JPS63190380A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63190380A JPS63190380A JP2305687A JP2305687A JPS63190380A JP S63190380 A JPS63190380 A JP S63190380A JP 2305687 A JP2305687 A JP 2305687A JP 2305687 A JP2305687 A JP 2305687A JP S63190380 A JPS63190380 A JP S63190380A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ショットキー・バリア・ダイオード（以下Ｓ
ＢＤと略す）の耐圧安定化およびサージ耐量の向上を目
的として、バリア・メタル形成前に酸化性雰囲気中で熱
処理する半導体装置の製造方法に関するものである。
ＢＤと略す）の耐圧安定化およびサージ耐量の向上を目
的として、バリア・メタル形成前に酸化性雰囲気中で熱
処理する半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、ＳＢＤの耐圧安定化およびサージ耐量を向上させ
るため、バリア・メタル形成前に、硫酸または硝酸など
の強酸処理を行い、シリコン表面に薄い酸化膜を形成し
、その後、弗酸で酸化膜を除去する方法が採用されてい
た。
るため、バリア・メタル形成前に、硫酸または硝酸など
の強酸処理を行い、シリコン表面に薄い酸化膜を形成し
、その後、弗酸で酸化膜を除去する方法が採用されてい
た。
発明が解決しようとする問題点
しかし、上述の製造方法では、シリコン表面に付着した
有機物および無機物が十分に除去されず、ＳＢＤの耐圧
低下、サージ耐量の低下が問題となっていた。
有機物および無機物が十分に除去されず、ＳＢＤの耐圧
低下、サージ耐量の低下が問題となっていた。
これは強酸処理によるシリコン酸化膜が薄いため、シリ
コン表面の汚染除去が必ずしも完全に行われていないと
いう問題点のためであった。
コン表面の汚染除去が必ずしも完全に行われていないと
いう問題点のためであった。
本発明の目的は、上述の従来例にみられた問題点の解消
をはかる半導体装置の製造方法を提供するものである。
をはかる半導体装置の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、ＳＢＤの製造工程において、５００〜９００
℃で１０〜６０分間、酸化性雰囲気中で熱処理を行い、
厚み０．０２〜０．３μｍの酸化膜を形成したのち、そ
の酸化膜を除去してシリコン表面にバリア・メタルを形
成させるＳＢＤの製造方法である。
℃で１０〜６０分間、酸化性雰囲気中で熱処理を行い、
厚み０．０２〜０．３μｍの酸化膜を形成したのち、そ
の酸化膜を除去してシリコン表面にバリア・メタルを形
成させるＳＢＤの製造方法である。
作用
本発明によると、ＳＢＤのバリア・メタル形成前に５０
０〜９００℃の範囲で１０〜６０分間、酸化性雰囲気中
で熱処理することにより、シリコン表面に２００Ａから
３０００Ａのシリコン酸化膜を形成する。この際、シリ
コン表面に付着している有機物は酸化し、炭化物と微量
の無機物が表面に残る。その後、弗酸で処理を行い、シ
リコン酸化膜を除去する。
０〜９００℃の範囲で１０〜６０分間、酸化性雰囲気中
で熱処理することにより、シリコン表面に２００Ａから
３０００Ａのシリコン酸化膜を形成する。この際、シリ
コン表面に付着している有機物は酸化し、炭化物と微量
の無機物が表面に残る。その後、弗酸で処理を行い、シ
リコン酸化膜を除去する。
この弗酸処理により、表面に付着した炭化物および無機
物は除去され、洗浄が完全に行われるこ（実施例１） 第１図は本発明の実施例の断面図である。高濃度Ｎ型領
域１および低濃度Ｎ型領域２よりなるシリコン基板を酸
化して酸化膜３を形成する。次にＰ型領域４を形成した
のちコンタクト窓５を形成する。
物は除去され、洗浄が完全に行われるこ（実施例１） 第１図は本発明の実施例の断面図である。高濃度Ｎ型領
域１および低濃度Ｎ型領域２よりなるシリコン基板を酸
化して酸化膜３を形成する。次にＰ型領域４を形成した
のちコンタクト窓５を形成する。
しかる後、酸素中、５００℃で１０分間熱処理を行い、
厚み２０ＯＡの酸化膜を得たのち、弗酸によって酸化膜
を除いた。そのシリコン表面に、モリブデン４０００Ａ
、チタン１００ＯＡ、アルミニウム５μｍの各層を順次
、電子ビーム法によって蒸着した。その後、電極パター
ンエツチングを行い、アノード電極６およびカソード電
極７を形成する。このようにして形成されたＳＢＤは、
第２図、第３図に従来例のＳＢＤと対比して示すように
、耐圧レベル、サージ耐量とも、従来例のものに比べて
格段に改善されている。
厚み２０ＯＡの酸化膜を得たのち、弗酸によって酸化膜
を除いた。そのシリコン表面に、モリブデン４０００Ａ
、チタン１００ＯＡ、アルミニウム５μｍの各層を順次
、電子ビーム法によって蒸着した。その後、電極パター
ンエツチングを行い、アノード電極６およびカソード電
極７を形成する。このようにして形成されたＳＢＤは、
第２図、第３図に従来例のＳＢＤと対比して示すように
、耐圧レベル、サージ耐量とも、従来例のものに比べて
格段に改善されている。
（実施例２）
実施例１と同様に、コンタクト窓５を形成したのち、酸
素中、９００℃で３０分間熱処理を行い、厚み３０００
Ａの酸化膜を得たのち、弗酸によって酸化膜を除いた。
素中、９００℃で３０分間熱処理を行い、厚み３０００
Ａの酸化膜を得たのち、弗酸によって酸化膜を除いた。
そのシリコン表面に、モリブデ：／４０００Ａ、 チタ
ン１ｏｏＯＡ、フルミニラム５μｍの各層を順次、電子
ビーム法によって蒸着した。その後、電極パターン・エ
ツチングを行い、アノード電極６およびカソード電極７
を形成する。
ン１ｏｏＯＡ、フルミニラム５μｍの各層を順次、電子
ビーム法によって蒸着した。その後、電極パターン・エ
ツチングを行い、アノード電極６およびカソード電極７
を形成する。
このようにして形成されたＳＢＤは、第２図。
第３図に示すように、耐圧レベル、サージ耐量とも従来
に比べて格段に改善され、実施例１と同じレベルを有し
ている。
に比べて格段に改善され、実施例１と同じレベルを有し
ている。
発明の効果
本発明によれば、ＳＢＤのメタル形成前に５００〜６０
０℃の範囲で１０〜３０分間、酸化性雰囲気中で熱処理
することにより、ＳＢＤの耐圧安定およびサージ耐量の
向上がはかられる。このためＳＢＤの性能向上、信頼性
向上が可能となる。
０℃の範囲で１０〜３０分間、酸化性雰囲気中で熱処理
することにより、ＳＢＤの耐圧安定およびサージ耐量の
向上がはかられる。このためＳＢＤの性能向上、信頼性
向上が可能となる。
第１図は本発明の一実施例によるＳＢＤの断面図、第２
図は従来例と本発明実施例との各ＳＢＤ耐圧分布図、第
３図は従来例と本発明実施例との各ＳＢＤサージ耐量分
布図である。 １・・・・・・高濃度Ｎ型領域、２・・・・・・低濃度
Ｎ型領域、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・Ｐ型
頭域、５・・・・・・コンタクト窓領域、６・・・・・
・アノード電極、７・旧・・カソード電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はが１名１−を友復
Ｎ暫頗戚 ５−−−］ンタフト随傾丁絞 Ｇ−−−Ｔノー１入（７３（ル ７−一一刀ソーｋ θ
図は従来例と本発明実施例との各ＳＢＤ耐圧分布図、第
３図は従来例と本発明実施例との各ＳＢＤサージ耐量分
布図である。 １・・・・・・高濃度Ｎ型領域、２・・・・・・低濃度
Ｎ型領域、３・・・・・・酸化膜、４・・・・・・Ｐ型
頭域、５・・・・・・コンタクト窓領域、６・・・・・
・アノード電極、７・旧・・カソード電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はが１名１−を友復
Ｎ暫頗戚 ５−−−］ンタフト随傾丁絞 Ｇ−−−Ｔノー１入（７３（ル ７−一一刀ソーｋ θ
Claims (1)
- シリコン・ウェハーを酸化性雰囲気中で酸化し、酸化膜
を０．０２〜０．３μｍ形成させ、ついてその酸化膜を
除去した表面に、ショットキー・バリア・メタルを形成
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2305687A JPS63190380A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2305687A JPS63190380A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63190380A true JPS63190380A (ja) | 1988-08-05 |
Family
ID=12099783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2305687A Pending JPS63190380A (ja) | 1987-02-02 | 1987-02-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63190380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163879A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4836981A (ja) * | 1971-09-13 | 1973-05-31 | ||
| JPS4998585A (ja) * | 1973-01-22 | 1974-09-18 | ||
| JPS5724540A (en) * | 1980-07-19 | 1982-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Rinsing of through hole in semiconductor device |
| JPS5846072A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-17 | マイルス・インコーポレーテッド | テオフィリン免疫原 |
| JPS5950233A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-23 | Akebono Brake Ind Co Ltd | ブレ−キシユ−の制振構造 |
| JPS60192363A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Nec Corp | シヨツトキ障壁接合の製造方法 |
-
1987
- 1987-02-02 JP JP2305687A patent/JPS63190380A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4836981A (ja) * | 1971-09-13 | 1973-05-31 | ||
| JPS4998585A (ja) * | 1973-01-22 | 1974-09-18 | ||
| JPS5724540A (en) * | 1980-07-19 | 1982-02-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Rinsing of through hole in semiconductor device |
| JPS5846072A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-17 | マイルス・インコーポレーテッド | テオフィリン免疫原 |
| JPS5950233A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-23 | Akebono Brake Ind Co Ltd | ブレ−キシユ−の制振構造 |
| JPS60192363A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-30 | Nec Corp | シヨツトキ障壁接合の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163879A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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