JPS6319612A - 投影レンズおよびそれを用いた露光装置 - Google Patents
投影レンズおよびそれを用いた露光装置Info
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- JPS6319612A JPS6319612A JP61164060A JP16406086A JPS6319612A JP S6319612 A JPS6319612 A JP S6319612A JP 61164060 A JP61164060 A JP 61164060A JP 16406086 A JP16406086 A JP 16406086A JP S6319612 A JPS6319612 A JP S6319612A
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- lens
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、投影レンズそれを用いた露光装置特に半導体
素子製造に用いるフォトリングラフイー技術による露光
装置に関するものである。
素子製造に用いるフォトリングラフイー技術による露光
装置に関するものである。
さらにまた、半導体素子製造におけるフォ） ＩＪソグ
ラフィー工程の超微細加工を実現するために考案された
、不連続な例えばパルス状のエネルギー線、更に詳しく
はたとえばエキシマレーザ光等を用いた露光装置に関す
るものである。
ラフィー工程の超微細加工を実現するために考案された
、不連続な例えばパルス状のエネルギー線、更に詳しく
はたとえばエキシマレーザ光等を用いた露光装置に関す
るものである。
従来の技術
従来、゛すでに半導体素子、特にＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の
微細加工用として超高圧水銀灯を光源として用いた縮小
投影露光装置（ステッパー〕が市販されている。しかし
ながら、従来のステッパーは、超高圧水銀灯のｑ線（４
ｓｓｎｍ）や１線（３ａｓｎｍ）を用いているため、解
像度はｑａでＯ，Ｓμｍ 、 ｉ線で０．６７１ｍが限
界であった。これらの波長では、今後、４Ｍないしは１
ｅＭビットダイナミックメモリ製造に必要とされる０、
５μｍの解像度を得ることは不可能に近い。
微細加工用として超高圧水銀灯を光源として用いた縮小
投影露光装置（ステッパー〕が市販されている。しかし
ながら、従来のステッパーは、超高圧水銀灯のｑ線（４
ｓｓｎｍ）や１線（３ａｓｎｍ）を用いているため、解
像度はｑａでＯ，Ｓμｍ 、 ｉ線で０．６７１ｍが限
界であった。これらの波長では、今後、４Ｍないしは１
ｅＭビットダイナミックメモリ製造に必要とされる０、
５μｍの解像度を得ることは不可能に近い。
そこで、近年、ｑ線やｉ線に比べより波長の短いＸｅＣ
Ｊｌ！ （３０８ｎｍ）やＫｒＦ（２４９ｎｍ）やＡｒ
Ｆ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザ光を発する光源を
用いた露光装置の開発が検討されるようになってきた。
Ｊｌ！ （３０８ｎｍ）やＫｒＦ（２４９ｎｍ）やＡｒ
Ｆ（１９３ｎｍ）等のエキシマレーザ光を発する光源を
用いた露光装置の開発が検討されるようになってきた。
発明が解決しようとした問題点
しかしながら、エキシマレーザを用いた縮小投影露光装
置用投影レンズにおいては次に掲げる問題点がある。
置用投影レンズにおいては次に掲げる問題点がある。
すなわち露光波長が短波長のため、縮小投影レンズに用
いる光学材料ガラス（硝材）の材料選択に、透過率の関
係で制限されてしまう。ちなみにＫｒＦ（２４９ｎｍ）
、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）のレーザ波長では、石英（Ｓ
ｉＯ２）あるいは螢石（Ｃａ Ｆ ２ ）の料のわず
かな屈折率と分散の差を利用して、色収差等の諸収差を
波長の数分の１の単位で補正しなければならなかった。
いる光学材料ガラス（硝材）の材料選択に、透過率の関
係で制限されてしまう。ちなみにＫｒＦ（２４９ｎｍ）
、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）のレーザ波長では、石英（Ｓ
ｉＯ２）あるいは螢石（Ｃａ Ｆ ２ ）の料のわず
かな屈折率と分散の差を利用して、色収差等の諸収差を
波長の数分の１の単位で補正しなければならなかった。
しかしながら、エキシマレーザ光等の遠紫外線では前述
のように使用しえる材料が限られるため、縮小投影レン
ズの設計時必然的に同一屈折率の材料の球面の曲率半径
をわずかずつ変化させる方法しか使用できず、縮小投影
レンズだけで、１ｍ程度と非常にレンズが長いものとな
ってしまうという問題があった。
のように使用しえる材料が限られるため、縮小投影レン
ズの設計時必然的に同一屈折率の材料の球面の曲率半径
をわずかずつ変化させる方法しか使用できず、縮小投影
レンズだけで、１ｍ程度と非常にレンズが長いものとな
ってしまうという問題があった。
なお、ＣａＦ は、Ｓ ｉＯ２に比べ材質がやわらかく
、加工がしにくい欠点があるとともに、屈折率のバラツ
キの少ない硝材が得られないため、実際上実用性にとぼ
しい。
、加工がしにくい欠点があるとともに、屈折率のバラツ
キの少ない硝材が得られないため、実際上実用性にとぼ
しい。
そこで、本発明では、単一石英系のレンズを作成する場
合、屈折率の異なる石英を用いることによυレンズ設計
を容易に行なわしめる方法を提供するとともに、投影レ
ンズの性能の向上を計ったものである。
合、屈折率の異なる石英を用いることによυレンズ設計
を容易に行なわしめる方法を提供するとともに、投影レ
ンズの性能の向上を計ったものである。
問題点を解決するための手段
本発明の投影レンズは、特定の波長での異常分散による
屈折率の制御された硝材を２腫類以上組み合せてなるも
ので、たとえば硝材として、石英または石英に不純物を
制御混入することにより異常分散波長を移動させ特定の
波長で屈折率を変化させたものを２種以上用いるもので
ある。
屈折率の制御された硝材を２腫類以上組み合せてなるも
ので、たとえば硝材として、石英または石英に不純物を
制御混入することにより異常分散波長を移動させ特定の
波長で屈折率を変化させたものを２種以上用いるもので
ある。
作 用
従って、使用波長が特定できる半導体用露光装置に用い
る投影レンズ、例えば、ＫｒＦ エキシマ−光（２４
８ｎｍ ）、ＸｅＣλエキシマ−光（３０８ｎｍ）Ａｒ
Ｆ エキシマ−光（１９３ｎｍ）用の投影レンズの設
計には、合成石英および合成石英に不純物を混入して屈
折率を制御された複数種の硝材を利用できるので、レン
ズ設計の自由度２色収差補正の性能等の向上が可能とな
る。
る投影レンズ、例えば、ＫｒＦ エキシマ−光（２４
８ｎｍ ）、ＸｅＣλエキシマ−光（３０８ｎｍ）Ａｒ
Ｆ エキシマ−光（１９３ｎｍ）用の投影レンズの設
計には、合成石英および合成石英に不純物を混入して屈
折率を制御された複数種の硝材を利用できるので、レン
ズ設計の自由度２色収差補正の性能等の向上が可能とな
る。
実施例
まず、屈折率の異なる石英を利用可能ならしめる方法は
、以下に示す原理を用いるものである。
、以下に示す原理を用いるものである。
一般に、光学材料（硝材）は、吸収スペクトル付近で異
常分散が生じ、第１図に示すように振動数の増加すなわ
ち短波長側に移動するのに従って屈折率が増加、減少、
増加の過程を経てもとの値にもどる。一方、合成石英の
ような不純物の非常に少ない硝材に任意の不純物（例え
ば、Ｆｓ、ＡＡ・・・・・等の金属）を混入することは
きわめて容易であり、この不純物混入量を制御すること
により、吸収スペクトルの吸収端をズラすことが可能で
ある。従って、投影レンズに使用する波長を特定（例え
ば、ＫｒＦ ｘキ７マーレーザ光の２４８ｎｍ）、す
ることにより、同一石英系の硝材でも不純物の混入量で
屈折率の制御された硝材、すなわち、屈折率の異なる石
英系硝材を複数種利用できることになる。
常分散が生じ、第１図に示すように振動数の増加すなわ
ち短波長側に移動するのに従って屈折率が増加、減少、
増加の過程を経てもとの値にもどる。一方、合成石英の
ような不純物の非常に少ない硝材に任意の不純物（例え
ば、Ｆｓ、ＡＡ・・・・・等の金属）を混入することは
きわめて容易であり、この不純物混入量を制御すること
により、吸収スペクトルの吸収端をズラすことが可能で
ある。従って、投影レンズに使用する波長を特定（例え
ば、ＫｒＦ ｘキ７マーレーザ光の２４８ｎｍ）、す
ることにより、同一石英系の硝材でも不純物の混入量で
屈折率の制御された硝材、すなわち、屈折率の異なる石
英系硝材を複数種利用できることになる。
例えば、第２図中の光透過率カーブ（Ｃ）を示す合成石
英の屈折率の波長依存性は、屈折率カーブ（、）となり
、今、投影レンズに使用する波長をＫ ｒ Ｆエキシマ
−光すなわち２４８ ｎｍに決定すると、屈折率は１．
６０８ となる。一方、不純物を数ＰＰＭ混入した硝材
（不純物混入石英）で光透過率カーブ（ｄ）を示すもの
では２４８ ｎｍで、屈折率は１．５３となる。すなわ
ち、同じ石英系の硝材でも、２４８ｎｍの光で使用する
のであれば、屈折率１．５０８ 、１．５３の２種類が
使用できることになる。以下同様に不純物混入量を制御
することで、必要に応じて屈折率の異なる硝材を利用し
て、レンズ設けを行なえば、目的としたレンズを製造す
ることが可能となる。
英の屈折率の波長依存性は、屈折率カーブ（、）となり
、今、投影レンズに使用する波長をＫ ｒ Ｆエキシマ
−光すなわち２４８ ｎｍに決定すると、屈折率は１．
６０８ となる。一方、不純物を数ＰＰＭ混入した硝材
（不純物混入石英）で光透過率カーブ（ｄ）を示すもの
では２４８ ｎｍで、屈折率は１．５３となる。すなわ
ち、同じ石英系の硝材でも、２４８ｎｍの光で使用する
のであれば、屈折率１．５０８ 、１．５３の２種類が
使用できることになる。以下同様に不純物混入量を制御
することで、必要に応じて屈折率の異なる硝材を利用し
て、レンズ設けを行なえば、目的としたレンズを製造す
ることが可能となる。
なお、理論的には、不純物混入量を多くしてゆけば、極
端に大きな屈折率の石英硝材も得られるが、使用する波
長であまり大きな吸収（例えば、透過率が８０％以下に
なる程不純物を高濃度で混入する場合）があれば、レン
ズとして実用性が無くなることも明らかであろう。
端に大きな屈折率の石英硝材も得られるが、使用する波
長であまり大きな吸収（例えば、透過率が８０％以下に
なる程不純物を高濃度で混入する場合）があれば、レン
ズとして実用性が無くなることも明らかであろう。
さらにまた、本発明のレンズは、硝材の異常分散による
屈折率変化を利用したものであり、使用波長領域があま
り広い光源例えば超高圧水銀灯の発するｉ線やｊ線（±
１０ｎｍ１００分散がある）用には使用波長域で屈折率
が変化するため、使用でキス、一般のコヒーレントなレ
ーザー光やエキシマ−レーザー光源（例えば、ＫｒＦ
、ＸｅＣＡ、ＡｒＦ ）のように波長分散（±０．３ｎ
ｍ程度）が少ない光源にしか利用できないことも明らか
である。
屈折率変化を利用したものであり、使用波長領域があま
り広い光源例えば超高圧水銀灯の発するｉ線やｊ線（±
１０ｎｍ１００分散がある）用には使用波長域で屈折率
が変化するため、使用でキス、一般のコヒーレントなレ
ーザー光やエキシマ−レーザー光源（例えば、ＫｒＦ
、ＸｅＣＡ、ＡｒＦ ）のように波長分散（±０．３ｎ
ｍ程度）が少ない光源にしか利用できないことも明らか
である。
ちなみＫ、５種類の屈折率を有する硝材を用いた１２枚
組みの遠紫外用縮小レンズの設計例を第３図に示してお
く。
組みの遠紫外用縮小レンズの設計例を第３図に示してお
く。
なお図中、１１は本発明の方法で作成した硝材を用いた
個別レンズを示し、１２は光束を示し、１３はウェハー
表面である。
個別レンズを示し、１２は光束を示し、１３はウェハー
表面である。
次に、本発明の投影レンズを用いた露光装置の一実施例
を第４図を用いて説明する。
を第４図を用いて説明する。
すなわち、光源部として、例えばＫｒＦ（２４８ｎｍ）
エキシマ−レーザー光源２１とレーザー光源より発振励
起発射された光を整形及び均一化するインテグレータ２
２及び光路を垂直にする大形の全反射ミラー２３．レチ
クル２５及び縮小レンズ２７を照明するための石英製の
コンデンサレンズ２４゜レチクル２６．アライメントの
ための主ビームスプリッタ２６および対向ミラー２６Ａ
、そして石英製の縮小投影レンズ２７なる光学系の構成
を有している。結像点に、ＸＹＺステージ２８上に設置
されたウニ゛・・−２９に転写する縮小投影露光装置の
主光学系と、前記主ビームスプリッタ−２６および露光
光路と略垂直になる光軸上に、光路順にアライメント用
レンズ３０．アライメント用ビームスプリッタ−３１９
画像処理・波長変換用ＩＩＴ３２．画像処理用のＣＯＤ
カメラ３３．更にアライメント用ビームスプリッタ−３
１と垂直にアライメントマーク照明用のアライメント光
源３４（例えば、超高圧水銀灯の光をカットフィルター
またはモノクロメータで分光したもの、あるいはレーザ
ー）からなるアライメント光学系は、ウェハー上の任意
の場所を照明するためのＸＹ駆動系３５に保持している
。そしてアライメント光学系とウェハー２９を設置する
ＸＹＺステージ２８は画像処理及びアライメント信号処
理として制御用コンピュータ３６で制御できるものにし
ておく。
エキシマ−レーザー光源２１とレーザー光源より発振励
起発射された光を整形及び均一化するインテグレータ２
２及び光路を垂直にする大形の全反射ミラー２３．レチ
クル２５及び縮小レンズ２７を照明するための石英製の
コンデンサレンズ２４゜レチクル２６．アライメントの
ための主ビームスプリッタ２６および対向ミラー２６Ａ
、そして石英製の縮小投影レンズ２７なる光学系の構成
を有している。結像点に、ＸＹＺステージ２８上に設置
されたウニ゛・・−２９に転写する縮小投影露光装置の
主光学系と、前記主ビームスプリッタ−２６および露光
光路と略垂直になる光軸上に、光路順にアライメント用
レンズ３０．アライメント用ビームスプリッタ−３１９
画像処理・波長変換用ＩＩＴ３２．画像処理用のＣＯＤ
カメラ３３．更にアライメント用ビームスプリッタ−３
１と垂直にアライメントマーク照明用のアライメント光
源３４（例えば、超高圧水銀灯の光をカットフィルター
またはモノクロメータで分光したもの、あるいはレーザ
ー）からなるアライメント光学系は、ウェハー上の任意
の場所を照明するためのＸＹ駆動系３５に保持している
。そしてアライメント光学系とウェハー２９を設置する
ＸＹＺステージ２８は画像処理及びアライメント信号処
理として制御用コンピュータ３６で制御できるものにし
ておく。
アライメント光学系をさらに詳細に説明する。
アライメント照明系３４例えばＸｅ−Ｈｇ超高圧ランプ
よシカットフィルタを用いてｉ線（３６５ｎｍ）または
ｊ線（３１３ｎｍ）（縮小投影レンズ７とエキシマレー
ザ−光源２１をＫ ｒ Ｆ エキシマ−光（２４８ｎ
ｍ）にした時）の光を照明し、アライメント用ビームス
プリッタ−３１によりアライメント用レンズ３０を介し
主光学系の主ビームスプリッタ−２６を照明することに
なる。この時、レチクル及びウェハーのアライメントマ
ーク位置に応じてアライメント系ＸＹ駆動系３６によっ
て任意に照明することができる。アライメント照明光は
主ビームスプリッタ−２６を介し、レチクル５上のアラ
イメントマーク２５Ａと主ビームスプリッタ−２６およ
び対向ミラー２６Ａを介してウェハー２９上のアライメ
ントマークを３１３または３６５ ｎｍの紫外域の光で
同時に照すことができ、その反射光は更に主ビームスプ
リッタ−２６および対向ミラー２６Ａを介し、ウェハー
２９上のアライメントマークと、主ビームスプリッタ−
２６を介し、ルナクル２５上のアライメントマーク２５
Ａのイメージをアライメント用レンズ３０に同時にもど
すことになる。なお、このとき、露光波長（２４ｓｎｍ
）とアライメント波長（例えば、３１３ｎｍ、３６５ｎ
ｍ）の光では色収差が発生し、本発明に用いるような縮
小レンズでは通常色収差が取り切れない為、露光焦点と
アライメント焦点がズしてしまう。そこで対向ミラー２
ｓＡの位置りをうまく調節することで、アライメント光
の光路長を変えて、レチクル上のアライメントキーとウ
ェハー上のアライメントキーを露光波長の光と同等焦点
としたことが可能となる。
よシカットフィルタを用いてｉ線（３６５ｎｍ）または
ｊ線（３１３ｎｍ）（縮小投影レンズ７とエキシマレー
ザ−光源２１をＫ ｒ Ｆ エキシマ−光（２４８ｎ
ｍ）にした時）の光を照明し、アライメント用ビームス
プリッタ−３１によりアライメント用レンズ３０を介し
主光学系の主ビームスプリッタ−２６を照明することに
なる。この時、レチクル及びウェハーのアライメントマ
ーク位置に応じてアライメント系ＸＹ駆動系３６によっ
て任意に照明することができる。アライメント照明光は
主ビームスプリッタ−２６を介し、レチクル５上のアラ
イメントマーク２５Ａと主ビームスプリッタ−２６およ
び対向ミラー２６Ａを介してウェハー２９上のアライメ
ントマークを３１３または３６５ ｎｍの紫外域の光で
同時に照すことができ、その反射光は更に主ビームスプ
リッタ−２６および対向ミラー２６Ａを介し、ウェハー
２９上のアライメントマークと、主ビームスプリッタ−
２６を介し、ルナクル２５上のアライメントマーク２５
Ａのイメージをアライメント用レンズ３０に同時にもど
すことになる。なお、このとき、露光波長（２４ｓｎｍ
）とアライメント波長（例えば、３１３ｎｍ、３６５ｎ
ｍ）の光では色収差が発生し、本発明に用いるような縮
小レンズでは通常色収差が取り切れない為、露光焦点と
アライメント焦点がズしてしまう。そこで対向ミラー２
ｓＡの位置りをうまく調節することで、アライメント光
の光路長を変えて、レチクル上のアライメントキーとウ
ェハー上のアライメントキーを露光波長の光と同等焦点
としたことが可能となる。
またウェハー２９とレチクル２５上のアライメントマー
クのイメージは、縮小投影レンズ７とアライメント用レ
ンズ３０によりそれぞれ拡大されたイメージとなるため
非常に大きな解像度を得ることが可能となる。更に紫外
線であるイメージ（目視あるいは、ビデオ処理は紫外域
では観察できない）を可視にするための波長変換と、Ｓ
／Ｎ比を向上するための画像信号の増幅するマイクロチ
ャンネルプレート（ＭＣＰ）を備えたイメージインテン
シファイヤ（ＩＩＴ）３２を用いてイメージが加工され
ることになる。この時、イメージの波長は通常６００
ｎｍ以上にすることにより、可視域での観察が可能とな
り、最後にＣＯＤカメラ１３により、絵素事のパターン
認識処理を行うものである。なおＣＯＤカメラの分解能
は高ければ高い程よい事は当然であるが、イメージの拡
大、可視光等の効果でさほど問題はない。
クのイメージは、縮小投影レンズ７とアライメント用レ
ンズ３０によりそれぞれ拡大されたイメージとなるため
非常に大きな解像度を得ることが可能となる。更に紫外
線であるイメージ（目視あるいは、ビデオ処理は紫外域
では観察できない）を可視にするための波長変換と、Ｓ
／Ｎ比を向上するための画像信号の増幅するマイクロチ
ャンネルプレート（ＭＣＰ）を備えたイメージインテン
シファイヤ（ＩＩＴ）３２を用いてイメージが加工され
ることになる。この時、イメージの波長は通常６００
ｎｍ以上にすることにより、可視域での観察が可能とな
り、最後にＣＯＤカメラ１３により、絵素事のパターン
認識処理を行うものである。なおＣＯＤカメラの分解能
は高ければ高い程よい事は当然であるが、イメージの拡
大、可視光等の効果でさほど問題はない。
また、イメージインテンシファイヤーとしては光電面に
Ｃｓ−Ｔｅを持ち、１５０〜３２０ｎｍに感度のあるＶ
１５ｏ１３ （浜松ホトニクス■型名）等が、またマ
イクロチャンネルプレートとしては、Ｆ１２１７（浜松
ホトニクス■製）等が使用可能である。
Ｃｓ−Ｔｅを持ち、１５０〜３２０ｎｍに感度のあるＶ
１５ｏ１３ （浜松ホトニクス■型名）等が、またマ
イクロチャンネルプレートとしては、Ｆ１２１７（浜松
ホトニクス■製）等が使用可能である。
なお、上述の実施例では、露光波長にＫｒＦ の２４８
ｎｍを用い、アライメント光に３１３ｎｍ（ｊ線）や
３６５ｎｍ（ｉ線）を用いた例を示したが、従来の露光
装置と同じｄ線やｅ線をアライメント光に用いることも
可能である。なお、ｅＳやｄ線をアライメント光として
用いる場合には、可視光なのでＩＩＴは必要としないが
、色収差がｉ線やｊ線に比べて大きくなるので、対向ミ
ラーと、主ビームスプリッタ−の間隔（Ｌ）を大幅に犬
きくする必要がある。
ｎｍを用い、アライメント光に３１３ｎｍ（ｊ線）や
３６５ｎｍ（ｉ線）を用いた例を示したが、従来の露光
装置と同じｄ線やｅ線をアライメント光に用いることも
可能である。なお、ｅＳやｄ線をアライメント光として
用いる場合には、可視光なのでＩＩＴは必要としないが
、色収差がｉ線やｊ線に比べて大きくなるので、対向ミ
ラーと、主ビームスプリッタ−の間隔（Ｌ）を大幅に犬
きくする必要がある。
発明の効果
本発明を用いることにより、遠紫外領域で使用可能な単
一石英系の高精度投影レンズが製作できる。また、本発
明を用いてレンズ設計を行う場合、硝材の選定の自由度
が大幅に増加するため色収差補正等レンズ設計精度を向
上させることが容易になるとともに、設計時間を大幅に
短縮できる効果がある。
一石英系の高精度投影レンズが製作できる。また、本発
明を用いてレンズ設計を行う場合、硝材の選定の自由度
が大幅に増加するため色収差補正等レンズ設計精度を向
上させることが容易になるとともに、設計時間を大幅に
短縮できる効果がある。
さらにまた、本発明のレンズは、０．５μｍ程度の解像
度を必要とした頻々ＬＳＩ製造用露光装置、特にＫ ｒ
Ｆ エキシマ−光等の遠紫外光を用いた露光装置で
高解像度を発揮でき、半導体デバイス製造技術向上に効
果大なるものがある。なお、エキシマ−光源はＫｒＦ
に限定されるものではない。
度を必要とした頻々ＬＳＩ製造用露光装置、特にＫ ｒ
Ｆ エキシマ−光等の遠紫外光を用いた露光装置で
高解像度を発揮でき、半導体デバイス製造技術向上に効
果大なるものがある。なお、エキシマ−光源はＫｒＦ
に限定されるものではない。
また、反射縮小投影露光装置でも同じ効果が得られるこ
とも明らかである。
とも明らかである。
第１図は本発明に用いる異常分散現像を説明するための
櫻会図、第２図は合成石英および不純物を混入した石英
硝材の波長に伴う屈折率変化を示した図、第３図は実際
に製造された光学レンズの一実施例を示す図、第４図は
本発明のエキシマ−露光装置を説明するための一実施例
の概念図である。 ２１・・・・・−エキシマ−光源、２２・・・・イ／テ
グレ−タ＋、２３・・・・・ミラー、２４・・・・・・
コンデンサレンズ、２５・・・・・・レチクル、２６・
・・・主ビームスプリッタ−１２６Ａ・・・・・対向ミ
ラー、２７・・・・・縮小投影レンズ、２８・・・・・
・ＸＹＺステージ、２９・・・ウェハー、３０・−・・
・アライメント用レンズ、３１・・・・・アライメント
用ビームスプリッタ−６代理人の氏名 弁理士 中 尾
敏 男 ほか１名第１図 第３図
櫻会図、第２図は合成石英および不純物を混入した石英
硝材の波長に伴う屈折率変化を示した図、第３図は実際
に製造された光学レンズの一実施例を示す図、第４図は
本発明のエキシマ−露光装置を説明するための一実施例
の概念図である。 ２１・・・・・−エキシマ−光源、２２・・・・イ／テ
グレ−タ＋、２３・・・・・ミラー、２４・・・・・・
コンデンサレンズ、２５・・・・・・レチクル、２６・
・・・主ビームスプリッタ−１２６Ａ・・・・・対向ミ
ラー、２７・・・・・縮小投影レンズ、２８・・・・・
・ＸＹＺステージ、２９・・・ウェハー、３０・−・・
・アライメント用レンズ、３１・・・・・アライメント
用ビームスプリッタ−６代理人の氏名 弁理士 中 尾
敏 男 ほか１名第１図 第３図
Claims (5)
- （１）特定の波長での異常分散による屈折率の制御され
た硝材を２種類以上組み合せてなることを特徴とした投
影レンズ。 - （２）特定の波長が遠紫外光の領域にあることを特徴と
した特許請求の範囲第１項記載の投影レンズ。 - （３）硝材として、石英または石英に不純物を制御混入
することにより異常分散波長を移動させ特定の波長で屈
折率を変化させたものを２種以上用いることを特徴とし
た特許請求の範囲第１項又は第２項記載の投影レンズ。 - （４）遠紫外光が、ＫｒＦあるいはＡｒＦあるいはＸｅ
Ｃｌエキシマー光であることを特徴とした特許請求の範
囲第２項記載の投影レンズ。 - （５）エキシマー光源と、レチクルステージと、特定の
波長での異常分散による屈折率の制御された硝材を２種
類以上組み合せて組立てられた縮小投影レンズと、ＸＹ
ウェハーステージと、アライメント光学系を含む露光装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164060A JPH081490B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 投影レンズおよびそれを用いた露光装置 |
| KR1019870007463A KR900005741B1 (ko) | 1986-07-11 | 1987-07-11 | 투영렌즈 및 그것을 사용한 노광장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61164060A JPH081490B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 投影レンズおよびそれを用いた露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319612A true JPS6319612A (ja) | 1988-01-27 |
| JPH081490B2 JPH081490B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=15786019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61164060A Expired - Fee Related JPH081490B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 投影レンズおよびそれを用いた露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081490B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02269822A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-05 | Unitika Ltd | 複合加工糸の製造方法 |
| JPH02269823A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Unitika Ltd | 複合加工糸の製造法 |
| WO2002047130A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Nikon Corporation | Observation device and its manufacturing method, exposure device, and method for manufacturing micro device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61129828A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61164060A patent/JPH081490B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61129828A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-17 | Canon Inc | 投影露光装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02269822A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-05 | Unitika Ltd | 複合加工糸の製造方法 |
| JPH02269823A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Unitika Ltd | 複合加工糸の製造法 |
| WO2002047130A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-13 | Nikon Corporation | Observation device and its manufacturing method, exposure device, and method for manufacturing micro device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH081490B2 (ja) | 1996-01-10 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |