩＦ７　＋　ＩＣＪ
　ｔ　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来
る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ・ロゲン原子
でｔ換された７ラン誘導体としては、具体的には例えば
５ｉＦｉ、　５ｉｚＦａ＋　５ｉＣｔ４＋ＳｉＢｒ４等
のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出
来る。

この様なノ・ロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成
する場合には、Ｓｉを供給し得る原料ガスとしての水素
化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上に既に設
けである補助層上にハロゲン原子を含むａ　−Ｓｉから
成る非晶質層（Ｉ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層（
Ｉ）を形成する場合、基本的には、Ｓｉ供給用の原料ガ
スであるハロゲン化硅素ガスとＡｒ。

Ｈｚ　＝　Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして非晶質層（Ｉ）を形成する堆積室に導入し
、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによって、所定の支持体上に非晶質層を
形成し得るものであるが、水素原子の導入を計る為にこ
れ等のガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所
定量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは岸独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ　−Ｓｔ　（ｆ（、Ｘ）から成る非晶質層（Ｉ
）を形成するには、例えばスパッタリング法の場合には
Ｓｉから成るターゲットを使用して、これを所定のガス
プラズマ雰囲気中でスパッタリングし、イオンブレーテ
ィング法の場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコ
ンを蒸発源として蒸着ボートに収容し、とのシリコン蒸
発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ
法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプ
ラズマ雰囲気中を通過させる事で行う）が出−宋る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にノ・ロゲン原子を導入
するには、前記のノ・ロゲン化合物又は前記のノ・ロゲ
ン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該
ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである
。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入１〜で該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとｉ
〜で上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ　、ＩＩＣｔ。

）ＩＢ　ｒ　、ＨＩ等のハロゲン化水素、５ＩＨ２Ｆ２
１５ｔＨｚＩｚｐＳｉＨｐＣ４２＋　５ｉＨＣｔｓ、　
５ｉＨＪｒｚ＋　５ｉＨＢｒｓ２等のハロるハロゲン化
物も有効な非晶質層（Ｉ）形成用の出発物質として挙げ
る事が出来る。

これ等の水素原子を含むノ・ロゲン化物は、非晶質層（
Ｉ）形成の際に層中にノ・ロゲン原子の導入と同時に電
気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も
導入されるので、本発明においては好適なハロゲン原子
導入用の原料として使用される。

水素原子を非晶質層＜Ｉ）中に構造的に導入するには、
に８１１の他に■■２、或いは５ＩＨ４＊　５１２Ｈ６
＋ＳｉｓＨｇ＋　５ｉ４Ｈ＋ｏ等の水素化硅素のガスを
Ｓｉを供給する為のシリコン化合物と堆積室中に共存さ
せて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

例えニ１：、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｊメ
タ−ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＦ（
２ガスを必要に応じて）（ｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含
めて堆！ｌｉ室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、
前記Ｓｔメタ−ットをスパッタリングする事によって、
補助層上にａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層（Ｉ
）が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ　ｔ　Ｈｓ等の
ガスを導入【７てやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の第一の非晶質
層（Ｉ）中に含有される水素原子卸の量又Ｖ↓ハロゲン
原子■の量又は水素原子とノ・ロゲン原子の情の和（Ｈ
＋Ｘ）は通常の場合１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、好適には
５〜３０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

第一の非晶質層（Ｉ）中に含有される水素原子（転）又
は／及びハロゲン原子■の量を制御するには、例えば支
持体温度又は／及び水素原子（財）、或いはハロゲン原
子（３）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

非晶質層（Ｉ）に、第Ｖ族原子を含有する層領域Ｍ及び
酸素原子を含有する層領域０）を設けるには、グロー放
電法や反応スパッタリング法等による非晶質層（Ｉ）の
形成の際に、第■族原子導入用の出発物質及び酸素原子
導入用の出発物質を夫々前記した非晶質層（Ｉ）形成用
の出発物質と共に使用して、形成される層中にその量を
制御し乍ら含有してやる事によって成される。

第一の非晶質層（Ｉ）を構成する、酸素原子の含有され
る層領域０）及び第■族原子の含有される層領域Ｍを夫
々形成するのにグロー放電法を用いる場合、各層領域形
成用の原料ガスとなる出発物質としては、前記した非晶
質層（Ｉ）形成用の出発物質の中から所望に従って選択
されたものに、酸素原子導入用の出発物質又は／及び第
■族原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素
原子導入用の出発物質又は第Ｖ族原子導入用の出発物質
としては、少なくとも酸素原子或いは第Ｖ族原子を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

例えば層領域り）を形成するのであれば、シリコン原子
（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）
を構成原子とする原料ガスと、必要に応じて水素原子０
又は／及びハロゲン原子閃を構成原子とする原料ガスと
を所望の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子０
）及び水素原子σ◇を構成原子とする原料ガスとを、と
れも又所望の混合比で混合するか、或いは、シリコン原
子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子
（Ｓｔ）、酸素原子（０）及び水素原子０の３つを構成
原子とする原料ガスとを混合して使用することが出来る
。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子■とを構
成原子とする原料ガスに酸素原子０）を構成原子とする
原料ガスを混合して使用しても良い０ 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具体的には
、例えば酸素（Ｏｘ　）　、オゾン（Ｏｓ　）　、　−
酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ、０）、三二酸化窒素（Ｎｔ　Ｏｓ　）！！！ａ
　二酸化蟹素（Ｎ２０４）−三二酸化窒素（ＮｔＯｅ　
）、三酸化窒素（ＮＯ，）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸
素原子（０）と水素原子ａ力とを構成原子とする、例え
ば、ジシロキサンＨｓＳｉＯ８ｉＨ３ｐトリシロキサン
ＨｓＳｉＯ８ｉＨ＊０８ｉＨｓ等の低級シロキサン等を
挙げることが出来る。

層領域Ｍをグロー放電法を用いて形成する場合に第■族
原子導入用の出発物質として、本発明において有効に使
用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨａ　、　Ｐ
２Ｈ４、等の水素北隣−ＰＨｎＩｐＰＦ３．　ｐＦ、、
　ＰＣｔ８．　ＰＣｌｓｙ　ＰＢｒ＊ｐ　ＰＢｒｉ＋　
ＰＩｉ等のハロゲン比隣が挙げられる。この他、ＡｓＨ
ｓｐＡｓＦ″３゜ｈ侃イＡｓＣ４１ＡＳＢｒ３ＨＡｓＦ
５　＃　５ｂＨｓ　Ｈ５ｂＦｓ　ｐｓｂＦｉｐＳｂＣ４
ｓ　ｅ　５ｂＣ４ｉ　＋　ＢｉＨｓ　ｔ　Ｂ１Ｃ４５＋
Ｂ１Ｂｒ５等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なも
のとして挙げることが出来る。

第Ｖ族原子を含有する層領域Ｍに導入される第Ｖ族原子
の含有量は、堆積室中に流入される第Ｖ族原子導入用の
出発物質のガス流量、ガス流量比、放電パワー、支持体
温度、堆積室内の圧力等を制御することによって任意に
制御され得る。

スパッターリング法によって、酸素原子を含有する層領
域０）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェー
ハー又は５ｉｎ２ウエーハー、又はＳｔと８ｉ０．が混
合されて含有されているウェーハーをターゲットとして
、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッターリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＳ　ｉｃｈとは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳ　ｉｏｚの混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子に）又
は／及びハロゲン原子囚を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッターリングすることによって成される
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッツ−リングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。

本発明において、非晶質層をグロー放電法で形成する際
に使用される稀釈ガス、或いはスパッタリング法で形成
される際に使用されるスパッターリング用のガスとして
は、所謂稀ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　、　Ａｒ等が
好適々ものとして挙げることが出来る。

第２図には、本発明の光導電部材の他の好適な実施態様
例の層構成が示される。第２１菌に示される光導電部材
２００が、第１図に示される光導電部材１００と異なる
七ころは、第一の非晶質層（１）２０３がその中に、下
部補助層２０２−１と同様の機能を果す上部補助層２０
２−２を有することである。

即ち、光導電部材２００は、起侍体２０１１該支持体２
０１上に順に債ノ響された、下部補助層２０２−１、第
一の非晶質＋＠　（Ｉ）　２０３及び第二の非晶質層（
ＩＩ）　２０８とヲＪＬ４　Ｌ、非晶質層（■）　２０
３　ハ、酸素原子の含有されている第一の層領域（Ｑ）
２０４と、第Ｖ族ｊ１１子の含有されている第二の層領
域（Ｖ’）２０５と、層領域２０６と１層領域２０７と
の間に上部補助層２０２−２とを有している。

上部補助層２０２−２は、層領域Ｍ２Ｏ３と層領域２０
７との間の密着を強固にし、両者の接触界面に於ける電
気的接触を均一にしていると同時に、層領域Ｍ２Ｏ３上
に直に設けることによって層領域Ｍ２Ｏ３の層質を強靭
なものとしている。

第２図に示される光導電部材２００を構成する下部補助
層２０２−１及び上部補助層２０２−２は、第１図に示
した光導電部材１００を構成する補助層１０２の場合と
同様の非晶質材料を使用して、同様の特性が与えられる
様に同様な層作成手順と条件によって形成される。

非晶質層（ｉ）２０３及び非晶質層０刀２０８も、第１
図に示す非晶質層（Ｊ）　１０３及び非晶質層（社）１
０８と夫々同様の特性及び機能を有し、第１図の場合と
同様な層作成手順と条件によって作成される０本発明の
光導電部材に於いては、第Ｖ族原子の含有される層領域
Ｍの上に設けられ、第■族原子の含有されない層領域（
Ｂ）（第１図では層領域１０６に相当する）には、伝導
特性全制御する物質を含有させることにより、該層領域
（Ｂ）の伝導特性全所望に従って任意に制御することが
出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来１本発明に於いては、形成され
る非晶質層ｍｅ構成するａ−Ｓｉ（Ｈ，Ｘ）に対して、
Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物、具体的には、周期律
表第■族ンジウム）、Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に
好適に用いられるのは、Ｂ、Ｑａである。

本発明に於いて１層領域（Ｂ）に含有される伝導特性全
制御する物質の含有量は、該層領域（Ｂ）に要求される
伝導特性、或いは該層領域ＣＢ）に直に接触して設けら
れる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触界面に
於ける特性との関係等有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。

本発明に於いて、層領域ｆＢｌ中に含有される伝導特性
を制御する物質の含有量としては、通常の場合、０．０
０１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｌｍ、好適には０，
０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　１１１１１１１、最適に
は０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐＩＩとされるの
が望ましいものである。

層領域ｆＢｌ中に伝導特性を制御する物質、例えば第■
族原子を構造的に導入するには、Ｉ−形成の際に第■族
原子導入用の出発物ｊｘをガス状態で堆積室中に、非晶
質層を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば
良い。この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得る
ものとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層
形成条件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが
望ましい。その様な第■族原子導入用の出発物質として
具体的には硼素原子導入用としては、ＢｚＨＩ、−ＢＡ
ｓｏ　＋　ＢＪ（９ｔ　ＢＪ（１１、ＢＪ（ｔｏ　＋　
ＢａＨｘｔ　−ＢＪＩＳａ等の水素化硼素、ＢＦ”、　
、　ＢＣｅｚ　、　ＢＢｒ、等のハロゲン化硼素等が挙
げられる。この他、ＡｌＣｌ！、。

Ｇ”ＣＧ　＋　Ｇａ　（ＣＨｓ）ｓ　＋　ＩｎＣｌ３　
＋　ＴＩＣｅＨ等も挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、第１図及び第２図に示
した例に於いて説明した様に、非晶質層（１）を構成す
る層領域＋０１が非晶質層（１）に於いて支持体側の方
に局所的に内在されている場合を好適な実施態様例とす
るが、本発明はこれに限定されることはなく、例えば層
領域（０）を非晶質層（１）の全層領域として非晶質層
（１）を形成しても良いものである。

この場合、非晶質層（１）が光導電性を示すものとして
作成される必要があることから層領域（０）中に含有さ
れる酸素原子の量の上限としては通常３０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、好適には１０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５　ａ
ｔｏｍｉｃ％とすることが望ましいものである。下限と
しては、この場合も勿論前記した値とされる０ 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第３図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の３０２．３０３．３０４．３０５．３０６．のガ
スボンベには、本発明の夫々の層領域を形成するための
原料カスが密封されておシ、その１例としてたとえば３
０２は、Ｈｅで稀釈されたＳｉＨ４ガス（純度９９．９
９９％、以下Ｓ　ｉ　Ｉ−１，／Ｈｅと略す。）ボンベ
、３０３はｌ（ｅで稀釈されたＰＨ，ガス（純度９９．
９９９％、以下Ｐル／Ｈｅと略す。）ボンベ、３０４は
Ｃｉ残ガス（純度９９．９９％）ボンベ、３０６ハ■。

ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室３０１に流入させるにはカスボン
ベ３０２〜３０６のパルプ、３２２〜３２６゜リークパ
ルプ３３５が閉じられていることを確認し、又、流入パ
ルプ３１２〜３１６、流出パルプ３１７〜３２１、補助
パルプ３３２が開かれていることを確認して先づメイン
パルプ３３４を開いて反応室３０１、ガス配管内を排気
する。次に真空計３３６の読みが約５Ｘ１０ｔｏｒｒに
なった時点で補助パルプ３３２．３３３．流入パルプ３
２２〜３２６．流出パルプ３１７〜３２１を閉じる。そ
の後、反応室３０１内に導入すべきガスのボンベに接続
されているガス配管のバルブを所定通り操作して、所望
するガスを反応室３０１内に導入する。

次に第１図に示す構成と同様の構成の光導電部材を作成
する場合の一例の概略を述べる。

先ず、シリンダー状支持体３３７上に補助層を形成する
場合の１例をあけると、カスボンベ３０２よりＳ　ｉ　
Ｈ４／Ｈｅカス、カスボンベ３０６よりＮＨ，カスをバ
ルブ３２２．３２６を開いて出口圧ケージ３２７゜３３
１の圧を１　ｋｇ／ｄに調整し、流入バルブ３１２゜３
１６を徐々に開けて、マスフロコントローラ３０７゜３
３１内に流入させる。引き絖いて流出バルブ３１７゜３
２１、補助バルブ３２２徐々に開いて夫々のガスを反応
室３０１に流入させる。このときのＳｉＨ，／Ｈｅガス
流童流量Ｔ（、カス流量との比が所望の値になるように
流出バルブ３１７　、３２１を調整し、又、反応室３０
１内の圧力が所望の値になるように真空計３３６の読み
を見ながらメインバルブ３３４の開口を調整する。そし
て支持体３３７の温度が加熱ヒーター３３８により５０
〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認し
た後、電源３４０を所望の電力に設定し、て反応室３０
１内にグロー放電を生起させて補助層を支持体３３７上
に形成する。形成される補助層中に）・ロゲン原子を導
入するには、例えば上記の補助層の作成に総ての説明に
於いて、ＳｉＨ４ガスの代りに、ＳｉＦ４ガスを用いる
か、Ｓｉ鴇ガスにＳｉＦ４ガスを加えてノー形成するこ
とによって成される。

補助１輌中に含有される窒素原子や水素原子、ハロゲン
原子の含有蓋は、これ等の原子を構成原子とする補助層
形成用の出発物質を反応室３０１に導入する際の流量を
調整することによって制御される。

例えば窒素原子の含有蓋の制御は、Ｎ’ｌ（、ガスの流
量を、又、−・ロゲン原子の含有量の制御１は、ＳｉＦ
４ガスの流量を、夫々調整することによって成される。

次に、支持体３３７Ｊ：に第一の非晶質層（１）を形成
する場合の１例をあげる。シャッター３４２は閉じられ
ており、電源３４０より高圧′電力が印加されるよう接
続されている。ガスボンベ３０２より５ｉＬｚ４（ｅガ
ス、ガスボンベ３０３よりＰＨ，／Ｈｅガス、ガスボン
ベ３０５からＮｏガスの夫々をバルブ３２２　、３２３
　、３２５を夫々間いて出口圧ゲージ３２７　、３２８
　、３３０の夫々の圧を１ｋｇ／ｃ１１に調整し、流入
バルブ３１２　、３１３　、３１５を徐々に開けて、マ
ス７０コントローラ３０７　、３０８　、３１０内に流
入させる。引き続いて流出バルブ３１７゜３１８　、３
２０　、補助バルブ３３２を徐々に開いて夫々のカスを
反応室３０１に流入させる。このときのＳｉＨ，／Ｈｅ
カス流量、ＰＨＪＨｅガス流量、Ｎｏガス流童の夫々の
比が所望の値になるように流出バルブ３１７　、３１８
　、３２０の開口を夫々調整し、又、反応室３０１内の
圧力が所望の値になるように真空計３３６の読みを見な
がらメインバルブ３３４の開口を調整する。そして支持
体３３７の温度が加熱ヒーター３３８により５０〜４０
０’Ｏの範囲の所望の温度に設定されていることを確認
された後、電源３４０を所望の電力に設定して反応室３
０１内にクロー放電を生起させて支持体３３７上に先ず
燐と酸素の含有された層領域を形成する。

コノ際、ＰＩ（３／Ｈｅガス、或いはＮｏガスの反応室
３０１内への導入を各対応するガス導入管のバルブを閉
じることによって遮断することで、燐の含有される層領
域、或いは、酸素の含有される層領域の層厚を所望に従
って任意に制御することが出来る。

燐と酸素が夫々含有された層領域が上記の様にして所望
層厚に形成された後、流出バルブ３１８゜３２０の夫々
を閉じて、引き続きグロー放電を所望時間続けることに
よって、燐と酸素が夫々含有された層領域上に、燐及び
酸素の含有されない層領域が所望の層厚に形成されて、
第一の非晶質層（１）の形成が終了する。

本発明の光導電部材に於いては、前述した様に非晶質層
（Ｉ）を構成する層領域（０）と層領域（■とは、少な
くともその一部の層領域を共有するものであるから、非
晶質層（Ｉ）を形成する際に例えばＰＨ，ガスとＮｏガ
スとを所望の流量で反応室３０１に同時に導入する時間
を所望の長さ設ける必要がある。

例えば、前述した様に非晶質層（１）の形成開始時から
所望の時間、ＰＨ，ガスとＮＯガスとを反応室３０１内
に導入し、該時間の紅過後、いずれかのガスを反応室３
０１内に導入するのを止めることによって層領域（０）
又は層領域（Ｖ）のいずれか一方の層領域中に他の層領
域を設けることが出来る。

或いは、非晶質層（１）の形成の際にＰＨ，ガスかＮＯ
カスのいずれか一方を所望時間反応室３０１内に導入し
た後、他方を更に反応室３０１内に導入して所望時間の
１輌形成を行うことによって、燐か酸素のいずれかが含
有されている層領域上に、燐と酸素の両者が含有されて
いる層領域を形成することが出来る。

又、この際、ＰＨ，ガスか又はＮＯガスのいずれか一方
だけを反応室３０１内に導入するのを止め、他方を引き
続き導入することによって、燐と酸素の両者が含有さ扛
ている層領域上に燐か又は酸素のいずれか一方が含有さ
れている層領域を形成することが出来る。

第２図に示す光導電部材２０００例の場合の様に第一の
非晶質層（１）　２０３中に上部補助層２０２−２を有
する光導電部材の場合には、非晶質層（＋）２０３の形
成の途中に於いて、前記した方法に４しって形成される
下部補助層２０２−１と同様の層形成を行うことによっ
て、非晶質／ｌ）中に上部補助層を設けることが出来る
。

上記の様な操作によって、支持体３３７上に形成された
第一の非晶質層（１）上に第二の非晶質層（ｎ）を形成
するＫは、第一の非晶質層（１）の形成の際と同様なバ
ルブ操作によって例えば、５ｉｌ１４カス、Ｃ２Ｉ（４
ガスの夫々を、必要に応じて１−Ｉｅ等の稀釈ガスで稀
釈して、所望の流讐比で反応室２０１中に流し、所望の
条件に従って、グロー放電を生起させることによって成
される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは百うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
３０１内、流出バルブ３１７〜３２１から反応室３０１
内に至るガス配管内に残留することを避けるだめに、流
出バルブ３１７〜３２１を閉じ補助バルブ３３２　、３
３３を開いてメインバルブ３３４を全開して系内を一旦
高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
シリンダー状支持体３３７は、モータ３３９によって所
望される速度で一定に回転させる０ 実施例１ 第３図に示した製造装置により、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の条件で層形成を行った０ こうして得られだ像形成部材を帯電露光現像装置に設置
１〜．０５ＫＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを用
い、１．　Ｏｌｕｘ　、　ｓｅｃの光量を、透過型のテ
ストチャートを用いて照射ｌ−だ。

その後直ちに■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に良好なトナー画像を得た。

このようにして得られたトナー像を、一旦ゴムブレード
でクリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程を
繰り返した。繰り返し回数１５万回以上行っても、画像
の劣化は見られなかった。

ｔパ璽　　〜−−−７ −、−旧−−−−−−− ６７ 実施例２ 第３図に示しだ製造装置により、ドラム状Ａｌ基板上に
以下に示す第２表の条件で層形成を行った。

その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られだ像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、０５ＫＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、直
ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを用い
、１．　Ｏ１ｕｘ６．ｓｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートを用いて照射した。

その後直ちに■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に良好々トナー画像を得た。

このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブレードで
クリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程を繰
り返した。繰り返し回数１０万回以上行っても画像の劣
化は見られなかった。

８ ９ 実施例３ 第３図に示した装置により、ドラム状Ａ／！基板上に以
下に示す第３表の条件で層形成を行った。

その他の条件は、実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材を帯電露光現像装置に設置
し、０５Ｋｖで０．２　ｓｅｃ間コロナ放電を行い、直
ちに光像を照射した。光源はタングステンランプを用い
、１．０．６ｕｘ　、　ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャートを用いて照射した。

その後直ちに■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含
む）を部材表面をカスケードすることによって、部材表
面上に濃度の極めて高い良好なトナー画像を得た。

このようにして得られたトナー像を一旦ゴムブレードで
クリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程を繰
り返しだ。繰り返し回数１５万回以上行っても、画像の
劣化は見られ々かった○ 実施例４ 第二の非晶質層（ｎ）の形成の際と、シリコンウェハと
グラファイトの面積比を変えて、非晶質層（ｎ）中に於
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以
外は、実施例３と全く同様な方法に、Ｌつで像形成部材
を作成した。

こうして得られた像形成部材につき実施例１に述べた如
き作像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰り返し
た後画像評価を行ったとこ３ 実施例５ 第二の非晶質層（Ｉｆ）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によって像形成部材を作成した。実
施例１に述べた如き、作像、現像、りＩＪ　　＝ングの
工程を繰り返１〜下記の結果を得た。

第５表 ７５ 実施例６ 補助層と非晶質層（１）の形成方法を下表の如く変える
以外は、実施例１と同様な方法で像形成部材を作成し、
実施例１と同様な方法で評価を行ったところ良好な結果
が得られた。

・７・７ 実施例７ 補助層と非晶質層（Ｉ）の形成方法を下表の取口＜変え
る以外は、実施例１と同様な方法で像形１戊部材を作成
１〜、実施例１と同様な方法で評価を行ったところ、良
好な結果が得られた。

７９ 実施例８ 第３図に示した製造装置により、ドラムＡｌ基板上に以
下に示す第８表の条件にした他は実施例１と同様にして
層形成を行った。

この様にして得られた電子写真用像形成部材に実施例２
と同様の評価を行ったところ、良好な結果が得られた。

実施例９ 第３図に示した製造装置に、しり、Ａｅ基板−１−Ｖり
下に示す第９表の条件で層形成を行つｆｒ−１その他の
条件は、実施例１と同様にして行った。

こうして得られた像形成部材に就いて実施例３と同様の
評価を行ったところ、高品質の画像が得られ耐久性に優
れたものであった。

８８ 実施例１０ 実施例８の第３４層作成段階に於ける層作成条件を下記
の第１０表に示す各条件にしたＪソ外は、実施例８に示
した条件と手順に従って、電子写真用像形成部材の夫々
を作製し、実施例１と同様の方法で評価したところ、夫
々に就いて特に画質耐久性の点に於いて良好な結果が得
られた。

５

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、夫々本発明の光導電部材の好適な
実施例態様例の層構造を模式的に示ｉ、７だ模式的層構
成図、第３図は、本発明の光導電部材を製造する為の装
置の一例を示す模式的説明図である。 １．００，２００　　・・　光導電部材１０１．２０１
　　・・支持体 １０２．２０２−１．２０２−２　　・・・補助層１０
３．２０３　　・第一の非晶質層（１）１０４．２０４
　　・・・第一の層領域（０）１０５．２０５　　・・
・第二の層領域（■１０８．２０８　　・・・第二の非
晶質層（１）１０９．２０９　　・・・　自由表面 ミーｌｆ ６

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体と
   し、構成原子として窒素原子を含有する非晶質材料で構
   成された補助層と、シリコン原子を母体とする非晶質材
   料で構成され、光導電性を示す第一の非晶質とを有ｌ〜
   、前記第一の非晶質層が、酸素原子を含有する第一の層
   領域と、構成原子として周期律表第Ｖ族、　に属する原
   子を含有し、前記支持体側の方に内在されている第二の
   層領域とを有し、これ等は、少なくとも互いの一部を共
   有しており、前記第二の層領域の層厚をｔＢとし、前記
   第一の非晶質層の層厚と第二の層領域の１−厚ｔｎとの
   差をＴとすれば、 ｔｓ／（Ｔ−１−ｔｎ　）≦０４ の関係が成立し、前記第−の非晶質層上に、シリコン原
   子と炭素原子と水素原子とを構成原子として含む非晶質
   材料で構成された第二の非晶質層を有する事を特徴とす
   る光導電部材。