JPS6067666A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS6067666A JPS6067666A JP58173181A JP17318183A JPS6067666A JP S6067666 A JPS6067666 A JP S6067666A JP 58173181 A JP58173181 A JP 58173181A JP 17318183 A JP17318183 A JP 17318183A JP S6067666 A JPS6067666 A JP S6067666A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- auxiliary electrode
- electron beam
- evaporation source
- present
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子ビーム真空蒸着を用いる薄膜の形成方法
に関する。
に関する。
（従来例の構成とその問題点）
発光活性物質を含む硫化亜鉛などの昇華性物質６ａａｕ
イｋ１４ｄ、／７’＋ＩｒＦＩヨヨイ４−ｎｄｔイａＳ
；〒ミオｈｎｘ−ｖ’Ｗｚ−ノし：として利用きれてお
り、産業上重要な位置を占めている。従来、このような
薄膜を形成するｔ（ホスバッタ蒸着や電子ビーム真空蒸
着などが用いられておシ、とくに電子ビーム真空蒸着は
蒸着速度が大きいこと、不純物によるγり染の少ないこ
となどの利点を有するため多く利用−１１ｔ−Ｃいる。
イｋ１４ｄ、／７’＋ＩｒＦＩヨヨイ４−ｎｄｔイａＳ
；〒ミオｈｎｘ−ｖ’Ｗｚ−ノし：として利用きれてお
り、産業上重要な位置を占めている。従来、このような
薄膜を形成するｔ（ホスバッタ蒸着や電子ビーム真空蒸
着などが用いられておシ、とくに電子ビーム真空蒸着は
蒸着速度が大きいこと、不純物によるγり染の少ないこ
となどの利点を有するため多く利用−１１ｔ−Ｃいる。
ところア：電子ビーム真空蒸着を用いて列華性物賀を蒸
発させ薄膜を形成する場合には、ＩＲ，”ｌ−のよう４
問題があった。
発させ薄膜を形成する場合には、ＩＲ，”ｌ−のよう４
問題があった。
電子ビーム真空蒸着で昇華性物質を蒸発源として蒸発さ
せると、昇華性物質は電子ビーノ、により加熱され表面
よシ順次昇華蒸発してゆくが、−Ｉｌｉ Ｊ＋華性物質
のように固溶状態にはならないため、蒸発源からの析出
物は粒状となって蒸発源に残留−）−る。妊らに電子ビ
ームによりフィラノン１と同極性でほぼ同電位に帯電し
た粒状析出物紹電気的斥力により蒸発源から飛散し、そ
のうちあるものは基板に刺着する。
せると、昇華性物質は電子ビーノ、により加熱され表面
よシ順次昇華蒸発してゆくが、−Ｉｌｉ Ｊ＋華性物質
のように固溶状態にはならないため、蒸発源からの析出
物は粒状となって蒸発源に残留−）−る。妊らに電子ビ
ームによりフィラノン１と同極性でほぼ同電位に帯電し
た粒状析出物紹電気的斥力により蒸発源から飛散し、そ
のうちあるものは基板に刺着する。
このような粒状付着物は、形成した薄膜の方観を損ねる
ばかシでなく、さらにその−１，： Ｋ多の薄膜を積層
し、デバイスとして構成したときに、絶縁破壊などの不
良を発生する原因となる。
ばかシでなく、さらにその−１，： Ｋ多の薄膜を積層
し、デバイスとして構成したときに、絶縁破壊などの不
良を発生する原因となる。
（発明の目的）
本発明は、」二記のように、電子ビーム真空蒸着を用い
て昇華性物質を蒸発略せ、薄膜を形成する方法において
問題とな・っていた蒸発源からの基板への粒状付着物を
減少させ、電気的特性が良好な薄膜を形成する方法を提
供することである。
て昇華性物質を蒸発略せ、薄膜を形成する方法において
問題とな・っていた蒸発源からの基板への粒状付着物を
減少させ、電気的特性が良好な薄膜を形成する方法を提
供することである。
（発明の構成）
本発明は、上記の目的を達成するため、以下のような構
成で薄膜を形成することを特徴とする。
成で薄膜を形成することを特徴とする。
従来の電子ビーム真空蒸着を用いた薄膜の形成方法で問
題であった蒸発源からの飛散粒子の基板への付着を防止
するために、電子銃フィラメントの電位と同極性でｌ／
１０〜１５倍の電位を有する補助電極を基板と蒸発源と
の間に設ける。したがって、飛散してくる粒子の帯電電
荷と前記補助電極とは同極性の電位であるので、飛散粒
子は電気的斥力によって蒸発源側に排斥きれる。この効
果は補助電極の電位が高い程太きく、逆にフィラメント
電位の１７１０程度以下になるとほとんど効果はなくな
る。また、この電位をあまり高くしても電瞭装置の費用
との関係で有効ではなく、実゛際上は形成した薄膜が付
着粒子により実用上影響を受けない点で決まる。本発明
者等の実験では、この補助電極の電位はフィラメント電
位のＶ１０〜１５倍の間が効果的であった。
題であった蒸発源からの飛散粒子の基板への付着を防止
するために、電子銃フィラメントの電位と同極性でｌ／
１０〜１５倍の電位を有する補助電極を基板と蒸発源と
の間に設ける。したがって、飛散してくる粒子の帯電電
荷と前記補助電極とは同極性の電位であるので、飛散粒
子は電気的斥力によって蒸発源側に排斥きれる。この効
果は補助電極の電位が高い程太きく、逆にフィラメント
電位の１７１０程度以下になるとほとんど効果はなくな
る。また、この電位をあまり高くしても電瞭装置の費用
との関係で有効ではなく、実゛際上は形成した薄膜が付
着粒子により実用上影響を受けない点で決まる。本発明
者等の実験では、この補助電極の電位はフィラメント電
位のＶ１０〜１５倍の間が効果的であった。
補助電極の形状については、蒸着速度を犬きく減じない
限シなるべく密な構造であることが望ましいが、どのよ
うな形状でも本発明の主旨の効果が得られないことはな
い。リング状、格子状、あるいはストライプ状の補助電
極が製作も容易であり、効果も太きい。補助電極のＩＪ
料についても、とくに限定されるものではない。
限シなるべく密な構造であることが望ましいが、どのよ
うな形状でも本発明の主旨の効果が得られないことはな
い。リング状、格子状、あるいはストライプ状の補助電
極が製作も容易であり、効果も太きい。補助電極のＩＪ
料についても、とくに限定されるものではない。
補助電極を設置する位置については、蒸発源と基板との
間で、できる限り蒸発源に近い方が効果は太きい。寸法
については、蒸発源と基板とを結ぶ包絡線を、補助電極
を設置する位置で水平に切断したときにで゛きる切断面
より大きい面積を有することが望ましいが、小きくでも
そｊｌなりの効果は得ることができる。
間で、できる限り蒸発源に近い方が効果は太きい。寸法
については、蒸発源と基板とを結ぶ包絡線を、補助電極
を設置する位置で水平に切断したときにで゛きる切断面
より大きい面積を有することが望ましいが、小きくでも
そｊｌなりの効果は得ることができる。
（実施例の説明）
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明にかかる薄膜の形成方法の一実施例に
おける補助電極を示したものである。１は直径が０．１
６關のカンタル線の線条電極であり、５順のステンレス
角柱で組みあげた内側寸法５ＯＮ×２００ＩＩＩＩの支
持枠２にピッチ５間でストライプ状に配列設置している
。３は補助電極に電位を与えるだめの供給電線であり、
支持枠２に固定されている１第２図は、本発明にかかる
薄膜の形成力法の一実施例における電子ビーム真空蒸着
装置の概略を示したものである。補助電極４は外部の直
流高圧電源５により０〜−２０ｋＶの電圧が印加される
。蒸発源としてマンノノン賦活硫化亜鉛６を配置したハ
ース７と、ガラス基板８を七ノトシた基板ホルダ９との
距離１ｌ−Ｌ５００％”であり、ハース７と補助電極４
との距離は５０ ”である。いま電子銃フィラメン１−
１０に電子銃電源１１により一７ｋＶの直流電圧を印加
し・電子ビームをマンガン賦活硫化亜鉛６に照射すると
、マンガン賦活硫化亜鉛６は蒸発し、基板ホルダ９に設
置されたガラス基板８上に付着し、薄膜を形成する。・
このとき基板８」二の１枦イ立１１１１積に付着した直
径が１０μｍ以下の粒状付着物の数Ｎを補助電極４に印
加した直流電圧をノ夫うメータとして測定した結果が第
一３図のＡである（縦軸Ｎの目盛は任意）。電子銃フィ
ラメント１０の印力１１電圧が一７ｋＶのときには、Ｎ
は補助電極電圧ＶＣ。
おける補助電極を示したものである。１は直径が０．１
６關のカンタル線の線条電極であり、５順のステンレス
角柱で組みあげた内側寸法５ＯＮ×２００ＩＩＩＩの支
持枠２にピッチ５間でストライプ状に配列設置している
。３は補助電極に電位を与えるだめの供給電線であり、
支持枠２に固定されている１第２図は、本発明にかかる
薄膜の形成力法の一実施例における電子ビーム真空蒸着
装置の概略を示したものである。補助電極４は外部の直
流高圧電源５により０〜−２０ｋＶの電圧が印加される
。蒸発源としてマンノノン賦活硫化亜鉛６を配置したハ
ース７と、ガラス基板８を七ノトシた基板ホルダ９との
距離１ｌ−Ｌ５００％”であり、ハース７と補助電極４
との距離は５０ ”である。いま電子銃フィラメン１−
１０に電子銃電源１１により一７ｋＶの直流電圧を印加
し・電子ビームをマンガン賦活硫化亜鉛６に照射すると
、マンガン賦活硫化亜鉛６は蒸発し、基板ホルダ９に設
置されたガラス基板８上に付着し、薄膜を形成する。・
このとき基板８」二の１枦イ立１１１１積に付着した直
径が１０μｍ以下の粒状付着物の数Ｎを補助電極４に印
加した直流電圧をノ夫うメータとして測定した結果が第
一３図のＡである（縦軸Ｎの目盛は任意）。電子銃フィ
ラメント１０の印力１１電圧が一７ｋＶのときには、Ｎ
は補助電極電圧ＶＣ。
の増加とともに減少するが、ｖｏが一７００■以トでは
ほとんど効果がみられなかった。
ほとんど効果がみられなかった。
第２図で示した補助電極のパターン形状はストライプ状
であったが、さらにこのストライブと直交するように同
じピッチの配列間かくで線条電極を設けて、格子状の電
極を形成して使ｊ４１−４−ると、本発明の効果は一層
大きくなる。第：う図の１３で／ｌｅした曲線は格子状
の補助電極の効果を示したものである。
であったが、さらにこのストライブと直交するように同
じピッチの配列間かくで線条電極を設けて、格子状の電
極を形成して使ｊ４１−４−ると、本発明の効果は一層
大きくなる。第：う図の１３で／ｌｅした曲線は格子状
の補助電極の効果を示したものである。
以上のような方法で形成したマンカン賦活硫化亜鉛薄膜
はＥＬ素子の発光層として使用した場合粒状付着物を原
因とする絶縁破壊がなく、安定に発光した。
はＥＬ素子の発光層として使用した場合粒状付着物を原
因とする絶縁破壊がなく、安定に発光した。
（発明の効果）
以上のように、本発明によれば、電イビーム真空蒸着を
用いて昇華性物質を蒸着する際に、補助電極を使用する
ことにより、特性の良い薄膜を容易に形成することがで
きる。
用いて昇華性物質を蒸着する際に、補助電極を使用する
ことにより、特性の良い薄膜を容易に形成することがで
きる。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例に用いる補助電極の
平面図、第１図（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図、第２図は
、本発明の一実施例に用いる電イビーム真空蒸着装置の
概略図、第３図は、本発明の詳細な説明するだめの図で
おる。 １ ・・・・・・・・・線条電極、 ２・・・・・・・
・支持枠、３・・・・・・・ 電圧供給電線。 特許出願人 松Ｆ電器産業株人会社 第１図 第２図 第３図 Ｖｏ（ｋｖ）
平面図、第１図（ｂ）は、そのＡ−Ａ断面図、第２図は
、本発明の一実施例に用いる電イビーム真空蒸着装置の
概略図、第３図は、本発明の詳細な説明するだめの図で
おる。 １ ・・・・・・・・・線条電極、 ２・・・・・・・
・支持枠、３・・・・・・・ 電圧供給電線。 特許出願人 松Ｆ電器産業株人会社 第１図 第２図 第３図 Ｖｏ（ｋｖ）
Claims (1)
- （１） 昇華性物質を蒸発源とする電子ビーム真空−蒸
着において、前記蒸発源と基板との間に、電子ビームの
フィラメント電位のＶ１０〜１．５倍の電位を有するリ
ング状、格子状あるいはストライブ状の補助電極を設け
て蒸着することを特徴とする薄膜の形成方法。 （２〕 前記昇華性物質が発光活性物質を含む硫化亜鉛
からなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載の薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173181A JPS6067666A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173181A JPS6067666A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6067666A true JPS6067666A (ja) | 1985-04-18 |
| JPH0573827B2 JPH0573827B2 (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=15955588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58173181A Granted JPS6067666A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6067666A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190164A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-05 | Nissan Motor Co Ltd | 真空蒸着法 |
| US4976988A (en) * | 1987-02-03 | 1990-12-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | Vacuum evaporation method for zinc sulfide |
| DE112017003226T5 (de) | 2016-06-28 | 2019-03-21 | Yamaha Corp. | Toneinstellungsvorrichtung, elektronisches Musikinstrumentensystem und Toneinstellungsverfahren |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310953A (en) * | 1976-07-17 | 1978-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Filp-flop circuit |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58173181A patent/JPS6067666A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310953A (en) * | 1976-07-17 | 1978-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | Filp-flop circuit |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190164A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-05 | Nissan Motor Co Ltd | 真空蒸着法 |
| US4976988A (en) * | 1987-02-03 | 1990-12-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | Vacuum evaporation method for zinc sulfide |
| DE112017003226T5 (de) | 2016-06-28 | 2019-03-21 | Yamaha Corp. | Toneinstellungsvorrichtung, elektronisches Musikinstrumentensystem und Toneinstellungsverfahren |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573827B2 (ja) | 1993-10-15 |
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