JPS63201661A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

［従来の技術］ 水素（Ｈ）　Ｔｈ含有するアモルファスシリコン（以下
、ａ−８ｔ：Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として
注目されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイ
メージセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応
用されている。

従来、電子写真感光体の光導電層ｆｔ構成する材料とし
て、ＣｄＳ、ＺｎＯ，Ｓｅ、若しくは５ｅ−Ｔｏ等の無
機材料又ｕ　ホ＋）　−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶ
Ｃｚ）若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ’）等
の有機材料が使用されていた。しかしながら、ａ−８１
：Ｈはこれらの無機材料又は有機材料に比して、無公害
物質である九め回収処理の必要がないこと、可視光領域
で高い分光感度を有すること、並びに表面硬度が高く耐
磨耗性及び耐衝撃性が優れていること等の利点を有して
いる。このため、ａ−８１：Ｈは電子写真プロセスの感
光体材料として注目されている。

このａ−８１：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体材
料として検討が進められているが、この場合、感光体特
性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しか
しながら、この両特性を単一の感光体で満足させること
が困難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障
壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた
積層型の構造にすることにより、このような要求を満足
させている。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで、ａ−８１：　Ｈは、通常、シラン系ガスを使
用したグロー放電分解法によシ形成されるが、この際に
、ａ−８１：Ｈ層中に水素が取シ込まれ、水素量の差に
より電気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ
−８ｉ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光学的
バンドギヤ、プが大きくなシ、ａ−８ｔ：Ｈの抵抗が高
くなるが、それにともない、長波長光に対する光感度が
低下してしまうので、例えば、半導体レーデを搭載した
レーデビームプリンタに使用することが困難である。ま
た、ａ−Ｓｔ；Ｈ層中の水素の含有量が多くなると、成
膜条件によって、（ＳｉＢ６）ｎ及び５ＩＨ２等の結合
構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合が
ある。

そうすると、ゲイトが増加し、シリコンのダングリング
ボンドが増加する丸め、光導電特性が劣化し、′ｉｌＬ
子写真感光体として使用不能になる。逆に、ａ−８ｔ：
Ｈ中に取込まれる水素の量が低下すると、光学的・臂ン
ドギャップが小さくなり、その抵抗が小さくなるが、長
波長光に対する光感度が増加する。しかし、水素含有量
が少ないと、シリコンのダングリングボンドと結合して
これを減少させるべき水素が少なくなる。このため、発
生するキャリアの移動度が低下し、寿命が短くなると共
に、光導電特性が劣化してしまい、電子写真感光体とし
て使用し難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
１：　Ｈ層のみで構成したのでは、ａ−８Ｌ：Ｈ層の製
造条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が得
られないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感光が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明者らは、種々研究を重ねた結果、電子写真感光体
の光導電層を電荷保持層と電荷発生層とによシ構成し、
それぞれに所定の複数の半導体膜の積層即ち超格子構造
の領域を形成することによす、上記目的を達成し得るこ
とを見出し、本発明を完成するに至っ念。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体であって、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とから構成され、前記電荷
発生層は、結晶度の異なる微結晶シリコン薄膜を交互に
積層して構成され、前記電荷保持層は、非晶質シリコン
薄膜と炭素、酸素および窒素のうちの少なくとも１種の
元素を含む非晶質シリコン薄膜とを交互に積層して構成
とする。

本発明において用いる微結晶シリコン（μｃ−８１）は
、粒径が約数十オンゲストロムの微結晶化したシリコン
と非晶質シリコンとの混合層によシ形成されているもの
と考えられ、以下のような物性上の特徴を有している。

第一に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８．５°付近
にある結晶回折・９ターンを示し、ハローのみが現れる
無定形のａ−８ｔから明確に区別される。第二に、μｃ
−８ｔの暗抵抗ｋ　′。

１０１０Ω・α以上に調整することができ、暗抵抗ｄ？
　”。

１０５Ω・副のポリクリスタリンシリコンからも明確に
区別される。

本発明で用いる上記μｃ−８１の光学的バンドギヤ、！
（Ｅｇ’）は、例えば１．５５ｃＶとするのが望ましい
。しかし、一定の範囲で任意に設定することができる。

望ましいＥｇ”ｋ得るため夫々に所要量の水素を添加し
、μｃ−８１：Ｈとして使用するのが好ましい。これに
よシ、シリコンのダングリングボンドが補償され、暗抵
抗と明抵抗との調和がとれ、光導電特性が向上する。

なお、実際のμｃ−８ｔ膜は、製造条件等の具体的な要
因によって弱いＰ型またはＮ型を帯びることが多い（特
にＮ型になシ易い）。そこで、超格子構造を形成するた
めに必要ｆｉＩ型とするために、夫々逆の導電型を有す
る不純物を軽くドーグして前記のｐｆｉまたはＮｕを打
消すのが望ましい。

なお、後者の非晶質シリコン薄膜ごとの元素の濃度は、
好ましくは０．１〜３０原子チ、より好ましくは５〜１
５原子チの範囲で変化させるのがよい。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、光導電層に前記超格子構
造が設けられているため、この領域では発生したキャリ
アの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につい
ては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構
造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効果
であることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわ
れる。

こうして光導電層でのキャリアの移動度が大きくなり、
またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感
光体の感度は著しく向上することになる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図に５いて、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６からなる光導電層３が形成されている。

また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている。

なお、電荷保持層５および電荷発生層６はいずれも超格
子構造を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
り詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ−８１やａ−８１：Ｈを用いて形成して
もよく、またａ−ＢＮ：Ｈ（窒素および水素を添加した
アモルファス硼ａ＞ｔ−使用してもよい。更に、絶縁性
の膜を用いてもよい。例えば、μｃ−８ｉ　：　Ｈ及び
ａ−８ｉ：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択され
た元素の一種以上を含有させることによシ、高抵抗の絶
縁性障壁層を形成することができる。

障壁Ｗ５２の膜厚は１００１〜１０μｍが好ましい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と電荷発生層５との間
の電荷の流れを抑制することによシ感光体表面の電荷保
持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成され
るものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカー
ルソン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電さ
せた電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２ｔ
−ＰｉまたはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯電さ
せる場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する
電子が電荷発生層に注入されるのを防止する。

逆に表面に負帯電させる場合には障壁層ＸｆＮ型とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは光の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノイズ
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をも次らす。なお、μｃ−８ｔ　：
　Ｈ＋ａ−８ｉ　：　ＨをＰ凰にする次めには、周期律
表の第■族に属する元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウム
Ａｔ、、ｆリウムＧａ。

インジウムＩｎ、及びタリウムＴｔ等をドーピングする
ことが好ましい。また、μｃ　−８ｌ　：　Ｈ＋ａ−８
ｌ　：　ＨｆＮ型にするためには周期律表の第■族に属
する元素、例えば窒素、燐Ｐ、砒素Ａ６、アンチモンｓ
ｂ、及びビスマスＢｉ等をドーピングすることが好まし
い。

電荷発生層６は、光の入射によシキャリアを発生し、こ
のキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯ｉ！
重電荷中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行して
導電性支持体１に到達する。

電荷保持層５および電荷発生層６は、いずれも２５ｉ類
の薄膜を交互に積層して構成されている。

これら薄膜は光学的バンドギャップが相違し、それぞれ
厚みが３０〜２００Ｘの範囲にある。このように光学的
・々ンドギャ、プが相互に異なる薄層を積層することに
よって、光学的バンドギャップの大きさ自体に拘りなく
、光学的・マントギャップが小さい層を基準にして光学
的・マントギャップが大きな層が・９リアとなる周期的
なポテンシャル・マリアを有する超格子構造が形成され
る。この超格子構造においては、・守リア薄層が極めて
薄いので、薄層におけるキャリアのトンネル効果によシ
、キャリアは・々リアを通過して超格子構造中を走行す
る。また、このような超格子構造においては、光の入射
により発生するキャリアの数が多い。従って、光感度が
高い。なお、超格子構造の薄層の・ｆｙトａｒ’ヤツデ
と層厚を変更することばより、ヘテロ接合超格子構造を
有する層のみかけのパンドギャッｆ２自由に調整するこ
とができる。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−８ｉ：
Ｈおよびμｃ−８１：Ｈにおける水素の含有量は、０．
０１〜３０原子チが好ましく、１〜２５原子チがよシ好
ましい。このような水素の含有量によシ、シリコンのダ
ングリングゲンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調和
のとれたものとなり、光導電特性が向上する。

ａ−８ｔＳＨ層をグロー放電分解法により成膜するには
、原料としてＳｉＨ４及び５１２Ｈ５等のシラン類ガス
を反応室に導入し、高周波によりグロー放電することに
よシ薄膜中にＨを添加することができる。

必要に応じて、シラン類のキャリアガスとして水素又は
ヘリウムをガスを使用することができる。

一方、５ＩＦ４ｆｆス及び５ｉｃｚ４ガス等のハロダン
化ケイ素を原料ガスとして使用することができる。また
、シラ／類ガスと７１０グン化ケイ素ガスとの混合ガス
で反応させても、同様にＨを含有するａ−８ｌ：Ｈを成
膜することができる。なお、グロー放電分解法によらず
、例えば、スパッタリング等の物理的な方法によっても
これ等の薄層を形成することができる。

μｅ−８１層も、ａ−８ｉ：Ｈと同様に、高周波グロー
放電分解法によシ、シラ／ガスを原料として、成膜する
ことができる。この場合に、支持体の温度をａ−８ｔ　
：　Ｈｆ形成する場合よりも高く設定し、高周波電力も
ａ−８ｉ：Ｈの場合よシも高＜ｍ定すると、μｃ−８ｌ
：Ｈを形成しやすくなる。また、支持体酸及び高周波電
力を高くすることによシ、シランガスなどの原料ガスの
流量を増大させることができ、その結果、成膜速度を早
くすることができる。また、原料ガスの５ＩＨ４及びＳ
ｉ２Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈したガスを
使用することによシ、μｃ−８ｉ：Ｈｔ−一層高効率で
形成することができる。

μｃ−８ｌ：Ｈ及びａ−８ｌ：ＨをＰ型にするためには
、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ、
アルミニウムＡｔ　、ガリウムＧａ　、インジウムＩｎ
。

及びタリウムＴＬｈ４ｆドーピングすることが好ましく
、μｃ−８ｔ　：　Ｈ及びａ−８ｌ　：　Ｈｆ　ｎ型に
する九めには、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば
、窒素Ｎ。

す：／　Ｐ　ｔ　ヒＸ　Ａｓ　＊アンチモンＳｂ、及び
ビスマスＢｉ等をドーピングすることが好ましい。この
ｐ型不純物又はｎ型不純物のドーピングにより、支持体
側から光導電層へ電荷が移動することが防止される。一
方、μｃ−８ｉ　：　Ｈ及びａ−８ｌ：Ｈに、炭素Ｃ９
窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも１′ｍの元
素を含有させることによシ、高抵抗とし、表面電荷保持
能力を増大させることができる。これら元素の含有量は
５〜４０原子俤、好ましくは１０〜３０原子チである。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６のａ−８１：Ｈ等は、その屈折率が３乃至
３．４と比較的大きいため、表面で、の光反射が起きや
すい。このような光反射が生じると、光導電層又は電荷
発生層に吸収される光量の割合いが低下し、光損失が大
きくなる。このため、表面層４を設けて反射を防止する
ことが好ましい。また、表面層４を設けることにより、
電荷発生層６が損傷から保護される。さらに、表面層を
形成することによシ、帯電能が向上し、表面に電荷がよ
くのるようになる。表面層を形成する材料としては、ａ
−８ＩＮ　：　Ｈ，ａ−８ＩＯ：　Ｈ，及びａ−８ｉＣ
：Ｈ等の無機化合物並びにＩり塩化ビニル及びポリアミ
ド等の有機材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００Ｖの正電圧で帯電させると、ポテン
シャルバリアが形成される。この感光体に光（ｈν）が
入射すると、電荷発生層６の超格子構造で電子と正孔の
キャリアが発生する。この伝導帯の電子は、感光体中の
電界により、表面層４側に向けて加速され、正孔は導電
性支持体１側に向けて加速される。この場合に、光学的
・々ンドギャ、７″が相違する薄層の境界で発生するキ
ャリアの数は、バルクで発生するキャリアの数よりも極
めて多い。この九め、この超格子構造においては、光感
度が高い。また、ポテンシャルの井戸層においては、量
子効果のために、超格子構造でない単一層の場合に比し
て、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。更に、超格
子構造においては、バンドギャップの不連続性により、
周期的なバリア層が形成されるが、キャリアはトンネル
効果で容易にバイアス層を通り抜けるので、キャリアの
実効移動度はバルクにおける移動度と同等であ九キャリ
アの走行性が優れている。

電荷保持層５の場合も同様に、ポテンシャル井戸層にお
いては、量子効果のために、超格子構造でない単一層の
場合に比して、キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。

また、超格子構造にお込ては、バンドギヤ、ｆの不連続
性により、周期的なバリア層が形成されるが、キャリア
はトンネル効果で容易にバイアス層を通り抜けるので、
キャリアの実効移動度はバルクにおける移動度と同等で
１７、キャリアの走行性が優れている。以上のごとく、
光学的バンドギャップが相違する薄層を積層した超格子
構造によれば、高光導電特性を得ることができ、従来の
感光体よシも鮮明な画像を得ることができる。

以下に第２図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法によ針製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスぜンぺ２１．２２，２３，
２４には、例えば夫々Ｓ　ｒ　Ｈ４ｒＢ２Ｈ６，Ｈ２，
ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。

これらガスボンベ内のガスは、流量調整用のパルプ２６
及び配管２７ｔ−介して混合器２８に供給されるように
なっている。各ぜンベには圧力計２５が設置されており
、該圧力計２５を監視しつつパルｆ２６ｔ−調整するこ
とによシ混合器２８に供給する各原料ゴスの流量及び混
合比を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供給さ
れる。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が鉛直
方向の回シに回転可能に取付けられている。該回転軸３
０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転軸３０
に垂直にして固定されている。反応容器２９内には、円
筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心と一
致させて底部３１上に設置されている。感光体のドラム
基体３４が支持台３２上にその軸中心を回転＠３゜の軸
中心と一致させて載置されており、このドラム基体３４
の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が配設されて
いる。電極３３とドラム基体３４との間には高周波電源
３６が接続されておシ、電極３３およびドラム基体３４
間に高周波電流が供給されるようになっている。回転軸
３ｏはモータ３８により回転駆動される。反応容器２９
内の圧力は圧力計３７により監視され、反応容器２９は
ダートパルプ３８を介して真空ポ／ｆ等の適宜の排気手
段に連結されている。

上記製造装置によシ感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ｒ−）パルプ
３９を開にして反応容器２９内を約０、　Ｉ　Ｔｏｒｒ
の圧力以下に排気する。次いで、インベ２１．２２，２
３．２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して
反応容器２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．ＱＴｏｒｒになるよ
うに設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラム
基体３４を回転させ、ヒータ３５によシトラム基体３４
ｆ一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６により電
極３３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給し壬
、両者間にグ・−放電を形成する。これにょシ、ドラム
基体３４上にａ−８１：Ｈが堆積する。なお、原料ガス
中にＮ２０゜ＮＨ，ＮＯ□、Ｎ２．ＣＨ４１Ｃ２Ｈ４１
Ｏ２カｘ等を使用すルと、！：によシ、炭素、酸素、窒
素ｔ−ａ−８ｉ　：　Ｈ中に含有させることができる。

このように、本発明に係る電子写真感光体は、クローズ
ドシステムの製造装置で製造することができるため、人
体に対して安全である。

次に、本発明に係る電子写真感光体全成膜し、電子写真
特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドプラスト処理を施した直径が８０亀、幅が
３５０ｍｍのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に
装着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排気した
。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０　ｒｐｍで自転
させつつ、５ｉＨ４ｆスを５００　ＳＣＣＭ　、　　Ｂ
２Ｈ６１ｆスｔ−８ｔＨ４，ｔｌ’ｘに対する流量比で
１０　という流量で反応容器内に導入し、反応容器内の
圧力ｆ：Ｉ　Ｔｏｒｒに調節した。そして、１３．５６
ＭＨｚの高周波電力を印加してプラズマを生起させ、ド
ラム基体上にｐｆＪｍのａ−８ｉＣ：　Ｈ障壁層を形成
した。

次に、ＳｉＨ４，ｆスミ　５００　ＳＣＣＭ、　ＣＭ４
ガスｔ−３０８ＣＣＭという流量で反応容器内に導入し
、４００Ｗの高周波電力全印加し、１２０１のａ−８ｉ
Ｃ：　Ｈ薄層を形成した。次いで、ＣＨ４，ガスをＯと
し、Ｂ２Ｈ６ガスをＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０
　という流量で反応容器内に導入し、同様に４００Ｗの
高周波電力全印加して、１２０Ｘのｉ　Ｆｊｌ　ａ−８
ｉ　：　Ｈ薄層を形成した。このような操作を繰返して
５００層のａ−８ＩＣ：Ｈ薄層と５００層のａ−８ｔ：
Ｈ薄層とからなる１２μｍの超格子構造の電荷保持層を
形成した。

なお、ａ−８ｉＣ：Ｈ薄層の形成に際しては、各薄層の
形成ごとにＣＨ４ガスの流ｉｔ−徐々に減らし、最終的
に１０８ＣＣＭとして、炭素濃度を６原子チから２原子
チへと変化させた。

次いで、５ＩＨ４，ｆｆスを１００　ＳＣＣＭ、　Ｈ，
ガスｆ：１．２ＳＬＭという流量で導入し、反応容器内
の圧力を１．２Ｔｏｒｒとして、１．ＯｋＷの高周波電
力全印加し、１００１のμｃ−８ｔ：Ｈ薄層を形成した
。この薄層の結晶化度は８５チであった。次に、高周波
電力を６００Ｗ、！：して、同様Ｋ　１００１（７）　
Ａａ−８ｔ　：Ｈ薄層を形成した。この薄層の結晶化度
は６５％であった。このような操作を繰返して、結晶度
の異なる２００層づつのμａ−８ｔ：Ｈ薄層の組合せか
らなる５゛μｍの超格子構造の電荷発生層を形成した。

最後に、０．５μｍのａ−８ＩＣ：　Ｈ薄層からなる表
両層を形成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、仁の試験例で製造され九感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であり、更Ｋ、耐コロナ性。

耐湿性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実
証され九。

このようにして製造された感光体は、半導体レーデの発
振波長である７８０乃至７９０　ｎｍの長波長光に対し
ても高い感度を有する。この感光体を半導体レーザプリ
ンタに搭載してカールソンプロセスによシ画像を形成し
次ところ、感光体表面の露光量が２５　ｅｒｇσである
場合でも、鮮明で高解像度の画像を得ることができた。

試験例２ 電荷保持層の構成層の一つであるａ−８ｉＣＳＨ薄層の
代わシにａ−８ｉＮ：Ｈ薄層を形成したことを除いて、
試験例１と同様にして電子写真感光体を製造した。

なお、ａ−８ＩＮ　：　Ｈ薄層は、ＳｉＨ４ガス’ｅ　
５００　ＳＣＣＭ。

Ｎ２ガス’ｅ　８０　ＳＣＣＭという流量で反応容器内
に導入し、５００Ｗの高周波電力を印加することによシ
得られ次。この場合、各薄層の形成ごとにＮ２ガスの流
量を徐々に減らし、最終的に３０　ＳＣＣＭとして、窒
素濃度を５原子−から１原子チへと変化させた。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例３ 電荷保持層の構成層の１つであるａ−８ｉＣ：　Ｈ層の
炭素濃度を第３図（ａ）　、　（ｂ）および（ｃ）に示
すような割合で徐々に減らしたことを除き、試験例１と
同様にして電子写真感光体を製造した。

これらの感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を
形成しｔところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例４ 電荷保持層の構成層の１つであるａ−８ＩＮ：Ｈ層の窒
素濃度を第３図（ａ）　、　（ｂ）および（ｃ）に示す
ような割合で徐々に減らしたことを除き、試験例２と同
様にして電子写真感光体を製造した。

これらの感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を
形成したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

なお、電荷保持層および電荷発生層を構成する薄層の種
類は、上記試験例のように２種類に限らず、３種類以上
の薄層を積層しても良く、要するに、光学的バンドギャ
ップが相違する薄層の境界を形成すれば良い。

この発明によれば、 身に、光学的バンドギヤ、ｆが相互に異なる薄層を積層
して構成される超格子構造を使用するから、キャリアの
走行性が高いと共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写
真感光体を得ることができる。

特に、この発明においては、薄層を形成する材料を適宜
組み合わせることによシ、任意の波長帯の光に対して最
適の光導電特性を有する感光体を得ることができるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係る電子写真感光体を示す断
面図、第２図は本発明の実施例に係る電子写真感光体の
製造装置を示す図、第３図は薄層の元素濃度の変化を示
す図である。 第　１　凶 第　２　図 層１ （ａ） （ｃ） 箪　３ ）＃　１ （ｂ） 囚

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを有する電子写真感光
   体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層と
   から構成され、前記電荷発生層は、結晶度の異なる微結
   晶シリコン薄膜を交互に積層して構成され、前記電荷保
   持層は、非晶質シリコン薄膜と炭素、酸素および窒素の
   うちの少なくとも１種の元素を含む非晶質シリコン薄膜
   とを交互に積層して構成され、かつ後者の非晶質シリコ
   ン薄膜ごとの前記元素の濃度が層厚方向に変化している
   ことを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記薄膜の膜厚は３０〜２００Åであることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族および第Ｖ族
   に属する元素から選ばれた少なくとも１種の元素を含む
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電
   子写真感光体。
4. （４）前記電荷発生層は、炭素、酸素および窒素のうち
   の少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする特許請
   求の範囲第１〜３のうちのいずれか１項記載の電子写真
   感光体。
5. （５）前記電荷発生層に含まれる元素の濃度が層厚方向
   に変化していることを特徴とする特許請求の範囲第４項
   記載の電子写真感光体。
6. （６）前記電荷発生層は、結晶度が層厚方向に変化して
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１〜５のうちの
   いずれか１項記載の電子写真感光体。
7. （７）前記導電性支持体と前記光導電層との間に、非晶
   質材料又はその少なくとも一部が微結晶化した半導体材
   料からなる障壁層が形成されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。
8. （８）前記障壁層は、周期律表第III族および第Ｖ族に
   属する元素から選ばれた少なくとも１種の元素を含むこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の電子写真感
   光体。
9. （９）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素のうちの少
   なくとも１種の元素を含むことを特徴とする特許請求の
   範囲第７又は８項記載の電子写真感光体。
10. （１０）前記光導電層の上に表面層が形成されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感
    光体。