JPS6319821A - パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置 - Google Patents
パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置Info
- Publication number
- JPS6319821A JPS6319821A JP61163627A JP16362786A JPS6319821A JP S6319821 A JPS6319821 A JP S6319821A JP 61163627 A JP61163627 A JP 61163627A JP 16362786 A JP16362786 A JP 16362786A JP S6319821 A JPS6319821 A JP S6319821A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- exposure
- radicals
- radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔童業上の利用分野〕
本発明はリソグラフィの露光技術に係り、特に、高感度
で、微細なレジストパターンの形成方法に関する。
で、微細なレジストパターンの形成方法に関する。
従来、レジストの感光反応の効率を上げるために、主と
して、分子構造の側鎖に置換基を導入したり、共重合化
するなどの化学修飾が試みられていた。しかし、これら
の方法では、レジストの現像溶解性を変化させることは
できるが、大幅な反応効率の向上は達成できなかった。
して、分子構造の側鎖に置換基を導入したり、共重合化
するなどの化学修飾が試みられていた。しかし、これら
の方法では、レジストの現像溶解性を変化させることは
できるが、大幅な反応効率の向上は達成できなかった。
最近、露光後にレジストをモノマー雰囲気にさらすこと
によって感光を大幅に向上させた報告（リン池、アップ
ライド・フィジックス・レター、 Ｇ １５ 巻筒９７
３頁、１９８４年（’ｉＶ、 Ｔ、 Ｌｉｎｅｔａｌ、
、 Ａｐｐｌ。
によって感光を大幅に向上させた報告（リン池、アップ
ライド・フィジックス・レター、 Ｇ １５ 巻筒９７
３頁、１９８４年（’ｉＶ、 Ｔ、 Ｌｉｎｅｔａｌ、
、 Ａｐｐｌ。
ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、Ｖｏｔ、１５（１９８４）ｐ、
９７３））があるが、これは、本来のレジストとは異な
る物質に変ってしまうため、初期の特性が失われるとい
う欠点を有していた。
９７３））があるが、これは、本来のレジストとは異な
る物質に変ってしまうため、初期の特性が失われるとい
う欠点を有していた。
上記従来技術はレジストの放射線による分解反応の効率
を向上せしめるものではなく、分子構造の変形、あるい
は、他分子との反応によるものであった。このため、レ
ジストの初期の特性、例えば、耐ドライエツチング性や
解像性などが低下するという問題があった。
を向上せしめるものではなく、分子構造の変形、あるい
は、他分子との反応によるものであった。このため、レ
ジストの初期の特性、例えば、耐ドライエツチング性や
解像性などが低下するという問題があった。
本発明の目的はレジストの初期特性を変えることなく、
感［−向上することにある。
感［−向上することにある。
上記目的は放射線の照射によυ起きる感光反応の効率を
向上させることにより、達成される。レジスト高分子は
放射線エネルギーを吸収して、ラジカルを生じるが、こ
のラジカルは短寿命のうちに分解反応と同時に他ラジカ
ルとの再結合によって安定化してしまう。したがって、
感光反応の効率を向上させるためには上記再結合反応を
抑えて。
向上させることにより、達成される。レジスト高分子は
放射線エネルギーを吸収して、ラジカルを生じるが、こ
のラジカルは短寿命のうちに分解反応と同時に他ラジカ
ルとの再結合によって安定化してしまう。したがって、
感光反応の効率を向上させるためには上記再結合反応を
抑えて。
分解反応を促進することが必要である。そこで、放射線
の照射中にラジカルに所定の光を吸収させることにより
、その電子状態を励起させて再結合反応を抑える方法を
発明した。
の照射中にラジカルに所定の光を吸収させることにより
、その電子状態を励起させて再結合反応を抑える方法を
発明した。
〔作用〕
ラジカル中の不対電子は一般に基底電子状態では非結合
性軌道（ｎ軌道）にあり、他のラジカル中の不対電子と
結合して安定化しようとする傾向が強い。一方、電子が
励起状態の反結合性軌道（σ９あるいは、π９軌３Ｂ）
にある場合には再結合の反応確率が減少し、相対的に分
解反応が促進される。ラジカルの基底電子状態から励起
電子状態への遷移（ｎ→π１あるいは、ｎ→σ傘）は波
長４００〜２０Ｏｎｍ付近の光吸収によって可能となる
。
性軌道（ｎ軌道）にあり、他のラジカル中の不対電子と
結合して安定化しようとする傾向が強い。一方、電子が
励起状態の反結合性軌道（σ９あるいは、π９軌３Ｂ）
にある場合には再結合の反応確率が減少し、相対的に分
解反応が促進される。ラジカルの基底電子状態から励起
電子状態への遷移（ｎ→π１あるいは、ｎ→σ傘）は波
長４００〜２０Ｏｎｍ付近の光吸収によって可能となる
。
以下、本発明の実施例を第１図により説明する。
半導体基板４上にレジストとしてＰ Ｍ Ｍ Ａ ３
ｋ１μｍの厚さに塗布し、１５０Ｃ，３０分のプリベー
クを行う。次にＸ線マスク２を介してＸ線露光を行う。
ｋ１μｍの厚さに塗布し、１５０Ｃ，３０分のプリベー
クを行う。次にＸ線マスク２を介してＸ線露光を行う。
Ｘ線マスク２は窒化ホウ素（２μｍ厚）上に金（１μｍ
）の吸収体パターンを形成したものを用いた。Ｘ線源は
モリブデンをターゲットとする対陰極型でλ＝０．５４
ｎｍ、ウェーハ面での強度は０．２５ ｍ Ｗ／ ｃｍ
２である。Ｘ、線露光と同時にキセノン水銀ランプを用
いて紫外線を試料面に照射した。ランプの出力は５００
Ｗで、試料面での紫外線強度は１０ｍＷ／ｃｍ”である
。以上の条件で、共に２００秒の露光を行った後、現像
処理を行ってレジストのパターンを得る。
）の吸収体パターンを形成したものを用いた。Ｘ線源は
モリブデンをターゲットとする対陰極型でλ＝０．５４
ｎｍ、ウェーハ面での強度は０．２５ ｍ Ｗ／ ｃｍ
２である。Ｘ、線露光と同時にキセノン水銀ランプを用
いて紫外線を試料面に照射した。ランプの出力は５００
Ｗで、試料面での紫外線強度は１０ｍＷ／ｃｍ”である
。以上の条件で、共に２００秒の露光を行った後、現像
処理を行ってレジストのパターンを得る。
本実施例によればＰ〜Ｉ Ｍ ＡのＸ線感ｉｔ従来の５
００ ｍ Ｊ ／ｃｍ”から５０ｍＪ／ｃｒｎ”へと約
−桁面上できる効果が得られた。
００ ｍ Ｊ ／ｃｍ”から５０ｍＪ／ｃｒｎ”へと約
−桁面上できる効果が得られた。
本発明によれば露光中にラジカルを分解する光を照射す
るという比較的簡単な方法で、レジストの他の性質を変
えることなく、感度を向上させることができるので、露
光時間の短縮できる効果があるう
るという比較的簡単な方法で、レジストの他の性質を変
えることなく、感度を向上させることができるので、露
光時間の短縮できる効果があるう
第１図は本発明の実施例におけるＸ線露光方法を示す概
念図である。 １・・・ＸＱ源、２・・・Ｘ線マスク、３・・・ＰＭＭ
Ａ、４第 ／図
念図である。 １・・・ＸＱ源、２・・・Ｘ線マスク、３・・・ＰＭＭ
Ａ、４第 ／図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、放射線リソグラフィによりレジストのパターンを形
成する方法において、該放射線のレジストへの露光中、
あるいは、露光後にレジストに光を照射することにより
、レジスト中のラジカルの分解を促進させることを特徴
とするパターン形成方法。 ２、上記光の波長が可視〜遠紫外領域であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。 ３、パターン転写用の放射線源とラジカル分解促進用前
記光源とを有するパターン転写装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163627A JPS6319821A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61163627A JPS6319821A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6319821A true JPS6319821A (ja) | 1988-01-27 |
Family
ID=15777525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61163627A Pending JPS6319821A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | パタ−ン形成方法およびパタ−ン転写装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6319821A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190337A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-05 | Canon Inc | リソグラフイ−装置及びリソグラフイ−法 |
| JPS6489424A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Matsushita Electronics Corp | Resist-pattern forming method |
| JP2014140003A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61163627A patent/JPS6319821A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190337A (ja) * | 1987-02-03 | 1988-08-05 | Canon Inc | リソグラフイ−装置及びリソグラフイ−法 |
| JPS6489424A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Matsushita Electronics Corp | Resist-pattern forming method |
| JP2014140003A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
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