JPS63201070A - セラミツクの接合方法 - Google Patents

セラミツクの接合方法

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JPS63201070A
JPS63201070A JP2980987A JP2980987A JPS63201070A JP S63201070 A JPS63201070 A JP S63201070A JP 2980987 A JP2980987 A JP 2980987A JP 2980987 A JP2980987 A JP 2980987A JP S63201070 A JPS63201070 A JP S63201070A
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JP
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ceramic
ceramics
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brazing
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原川 義夫
小口 昌弘
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TPR Co Ltd
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Teikoku Piston Ring Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミックとセラミック、あるいはセラミッ
クとメタルをろう付により接合する方法に関する。
〔従来の技術〕
最近、セラミック材料がその優れた緒特性から構造材料
として広い分野に利用されはじめている。
その多くの場合、セラミック単体で使われているのが現
状であるが、セラミックの持つ脆性のため、靭性のある
メタルとの複合化が必要なことがある。
また複雑な形のセラミックを作るためにセラミック相互
を接合するためのろう材が必要とされている。ところで
、従来からセラミックの接合方法として以下の方法が知
られている。
■ セラミック母材表面に、Mo、Wを主成分とする粉
末を塗布し、還元雰囲気中で1400〜1700℃に加
熱してセラミック母材上にメタライズ層を形成し、その
後Niめっきした後、銀ろうなどにより金属とセラミッ
クの接合や同様にメタライズ・Niめっき処理したセラ
ミック同志の接合を行う方法。
■ セラミック母材表面に配置されたPt、Auなどを
介して接合するメタルやセラミックを組み合せ対向させ
た後、これらの一方から圧力を加えて適当な高温下で接
合する方法。
■ セラミックを硫酸銅とカオリンの混合粉末で被覆し
、酸化雰囲気中900〜1300℃で加熱して焼付した
後、焼付層を還元処理し、還元層上に塗布された限ろう
などで他の金属部材と接合する方法。
■ 銅箔とチタン箔とを組み合せたものを接合すべくセ
ラミックとセラミック、セラミックとメタルとの間にセ
ットし、真空雰囲気中、共晶温度でろう接する方法(米
国特許第2857663号参照)。
■ Cu、Fe、Niの少なくとも1種からなる遷移金
属と、Ti、Zr、Y 、Hfの少なくとも1種とから
なる厚さ30μm以下の箔によるメタライズを行なった
セラミックを接合する方法(特開昭60−32648号
)。この方法で厚さを30μm以下にしたのはメタライ
ジング後のセラミックにクランクが発生するからである
しかしながら■の方法の場合、作業工程が4工程と長く
且つ煩雑であるという欠点があるのに加えて加熱温度が
高い欠点がある。■の方法の場合、圧接という簡単な方
法で接合できるが、高価な貴金属を被接合部材間に介在
させる必要があるため経済的でなく、しかも金属母材と
セラミック母材とが十分に接触するように高い圧力を必
要とじて複雑形状になると接合が困難になるという欠点
がある。■の方法の場合、大気中で前処理ができるため
前処理が簡単であるという良い点がある。しかしながら
、その後の銀ろう付などによりセラミックと被接合物と
の間に応力などが生じみかけの剪断強度は5kg/m+
e”を越えるものの、接合部に微細なりラックが生じて
おり、気密性がない欠点がある。■の方法の場合、活性
金属ろう付性と言われ、セラミックの接合を容易にする
方法として知られているが、窒化硅素などファインセラ
ミックと呼ばれるセラミックの場合、酸化物セラミック
で有効であった本手法を利用しても、高い接合強度を得
ることは難しい。■の方法の場合、メタライジング工程
が必要になるため工程が長くなる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記した従来法において、■の方法はろう材を使用する
がセラミックの接合がろう材だけで行なわれておらない
。■、■の方法はろう材による接合法ではない。■、■
の方法はろう接方法である。
しかしながら、■の開示に見られるように金属とセラミ
ック、セラミックとセラミックとの接合でろう接界面で
熱応力のためセラミック部にクラックを発生し問題とな
っていた。■の方法によるこの問題の解決手段は、真空
もしくは不活性雰囲気中でのメタライズを前提とする。
本発明者は、液体急冷法により製造された箔を用い接合
されたセラミックの接合強度の影響因子を種々調査した
ところ、厚さが厚い箔をろう材として使用した直接ろう
付(すなわちメタライズ工程を省略したろう付)法によ
り高い接合強度が得られることを見出した。従って、本
発明は前記問題点をろう材の金属組織と箔の厚さにより
解決し、セラミックとセラミック、セラミックとメタル
との接合に適するろう付接合方法を提供することを目的
とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、Cu40〜70原子%、Ti30〜60原子
%、Ni −Co −Feのうち少くとも1種が0.5
〜15原子%からなり、厚さが40μm以上の非晶質又
は微結晶合金箔帯をろう材として用い、メタライズする
ことなく、セラミックを接合することを特徴とするセラ
ミックの接合方法を提供するものである。
本発明の構成要件を先ず合金箔の組成について説明する
Tiは酸素、窒素等との親和性の高い元素であり、セラ
ミックのO,N等と反応して接合層を形成する。Tiが
30原子%(24,4重量%)より少ないとアモルファ
ス箔帯の製造が困難となり、60原子%(53,1重量
%)を越えると接合部でTiNなどのTi化合物形成後
にろう接部に残留するTi量が多くなる。この場合は、
ろう接部のセラミックに応力負荷が残留し、場合によっ
てはクラックを発生させるので好ましくない。最適なT
i含有量は、30〜45原子%である。活性金属である
Tiは融点が高<  (1720℃)、そのままでは通
常のろう接材として不満であるものの、Cuとの合金に
おいては、その共晶組成領域においては数百℃低下させ
、TiziCut7では約880℃になる。
このことを利用してT1Cu合金はセラミックとセラミ
ックとの間に活性金属を介在させたり、セラミックとメ
タルとの間に接合できるろう接材料となる。この作用を
もたらすためには40〜70原子%(46,9〜75.
6重量%)のCuが必要である。また、Cu−Ti二元
系アモルファスもしくは微結晶合金を作るために、40
〜70原子%のCu含有量が必要である。
Fe、Ni、Coの少なくとも1種は、ろう付接合時に
セラミック界面で形成される窒化物反応層、ケイ化物反
応層、酸化物反応層の発達を制御することにより、接合
強度の向上に寄与する元素である。本発明者の実験では
、A l zO3とA A’ 、0.との接合の場合、
Cu6oTisoのろう材では10kg/1m”の剪断
強度であったが、Cu43Ti、Jil、では剪断強度
15kg7.ltが得られ、Niの顕著な剪断強度向上
効果が明らかとなった。ところでCu −Ti二元系合
金は共晶組成附近でアモルファスになることが知られて
いるが、本発明者の実験によりかなり多量のFe、Ni
、Coを添加してもアモルファスもしくはアモルファス
に近い微結晶組織が得られることが分かった。而して、
Ni、Co、Feの添加量が0.5原子%未満では接合
強度向上の効果がなく、一方15原子%を越えると通常
の結晶組織になるため、添加量を0.5〜15原子%と
した。
なお、N i+ Co + F eの2種以上が添加さ
れる場合は合計添加量とする。
次に、本発明の他の構成要件である箔寸法と金属組織に
ついて説明する。
従来技術■のろう材の形状は本発明と同じ箔形状である
が銅箔とチタン箔を組み合わせたものであったため、各
金属成分を迅速に均一溶融することが困難であった。本
発明のろう材は合金箔であるために各成分が迅速に均一
溶融できる。従来技術■の箔は厚さが30μm以下とし
てクラックの発生を防止できないが、本発明においては
合金箔の組織はアモルファスもしくは微結晶組織である
ために均一であり、これによりクランクの発生がない。
高い接合強度の接合セラミックの製造が可能になる一条
件が整えられる。ここで、微結晶とは粒径がμm以下オ
ングストロームオーダーの超急冷により得られる結晶組
織を言う。箔の厚さを40μm以上としたのは40μm
未満では接合強度が低下する傾向が現われかつクランク
が発生することもあるためである。すなわち、40pm
以上の箔の厚さが高い接合強度のセラミックを得る他の
条件となる。厚さの好ましい上限は80μmである。
かかる箔は所定組成の合金溶湯を単ロール法もしくは双
ロール法により超急冷することにより得られる。続いて
、本発明における接合操作の構成要件について説明する
。上記のような合金箔を被接合部材間にはさみ、合金箔
を溶融させてろう付を行なう。この際の加熱は真空、不
活性ガス雰囲気による必要がある。本発明においては、
合金箔がアモルファスもしくは微結晶であるため、溶解
が均一に進行すること、ならびに箔が厚いために被接合
部材間に残存するろう付合金がろう材の凝固時の応力緩
衝およびセラミックとの濡れ性を向上することにおそら
く起因すると思われる従来にないろう付現象により接合
後もセラミックにクランクなどの欠陥を発生させない直
接ろう付が可能になった。
〔実施例〕
以下、実施例によりさらに本発明を説明する。
実施例1 45%Cu、 45%Ti、10%Ni(原子%)なる
合金をアーク炉中で溶解し、インゴットとした。
そのインゴットを#30の透明石英管中に高さ60mm
まで装填した。石英管は下端部で偏平に圧縮されて幅2
0關及び内径0.5 m / mのスリット状開口部を
有していた。片ロール法と呼ばれる非晶質作製装置の、
ロール径500鶴ロール幅50u+の冷却ロールの上部
に前記石英管をセットし、溶融点より100℃高い温度
まで溶解した後、周速30m/secで回転する冷却ロ
ールに溶湯を吹きつけ、厚さ50μm幅20m長さ10
mの箔帯を得た。この箔帯を、直径10mm、厚さ5f
lの円盤状A l zChと、直径2011、厚さ5f
lの円盤状A 1 taxの間にはさみ、これらを加熱
炉に装入した。なお、接合条件は真空(10−’Tor
r) 1050℃、30分の均熱、かつ無加圧であった
。ろう接部材の剪断強度を第1図に示す方法で測定した
。図中1は加圧治具、2はセット治具、3,4はセラミ
ック接合体である。接合されたA 1 zoxの剪断強
度は15に+r/鶴2であった。
実施例2 実施例1と同様な処理で、表1の組成の箔帯の作製可否
及び接合のテストを行った。なお、箔帯の作製が不可能
であった組成は粉末状ろう材として供試した。
以下余白 表  1 表1より、Ti 30〜60原子%、Ni、Co、Fe
の1種以上0.5〜15原子%、残部Cuからなり、厚
さが40μm以上の液体急冷筒を用いると高い接合強度
のSi:+N*+  AAz(h 、 SiC接合体が
得られることが分かる。
【図面の簡単な説明】
第1図は剪断強度試験方法の説明図である。 1・・・加圧治具、 3,4・・・セラミック接合体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、Cu40〜70原子%、Ti30〜60原子%、N
    i・Co・Feのうち少くとも1種が0.5〜15原子
    %からなり、厚さが40μm以上の非晶質又は微結晶合
    金箔をろう材として用い、メタライズすることなく、セ
    ラミックを接合することを特徴とするセラミックの接合
    方法。
JP2980987A 1987-02-13 1987-02-13 セラミツクの接合方法 Granted JPS63201070A (ja)

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JPH0475871B2 JPH0475871B2 (ja) 1992-12-02

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04321572A (ja) * 1990-11-13 1992-11-11 Endress & Hauser Gmbh & Co 圧力センサ
JP2006327888A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Nissan Motor Co Ltd セラミックスと金属のろう付け構造体
JP2022056203A (ja) * 2020-09-29 2022-04-08 株式会社フェローテックホールディングス 接合基板および接合方法

Cited By (3)

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JP2022056203A (ja) * 2020-09-29 2022-04-08 株式会社フェローテックホールディングス 接合基板および接合方法

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