JPS63193337A - 光学ヘツド - Google Patents
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- JPS63193337A JPS63193337A JP62025936A JP2593687A JPS63193337A JP S63193337 A JPS63193337 A JP S63193337A JP 62025936 A JP62025936 A JP 62025936A JP 2593687 A JP2593687 A JP 2593687A JP S63193337 A JPS63193337 A JP S63193337A
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- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- G11B7/094—Methods and circuits for servo offset compensation
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- G11B7/09—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B7/0908—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only
- G11B7/0912—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers with provision for moving the light beam or focus plane for the purpose of maintaining alignment of the light beam relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for focusing only by push-pull method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、光学ディスク等に対して信号の読み取りを行
うための光学ヘッドに関する。
うための光学ヘッドに関する。
Ｂ０発明の４Ｑ要
本発明は、光検出部が形成された基板上に、レーザ光源
からの出射光を反射するとともに媒体からの戻り光をｉ
！ｉ遇する半透過反射膜を有する光学部品を接着剤によ
り接着固定し、この光学部品の屈折率を上記接着剤の屈
折率よりも大きくすることにより、両者の屈折率差によ
る臨界角を用いてレーザ光源から直接入射される不要光
と媒体からの戻り光とを確実に分離させるものである。
からの出射光を反射するとともに媒体からの戻り光をｉ
！ｉ遇する半透過反射膜を有する光学部品を接着剤によ
り接着固定し、この光学部品の屈折率を上記接着剤の屈
折率よりも大きくすることにより、両者の屈折率差によ
る臨界角を用いてレーザ光源から直接入射される不要光
と媒体からの戻り光とを確実に分離させるものである。
Ｃ０従来の技術
所謂ＣＤ（コンパクトディスク）等の光学ディスクに記
録された情轡を光学的に読み取るための光学ヘッドには
種々のものが知られているが、近年における装置の小型
化及びコストダウンの要請から、光源に半導体レーザ素
子を用いるとともに、受光索子が形成された半４体基板
上にビームスプリンタプリズム及び上記半導体レーザを
配設したものを、本件出願人は先に特願昭６１−３８５
７６号明細書等において提案している。
録された情轡を光学的に読み取るための光学ヘッドには
種々のものが知られているが、近年における装置の小型
化及びコストダウンの要請から、光源に半導体レーザ素
子を用いるとともに、受光索子が形成された半４体基板
上にビームスプリンタプリズム及び上記半導体レーザを
配設したものを、本件出願人は先に特願昭６１−３８５
７６号明細書等において提案している。
この先願発明における光学ヘッドは、第３図に示すよう
な構成を有し、半導体基板３１の表面に臨んで形成され
た受光素子３２上に、断面が略々台形状のビームスプリ
ンタプリズム３３を載置固定し、このビームスブリック
プリズム３３の端部傾斜面の半透過犀射膜３４の前方位
置の半導体Ｗ板３１上に半導体レーザ３６を配設してい
る。この光学ヘッドにおいて、半導体レーザ３６から出
射されたレーザ光は、プリズム３３の半ｉ３ｉ反射膜３
４で反射光とｉ３過光とに略々２分され、反射光は最終
的に対物レンズ３９で集光されてＣＤ等のディスク４０
の記録面に投射され、また、上記透過光はプリズム３３
の境界面で屈折された後、そのまま上記受光素子３２等
に入射される。これらの反射光と透過光のうち、反射光
はディスク４０の記録情報読み取りに使用され有用なも
のであるのに対し、半導体レーザ３６から直接的にプリ
ズム３３内に導入される上記透過光は、光学的な信号検
出にとっては全く不要な光（所謂迷光）である。
な構成を有し、半導体基板３１の表面に臨んで形成され
た受光素子３２上に、断面が略々台形状のビームスプリ
ンタプリズム３３を載置固定し、このビームスブリック
プリズム３３の端部傾斜面の半透過犀射膜３４の前方位
置の半導体Ｗ板３１上に半導体レーザ３６を配設してい
る。この光学ヘッドにおいて、半導体レーザ３６から出
射されたレーザ光は、プリズム３３の半ｉ３ｉ反射膜３
４で反射光とｉ３過光とに略々２分され、反射光は最終
的に対物レンズ３９で集光されてＣＤ等のディスク４０
の記録面に投射され、また、上記透過光はプリズム３３
の境界面で屈折された後、そのまま上記受光素子３２等
に入射される。これらの反射光と透過光のうち、反射光
はディスク４０の記録情報読み取りに使用され有用なも
のであるのに対し、半導体レーザ３６から直接的にプリ
ズム３３内に導入される上記透過光は、光学的な信号検
出にとっては全く不要な光（所謂迷光）である。
ここで、受光素子３２は、上記ディスク４０に投射され
記録面で反射されたレーザ光が対物レンズ３９を介しプ
リズム３３の膜３４を透過して入射される所謂戻り光を
検出するためのものであるが、この戻り光に対して、上
記直接入射される不要光は数倍以上の強度（あるいは光
量）であるため、受光素子３２からの検出信号にＤＣ（
直流）オフセットを発生させることになる。これはディ
スク上に集光したスポットの誤差検出信号に悪影響を及
ぼす、この不要光による出力は、検出回路中に例えば第
４図に示すような所謂ＤＣオフセント除去回路を付加す
ることで対処可能である。この第４図の回路において、
上記受光素子３２に相当するフォトダイオード４２から
の光検出出力を演算増幅器４３の反転入力端子に供給す
るとともに、上記ＤＣオフセット分に応じた直流電圧■
。０を発生する直流電圧発生回路４４からの出力をこの
演ゴγ増幅器４３の非反転入力端子に供給することによ
って、出力端子４５から上記ＤＣオフセント分の相殺さ
れた検出出力を得るようにしている。
記録面で反射されたレーザ光が対物レンズ３９を介しプ
リズム３３の膜３４を透過して入射される所謂戻り光を
検出するためのものであるが、この戻り光に対して、上
記直接入射される不要光は数倍以上の強度（あるいは光
量）であるため、受光素子３２からの検出信号にＤＣ（
直流）オフセットを発生させることになる。これはディ
スク上に集光したスポットの誤差検出信号に悪影響を及
ぼす、この不要光による出力は、検出回路中に例えば第
４図に示すような所謂ＤＣオフセント除去回路を付加す
ることで対処可能である。この第４図の回路において、
上記受光素子３２に相当するフォトダイオード４２から
の光検出出力を演算増幅器４３の反転入力端子に供給す
るとともに、上記ＤＣオフセット分に応じた直流電圧■
。０を発生する直流電圧発生回路４４からの出力をこの
演ゴγ増幅器４３の非反転入力端子に供給することによ
って、出力端子４５から上記ＤＣオフセント分の相殺さ
れた検出出力を得るようにしている。
しかしながら、このようなりＣオフセント除去回路は、
上記検出部の検出素子毎に必要であり、回路部品の増加
及び！Ｊ！整工数の増加のためコストが窩むことになる
。
上記検出部の検出素子毎に必要であり、回路部品の増加
及び！Ｊ！整工数の増加のためコストが窩むことになる
。
さらに、上述のようにＤＣオフセットが光検出出力に生
じている場合には、半導体レーザの光出力や検出器の感
度が温度等により変動を受けると、そのまま誤差検出信
号に誤差成分として感知され、誤った制御が行われるこ
とになる。
じている場合には、半導体レーザの光出力や検出器の感
度が温度等により変動を受けると、そのまま誤差検出信
号に誤差成分として感知され、誤った制御が行われるこ
とになる。
Ｄ１発明が解決しようとする問題点
とごろで、上述のような欠点あるいは問題点を考ＩＣシ
て、本件出願人は先に、特願昭６１−９２４１０号明細
書において、上記半導体基板と上記ビームスプリッタプ
リズムとの境界面に、上記半導体レーザから直接入射さ
れた所定入射角以上の透過光（所謂迷光）がほぼ全反射
するような屈折率とされた２Ｊｌ！Ｉ以上のコーティン
グ層を形成して成る半導体レーザ装置を提案している。
て、本件出願人は先に、特願昭６１−９２４１０号明細
書において、上記半導体基板と上記ビームスプリッタプ
リズムとの境界面に、上記半導体レーザから直接入射さ
れた所定入射角以上の透過光（所謂迷光）がほぼ全反射
するような屈折率とされた２Ｊｌ！Ｉ以上のコーティン
グ層を形成して成る半導体レーザ装置を提案している。
この技術によれば、上記光検出部には媒体からの上記戻
り光のみが有効に照射されるようになり、光学ヘッドの
トラッキング制御又はフォーカス制御等が向上する。し
かしながら、上記コーティング層の膜１７の制御が回動
であり、この膜厚の製造誤差が上記迷光と検出光との分
離角度誤差となり、また分離角度周辺での光ｈｔ変化も
緩慢なため、正確な分離角度設定は困難である。また、
コーテイング膜付加のためにコストアンプとなる。
り光のみが有効に照射されるようになり、光学ヘッドの
トラッキング制御又はフォーカス制御等が向上する。し
かしながら、上記コーティング層の膜１７の制御が回動
であり、この膜厚の製造誤差が上記迷光と検出光との分
離角度誤差となり、また分離角度周辺での光ｈｔ変化も
緩慢なため、正確な分離角度設定は困難である。また、
コーテイング膜付加のためにコストアンプとなる。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり
、コーテイング膜を用いずに上記直接入射光（所謂迷光
）が上記検出部に入射されることを有効に防止でき、構
成が簡単で調整等も不要であり、安価な供給が可能な光
学ヘッドの提供を目的とする。
、コーテイング膜を用いずに上記直接入射光（所謂迷光
）が上記検出部に入射されることを有効に防止でき、構
成が簡単で調整等も不要であり、安価な供給が可能な光
学ヘッドの提供を目的とする。
Ｅ０問題点を解決するだめの手段
本発明に係る光学ヘッドは、光検出部が形成された基板
と、レーザ光源と、上記基板の上記光検出部上に接着剤
により接着固定され、上記レーザ光源からの出射光を反
射するとともに媒体からの戻り光を透過する半透過反射
膜を有する光学部品とを６ｔｌｉえ、上記光学部品の屈
折率ｎ、を上記接着剤の屈折率ｎ２よりも大きく （
ｎ＋ ＞ｎｚ ）することにより、上述の問題点を解
決する。
と、レーザ光源と、上記基板の上記光検出部上に接着剤
により接着固定され、上記レーザ光源からの出射光を反
射するとともに媒体からの戻り光を透過する半透過反射
膜を有する光学部品とを６ｔｌｉえ、上記光学部品の屈
折率ｎ、を上記接着剤の屈折率ｎ２よりも大きく （
ｎ＋ ＞ｎｚ ）することにより、上述の問題点を解
決する。
Ｆ０作用
光学部品の屈折率ｎ１と接着剤の屈折率ｎ２とに応じて
光学部品から接着剤層に向かう光が全反射するための臨
界角αが決定され、上記レーザ光源から上記半透過反射
膜を介して光学部品に直接導入され接着剤層を介して上
記光検出部に向かう不要光あるいは迷光の入射角を上記
臨界角αよりも大きくすることによって、この不要光を
光学部品と接着剤との界面で全反射させることができる
。
光学部品から接着剤層に向かう光が全反射するための臨
界角αが決定され、上記レーザ光源から上記半透過反射
膜を介して光学部品に直接導入され接着剤層を介して上
記光検出部に向かう不要光あるいは迷光の入射角を上記
臨界角αよりも大きくすることによって、この不要光を
光学部品と接着剤との界面で全反射させることができる
。
なお、上記臨界角αは、
α＝ ５ｉｎ−’ Ｃｎｘ ／ ｎ＋）と表せる。
Ｇ、実施例
第１図は本発明の一実施例を説明するための概略断面図
である。この第１図に示す光学ヘッドにおいて、Ｓｉ等
の半導体基板１の表面に臨んで、所謂ＣＤ（コンパクト
ディスク）等の光学記録媒体からの反射光（戻り光）を
検出して記録情報を読み取るための受光素子２が例えば
２組形成されている。これらの受光素子２は光検出部を
構成しており、この光検出部によりトラッキングエラー
、フォーカスエラー、ＲＦ倍信号検出がなされる。
である。この第１図に示す光学ヘッドにおいて、Ｓｉ等
の半導体基板１の表面に臨んで、所謂ＣＤ（コンパクト
ディスク）等の光学記録媒体からの反射光（戻り光）を
検出して記録情報を読み取るための受光素子２が例えば
２組形成されている。これらの受光素子２は光検出部を
構成しており、この光検出部によりトラッキングエラー
、フォーカスエラー、ＲＦ倍信号検出がなされる。
このような半導体基板ｌの受光素子２の形成領域上には
、接着剤ｒ？！Ｊ６を介して、半透過反射膜３を有する
断面略々台形状の光学部品としてのビームスプリンタプ
リズム４が接着固定されている。このビームスブリック
プリズム４の半透過反射膜３は、上記台形状断面の斜辺
部に相当する面上に被着形成されている。このプリズム
４の屈折率ｎ１は、接着剤層６の屈折率ｎ、よりも太き
く（ｎｌ〉ｎｔ）している、プリズム４の上面所定位置
には反射膜５が被着形成されている。
、接着剤ｒ？！Ｊ６を介して、半透過反射膜３を有する
断面略々台形状の光学部品としてのビームスプリンタプ
リズム４が接着固定されている。このビームスブリック
プリズム４の半透過反射膜３は、上記台形状断面の斜辺
部に相当する面上に被着形成されている。このプリズム
４の屈折率ｎ１は、接着剤層６の屈折率ｎ、よりも太き
く（ｎｌ〉ｎｔ）している、プリズム４の上面所定位置
には反射膜５が被着形成されている。
また、支持尽板１上には所謂レーザダイオード等の半導
体レーザ１０が設けられており、この半導体レーザｌＯ
の発光点Ｐから出射されたレーザ光は、基板ｌに対して
所定角度をなす半透過反射ｎり３で反射され、対物レン
ズ１１を介してディスク１２の記録面に集束される。デ
ィスク１２の記録面上で反射されたレーザ光は、対物レ
ンズ１１を介し、光学ヘッドの半透過反射膜３を介して
プリズム４に導入され、受光素子２の一方に入射される
とともに反射され、反射膜５で反射され°ζもう一方の
受光素子２に入射される。また、半導体レーザ１０の発
光点Ｐから出射されたレーザ光は、基板ｌの半透過反射
膜３を介して第１図破線に示すように直接プリズム４内
に思入される。この直接入射光は、前述したように光学
的検出にとっては全く不要の所謂迷光である。
体レーザ１０が設けられており、この半導体レーザｌＯ
の発光点Ｐから出射されたレーザ光は、基板ｌに対して
所定角度をなす半透過反射ｎり３で反射され、対物レン
ズ１１を介してディスク１２の記録面に集束される。デ
ィスク１２の記録面上で反射されたレーザ光は、対物レ
ンズ１１を介し、光学ヘッドの半透過反射膜３を介して
プリズム４に導入され、受光素子２の一方に入射される
とともに反射され、反射膜５で反射され°ζもう一方の
受光素子２に入射される。また、半導体レーザ１０の発
光点Ｐから出射されたレーザ光は、基板ｌの半透過反射
膜３を介して第１図破線に示すように直接プリズム４内
に思入される。この直接入射光は、前述したように光学
的検出にとっては全く不要の所謂迷光である。
本発明においては、上述したように、光学部品であるプ
リズム４の屈折率ｎ、を接着剤層６の屈折率ｎ、よりも
予め太きく （ｎ＋ ＞ｎｌ ）設定しており、こ
れらの屈折率ｎ＋ 、”ｔに基づき算出される臨界角α
、すなわちプリズム４から接着剤Ｎ６へ向かう光が全反
射するための最小入射角α（＝ ５ｉｎ−’ （ｎ、
／ｎ、） ）に対して、これ以上の入射角をもつ光は全
反射されることになる。そこで、半導体レーザｌＯの発
光点Ｐから出射された光のうちで、第１図破線に示すよ
うに直接プリズム４内に思入され、直接受光素子２に向
かう光の接着剤層６への入射角を、上記臨界角αよりも
大きくなるように構成して、不要光が受光素子２に到達
することを防止している。
リズム４の屈折率ｎ、を接着剤層６の屈折率ｎ、よりも
予め太きく （ｎ＋ ＞ｎｌ ）設定しており、こ
れらの屈折率ｎ＋ 、”ｔに基づき算出される臨界角α
、すなわちプリズム４から接着剤Ｎ６へ向かう光が全反
射するための最小入射角α（＝ ５ｉｎ−’ （ｎ、
／ｎ、） ）に対して、これ以上の入射角をもつ光は全
反射されることになる。そこで、半導体レーザｌＯの発
光点Ｐから出射された光のうちで、第１図破線に示すよ
うに直接プリズム４内に思入され、直接受光素子２に向
かう光の接着剤層６への入射角を、上記臨界角αよりも
大きくなるように構成して、不要光が受光素子２に到達
することを防止している。
ここで、本発明の実施例においては、−ＩＩに使用され
る例えばエポキシ系の接着剤で１．５程度であることを
考慮し、上記接着剤Ｎ６の屈折率ｎ。
る例えばエポキシ系の接着剤で１．５程度であることを
考慮し、上記接着剤Ｎ６の屈折率ｎ。
を１．５０とし、上記光学部品であるプリズム４には、
屈折率ｎ、が例えば１．７７の光学ガラス＋Ａ料を用い
るものとする。このとき、プリズム４から接着剤層６へ
向かう光の臨界角αは約５７．９°あるは略々５８°と
なる。また、ビームスプリッタプリズム４の半透過反射
膜３が基板１に対してなす角度を例えば４゛５°とする
。このような条件の下で、上記半導体レーザ１０の発光
点Ｐからの光 □が直接プリズム４内に尋人されて接着
剤Ｎ６に向かって投射されるときの入射角及びディスク
１２記録面からの反射光が直接プリズム４内に入射され
接着剤層６に達するときの入射角の具体例について、第
２図を参照しながら説明する。
屈折率ｎ、が例えば１．７７の光学ガラス＋Ａ料を用い
るものとする。このとき、プリズム４から接着剤層６へ
向かう光の臨界角αは約５７．９°あるは略々５８°と
なる。また、ビームスプリッタプリズム４の半透過反射
膜３が基板１に対してなす角度を例えば４゛５°とする
。このような条件の下で、上記半導体レーザ１０の発光
点Ｐからの光 □が直接プリズム４内に尋人されて接着
剤Ｎ６に向かって投射されるときの入射角及びディスク
１２記録面からの反射光が直接プリズム４内に入射され
接着剤層６に達するときの入射角の具体例について、第
２図を参照しながら説明する。
この第２図において、レーザ発光点Ｐから出射しプリズ
ム４内に入射されて直接受光素子２に向かうレーザ光が
、光軸（基板に平行）から上下それぞれ約２０’の角度
範囲にあるとき、プリズム４内での接着剤Ｆ！！６への
入射角が最も小さくなるのは、第２図の光軸から下方に
２０”の角度で出射される光Ｒ１であり、この先Ｒ１は
半透過反射膜３に対して２５°の入射角で入射され、プ
リズム４界面で屈折されて約１３．８°の出射角となる
から、プリズム４から接着剤Ｗ！Ｊ６への入射角は約５
８．８’ となる、このように、光Ｒ，がプリズム４内
に導入されたときの接着剤Ｎ６への入射角は上記臨界角
α（約５７．９°）よりも大きいから全反射され、結果
的に発光点Ｐから光軸を中心として±２０”の範囲の光
は全てプリズム４と接着剤層６との界面で全反射される
ことになる。
ム４内に入射されて直接受光素子２に向かうレーザ光が
、光軸（基板に平行）から上下それぞれ約２０’の角度
範囲にあるとき、プリズム４内での接着剤Ｆ！！６への
入射角が最も小さくなるのは、第２図の光軸から下方に
２０”の角度で出射される光Ｒ１であり、この先Ｒ１は
半透過反射膜３に対して２５°の入射角で入射され、プ
リズム４界面で屈折されて約１３．８°の出射角となる
から、プリズム４から接着剤Ｗ！Ｊ６への入射角は約５
８．８’ となる、このように、光Ｒ，がプリズム４内
に導入されたときの接着剤Ｎ６への入射角は上記臨界角
α（約５７．９°）よりも大きいから全反射され、結果
的に発光点Ｐから光軸を中心として±２０”の範囲の光
は全てプリズム４と接着剤層６との界面で全反射される
ことになる。
これに対して、第１図のディスク１２等の媒体で反射さ
れて戻ってきた所謂戻り光の場合には、光検出部に向か
う光が光軸から±８°の角度範囲にあるとすると、半透
過反射膜３に対する入射角は、第２図中の光Ｒ２の３７
°と光Ｒ３の５３゜とのｆｉｌに存在することになる。
れて戻ってきた所謂戻り光の場合には、光検出部に向か
う光が光軸から±８°の角度範囲にあるとすると、半透
過反射膜３に対する入射角は、第２図中の光Ｒ２の３７
°と光Ｒ３の５３゜とのｆｉｌに存在することになる。
ここで、入射角が３７°の光Ｒ２はプリズム４の界面で
屈折されて該界面からの出射角が約１９８９°となるか
ら、プリズム４から接着剤層６への入射角は約２５．１
となる。また、入射角が５３°の光Ｒ３はプリズム４の
界面で屈折されて出射角が約２６．８°となり、接着剤
Ｊ！ｉ６への入射角は約１８．２°となる。
屈折されて該界面からの出射角が約１９８９°となるか
ら、プリズム４から接着剤層６への入射角は約２５．１
となる。また、入射角が５３°の光Ｒ３はプリズム４の
界面で屈折されて出射角が約２６．８°となり、接着剤
Ｊ！ｉ６への入射角は約１８．２°となる。
従って、光軸から±８°の角度範囲の上記戻り光は、プ
リズム４内に導入され接着剤７５６に入射されるときの
角度が約１８．２’から約２５６１°までの範囲内にあ
り、上記臨界角α（約５７．９°）よりも小さいから、
接着剤層６内に導入され、上記受光素子２に到達する。
リズム４内に導入され接着剤７５６に入射されるときの
角度が約１８．２’から約２５６１°までの範囲内にあ
り、上記臨界角α（約５７．９°）よりも小さいから、
接着剤層６内に導入され、上記受光素子２に到達する。
以上の説明から明らかなように、半導体レーザＩＯから
出射され直接受光素子２に向かう不要光あるいは迷光は
、接着剤Ｊｉｉ６への入射角が臨界角αよりも大きいこ
とより、プリズム４と接ＭＭＦＪ６との界面で全反射さ
れて受光素子２には到達せず、ディスク等の媒体から戻
った戻り光のみを受光素子２に入射させることができる
。この不要光と戻り光との分離作用は、例えば接着剤層
６に接するプリズム４又は受光素子２等の表面に他の屈
折率を持つ複数の光学薄膜が存在しても影響を受けるこ
とがなく、膜厚等にも影響を受けず、光学部品であるプ
リズム４の屈折率ｎ１と接着剤層６の屈折率ｎ！とにの
み依存しており、正確かつ安定した分離を容易に実現で
きる。
出射され直接受光素子２に向かう不要光あるいは迷光は
、接着剤Ｊｉｉ６への入射角が臨界角αよりも大きいこ
とより、プリズム４と接ＭＭＦＪ６との界面で全反射さ
れて受光素子２には到達せず、ディスク等の媒体から戻
った戻り光のみを受光素子２に入射させることができる
。この不要光と戻り光との分離作用は、例えば接着剤層
６に接するプリズム４又は受光素子２等の表面に他の屈
折率を持つ複数の光学薄膜が存在しても影響を受けるこ
とがなく、膜厚等にも影響を受けず、光学部品であるプ
リズム４の屈折率ｎ１と接着剤層６の屈折率ｎ！とにの
み依存しており、正確かつ安定した分離を容易に実現で
きる。
なお、本発明は、上記実施例のみに限定されるものでは
なく、例えば半導体レーザ以外のレーザ光源を用いても
よく、またレーザ光源は、半４体基［１とは分離して配
設してもよい、この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において種々の変更が可能である。
なく、例えば半導体レーザ以外のレーザ光源を用いても
よく、またレーザ光源は、半４体基［１とは分離して配
設してもよい、この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において種々の変更が可能である。
Ｈ０発明の効果
本発明の光学ヘッドによれば、ビームスブリックプリズ
ム等の光学部品と光検出部が形成された半ｉｆ１体基板
との接着固定用の接着剤層を用い、屈折率の違いによる
臨界角のみを利用して、レーザ光源から直接入射される
不要光と媒体からの戻り光とを分ＮＩしており、膜厚等
による影響を受けることなく、分離用の光学薄膜を必要
とせず、電気的なりＣオフセット除去回路等も不要であ
り、簡単な構成で安価な供給が可能である。また、分離
用の光学薄膜を用いたりＤＣオフセット除去回路等を用
いる場合に比べて、製造時の誤差、温度変化等による検
出信号のばらつき及び変動が微小であり、正確かつ安定
した効果を期待できる。
ム等の光学部品と光検出部が形成された半ｉｆ１体基板
との接着固定用の接着剤層を用い、屈折率の違いによる
臨界角のみを利用して、レーザ光源から直接入射される
不要光と媒体からの戻り光とを分ＮＩしており、膜厚等
による影響を受けることなく、分離用の光学薄膜を必要
とせず、電気的なりＣオフセット除去回路等も不要であ
り、簡単な構成で安価な供給が可能である。また、分離
用の光学薄膜を用いたりＤＣオフセット除去回路等を用
いる場合に比べて、製造時の誤差、温度変化等による検
出信号のばらつき及び変動が微小であり、正確かつ安定
した効果を期待できる。
第１図は本発明の一実施例となる光学ヘッドの概略断面
図、第２図は該実施例における各補光の入射角をそれぞ
れ説明するための説明図、第３図は光学ヘッドの従来例
の概略断面図、第４図はＤＣオフセント除去回路の一例
を示すブロック回路図である。 ｌ・・・半導体基板 ２・・・受光素子 ３・・・半透過反射膜 ４・・・ビームスプリッタプリズム ６・・・接着剤層 ｌＯ・・・半導体レーザ １２・・・ディスク
図、第２図は該実施例における各補光の入射角をそれぞ
れ説明するための説明図、第３図は光学ヘッドの従来例
の概略断面図、第４図はＤＣオフセント除去回路の一例
を示すブロック回路図である。 ｌ・・・半導体基板 ２・・・受光素子 ３・・・半透過反射膜 ４・・・ビームスプリッタプリズム ６・・・接着剤層 ｌＯ・・・半導体レーザ １２・・・ディスク
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光検出部が形成された基板と、 レーザ光源と、 上記基板の上記光検出部上に接着剤により接着固定され
、上記レーザ光源からの出射光を反射するとともに媒体
からの戻り光を透過する半透過反射膜を有する光学部品
とを備え、上記光学部品の屈折率ｎ＿１を上記接着剤の
屈折率ｎ＿２よりも大きく（ｎ＿１＞ｎ＿２）したこと
を特徴とする光学ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62025936A JP2508478B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 光学ヘツド |
| US07/152,007 US4873429A (en) | 1987-02-06 | 1988-02-03 | Optical pick-up head without pick-up of stray light |
| DE88101627T DE3880702T2 (de) | 1987-02-06 | 1988-02-04 | Optischer lesekopf. |
| EP88101627A EP0278406B1 (en) | 1987-02-06 | 1988-02-04 | Optical pickup head |
| KR1019880001062A KR960007232B1 (ko) | 1987-02-06 | 1988-02-05 | 광학 픽업 헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62025936A JP2508478B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 光学ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63193337A true JPS63193337A (ja) | 1988-08-10 |
| JP2508478B2 JP2508478B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=12179658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62025936A Expired - Lifetime JP2508478B2 (ja) | 1987-02-06 | 1987-02-06 | 光学ヘツド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4873429A (ja) |
| EP (1) | EP0278406B1 (ja) |
| JP (1) | JP2508478B2 (ja) |
| KR (1) | KR960007232B1 (ja) |
| DE (1) | DE3880702T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04104547U (ja) * | 1991-02-16 | 1992-09-09 | 日本特殊陶業株式会社 | エンジン用圧力センサー |
| JPH08153889A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Sony Corp | 複合光学装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6657931B1 (en) * | 1959-02-02 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Optical disc drive for performing read/write operations on optical disks |
| EP0283002B1 (en) * | 1987-03-17 | 1994-02-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head |
| US5016992A (en) * | 1989-03-16 | 1991-05-21 | Forschungszentrum Julich Gmbh | Method of and apparatus for the reading of magnetically stored information |
| US5966230A (en) * | 1990-05-29 | 1999-10-12 | Symbol Technologies, Inc. | Integrated scanner on a common substrate |
| US5357122A (en) * | 1991-09-05 | 1994-10-18 | Sony Corporation | Three-dimensional optical-electronic integrated circuit device with raised sections |
| US5191204A (en) * | 1991-10-28 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | Multi-beam optical system and method with power detection of overlapping beams |
| US5350917A (en) * | 1991-12-27 | 1994-09-27 | Sony Corporation | Opto-magnetic recording polarization optical apparatus including a laser diode and a light absorbing film |
| US5319182A (en) * | 1992-03-04 | 1994-06-07 | Welch Allyn, Inc. | Integrated solid state light emitting and detecting array and apparatus employing said array |
| US5410468A (en) * | 1992-06-26 | 1995-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up apparatus |
| EP0581519B1 (en) * | 1992-07-30 | 1998-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pick-up apparatus |
| US5852287A (en) * | 1993-08-17 | 1998-12-22 | Sony Corporation | Semiconductor optical device for code reader |
| US5883913A (en) * | 1993-12-27 | 1999-03-16 | Sony Corporation | Optical device |
| US5874722A (en) | 1994-07-19 | 1999-02-23 | Spectra-Physics Scanning Systems, Inc. | Compact scanner module mountable to pointing instrument |
| US5796701A (en) * | 1995-06-23 | 1998-08-18 | Sony Corporation | Optical pickup and opto-magnetic signal reproducing apparatus |
| KR0174473B1 (ko) * | 1996-04-26 | 1999-04-15 | 배순훈 | 광 픽-업 장치 |
| JPH09320098A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Sony Corp | 光ピックアップ装置および複合光学装置 |
| TW365057B (en) * | 1997-12-31 | 1999-07-21 | Ind Tech Res Inst | Manufacturing method for micro-mirror on the silicon substrate |
| DE102017101655B4 (de) | 2017-01-27 | 2024-01-25 | Bcs Automotive Interface Solutions Gmbh | Elektrooptikbaugruppe sowie Verfahren zur Detektion von Umgebungslicht |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1258906A (en) * | 1985-04-22 | 1989-08-29 | Hiroshi Oinoue | Semiconductor laser apparatus for optical head |
| DE3677658D1 (de) * | 1985-07-29 | 1991-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | Optische kopfvorrichtung. |
| JPH0719394B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
-
1987
- 1987-02-06 JP JP62025936A patent/JP2508478B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-02-03 US US07/152,007 patent/US4873429A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-04 EP EP88101627A patent/EP0278406B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-04 DE DE88101627T patent/DE3880702T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-05 KR KR1019880001062A patent/KR960007232B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04104547U (ja) * | 1991-02-16 | 1992-09-09 | 日本特殊陶業株式会社 | エンジン用圧力センサー |
| JPH08153889A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Sony Corp | 複合光学装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0278406A3 (en) | 1990-09-12 |
| US4873429A (en) | 1989-10-10 |
| DE3880702D1 (de) | 1993-06-09 |
| KR880010388A (ko) | 1988-10-08 |
| JP2508478B2 (ja) | 1996-06-19 |
| DE3880702T2 (de) | 1993-11-04 |
| KR960007232B1 (ko) | 1996-05-29 |
| EP0278406A2 (en) | 1988-08-17 |
| EP0278406B1 (en) | 1993-05-05 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |