JPS63200335A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関する
。

先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体がある。

光磁気メモリの記録媒体としては、 ＭｎＢ１．ＭｎＡＪ２Ｇｅ、ＭｎＳｂ、ＭｎＣｕＢ１．
ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ、ＰｔＣｏ、ＴｂＣｏ、 ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ。

ＴｂＦｅＯ３、Ｇｄ１Ｇ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＢ１．ＣｏＦｅ２Ｏ４等の材料が知られている。　
これらは、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で、
プラスチックやガラス等の透明基板上に薄膜として形成
される。　これらの光磁気記録媒体に共通している特性
としては、磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、さらに
、カー効果やファラデー効果が大きいという点をあげる
ことができる。

この性質を利用して、光磁気記録媒体の記録方法として
は、例えば次の方法がある。

まず、最初に膜全体を“０”すなわち一様に磁化してお
く（これを消去という）。　つ　ぎに、“１”を記録し
たい部分にレーザービームな照射１′る。　レーザービ
ームが照射されたところは？７＝度が上昇し、キューリ
一点に近づいた時、そしてさらにキューリ一点をこえた
時には、保持力Ｈｃに近づく。　そして、レーザービー
ムな消し室温にもどせば、反磁場のエネルギーにより磁
化は反転し、さにらは、レーザービームの照射の際、外
部磁場を初期と反対の方向に与えて室温にもどすと、磁
化反転し、“ｌ”なる信号が記録される。

また、記録は初期状態が“０”であるから、レーザービ
ームを照射しない部分に“０”のまま残る。

記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光効
果を利用して行われる。

このような媒体に要求されることは、第１に、キューリ
一点が１００〜２００℃程度で補償点が室温付近である
こと。

第２に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと。

第３に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。

このような要求にこたえ、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体は１、大気に接したままで保存すると
、基板をとおして侵入する大気中の酸素や水により希土
類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記
録、再生が不可能となる。

そこで、一般には、前記磁性薄膜層と基板との間に保護
用の中間層を設けた構成を有するものが多く研究されて
いる。

り輩＊　啼泊トらｆｐ　「にβ耕小ｔｑ否Ｉ居し１イ１
４−酸化ケイ素、二酸化ケイ素等の無機系の真空蒸着膜
等を設ける試み（特開昭５８−８０１４２号等）が開示
されている。

これらの保シ舊層のうち、例えば５ｉＯ５などの無機系
の保護層は、スパッタ法および蒸着法等により形成され
る。

しかし、これらの方法によっては、均一かつ緻密で一様
におおわれた成膜が難しく、防湿性が１−分な保護層は
えられない。　そのため、光磁気記録媒体の磁性薄膜層
の経時劣化が改善されない。

また、常温硬化性の樹脂の塗布保護層でも、十分な防湿
性は得られず、保存まだ水分、酸素の透過等の影響があ
り、これが劣化をうながず。

また、放射線硬化型化合物の塗膜を紫外線などにより硬
化させた保護層が提案されており（特開昭６１−１３３
０６７号）、その中でオリゴエステルアクリレートと光
増感剤としてメチルベンゾイル　フィーメート（ストー
７７一ジャパン社製バイキュア５５）とを含む塗膜を硬
化させたものが開示されている。

しかし、これらでは保護膜機能および硬化性の点で未だ
十分でない。

具体的には、硬化速度が小さいこと、薄膜にした際の硬
化膜の強度が十分に得られないこと、膜厚を大きくする
必要性があること、などの問題が挙げられる。　これら
の問題は主に光重合開始剤ないし光増感剤の光吸収性が
十分でなくラジカル開裂が進行しにくいことに起因する
。

また、硬化が十分でないと、架橋密度が低くなり、未硬
化のモノマーやオリゴマーが記録層の方に浸透して記録
層に悪影響を及ぼす。　このような現象は特に高温高湿
の保存によって顕著となる。

このため、このような硬化膜を用いた光記録媒体では信
頼性が十分とはいえない。

なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。

■　発明の目的 本発明の目的は、有機保護コート層を有する光記録媒体
であって、保護層の硬化性が高く、特に高温、高湿下に
おける保存性に優れた光記録媒体を提供することにある
。

■　発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基板上に記録層を存し、この記録
層の上に保護層を有する光記録媒体において、保護層が
放射線硬化型化合物および下記一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物を含有する塗膜を放射線によって硬化させたも
のであることを特徴とする光記録媒体である。

一般式（Ｉ） （上記一般式（Ｉ）においてＲはアルキル基を表わし、
Ｌは、アルキレン基を表わし、Ｙは複素環基を表わす。

） ■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。

本発明の光記録媒体は、基板上に記録層を有し、この記
録層の上に保護層を有するものであって保護層は放射線
硬化型化合物および下記一般式（Ｉ）で表わされる化合
物を含有する塗膜を放射線によって硬化させたものであ
る。

一般式（Ｉ） 上記一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素数１〜４の置換も
しくは非置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル基
、プロピル基、ブチル基等を表わし、なかでもメチル基
、エチル基等が好ましい。

Ｌは炭素数１〜３の置換もしくは非置換のアルキレン基
、例えば−ＣＨ２−１ 等を表わし、なかでも ＣＨ３ が好ましい。

Ｙは、複素環基、例えばモルホリノ基、２−モルホリニ
ル基１、ピペリジノ基、４−ピペリジニル基、２−ピリ
ジル基、２−キノリル基、１−ピロリジニル基、１−ピ
ロリル基、２−チェニル基、２−フリル基等を表わし、
なかでもモルホリノ基が好ましい。

ＲＳ−は、一般式（Ｉ）中のベンゼン環の置換可能ない
ずれの位置でベンゼン環と結合してもよいが、 −６−Ｌ−Ｙ の２位であることが好ましい。

本発明において、一般式（Ｉ）で表わされる化合物のう
ちで、最も好ましいものは以下のものである。

化合物Ａ この化合物Ａは、Ｉ　ＲＧＡＣＵＲＥ９０７（日本チバ
ガイギー社製）として市販されているものである。

一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、放射線硬化の際光
重合開始剤ないし光増感剤として作用するものである。

このような化合物の保護層における含有量は、０．１〜
２０ｗｔ％、好ましくは１〜１０ｗｔ％とするのがよい
。

０．１ｗＬ％未満では光重合開始剤ないし光増感剤とし
ての作用が１−分ではないからであり、２０ｗｔ、％を
こえると残存する光重合開始剤ないし光増感剤が記録層
に浸透し、記録層に悪影響を与えるからである。

本発明の光記録媒体の保護層に含有される放射線硬化型
化合物にオリゴエステルアクリレートが含まれることが
好ましい。

オリゴエステルアクリレートは、アクリレート基または
メタクリレート基を複数有するオリゴエステル化合物で
ある。　そして好ましいオリゴステルアクリレートとし
ては、分子量１０００〜ｌ　００００、好ましくは２０
００〜７０００であって、重合度２〜１０、好ましくは
、３〜５のものが挙げられる。　また、これらのうちア
クリレート基またはメタクリレート基を２〜６個有する
多官能オリゴエステルアクリレートが好ましい。

官能オリゴエステルアクリレートとしてはアロエックス
Ｍ−７１００、Ｍ−５４００、Ｍ−５５００、Ｍ−５７
００、Ｍ−６２５０、Ｍ−６５００、Ｍ−８０３０、Ｍ
−８０６０、Ｍ−８１００等（東亜合成化学社製）とし
て市販されているものを用いることができ、これらは下
記式（Ａ）、（Ｂ）で示されるものである。

（Ａ） （Ｂ） Ａ　−（−Ｍ　−Ｎ　）ｒ−Ｍ　−Ａ Ａニアクリレート基またはメタクリート基、Ｍ：２価ア
ルコール（例えば、エチレングリコール、ジエチレング
リコール、１．６−ヘキサングリコール、ビスフェノー
ルＡ等）残基、Ｎ：２塩基酸（例えば、テレフタル酸、
イソフタル酸、アジピン酸、コハク酸等）残基、ｎ：１
〜１０、好ましくは２〜５ このようなオリゴエステルアクリレートは単独で使用し
てもよい。

また、他の放射線硬化型化合物を併用してもよい。　そ
のような場合、オリゴエステルアクリレートは、放射線
硬化型化合物中２０ｗし％以上存在することが好ましい
。

上記のオリゴエステルアクリレートには、他の放射線硬
化型化合物を併用することができ、このようなものとし
ては、イオン化エネルギーに感応し、ラジカル重合性を
示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタクリル酸
、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル系
二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結
合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合
等の放射線照射による架橋あるいは重合する基を分子中
に含有または導入した千ツマ−、オリゴマーおよびポリ
マー等を挙げることができる。

放射線硬化型子ツマ−としては、分子量２０００未満の
化合物が、オリゴマーとしては分子、Ｑｌ　２０００〜
１００００のものが用いられる。

こわらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、１．６−ヘキサングリ
コールジアクリレート、ｔ、６−ヘキサングリコールジ
アクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとし
ては、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（メタ
クリレート）、ペンタエリスリトールアクリレート（メ
タクリレート）、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート（メタクリレート）、トリメチロールプロパンジア
クリレート（メタクリレート）、ウレタンエラストマー
にツボラン４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれ
らのものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの、フェ
ノールエチレンオキシド付加物のアクリレート（メタク
リレート）、下記一般式で示されるペンタエリスリトー
ル縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはε−カプ
ロラクトン−アクリル基のついた化合物、 １　）　　（ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）　３−ＣＣＨ２
０Ｈ（特殊アクリレートＡ） ２）　　　（ＣＨ２＝Ｃ）ＩＣＯＯＨ２）３−ＣＣＨ２
０Ｈ３（特殊アクリレートＢ） ３）　　　（ＣＨ２＝ＣＨＯＣ（ＱＣ３）１Ｂ）Ｈ−Ｑ
Ｃ）（２）３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＋＝１、ａ＝６、ｂ
＝ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物
Ｃという）、ｍ＝２、ａ＝６、ｂ＝ｏの化合物（以下、
特殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下
記一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。

（ｎ中１６）　　　　　　（特殊アクリレートＧ）８）
　　ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−ＣＣ
Ｈ２ＣＨ３（特殊アクリレ−、トＨ） （特殊アクリレートＩ） （特殊アクリレートＪ） また、放射線硬化型オリゴマーとしては、ウレタンエラ
ストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのものにＣ
０ＯＨ等の官能基が導入さまた、上記の化合物に加えて
、あるいはこれにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性
することによって得られる放射線硬化型化合物を用いて
もよい。

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリニスルチル樹脂、
ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノ
キシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

このような放射線硬化型化合物の保護層の膜厚は０．１
〜３０μＩ、より好ましくは１〜１０μｍである。

この膜厚が０．１μｍ未満になると、一様な膜を形成で
きず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、
記録層の耐久性が向上しない。　また、３０μｍをこえ
ると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反
りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。

このよ″うな塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビ
ア塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知
の方法を組み合わせて設層すわばよい。　この時の塗膜
の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗
膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

本発明において塗膜に照射する放射線としては、紫外線
、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ましい。

紫外線を用いる場合には、前述したような放射線硬化型
化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられる。

光重合増感剤としては、必要に応じ前記の一般式（Ｉ）
で表わされる化合物の他に、次のような公知ものが併用
できる。

例えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベ
ンゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフ
ェノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケト
ン類、アセドラキノン、フエナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によりて硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。

また、場合によっては電子線を用いることもてきる。

本発明の光記録媒体に用いられる基板は、樹脂や各種ガ
ラス等によって形成される。

好ましい樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂等があ
げられる。

なお、記録は基板をとおして行うので、書き込み光ない
し読み出し光に対する透過率は８６％以上とする。

また、基板は、通常ディスク状とし、 １．２〜１．５ｍｏ＋程度の厚さとする。

このようなディスク状基板の記録層形成面には、トラッ
キング用の溝ないしビットが形成されてもよい。

溝の深さは、λ／　８　ｎ程度、特にλ／　６　ｎ〜λ
／　１２　ｎ　（ここに、ｎは基板の屈折率である）と
される。　また、溝の巾は、トラック巾程度とされる。

そして、通常、この溝の凹部に位置する記録層を記録ト
ラック部として、書き込み光および読み出し光を基板裏
面側から照射することが好ましい。

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのＣ／Ｎ比が向上し、しかもトラッキングの制御信号
は大きくなる。

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。

本発明における記録層としては磁性薄膜層が挙げられる
。

磁性薄膜層は、変調された熱ビームあるいは変調された
磁界により、情報が磁気的に記録されるものであり、記
録情報は磁気−光変換して再生するものである。

このような磁性ｆＩ膜層の材質としては、Ｇｄ、Ｔｂ等
の希土類金属とＦｅ、Ｇｏ等の遷移金属の合金をスパッ
タ、蒸着法等により、非晶質膜として形成したものであ
り、しかもＦｅとＣｏを必須含有成分とするものである
。

この場合、ＦｅとＣｏの総合有量は、６５〜８５ａＬ％
であることが好ましい。

そして、残部は実質的に希土類金属、特にＧｄおよび／
またはＴｂである。

そして、その好適例としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ
Ｃｏ％ＧｄＴｂＦｅＣｏ等がある。

なお、これら磁性ｇ膜層中には１０ａｔ％以下の範囲で
Ｃｒ、Ａｎ、Ｔｉ％Ｐｔ、Ｓｉ。

Ｍｏ、Ｍｎ％　Ｖ％Ｎｉ％Ｃム、Ｚｎ、Ｇｅ。

Ａｕ等が含有されてもよい。

また、希土類元素として１０ａｔ％以下の範囲でＳｃ％
Ｙ、Ｌａ％Ｃｅ、Ｐｒ％Ｎｄ、Ｐｍ。

Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ％Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ％Ｙｂ。

Ｌｕ等を含有してもよい。

このような磁性薄膜層の膜厚は、０．０１〜ＩＩｍが好
ましい。

この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Ｔｅ−５ｅ、Ｔｅ−５ｓ−３ｎ。

Ｔｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−Ｉｎ、Ｔｅ−５ｎ。

Ｔｅ−Ｇｅ−５ｂ−Ｓｌ Ｔｅ−Ｇｅ−Ａｓ−３ｉ％Ｔｅ−３ｉ。

Ｔｅ−Ｇｅ−５ｉ−Ｓｂ、 Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂ１、 Ｔｅ−Ｇｅ　−Ｉ　ｎ−Ｇａ。

Ｔｅ−５ｉ−Ｂｉ−Ｔｌ２、 Ｔｅ−Ｇｅ−Ｂｉ−Ｉ　ｎ−Ｓ。

Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−５ｂ１ Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ、 Ｔｅ−Ｇｅ−３ｅ、 Ｔｅ−Ａｓ−Ｇｅ−Ｇａ。

Ｔｅ−Ｇｅ−３−１ｎ。

Ｓ　ｅ　−Ｇ　ｅ　−Ｔ　Ｉｔ、５ｅ−Ｔｅ−Ａｓ、５
ｅ−Ｇｅ−Ｔｌ−Ｓｂ、 ５ｅ−Ｇｅ−Ｂｉ、５ｅ−Ｓ　（以上、特公昭５４−４
１９０２号、特許第１００４８３５号など） ＴｅａＸ　（特開昭５８−５４３３８号、特許第９７４
２５７号記載のＴｅ酸化物中に分散されたＴｅ）。

ＴｅａＸ＋ＰｂＯ，（特許第９７４２５８号）、 Ｔｅａｌｌ＋ＶＯ，（特許第９７４２５７号）、その他
、Ｔｅ−Ｔｌ２、Ｔｅ−Ｔｊ！−３ｉ、５ｅ−Ｚｎ−Ｓ
ｂ、Ｔｅ−３ｅ−Ｇａ。

ＴｅＮＸ等のＴｅ、Ｓｅを主体とするカルコゲン系 Ｇｅ−５ｎ％５ｉ−Ｓｎ等の非晶質−結晶質転移を生じ
る合金 Ａｇ−２ｎ％Ａｇ−Ａ１１−Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｊ！等の結
晶構造変化によって色変化を生じる合金、Ｉｎ−５ｂ等
の結晶粒径の変化を生じる合金などがある。

本発明においては基板と記録層との間に中間層を設けて
もよい。

中間層の材質としては、酸素、炭素、窒素、硫黄等を含
む化合物、例えば、Ｓｉｎ、、ＳｉＯ％ＡＩＬＮ％Ａｌ
１２０ｓ　、Ｓ　ｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、ＢＮ、ＴｉＯ２，
ＴｉＮ等ナイしこれらの混合物などの各種誘導体物質；
ガラス、例えばホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸
ガラス、アルミニウムホウケイ酸ガラス等あるいはこの
ものにＳｉ、Ｎ、等を含むものなどを用いればよい。　
なかでも、５ｉｎ２４０〜８０胃Ｌ％のホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウケイ
酸ガラスや、これらの５ｉｎ２の一部をＳｉ３Ｎ、等で
置換したものが好ましい。

これらのうちで特に好ましいものとしては、下記のもの
が挙げられる。

（１）酸化ケイ素４０〜６０ｗｔ％と、Ｂａｄ、Ｃａｂ
、ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ。

ｐｂｏ等の２価金属酸化物５０ｗＬ％以下および／また
はアルカリ金属酸化物１０ｗｔ％以下と、酸化ホウ素お
よび／または酸化アルミニウムとを含有するもの。

（２）Ｓ　ｉと他の金属または半金属元素としてＢａ、
Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｂ等の１種以上、ＡＭ、Ｈ
の１種以上およびアルカリ金属元素の１種以上のうちの
少なくとも１つとを含み、全金属ないし半金属中のＳｉ
原子比が０．３〜０．９であり、ざらにＯおよびＮを含
み、Ｏ／（０＋Ｎ）が０．４〜０．８であるもの。

このような中間層は、５００〜３０００人、好ましくは
８００〜２５００人の厚さとするのがよい。

５００λ未満となると、耐候性が十分でないからであり
、１５００人をこえると、厚すぎて媒体とした場合感度
が低下してしまうからである。

なお、これら中間層としては、上記のガラス層を中間層
下地として３００〜１０００人程度に設層し適宜の上に
５ｉ０２，５ｉＯ１Ｓ　ｌ　ａ　Ｎ４　、ＡＩＬＮ、Ａ
ｊ２ｚ　０３　、ＺｎＳ等、あるいはこれらの混合物な
どを誘電体物質を誘電体層としてＳＯＯ〜１５００λ程
度に設層したものが好ましい。

この場合、誘導体層８００ｎｍにおける屈折率１．８〜
３．０のものが好ましく、ｓｉと希土類金属および／ま
たはＡｌ１とを含み、０およびＮを含むものが好適であ
る。

このような中間層と同材質の層は、記録層と前記した保
護層との間に保護中間層として設層してもよい。　厚さ
も同程度とすればよい。

前記した保護層の上には、通常接着剤層を介して保護板
が設けられる。

すなわち、前記の基板の裏面（記録層を設けていない側
の面）側からのみ記録・再生を行う、いわゆる片面記録
の場合にのみ、この保護板を用いる。

このような保護板の樹脂材質は特別に透明性等を要求さ
れることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン、
ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリ
ビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ
塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール、
ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、フェノール樹脂、ユ
リア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン、ア
ルキド樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂
等の各種熱可塑性樹脂等が使用可能である。

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板と
して用いてもよい。

このものの形状、寸法等は上記の基板のそれとほぼ同様
とされる。

このような保護板は、餌述したように接着剤層を介して
接着される。　接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂等
の接着剤であって、この膜厚は１〜１００μｍ程度とさ
れる。

他方、上記の保護板を用いる代りに、前記の記録層、保
護層等を有する基板をさらに１セツト用いて、両記録層
を内側にして対向させて、接着剤層を用いて貼り合せて
、両基板の裏面側から書き込みを行なう、いわゆる両面
記録タイプとしてもよい。

さらに、これらの基板や保護板の裏面（記録層を設けて
いない側の面）には各種保護膜としてのハードコート層
を設けることが好ましい。

ハードコート層の材質としては、前述した保護層の材質
と同様なものとしてもよい。

Ｖ　発明の具体的作用効果 本発明によれば、保護層が放射線硬化型化合物および前
記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する塗膜を放
射線によって硬化させたものであるため、保護層の硬化
性が高い。　すなわち、硬化速度が大きく、硬化膜の強
度も大きい。　また膜厚も小さくすることができる。

このようなことから光記録媒体として用いた場合、架橋
密度が高いため未硬化の千ツマ−やオリゴマーが記録層
の方に浸透して記録層に悪影響を及ぼすという弊害が除
去できる。　また、高温高湿下における保存性に優れる
。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明のＪｔ、体内実施例を示し、本発明をさら
に詳細に説明する。

実施例１ 直径１３ｃｍ、厚さ１．２粕ｍのビスフェノールＡ系の
ポリカーボネート樹脂（分子量１５００）からなる基板
上にガラス（Ｓ　ｉ　０゜４８冑ｔ％、Ａｎ、０．　　
　１５豐ｔ％、Ｂ２Ｂ２Ｏ３ｌ４％、Ｎａ２Ｏ３ｗＬ％
、　に２０２ｗＬ％、Ｂａ０５ｗＬ％、Ｃａ０　　９ｗ
ｔ％　。

ＭｇＯ４ｗｔ％）の中間層を高周波マグネトロンスパッ
タによって膜厚９００人に設層した。

この中間層の上に２１ａし％Ｔｂ、６８ａＬ％Ｆｅ％　
７ａｔ％Ｃｏ、４ａｔ％Ｃｒ合金薄膜をスパッタリング
によって、厚さ８００λに設層し、磁性薄膜層とした。

なお、ターゲットは、ＦｅターゲットにＴｂ、Ｃｏ、Ｃ
ｒチップをのせたものを用いた。

この磁性Ｓ膜層上にガラス（中間層の場合と同じ）の保
護中間層を膜厚１０００人にスパッタリングで設層し、
この保護中間層の上に下記の放射線硬化型化合物および
本発明の化合物Ａを含む塗布組成物を保護層としてスピ
ンナーコートで設層した。

（塗布組成物） 多官能オリゴエステルアクリレート（商品名アロエック
スＭ−８０３０、東亜合成社製）１００重量部。

化合物Ａ （ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７゜ 日本チバガイギー社製）　　　　　５重量部このような
塗布組成物を設層後、ｌ　２０１７ｃｍの紫外線を１５
ｓｅｃ照射し架橋硬化させ、硬化膜とした。

この時の膜厚はＳＰであった。

これをサンプル１とする。

サンプルｌにおいて保護層に含有させる化合物Ａを下記
の化合物Ｂ、Ｃ，Ｄにかえる以外は闇ｋＭ　＆ｌ”　１
ノ丁廿ンプＪし２−３−４か１１．た−また保護層を設
層しないサンプル５も同様に作製した。

化合物Ｂ（商品名ＩＲＧＡＣＵＲＥ−６５１：日本チバ
ガイギー社製） 化合物Ｃ（商品名Ｉ　ＲＱＡＣＵＲＥ−１８４。

日本チバガイギー社製） 化合物Ｄ（商品名ＢＩＱＵＲＥ−５５：ストーファージ
ャパン社製） これらのサンプルについて下記の特性を調べた。

（１）ピンホールの発生 ６０℃、９０％ＲＨにて保存した場合ピンホールが発生
するまでの時間を調べた。

（２）硬化度 ガラス基板上に上記サンプルの保護層と同じ組成の塗膜
を形成し、同様に硬化膜を作製した。　これを２４時間
アセトンで還流し抽出した。抽出物の量から硬化度を算
出した。

これらの結果を表１に示す。

表　　　　　　１ サンプル　保護層　ピンホールの　硬化度ＮＯ０（化合
物）　　発生（時間）　　　　　（％）１　（本発明）
　　あ　リ　　　　１５００　　　　９Ｂ（Ａ） ２　（比　較）　　あ　リ　　　　７５０　　　　８０
（Ｂ） ３　（比　較）　　あ　リ　　　　　６００　　　　７
５（Ｃ） ４　（比　較）　　あ　リ　　　　１０００　　　　８
５（Ｄ＞ ５　（比　較）　　な　し　　　　　２０　　　−（ク
ラック発生） 以上より本発明の効果は明らかである。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に記録層を有し、この記録層の上に保護層
   を有する光記録媒体において、 保護層が放射線硬化型化合物および下記一般式（ I ）
   で表わされる化合物を含有する塗膜を放射線によって硬
   化させたものであることを特徴とする光記録媒体。 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （上記一般式（ I ）においてＲはアルキル基を表わし
   、Ｌは、アルキレン基を表わし、Ｙは複素環基を表わす
   。）
2. （２）放射線硬化型化合物がオリゴエステルアクリレー
   トを含む特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。
3. （３）保護層中の一般式（ I ）で表わされる化合物の
   含有量が０．１〜２０ｗｔ％である特許請求の範囲第１
   項または第２項に記載の光記録媒体。
4. （４）放射線が紫外線である特許請求の範囲第１項ない
   し第３項のいずれかに記載の光記録媒体。
5. （５）保護層の厚さが０．１〜３０μｍである特許請求
   の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光記録媒
   体。