JPS6319731A - 含浸形陰極構体 - Google Patents
含浸形陰極構体Info
- Publication number
- JPS6319731A JPS6319731A JP61161808A JP16180886A JPS6319731A JP S6319731 A JPS6319731 A JP S6319731A JP 61161808 A JP61161808 A JP 61161808A JP 16180886 A JP16180886 A JP 16180886A JP S6319731 A JPS6319731 A JP S6319731A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cup
- brazing
- electron
- porous
- impregnated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子放出物質を含浸させた多孔質基体と、これ
を収納するカップとを、ろう付は法により強固に固着し
た含浸形陰極構体に関する。
を収納するカップとを、ろう付は法により強固に固着し
た含浸形陰極構体に関する。
従来、含浸形陰極構体に対し、例えば特開昭５９−１０
８２３３号公報に、電子放出物質を含浸させた多孔質基
体とカップとの間に接合材を介在させて溶接する方法が
開示されている。この方法は電子放出物質を含浸させた
高融点金属の多孔質基体とカップとを直接溶接すること
は困難なため改善案として提案されたものであるが、こ
の方法でも強固に固着することは困難であり、また溶接
待に既に含浸されている電子放出物質に溶融した接合材
が直接接触して悪影響を及ぼす恐れがあった。
８２３３号公報に、電子放出物質を含浸させた多孔質基
体とカップとの間に接合材を介在させて溶接する方法が
開示されている。この方法は電子放出物質を含浸させた
高融点金属の多孔質基体とカップとを直接溶接すること
は困難なため改善案として提案されたものであるが、こ
の方法でも強固に固着することは困難であり、また溶接
待に既に含浸されている電子放出物質に溶融した接合材
が直接接触して悪影響を及ぼす恐れがあった。
本発明は、高融点金属の多孔質焼結体よりなる基体と、
これを収納するカップとを、信頼性の高い方法により強
固に固着し、しかも固着作業によって電子放出特性が悪
影響を受ける恐れがない含浸形陰極構体を堤供すること
を目的とする。
これを収納するカップとを、信頼性の高い方法により強
固に固着し、しかも固着作業によって電子放出特性が悪
影響を受ける恐れがない含浸形陰極構体を堤供すること
を目的とする。
高融点金属の多孔質焼結体よりなる基体をカップに溶接
性によって強固に固着することは困難であるから、本発
明においては、両者の固着を信頼性の高いろう付は法に
よって行うこととし、ろう材が多孔質基体中に′１５ｊ
：透して完成後の陰極の電子放出特性に態形ツを及ぼす
点に対しては、多孔質基体のカップと接触する部分の表
面に薄い緻密な表面層を介在させて、ろう材の浸透を防
止することによって対策することとした。
性によって強固に固着することは困難であるから、本発
明においては、両者の固着を信頼性の高いろう付は法に
よって行うこととし、ろう材が多孔質基体中に′１５ｊ
：透して完成後の陰極の電子放出特性に態形ツを及ぼす
点に対しては、多孔質基体のカップと接触する部分の表
面に薄い緻密な表面層を介在させて、ろう材の浸透を防
止することによって対策することとした。
上記手段をとれば、高融点金属の多孔質焼結体よりなる
基体を、ろう付は法によりカップに固着しても、ろう材
が多孔質基体中に浸透できないことは明らかである。ま
た、ろう付は法によって基体とカップとを固着させれば
、表面に隙間が多数にある多孔質基体をそのまま溶接法
によってカップに固着させるよりも強固に固着できるこ
とも明らかである。
基体を、ろう付は法によりカップに固着しても、ろう材
が多孔質基体中に浸透できないことは明らかである。ま
た、ろう付は法によって基体とカップとを固着させれば
、表面に隙間が多数にある多孔質基体をそのまま溶接法
によってカップに固着させるよりも強固に固着できるこ
とも明らかである。
高融点金属たとえばＷ粉末の多孔質焼結体よりなる基体
を、収納用のカップに、そのままで、ろう付けすると、
ろう付は作業に際し、熔けたろう材が基体の内部に浸入
して行って隙間を埋めてしまい、後で電子放出物質たと
えばバリウムカルシウムアルミネートを十分含浸させる
ことが出来なくなる。これに対し、多孔質焼結体の表面
を例えばレーザビーム照射によって溶融させれば、表面
に近い薄い屓だけを極めて短時間に熔融させることが出
来、それが凝固して生じた緻密な表面層は薄く、電子放
出物質を含浸させる隙間を十分残し、かつろう材の浸透
を防止することができる。
を、収納用のカップに、そのままで、ろう付けすると、
ろう付は作業に際し、熔けたろう材が基体の内部に浸入
して行って隙間を埋めてしまい、後で電子放出物質たと
えばバリウムカルシウムアルミネートを十分含浸させる
ことが出来なくなる。これに対し、多孔質焼結体の表面
を例えばレーザビーム照射によって溶融させれば、表面
に近い薄い屓だけを極めて短時間に熔融させることが出
来、それが凝固して生じた緻密な表面層は薄く、電子放
出物質を含浸させる隙間を十分残し、かつろう材の浸透
を防止することができる。
このような緻密な表面層りよ、これ以外に、多孔質焼結
体の表面にＭＯ−ＩＰＷを溶射することによっても形成
可能である。
体の表面にＭＯ−ＩＰＷを溶射することによっても形成
可能である。
なお、多孔質焼結基体を形成する高融点金属の融点が、
カップとのろう付は作業に使用するろう材の融点よりも
高くなければならないことは言うまでもない。
カップとのろう付は作業に使用するろう材の融点よりも
高くなければならないことは言うまでもない。
また、電子放出物質は、多孔質焼結基体の表面にレーザ
ビーム照射あるいはＭＯやＷの溶射により薄い緻密層を
形成させ、さらに此の基体をカップにろう付けした後に
含浸させることが望ましい、これは、レーザビーム照射
あるいはＭｏやＷの溶射によりカップと接触する多孔質
基体の表面に薄い緻密層を形成させる作業は短時間に終
わるが、その際、内部が多少とも高温になることは避け
られず、またカップと接触する面に緻密な層を形成させ
た多孔質基体をカップにろう付けする際にも、多孔質基
体内部は高温になり、電子放出特性を劣化させる恐れが
あるからである。
ビーム照射あるいはＭＯやＷの溶射により薄い緻密層を
形成させ、さらに此の基体をカップにろう付けした後に
含浸させることが望ましい、これは、レーザビーム照射
あるいはＭｏやＷの溶射によりカップと接触する多孔質
基体の表面に薄い緻密層を形成させる作業は短時間に終
わるが、その際、内部が多少とも高温になることは避け
られず、またカップと接触する面に緻密な層を形成させ
た多孔質基体をカップにろう付けする際にも、多孔質基
体内部は高温になり、電子放出特性を劣化させる恐れが
あるからである。
第１図は本発明の一実施例図である。カソード基体１は
、空孔率２０〜２５％のタングステンの多孔質基体２の
空孔にバリウムカルシウムアルミネート等の電子放出物
質３を含浸させた構成になっている。
、空孔率２０〜２５％のタングステンの多孔質基体２の
空孔にバリウムカルシウムアルミネート等の電子放出物
質３を含浸させた構成になっている。
まず、多孔質基体２の、これを収納するＭｏを加工して
形成したカップ４と接触する面、例えば底面にレーザビ
ームを照射することにより、緻密な屡５を形成する。こ
の緻密な層５の厚さはレーザビームのパワーにより可変
であるが、５〜２００μｍが適当である。５μｍ以下で
は、ろう材に対する浸透防止効果が十分でなくなり、一
方２００μｍ以上とするとレーザビームのパワーを極め
て大きくすることが必要となり、また後に電子放出物質
を含浸させる多孔質部の空孔率の変化を引き起こすので
好ましくない。概ね１０〜５０μｍの厚さが適当である
。なお、含浸形陰極は、通常の酸化物陰極よりは、かな
り高温で使用されるから、カップは、Ｍ Ｏ％ Ｒｅ
％ Ｒｕ ％ Ｗ又はこれらの金属を含む合金により形
成するのが良い。
形成したカップ４と接触する面、例えば底面にレーザビ
ームを照射することにより、緻密な屡５を形成する。こ
の緻密な層５の厚さはレーザビームのパワーにより可変
であるが、５〜２００μｍが適当である。５μｍ以下で
は、ろう材に対する浸透防止効果が十分でなくなり、一
方２００μｍ以上とするとレーザビームのパワーを極め
て大きくすることが必要となり、また後に電子放出物質
を含浸させる多孔質部の空孔率の変化を引き起こすので
好ましくない。概ね１０〜５０μｍの厚さが適当である
。なお、含浸形陰極は、通常の酸化物陰極よりは、かな
り高温で使用されるから、カップは、Ｍ Ｏ％ Ｒｅ
％ Ｒｕ ％ Ｗ又はこれらの金属を含む合金により形
成するのが良い。
次に、カップ４内にＭｏ −Ｒｕの共晶成分からなるろ
う材６を入れ、更に緻密な層５を形成した多孔質基体２
を挿入し、ろう付けする。カップ４と接触する面が緻密
な層５で覆われているため、ろう付けを行っても多孔質
基体２内へのろう材６の浸み込みは全く無く、信頼性の
高い固着が出来る。
う材６を入れ、更に緻密な層５を形成した多孔質基体２
を挿入し、ろう付けする。カップ４と接触する面が緻密
な層５で覆われているため、ろう付けを行っても多孔質
基体２内へのろう材６の浸み込みは全く無く、信頼性の
高い固着が出来る。
しかる後に、多孔質基体２の空孔に、バリウムカルシウ
ムアルミネートなどの電子放出物質３を含浸させる。
ムアルミネートなどの電子放出物質３を含浸させる。
次に、カップ４とＴａあるいはＭＯ等を加工して形成し
たスリーブ７とを固着する。この固着作業はレーザ溶接
８等の点ン容接によっても、あるいは多孔質基体２とカ
ップ４とをろう付けする際に一括的にろう付けすること
によっても良い。
たスリーブ７とを固着する。この固着作業はレーザ溶接
８等の点ン容接によっても、あるいは多孔質基体２とカ
ップ４とをろう付けする際に一括的にろう付けすること
によっても良い。
なお本実施例では、電子放出物質の含浸は、多孔質基体
２とカップ４とのろう付は後に行った場合について説明
したが、ろう付は前に含浸しても、ろう付は時の温度制
御やろう材の組成等について配慮すれば差支えない。
２とカップ４とのろう付は後に行った場合について説明
したが、ろう付は前に含浸しても、ろう付は時の温度制
御やろう材の組成等について配慮すれば差支えない。
以上説明したように本発明によれば、多孔質基体とカッ
プとがろう付けにより確実に固着され、しかもろう付け
に際し、ろう材の多孔質基体内への浸透が防止され信頼
性の高い含浸形陰極構体が得られる。
プとがろう付けにより確実に固着され、しかもろう付け
に際し、ろう材の多孔質基体内への浸透が防止され信頼
性の高い含浸形陰極構体が得られる。
第１図は本発明一実施例の纒断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高融点金属の多孔質焼結体よりなる基体に電子放出
物質を含浸させたものと、この基体を収納するカップと
、このカップを端部に支持しヒータを内包するスリーブ
とにより構成される含浸形陰極構体において、前記基体
のカップと接触する面に薄い緻密な層を形成させ、この
多孔質基体とカップをろう材により固着してなる含浸形
陰極構体。 ２、カップを、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｗ又はこれらの金属
を含む合金により形成した特許請求の範囲第１項記載の
含浸形陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61161808A JPS6319731A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 含浸形陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61161808A JPS6319731A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 含浸形陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319731A true JPS6319731A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15742305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61161808A Pending JPS6319731A (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | 含浸形陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6319731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4104943A1 (de) * | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Samsung Electronic Devices | Vorratskathode und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5074456A (en) * | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61161808A patent/JPS6319731A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4104943A1 (de) * | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Samsung Electronic Devices | Vorratskathode und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5074456A (en) * | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| USRE41266E1 (en) | 1990-09-18 | 2010-04-27 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
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