JPS63243955A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れた電子写真感光体に関する。

（従来の技術） 水素（Ｈ）　’！に含有するアモルファスシリコン（以
下、ａ−８ｔ　：　Ｈと略す）は、近年、光電変換材料
として注目されておシ、太陽電池、薄膜トランゾスタ、
及びイメージセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光
体に応用されている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、ｃｄｓ　＃　ＺｎＯｐ　ａｓ　ｐ若しくは５ｅ−Ｔｅ
等の無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶ
Ｃ２）若しくハトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）吟の
有機材料が使用されていた。しかしながら、ａ−８１：
Ｈはこれらの無機材料又は有機材料に比して、無公害物
質であるため回収処理の必要がないこと、可視光領域で
高い分光感度を有すること、並びに表面硬度が高く耐摩
耗性及び耐衝撃性が優れていること等の利点を有してい
る。このため、ａ−８１：Ｈは電子写真プロセスの感光
体として注目されている。

このａ−８ｔ：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体材
料として検討が進められているが、この場合、感光体特
性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しか
しながら、この両特性全単一の感光体で満足させること
が困難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障
壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層金膜けた
積層型の構造にすることによシ、このような要求を満足
させている。

（発明が解決しようとする問題点） ところで、ａ−８ｔ　：　Ｈは、通常、シラン系ガスを
使用したグロー放電分解法によ多形成されるが、この際
に、ａ−８ｉ：Ｈ膜中に水素が取り込まれ、水素量の差
によシミ気的及び光学的特性が大きく変動する。即ち、
ａ−８ｔ：Ｈ膜に侵入する水素の量が多くなると、光学
的バンドギャップが犬きくなシ、ａ−８ｔ：Ｈの抵抗が
高くなるが、それにともない、長波長光に対する光感度
が低下してしまうので、例えば、半導体レーデを搭載し
次し−デビームグリンタに使用することが困難である。

また、ａ−８ｉ：Ｈ＆中の水素の含有量が多くなると、
成膜条件によって、（ＳｉＨ２）ｎ及び５ＩＨ２等の結
合構造を有するものが膜中で大部分の領域を占める場合
がある。そうすると、ボイドが増加し、シリコンダング
リングがンドが増加する次め、光導電特性が劣化し、電
子写真感光体として使用不能になる。

逆に、ａ−８ｌ二Ｈ中に取込まれる水素の量が低下する
と、光学的バンドギャップが小さくなり、その抵抗が小
さくなるが、長波長光に対する光感度が増加する。しか
し、水素含有量が少ないと、シリコンダングリングデン
ドと結合してこれを減少させるべき水素が少なくなる。

このため、発生するキャリアの移動度が低下し、寿命が
短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい、電子写
真感光体として使用し難いものとなる。

このように、電子写真感光体の光導電層を単一のａ−８
ｌ：Ｈ層のみで構成したのでは、ａ−８ｔ：ＨＪｕの製
造条件によって特性が大きく変化し、望ましい特性が得
られないという問題がある。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能が優れておシ、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感光が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供すること
を目的とする。

［発明の構成］ （問題点を解決する九めの手段） 本発明者らは、種々研究金玉ねた結果、１子写真感光体
の光導電層を電荷保持層と電荷発生層とにより構成し、
電荷保持層を炭素等を含み、かつその濃度が異なる複数
の半導体膜の積；−即ち超格子構造により構成し、それ
ら半導体膜の界面近傍における炭素等の濃度を連続して
変化させることにより上記氏目的を達成し得ることを見
出し、本発明を完成するに至ったものである。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層とを具備する電子写真感光体であって、前記光導電
層は電荷発生層と電荷保持層とを有し、前記電荷発生層
は、非晶質シリコン薄膜と微結晶シリコン薄膜とを交互
に積層して構成され、前記電荷保持層は、炭素、酸素、
および窒素から選ばれた元素の少なくとも一種を含む非
晶質シリコン薄膜と微結晶シリコン薄膜とを交互に積層
して構成され、かつ前記元素の濃度が前記非晶質シリコ
ン薄膜の界面近傍で連続的に変化していることを特徴と
する。

前記非晶質シリコン薄膜中に含まれる炭素、酸素、窒素
の濃度は、好ましくは、０．１〜４０原子チ、よシ好ま
しくは０．５〜３０原子チである。

本発明において用いる微結晶シリコン（μｃ−８ｔ）は
、粒径が約数十オングストロームの微結晶シリコンと非
晶質シリコンとの混合相によシ形成されているものと考
えられ、以下のような物性上の特徴を有している。第一
に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８．５°付近にあ
る結晶回折パターンを示し、ハローのみが現れる無定形
のａ−８ｉから明確に区別される。第二に、μｃ−８ｉ
の暗抵抗に１０１０Ω・備以上に調整することができ、
暗抵抗に１ｏ５Ω・鋸のポリクリスタリンシリコンから
も明確に区別される。

本発明で用いる上記μｃ−８ｔの光学的バンドギャップ
（Ｅｇ’　）は、例えば１．５５ｅＶとするのが望まし
い。しかし、一定の範囲で任意に設定することができる
。望ましいＥｇＯを得るため夫々に所定量の水素を添加
し、μｃ−８ｉ　：　Ｈとして使用するのが好ましい。

これにより、シリコンのダングリングはンドが補償され
、暗抵抗と明抵抗の調和がとれ、光導電特性が向上する
。

（作用） 本発明の電子写真感光体では、電荷保持層に前記超格子
構造が設けられているため、この領域では発生したキャ
リアの寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論につ
いては未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子
構造に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効
果であることは疑いがなく、これは特に超格子効果とい
われる。

こうして電荷保持層でのキャリアの移動度が大きくなυ
、またキャリアの寿命が長くなることによって電子写真
感光体の感度は著しく向上することになる。

また、本発明においては、ａ−８ｉ薄膜に炭素、酸素、
窒素のうちの少なくとも一種を含有させているので、前
記のようにバンドギャップを調整するだけでなく、光導
電層の抵抗を増大して表面の電荷保持能力を高めること
ができる。

（実施例） 第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に電荷保持層５およ
び電荷発生層６からなる光導電ｈｊ３が形成されている
。また、電荷発生層６の上に表面層４が形成されている
。なお、電荷保持層５および電荷発生層６は超格子構造
を有している。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について、よ
り詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２はμｃ−８ｔやａ−８ｌ：Ｈを用いて形成して
もよく、またａ−ＢＮ　：　Ｈ（窒素および水素を添加
したアモルファス硼素）を使用してもよい。更に、絶縁
性の膜を用いてもよい。例えば、μｃ−８ｉ　：　Ｈ及
びａ−８ｌ：Ｈに炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸素Ｏから選択さ
れた元素の一種以上を含有させることにより、高抵抗の
絶縁性障壁層を形成することができる。

障壁層２の膜厚は１００Ｘ〜１０μｍが好ましい。

上記障壁ノー２は、導電性支持体１と電荷発生ＪＷＩ５
との間の電荷の流れを抑制することによシ感光体表面の
電荷保持機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形
成されるものである。従って、半導体層を障壁層に用い
てカールソン方式の感光体を構成する場合には、表面に
帯電させた電荷の保持能力を低下させないために、障壁
層２をＰ型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯
電させる場合には障壁層２をＰ型どじ、表面電荷を中和
する電子が電荷発生層に注入されるのを防止する。

逆に表面を負帯電させる場合には障壁層２を８世とし、
表面電荷を中和するホールが電荷発生層へ注入されるの
を防止する。障壁層２から注入されるキャリアは光の入
射で電荷発生層６内に発生するキャリアに対してノズル
となるから、上記のようにしてキャリアの注入を防止す
ることは感度の向上をもたらす。なお、μｃ−８ｉ　：
　Ｈやａ−８ｔ：ＨをＰ型にするためには、周期律表の
第■族に属する元素、例えば硼素Ｂ、アルミニウムＡｔ
、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、及びタリウムＴｔ等
をドーピングすることが好ましい。また、μｃ−８ｉ　
：　Ｈやａ−８１：ＨをＮ型にするためには周期律表の
第Ｖ族に属する元素、例えば窒素、燐Ｐ、砒素Ａｓ、ア
ンチモンｓｂ、及びビスマスＢｉ等をドーピングするこ
とを好ましい。

電荷発生層６は、光の入射によりキャリアを発生し、こ
のキャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯電電
荷と中和し、他方のものが電荷保持層５内を走行して導
電性支持体１に到達する。

電荷保持層５および電荷発生層６は、２種類の薄層を交
互に積層して構成されている。これら薄層は光学的バン
ドギャップが相違し、それぞれ厚みが３０〜５００Ｘの
範囲にある。

電荷保持層５を構成する超格子構造は、理想的には第２
図に示すように、例えば光学的バンドギャップの異なる
薄膜が不連続な周期ポテンシャルを形成することが望ま
しい。

しかし、このような超格子構造を成膜するには、各薄膜
の成膜ごとに反応室内のがスを７４−ジし、次の成膜の
際に薄膜に不純物が混入しないようにする必要があるた
め、成膜時間が非常に長くなり、量産性に乏しいという
欠点がある。また、プラズマＣＶＤにより成膜する場合
には、成膜面に絶えずイオンの衝突（イオンボンバード
）が生ずるため、それによって不純物が薄膜内に拡散し
てしまい、第２図に示す不連続の周期ポテンシャルは形
成できない。

これに対し、本発明に係る超格子構造では、第３図に示
すように、各薄膜の界面近傍における元素濃度即ち光学
的バンドギャップを連続的に変化させている。このよう
な超格子構造は、イオンボンバードを弱めるために高周
波電力を若干下げ、Ｈ２がスを多めに導入し、高周波電
力を一定にしたまま不純物等を含むガスの流量を適宜変
化させることによりて、又はガス流量を一定にしたまま
高周波電力を変化させることによって得ることが可能で
ある。このような方法で成膜することによシ、イオンボ
ンバードが弱められ、界面近傍の特性が連続的に変化し
た第３図の示すような周期的ポテンシャルが得られる。

このように、薄膜の界面近傍において、炭素等の謎度、
従りて光学的バンドギャップを連続的に変化させた超格
子構造を採用することにより、その成膜に際しては成膜
条件の安定を待たずに次々と成膜を行なうことができる
ため、成膜時間を著しく短縮でき、量産性に優れた結果
となる。また、成膜の連続化の故に、各薄膜間の密着性
が良好となる。

以上説明したように、光学的バンドギャップが相互に異
なる薄層を積層することによって、光学的バンドギャッ
プの大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギャップが小
さい層の基準にして光学的バンドギャップが大きな層が
バリアとなる周期的なポテンシャルバリアを有する超格
子構造が形成される。この超格子構造においては、バリ
ア薄膜が極めて薄いので、薄層におけるキャリアのトン
ネル効果により、キャリアはバリアを通過して超格子構
造中を走行する。また、このような超格子構造において
は、光の入射により発生するキャリアの数が多い。従っ
て、光感度が高い。なお、超格子構造の薄層のバンドギ
ャップと層厚を変更することにより、ヘテロ接合超格子
構造を有する層のみかけのバンドギャップを自由に調整
することができる。

電荷保持層５および電荷発生層６を構成するａ−８ｉ：
Ｈおよびμｃ−８ｔ　：　Ｈにおける水素の含有量は、
０．０１〜３０原子チが好ましく、１〜２５原子チがよ
り好ましい。このような水素の含有量により、シリコン
のダングリング〆ンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが
調和のとれたものとなり、光導電特性が向上する。

ａ−８ｔ　Ｓ　Ｈ層をグロー放電分解法により成膜する
には、原料としてＳｉＨ４及びＳ１□Ｈ６等のシラン類
ガスを反応室に導入し、高周波によりグロー放電するこ
とにより薄層中にＨを添加することができる。

必要に応じて、シラン類のキャリアがスとして水素又は
ヘリウムガスを使用することができる。一方、ＳｉＦ４
がス及び５ＩＣｔ４ガス等のハロゲン化ケイ素を原料ガ
スとして使用することができる。また、シラン類ガスと
ハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反応させても、同
様にＨを含有するａ−８ｔ　：　Ｈを成膜することがで
きる。なお、グロー放電分解法によらず、例えば、スパ
ッタリング等の物理的な方法によりでもこれ等の薄膜を
形成することができる。

μｃ−８ｉ層も、ａ−８ｔ：Ｈと同様に、高周波グロー
放電分解法により、シランがスを原料として、成膜する
ことができる。この場合に、支持体の温度をａ−８ｌ：
Ｈを形成する場合よりも高く設定し、高周波電力もａ−
８１：Ｈの場合よシも高く設定すると、μｃ−８１：　
Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波電
力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガスの
流量を増大させることができ、その結果、成膜速度を早
くすることができる。

また、原料ガスのＳｉＨ４及び５１２Ｈ６等の高次のシ
ランガスを水素で希釈したガスを使用することによシ、
μｃ−８ｉ　：　Ｈを一層高効率で形成することができ
る。

μｃ−８ｉ　：　Ｈ及びａ−８ｔ：Ｈをｐｍ、にするた
めには、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ
素Ｂ１アルミニウムＡＡ、ガリウムＧ＆、インジウムＩ
ｎ。

及びタリウムＴｔ等をドーピングすることが好ましく、
ｆｉａ−８ｌ：Ｈ及びａ−８１：Ｈをｎ型にするために
は、周期律表の第■族に属する元素、例えば、窒ＩＮ、
りンＰ１ヒｇＡｓ、アンチモンＳｂ、及びビスマスＢ１
等をドーピングすることが好ましい。このｐ型不純物又
はｎ型不純物のドーピングによシ、支持体側から光導電
層へ電荷が移動することが防止される。一方、μｃ−８
ｌ　：　Ｈ及びａ−８ｉ：Ｈに、炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸
素０から選択された少なくとも１種の元素を含有させる
ことにより、高抵抗とし、表面電荷保持能力を増大させ
ることができる。

電荷発生層６の上に表面層４が設けられている。

電荷発生層６のａ−８ｉ：Ｈ等は、その屈折率が３乃至
３．４と比較的大きいため、表面での光反射が起きやす
い。このような光反射が生じると、電荷発生層に吸収さ
れる光量の割合いが低下し、光損失が大きくなる。この
ため、表面層４を設けて反射を防止することが好ましい
。また、表面層４を設けることにより、電荷発生層６が
損傷から保護される。さらに、表面層を形成することに
より、帯電能が向上し、表面に電荷がよくのるようにな
る。

表面層を形成する材料としては、ａ−ｓｔＮ：　Ｈ、ａ
−８ｉＯ：　Ｈｌ及びａ−８ＩＣ：　Ｈ等の無機化合物
並びにポリ塩化ビニル及びポリアミド等の有機材料があ
る。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５ｏｏｖの正電圧で帯電させると、？テン
シャルバリアが形成される。この感光体に光（ｈりが入
射すると、電荷発生層６で電子と正孔のキャリアが発生
する。この伝導帯の電子は、感光体中の電界により、表
面層４側に向けて加速され、正孔は導電性支持体１側に
向けて加速される。この場合に、電荷保持層ではポテン
シャルの井戸層において、量子効果のために、超格子構
造でない単一層の場合に比して、キャリアの寿命が５乃
至１０倍と長い、更に、超格子構造においては、バンド
ギャップの不連続性により、周期的なバリア層が形成さ
れるが、キャリアはトンネル効果で容易にバイアス層を
通り抜けるので、キャリアの実効移動度はバルクにおけ
る移動度と同様であり、キャリアの走行性が優れている
。以上のごとく、光学的バンドギャップが相違する薄層
を積層した超格子構造によれば、高光導電特性を得るこ
とができ、従来の感光体よりも鮮明な画像を得ることが
できる。

以下に第４図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法によ＃）ｉＪｉ造する装置、並びに製造方
法を説明する。同図において、ガスボンベ２１，２２，
２３．２４には、例えば、夫々ＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６，Ｈ
２，ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらガス
ボンベ内のガスは、流量調整用のバルブ２６及び配管２
７を介して混合器２８に供給されるようになっている。

各ボンベには圧力計２５が設置されておシ、該圧力計２
５を監視しつつパルプ２６を調整することによシ混合器
２８に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節でき
る。混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供
給される。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が
鉛直方向の回りに回転可能に取付けられている。該回転
軸３０の上端に、円板状の支持台３２がその面を回転軸
３０に垂直にして固定されている。反応容器２９内には
、円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心
と一致させて底部３１上に設置されている。感光体のド
ラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を回転軸３０
の軸中心と一致させて載置されておυ、このドラム基体
３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３５が配設さ
れている。電極３３とドラム基体３４との間には高周波
電源３６が接続されており、電極３３およびドラム基体
３４間に高周波電流が供給されるようになっている。回
転軸３０はモータ３８によシ回転駆動される。反応容器
２９内の圧力は圧力計３７により監視され、反応容器２
９はダートパルプ３８を介して真空デンゾ等の適宜の排
気手段に連結されている。

上記製造装置によシ感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ｙ−トバルプ
３９を開にして反応容器２９内を約Ｑ、　ｌ　Ｔｏｒｒ
の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ２１．２２，２
３，２４から所要の反応ガス金所定の混合比で混合して
反応容器２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．０Ｔｏｒｒになるよ
うに設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラム
基体３４を回転させ、ヒータ３５によりドラム基体３４
を一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６によシミ
極３３とドラム基体３４との間に高周波′電流を供給し
て、両者間にグロー放電を形成する。これにより、ドラ
ム基体３４上にａ−８ｔ：Ｈが堆積する。なお、原料ガ
ス中にＮ２０゜ＮＨ５，Ｎｏ２．　Ｎ２．　ＣＨ４，０
２Ｈ４，０□ガス等を使用することにより、これらの元
素をａ−８ｔ：Ｈ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｍｍ、幅
３５０ｍのアルミニウム裂ドラム基体を反応容器内に装
着し、反応容器を約１０　トルの真空度に排気した。ド
ラム基体を２５０℃に加熱し、１０　ｒｐｍで自転させ
つつ、ＳｉＨ４がスを５００　ＳＣＣＭ、　Ｂ２Ｈ６が
スをＳｉＨ４がスに対する流量比で１０　という流量で
反応容器内に導入し、反応容器内の圧力をｌトルに調節
した。そして、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し
てノ２スマを生起させ、ドラム基体上にｐ壓のａ−８ｔ
：Ｈ障壁層を形成した。

次に、５ＩＨ４，ガスおよびＨ２ガスの流量をそれぞれ
５０ＳＣＣＭおよび５００　ＳＣＣＭとし、反応容器内
の圧力をＩＴｏｒｒとして、１　ｋＷの高周波電力を５
分間印加し、μｃ−８ｔ　：　Ｈ薄膜を形成した。次い
で、流量１５ＳＣＣＭのＣＨ４ガスを２分間導入し、ａ
−８ｉＣ：　Ｈ薄膜（炭素濃度：２原子チ）を形成した
。このような操作を繰返して、ａ−８ｉＣ：　Ｈ薄膜の
界面近傍の炭素濃度が連続的に変化する、２０μｍの電
荷保持層を形成した。

その後、ＳｉＨ４ガスを４００　ＳＣＣＭ、Ｈ２ガスを
５００ＳＣＣＭとし、３００Ｗの高周波電力を印加して
、５０人のａ−８１：　Ｈ薄膜を形成した。次いで、５
ＩＨ４ガスを５０　ＳＣＣＭ、　Ｈ２ガスを５００　Ｓ
ＣＣＭとし、８００Ｗの高周波電力を印加して、１００
Ｘのμｃ−８ｉ：Ｈ薄膜を形成した。このような操作を
繰返して、５μｍの電荷発生層を形成した。

最後に０．５μｍのａ−８１：Ｈからなる表面層を形成
した。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られた。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であシ、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。

試験例２ 電荷保持層を構成するａ−８ｉＣ：　Ｈ薄膜の代わりに
ａ−８ｉＮ　：　Ｈ薄膜（窒素濃度：２原子チ）を形成
したことを除き、試験例１と同様にして電子写真感光体
を製造した。なお、１−８ｉＮ　：　Ｈ薄膜は、高周波
電力を印加したまま２０ＳＣＣＭのＮ２ガスを導入する
ことによって得られた。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

以上、電荷保持層を２種類の薄膜により構成した試験例
について説明したが、それに限らず、３種類以上の薄膜
を積層してもよく、要するに、光学的バンドギャップが
相違する薄膜の境界を形成すれば良い。

［発明の効果コ 本発明によれば、光導電層に、光学的バンドギャップが
相互に異なる薄膜を積層して構成される超格子構造を使
用するため、キャリアの走行性が高いと共に、高抵抗で
帯電特性が優れた電子写真感光体を得ることができる。

特に、電荷保持層を構成する非晶質シリコン薄膜の界面
近傍における炭素等の濃度を連続的に変化させる構造を
採用しているため、撤産性に優れ、また、成膜の連続化
の故に、各薄膜間の密着性が良好である。更に、本発明
の電子写真感光体においては、薄膜を形成する材料を適
宜組み合わせることにより、任意の波長帯の光に対して
最適の光導電特性を有する感光体を得ることができると
いう利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図および第３図は超格子構造のエネルギバ
ンドを示す図、第４図はこの発明の実施例に係る電子写
真感光９体の製造装置を示す図である。 １：導電性支持体、２：障壁層、３：光導電層、４：表
面層、５：を荷保持層、６：電荷発生層。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　音楽１図 第２図　　　　　　第３図

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体と光導電層とを具備する電子写真感
   光体において、前記光導電層は電荷発生層と電荷保持層
   とを有し、前記電荷発生層は非晶質シリコン薄膜と微結
   晶シリコン薄膜とを交互に積層して構成され、前記電荷
   保持層は、炭素、酸素、および窒素から選ばれた元素の
   少なくとも一種を含む非晶質シリコン薄膜と微結晶シリ
   コン薄膜とを交互に積層して構成され、かつ前記元素の
   濃度が前記非晶質シリコン薄膜の界面近傍で連続的に変
   化していることを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）前記薄膜の膜厚は、３０〜５００Åであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体
   。
3. （３）前記光導電層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に
   属する元素から選択された少なくとも１種を含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載の電子写真
   感光体。
4. （４）前記電荷発生層および電荷保持層を構成する微結
   晶シリコン薄膜は、炭素、酸素、および窒素から選ばれ
   た元素の少なくとも一種を含むことを特徴とする特許請
   求の範囲第１〜３項のうちのいずれか１項記載の電子写
   真感光体。
5. （５）前記電荷発生層では、結晶化度が各薄膜の界面近
   傍において連続的に変化していることを特徴とする特許
   請求の範囲第１〜４項のうちのいずれか１項記載の電子
   写真感光体。
6. （６）前記導電性支持体と光導電層との間に、非晶質材
   料又は少なくとも一部が微結晶した半導体材料からなる
   障壁層を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の電子写真感光体。
7. （７）前記障壁層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に属
   する元素から選択された少なくとも一種を含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第６項記載の電子写真感光体。
8. （８）前記障壁層は、炭素、酸素および窒素からなる群
   から選択された元素の少なくとも一種を含むことを特徴
   とする特許請求の範囲第６項記載の電子写真感光体。
9. （９）前記光導電層の上に表面層を有することを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。