JPS63190164A - 真空蒸着法 - Google Patents
真空蒸着法Info
- Publication number
- JPS63190164A JPS63190164A JP62021780A JP2178087A JPS63190164A JP S63190164 A JPS63190164 A JP S63190164A JP 62021780 A JP62021780 A JP 62021780A JP 2178087 A JP2178087 A JP 2178087A JP S63190164 A JPS63190164 A JP S63190164A
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- Japan
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- vacuum
- substrate
- heated
- fine powder
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は真空蒸着法に関する。
（従来技術）
従来、金属や半導体あるいは絶縁物の薄膜を形成する手
法としてスパッタリングや真空蒸着法が広く用いられて
いる。抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着法などで知られ
ている真空蒸着法は、（イ）装置が簡単である。（ロ）
薄膜の成長速度が速いので真空槽からの汚染が少なく所
望の膜厚が得られる、（ハ）被着面の前面に開口部を有
するマスクを置くことにより所望のパターンの薄膜か得
られるなどの利点があるために、Ｚｎ５％Ｚｎ５ｅ。
法としてスパッタリングや真空蒸着法が広く用いられて
いる。抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着法などで知られ
ている真空蒸着法は、（イ）装置が簡単である。（ロ）
薄膜の成長速度が速いので真空槽からの汚染が少なく所
望の膜厚が得られる、（ハ）被着面の前面に開口部を有
するマスクを置くことにより所望のパターンの薄膜か得
られるなどの利点があるために、Ｚｎ５％Ｚｎ５ｅ。
ＣｄＳ、 ＣａＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体薄
膜の成膜手段として広く用いられており、たとえば薄膜
ＥＬ素子の発光層や薄膜トランジスタの薄膜半導体層の
形成手段として実用化されている。。
膜の成膜手段として広く用いられており、たとえば薄膜
ＥＬ素子の発光層や薄膜トランジスタの薄膜半導体層の
形成手段として実用化されている。。
■−■族化合物半導体を真空蒸着法で成膜するときの共
通する問題点としてＩｆ−Ｖｌ族化合物半導体となる材
料（以下「母材」という）が蒸発源により加熱されると
蒸気として蒸発するだけでなく微粒子としても飛散する
ため膜面に数ミクロンの母材微粒子が散在した状態で蒸
着膜が形成され、膜表面が凹凸に荒れたり、薄１１ｉＥ
Ｌ素子のように母材薄膜の上下に絶縁層を成膜する場合
はこの母材微粒子が上下の絶縁層をつき破ってスポット
状の破壊（セルフヒーリング型破壊）を起こしたり、ス
ポット状に留まらずこの破壊が広がって画素の大部分を
破壊してしまうおそれもある（プロパゲーション型破壊
）。
通する問題点としてＩｆ−Ｖｌ族化合物半導体となる材
料（以下「母材」という）が蒸発源により加熱されると
蒸気として蒸発するだけでなく微粒子としても飛散する
ため膜面に数ミクロンの母材微粒子が散在した状態で蒸
着膜が形成され、膜表面が凹凸に荒れたり、薄１１ｉＥ
Ｌ素子のように母材薄膜の上下に絶縁層を成膜する場合
はこの母材微粒子が上下の絶縁層をつき破ってスポット
状の破壊（セルフヒーリング型破壊）を起こしたり、ス
ポット状に留まらずこの破壊が広がって画素の大部分を
破壊してしまうおそれもある（プロパゲーション型破壊
）。
このような問題を解決する手段として、たとえば特開昭
５７−９９７２３号におけるように、真空槽内に配置し
た母材と被着面との間に母材の蒸気は通過するが、飛散
粒子は阻止するメツシュを配置することにより被着面に
付着する母材粒子を大幅に制限する方法が提案されてい
る。メツシュを用いるこの方法は、メツシュの目詰りが
進むために均質な膜厚が得られない、成膜速度を一定に
するために電子ビーム発生源のパワーを上げると蒸発温
度が変ってしまい均質な膜が得られない。
５７−９９７２３号におけるように、真空槽内に配置し
た母材と被着面との間に母材の蒸気は通過するが、飛散
粒子は阻止するメツシュを配置することにより被着面に
付着する母材粒子を大幅に制限する方法が提案されてい
る。メツシュを用いるこの方法は、メツシュの目詰りが
進むために均質な膜厚が得られない、成膜速度を一定に
するために電子ビーム発生源のパワーを上げると蒸発温
度が変ってしまい均質な膜が得られない。
メツシュで阻止できる粒子の粒径に限界があるなどの問
題がある。
題がある。
一方、薄膜ＥＬ素子などに用いられる蛍光体薄膜の製造
に際して起こる表面の凹凸やピンホールの発生を防ぐた
めに、Ｍｎ、 Ｃｕ、＾ｇ％Ｔｂ％Ｓ■などの活性物質
を蒸発させるとともに、活性物質を含まない硫化亜鉛焼
結体に°電子ビームを照射して加熱蒸発させ基板上に活
性物質分布が均一で表面の凹凸の少ない高品質の硫化亜
鉛焼結体を形成する製造方法が知られている（特開昭５
８−１５７８８６号）。
に際して起こる表面の凹凸やピンホールの発生を防ぐた
めに、Ｍｎ、 Ｃｕ、＾ｇ％Ｔｂ％Ｓ■などの活性物質
を蒸発させるとともに、活性物質を含まない硫化亜鉛焼
結体に°電子ビームを照射して加熱蒸発させ基板上に活
性物質分布が均一で表面の凹凸の少ない高品質の硫化亜
鉛焼結体を形成する製造方法が知られている（特開昭５
８−１５７８８６号）。
しかしながらいずれかの製法にしても、発光母材として
焼結体を用いており、しかも母材の加熱に粒子の飛散が
激しい電子ビームを用いているために、電子ビームを照
射し加熱した際内部突沸ガスや帯電などにより焼結体で
ある発光母材の微粉が飛散し、その一部が基板に到達し
て付着し蒸着表面が凹凸に荒れてしまうことは避けられ
ない。
焼結体を用いており、しかも母材の加熱に粒子の飛散が
激しい電子ビームを用いているために、電子ビームを照
射し加熱した際内部突沸ガスや帯電などにより焼結体で
ある発光母材の微粉が飛散し、その一部が基板に到達し
て付着し蒸着表面が凹凸に荒れてしまうことは避けられ
ない。
特にこの現象は母材として昇華性物質を用いた場合に顕
著である。また薄膜ＥＬ素子の場合このような微粉体が
存在すると絶縁破壊や層間剥離を起こし易くなるために
、微粉体を極力少なくすることが望まれる。
著である。また薄膜ＥＬ素子の場合このような微粉体が
存在すると絶縁破壊や層間剥離を起こし易くなるために
、微粉体を極力少なくすることが望まれる。
（発明の目的および構成）
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、微粉体
のない滑らかな蒸着表面を有する蒸着膜を形成すること
を目的とし、この目的を達成するために、非焼結体の昇
華性母材を用いるようにしたものである。
のない滑らかな蒸着表面を有する蒸着膜を形成すること
を目的とし、この目的を達成するために、非焼結体の昇
華性母材を用いるようにしたものである。
（実施例）
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明による真空蒸着法を用いた真空蒸着装置
の一実施例の概路線図であり、薄膜ＥＬ素子の発光層形
成用として例示した。−図において、ｌは真空容器、２
は薄膜を形成すべき基板、３は基板ｌ加熱用のヒータ、
４は基板２に向う粒子の進行を阻止するシャッタ、５は
１０ＳＪｐＺｎＳｅなどの非焼結発光母材、６は発光母
材加熱用の電子ビーム発生源、７はＭｎなどのフレーク
状発光中心材料、８は発光中心材料加熱用の抵抗線加熱
ルツボである０発光母材５はＣＶＤ （化学的気相成長
）法またはＣＺ （Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ ）法ある
いはＦＺ（フロートゾーン）法あるいは溶融後固結させ
る方法（ガラス化、アモルファス）などで製造される単
結晶体または多結晶体である。
の一実施例の概路線図であり、薄膜ＥＬ素子の発光層形
成用として例示した。−図において、ｌは真空容器、２
は薄膜を形成すべき基板、３は基板ｌ加熱用のヒータ、
４は基板２に向う粒子の進行を阻止するシャッタ、５は
１０ＳＪｐＺｎＳｅなどの非焼結発光母材、６は発光母
材加熱用の電子ビーム発生源、７はＭｎなどのフレーク
状発光中心材料、８は発光中心材料加熱用の抵抗線加熱
ルツボである０発光母材５はＣＶＤ （化学的気相成長
）法またはＣＺ （Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ ）法ある
いはＦＺ（フロートゾーン）法あるいは溶融後固結させ
る方法（ガラス化、アモルファス）などで製造される単
結晶体または多結晶体である。
さて、電子ビーム発生源６からの電子ビームを非焼結体
発光母材５に照射して加熱蒸発させると、蒸発して蒸気
となった発光母材５が基板２の被着面に蒸着する。
発光母材５に照射して加熱蒸発させると、蒸発して蒸気
となった発光母材５が基板２の被着面に蒸着する。
一方、このとき同時に発光中心材料７を抵抗線加熱によ
り蒸発させる。発光母材５と発光中心材料７の蒸発量比
は１００対０．Ｏｌからｉｏｏ対１０の間で選ぶのがよ
い。
り蒸発させる。発光母材５と発光中心材料７の蒸発量比
は１００対０．Ｏｌからｉｏｏ対１０の間で選ぶのがよ
い。
昇華性物質を母材として蒸着する場合、非昇華性物質の
ように固溶状態になることなく母材は加熱により表面か
ら順次昇華蒸発してゆくため、焼結体（粉体な成形後焼
結したもの）の母材では、粒状の微粉が飛散する。しか
しながら母材を結晶体のような非焼結体とすることによ
り前述した微粉の飛散を防止することができる。
ように固溶状態になることなく母材は加熱により表面か
ら順次昇華蒸発してゆくため、焼結体（粉体な成形後焼
結したもの）の母材では、粒状の微粉が飛散する。しか
しながら母材を結晶体のような非焼結体とすることによ
り前述した微粉の飛散を防止することができる。
これにより基板２上に発光中心を発光母材５中に０．０
１〜ｌＯ％含む表面の滑らかなＥＬ発光層が得られる。
１〜ｌＯ％含む表面の滑らかなＥＬ発光層が得られる。
第２図は本発明に用いる真空蒸着装置の他の実施例の概
路線図であり、この実施例は非焼結発光母材と発光中心
材料とを同一の電子ビームにより交互に加熱蒸着させる
ものである０図中第１図と同じ参照数字は同じ構成部分
を示している。
路線図であり、この実施例は非焼結発光母材と発光中心
材料とを同一の電子ビームにより交互に加熱蒸着させる
ものである０図中第１図と同じ参照数字は同じ構成部分
を示している。
電子ビーム発生源６から発生される電子ビームにより非
焼結体発光母材５と発光中心材料７とを交互に照射する
時間をコントロールして蒸発量比を決定する。
焼結体発光母材５と発光中心材料７とを交互に照射する
時間をコントロールして蒸発量比を決定する。
この実施例でも第１図の実施例と同様に非焼結体発光母
材５を使用するので、微粉体の飛散が極めて少なく滑ら
かな表面を有するＥＬ発光層を・形成することができる
。
材５を使用するので、微粉体の飛散が極めて少なく滑ら
かな表面を有するＥＬ発光層を・形成することができる
。
第３図は本発明により製造した薄膜ＥＬ素子の蛍光層に
ついて蒸着表面に付着している微粉体の数を従来の焼結
体発光母材使用の場合と比較して示すものである。
ついて蒸着表面に付着している微粉体の数を従来の焼結
体発光母材使用の場合と比較して示すものである。
第３図においてＡは本発明による製法、Ｂは従来の蒸着
法による微粉体飛散数を示しており、前者では１ ｃｍ
”当り１０”〜１０コ個、後者では１ ｃｍ”当り１０
’〜１０’個で、微粉体飛散数は従来の１１５００から
１／１０００に減少していることがわかる。
法による微粉体飛散数を示しており、前者では１ ｃｍ
”当り１０”〜１０コ個、後者では１ ｃｍ”当り１０
’〜１０’個で、微粉体飛散数は従来の１１５００から
１／１０００に減少していることがわかる。
発光特性についてみると、発光閾値、最高輝度とも従来
とほぼ同じであるが、耐圧特性についてはプロパゲーシ
ョン型破壊はほぼ同じであるものの、セルフヒーリング
型破壊は本発明による薄膜には全く現われなかった。
とほぼ同じであるが、耐圧特性についてはプロパゲーシ
ョン型破壊はほぼ同じであるものの、セルフヒーリング
型破壊は本発明による薄膜には全く現われなかった。
上記実施例では非焼結体発光母材を用いて薄膜ＥＬ素子
の蛍光層を蒸着する場合について例示したが、非焼結性
の昇華性物質を蒸発させて薄膜を形成する蒸着法に適用
できるものである。
の蛍光層を蒸着する場合について例示したが、非焼結性
の昇華性物質を蒸発させて薄膜を形成する蒸着法に適用
できるものである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明おいては、非焼結体の昇華
性物質を加熱蒸発させ蒸着させて薄膜を形成するように
したので、微粉体が飛散することなく非常に滑らかな蒸
着膜を形成することができる０本発明により薄膜ＥＬ素
子の蛍光膜を形成すると絶縁破壊や居間剥離のない信頼
性の高い薄膜ＥＬ素子ができ、特に昇華性物質の加熱に
電子ビームを用いる場合は粒子の飛散が多いだけに特に
有効である。
性物質を加熱蒸発させ蒸着させて薄膜を形成するように
したので、微粉体が飛散することなく非常に滑らかな蒸
着膜を形成することができる０本発明により薄膜ＥＬ素
子の蛍光膜を形成すると絶縁破壊や居間剥離のない信頼
性の高い薄膜ＥＬ素子ができ、特に昇華性物質の加熱に
電子ビームを用いる場合は粒子の飛散が多いだけに特に
有効である。
第１図は本発明による真空蒸着法を実施する真空蒸着装
置の一実施例の概路線図、第２図は本発明による真空蒸
着法を実施する真空蒸着装置の他の実施例の概路線図、
第３図は本発明により製造した薄膜上に付着した微粉体
の数を従来の蒸着法と比較して示すグラフである。 １・・・真空容器、２・・・基板、４・・・シャッタ、
５・・・発光母材、６・・・電子ビーム発生源、フ・・
・発光中心材料、８・・・抵抗線加熱ルツボ 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男 第１図 第２図
置の一実施例の概路線図、第２図は本発明による真空蒸
着法を実施する真空蒸着装置の他の実施例の概路線図、
第３図は本発明により製造した薄膜上に付着した微粉体
の数を従来の蒸着法と比較して示すグラフである。 １・・・真空容器、２・・・基板、４・・・シャッタ、
５・・・発光母材、６・・・電子ビーム発生源、フ・・
・発光中心材料、８・・・抵抗線加熱ルツボ 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男 第１図 第２図
Claims (4)
- （１）真空雰囲気内で昇華性物質である母材を加熱し蒸
発させて蒸着する真空蒸着法において、前記母材が非焼
結体であることを特徴とする真空蒸着法。 - （２）前記母材がＥＬ素子発光層形成物質である特許請
求の範囲第１項に記載の真空蒸着法。 - （３）前記母材の加熱に電子ビームを用いる特許請求の
範囲第１項に記載の真空蒸着法。 - （４）前記昇華性物質が結晶体である特許請求の範囲第
１項に記載の真空蒸着法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021780A JP2529563B2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 真空蒸着法 |
| DE19883803189 DE3803189A1 (de) | 1987-02-03 | 1988-02-03 | Vakuumverdampfungsverfahren mit verwendung eines sublimierbaren quellenmaterials |
| US07/511,970 US4976988A (en) | 1987-02-03 | 1990-04-17 | Vacuum evaporation method for zinc sulfide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021780A JP2529563B2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 真空蒸着法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190164A true JPS63190164A (ja) | 1988-08-05 |
| JP2529563B2 JP2529563B2 (ja) | 1996-08-28 |
Family
ID=12064574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62021780A Expired - Lifetime JP2529563B2 (ja) | 1987-02-03 | 1987-02-03 | 真空蒸着法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2529563B2 (ja) |
| DE (1) | DE3803189A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100711488B1 (ko) | 2005-12-24 | 2007-04-24 | 주식회사 포스코 | 알루미늄-마그네슘 합금 피막의 제조방법 |
| JP2008214461A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Canon Inc | 蛍光体膜及び蛍光体膜の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19852326A1 (de) * | 1998-11-12 | 1999-11-18 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines mit einem dotierten Leuchtstoff beschichteten Substrats sowie Vorrichtung zum Bedampfen eines Substrats mit einem Beschichtungsstoff |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120966A (ja) * | 1974-03-07 | 1975-09-22 | ||
| JPS6067666A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の形成方法 |
| JPS6134890A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | 日本電信電話株式会社 | 電界発光薄膜形成方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2762722A (en) * | 1953-05-18 | 1956-09-11 | Bausch & Lomb | Method and apparatus for coating by thermal evaporation |
| US3094395A (en) * | 1959-01-12 | 1963-06-18 | Gen Dynamics Corp | Method for evaporating subliming materials |
| GB918382A (en) * | 1960-11-29 | 1963-02-13 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to the formation of thin films |
| US3153137A (en) * | 1961-10-13 | 1964-10-13 | Union Carbide Corp | Evaporation source |
| US3344768A (en) * | 1965-08-30 | 1967-10-03 | Burroughs Corp | Powder evaporation apparatus |
-
1987
- 1987-02-03 JP JP62021780A patent/JP2529563B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-02-03 DE DE19883803189 patent/DE3803189A1/de active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120966A (ja) * | 1974-03-07 | 1975-09-22 | ||
| JPS6067666A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の形成方法 |
| JPS6134890A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-19 | 日本電信電話株式会社 | 電界発光薄膜形成方法 |
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| KR100711488B1 (ko) | 2005-12-24 | 2007-04-24 | 주식회사 포스코 | 알루미늄-마그네슘 합금 피막의 제조방법 |
| JP2008214461A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Canon Inc | 蛍光体膜及び蛍光体膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2529563B2 (ja) | 1996-08-28 |
| DE3803189A1 (de) | 1988-08-11 |
| DE3803189C2 (ja) | 1990-02-08 |
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