JPS6320183Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6320183Y2 JPS6320183Y2 JP12806881U JP12806881U JPS6320183Y2 JP S6320183 Y2 JPS6320183 Y2 JP S6320183Y2 JP 12806881 U JP12806881 U JP 12806881U JP 12806881 U JP12806881 U JP 12806881U JP S6320183 Y2 JPS6320183 Y2 JP S6320183Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity resonator
- output
- cut
- semi
- output line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、所望の発振周波数をもつてその発
振出力がdBリニアに変化するマイクロ波発振器
に関するものである。
振出力がdBリニアに変化するマイクロ波発振器
に関するものである。
従来、マイクロ波発振器の発振出力レベルを
dBリニアに変化させて出力するには、該マイク
ロ波発振器の固定出力を別個独立したカツトオフ
減衰器に加え、該カツトオフ減衰器によりdBリ
ニアに変化させていた。
dBリニアに変化させて出力するには、該マイク
ロ波発振器の固定出力を別個独立したカツトオフ
減衰器に加え、該カツトオフ減衰器によりdBリ
ニアに変化させていた。
第1図は、このような従来のマイクロ波発振器
およびカツトオフ減衰器の接続構成を示したもの
で、以下にその構成について説明する。
およびカツトオフ減衰器の接続構成を示したもの
で、以下にその構成について説明する。
発振器1はトランジスタTR、抵抗器R1,R2,
R3,内部導体CDを有する半同軸空胴共振器CV,
該半同軸空胴共振器CVに結合された励振用入力
端子TE,および先端に結合部COを有する発振出
力取り出し用の出力線路LIで構成されたコルピ
ツツ形発振器である。このような構成のマイクロ
波発振器の発振周波数は、よく知られているよう
に半同軸空胴共振器CVの共振周波数により決定
され、その内部導体CDの長さを可変して発振周
波数の値を変化させるものであり、前記出力線路
LIの先端の結合部COは半同軸空胴共振器CV内に
固定され、出力線路LIから一定レベルの発振出
力を得るものである。又アイソレータ2,4はカ
ツトオフ減衰器3(リアクタンス減衰器)の入出
力端に接続され、カツトオフ減衰器3の入出力イ
ンピーダンスを同軸線路の特性インピーダンスに
一致させている。したがつて、発振器1の発振出
力はアイソレータ2を介して前記カツトオフ減衰
器3に加えられ、カツトオフ減衰器3の減衰量調
整(距離y)により、dBリニアに変化する出力
をアイソレータ4を介して出力端子5から得るこ
とができる。
R3,内部導体CDを有する半同軸空胴共振器CV,
該半同軸空胴共振器CVに結合された励振用入力
端子TE,および先端に結合部COを有する発振出
力取り出し用の出力線路LIで構成されたコルピ
ツツ形発振器である。このような構成のマイクロ
波発振器の発振周波数は、よく知られているよう
に半同軸空胴共振器CVの共振周波数により決定
され、その内部導体CDの長さを可変して発振周
波数の値を変化させるものであり、前記出力線路
LIの先端の結合部COは半同軸空胴共振器CV内に
固定され、出力線路LIから一定レベルの発振出
力を得るものである。又アイソレータ2,4はカ
ツトオフ減衰器3(リアクタンス減衰器)の入出
力端に接続され、カツトオフ減衰器3の入出力イ
ンピーダンスを同軸線路の特性インピーダンスに
一致させている。したがつて、発振器1の発振出
力はアイソレータ2を介して前記カツトオフ減衰
器3に加えられ、カツトオフ減衰器3の減衰量調
整(距離y)により、dBリニアに変化する出力
をアイソレータ4を介して出力端子5から得るこ
とができる。
しかしながら、この構成によると発振器1から
dBリニアに変化する発振出力を取り出すために
は、発振器1の他に、別個独立したカツトオフ減
衰器3、および2個の高価なアイソレータ2,4
を用意しなければならない。そのため全体の構成
規模が大きくなり、筐体に収容する場合大きなス
ペースを必要とし、それに伴つてコストも高くな
つた。
dBリニアに変化する発振出力を取り出すために
は、発振器1の他に、別個独立したカツトオフ減
衰器3、および2個の高価なアイソレータ2,4
を用意しなければならない。そのため全体の構成
規模が大きくなり、筐体に収容する場合大きなス
ペースを必要とし、それに伴つてコストも高くな
つた。
この考案は、以上の問題にかんがみてなされた
もので、従来のマイクロ波発振器の半同軸空胴共
振器に、出力線路を包囲するようにカツトオフ導
波管を固定することによりカツトオフ減衰器機能
を付加して従来一定にしていた半同軸空胴共振器
の内部導体と、前記出力線路の先端の結合部との
距離を変えることにより、発振出力がdBリニア
に変化するようにしたマイクロ波発振器を提供す
るものである。
もので、従来のマイクロ波発振器の半同軸空胴共
振器に、出力線路を包囲するようにカツトオフ導
波管を固定することによりカツトオフ減衰器機能
を付加して従来一定にしていた半同軸空胴共振器
の内部導体と、前記出力線路の先端の結合部との
距離を変えることにより、発振出力がdBリニア
に変化するようにしたマイクロ波発振器を提供す
るものである。
以下、この考案について説明する。
第2図は、この考案の一実施例を示すもので、
半同軸空胴共振器CVを励振する回路は第1図と
同一である。この図において、カツトオフ導波管
WAは半同軸空胴共振器CVの出力線路LIを包囲
するように前記半同軸空胴共振器CVに設けたも
のである。そして出力線路LIは図示しないが、
たとえばラツク(rack)に取り付け、ピニオン
(pinion)をかみ合わせて、そのピニオンを回転
させるなどの機構によつて、カツトオフ導波管
WAの管軸方向に移動可能にされている。したが
つて、このような機構により出力線路LIの先端
の結合部COと半同軸空胴共振器CVの内部導体
CDとの距離x、すなわち、結合量を変化させる
ことができ、そのとき距離xに対応して、発振出
力をdBリニアに変化させるものである。
半同軸空胴共振器CVを励振する回路は第1図と
同一である。この図において、カツトオフ導波管
WAは半同軸空胴共振器CVの出力線路LIを包囲
するように前記半同軸空胴共振器CVに設けたも
のである。そして出力線路LIは図示しないが、
たとえばラツク(rack)に取り付け、ピニオン
(pinion)をかみ合わせて、そのピニオンを回転
させるなどの機構によつて、カツトオフ導波管
WAの管軸方向に移動可能にされている。したが
つて、このような機構により出力線路LIの先端
の結合部COと半同軸空胴共振器CVの内部導体
CDとの距離x、すなわち、結合量を変化させる
ことができ、そのとき距離xに対応して、発振出
力をdBリニアに変化させるものである。
第3図は距離xと出力レベルとの関係および、
そのときの発振周波数の変動を示す実験データで
ある。この実験データの実線aが示すように、出
力レベルは距離xの調整により0dBm〜−
100dBmまでdBリニアに変化することが分かる。
ここで出力線路LIを移動して距離xを変えると、
半同軸空胴共振器CVの容量性リアクタンスなど
に影響を与え、発振周波数が変動することが予想
されるが、第3図の実験データの点線bで示すよ
うに出力レベルがdBリニアに変化している間は、
発振周波数はほとんど変動がなく、実用上全く問
題がなかつた。
そのときの発振周波数の変動を示す実験データで
ある。この実験データの実線aが示すように、出
力レベルは距離xの調整により0dBm〜−
100dBmまでdBリニアに変化することが分かる。
ここで出力線路LIを移動して距離xを変えると、
半同軸空胴共振器CVの容量性リアクタンスなど
に影響を与え、発振周波数が変動することが予想
されるが、第3図の実験データの点線bで示すよ
うに出力レベルがdBリニアに変化している間は、
発振周波数はほとんど変動がなく、実用上全く問
題がなかつた。
第4図は、この考案の他の実施例を示すもの
で、前記第2図の実施例のトランジスタTR,お
よび抵抗器R1,R2,R3の代わりにガン・ダイオ
ードDIを発振素子として使用したものである。
この場合も前述した第3図とほぼ同一の特性が得
られ、発振出力をdBリニアに変化させることが
できる。
で、前記第2図の実施例のトランジスタTR,お
よび抵抗器R1,R2,R3の代わりにガン・ダイオ
ードDIを発振素子として使用したものである。
この場合も前述した第3図とほぼ同一の特性が得
られ、発振出力をdBリニアに変化させることが
できる。
第5図はこの考案のマイクロ波発振器の具体的
な構成例を示したもので、第2図と同一部分は同
一符号とされている。
な構成例を示したもので、第2図と同一部分は同
一符号とされている。
この図で半同軸空胴共振器CVの側壁の一部に
はカツトオフ導波管WAを構成する斜線で示した
内導体10の一端が嵌入されており、この内導体
10の他方の開放端には内導体10の内壁,及び
外壁を摺動するように2重の管体とされている外
導体20が挿入されている。
はカツトオフ導波管WAを構成する斜線で示した
内導体10の一端が嵌入されており、この内導体
10の他方の開放端には内導体10の内壁,及び
外壁を摺動するように2重の管体とされている外
導体20が挿入されている。
30は外導体20の開放端に固定されている出
力コネクタを示し、この出力コネクタ30の中心
には半同軸空胴共振器側に延伸している出力線路
LTを固定する絶縁体30Aで包囲されているピ
ン30Bが埋設されている。
力コネクタを示し、この出力コネクタ30の中心
には半同軸空胴共振器側に延伸している出力線路
LTを固定する絶縁体30Aで包囲されているピ
ン30Bが埋設されている。
なお、40は前記内導体10,及び外導体20
の間に必要に応じて張架されているスプリングで
必ずしも必要とするものではない。
の間に必要に応じて張架されているスプリングで
必ずしも必要とするものではない。
前記外導体20の外周には一部分にラツクギヤ
21が設けられ、このラツキギヤ21に噛合う歯
車22が図示しない調節機構の軸に固定されてい
る。
21が設けられ、このラツキギヤ21に噛合う歯
車22が図示しない調節機構の軸に固定されてい
る。
したがつて、調整機構の軸を回転すると歯車2
2が回転し、その回転方向によつて外導体20が
左右に摺動移動し、出力線路LTの結合部COと、
半同軸空胴共振器CVの内部導体CDとの距離Xが
変化する。
2が回転し、その回転方向によつて外導体20が
左右に摺動移動し、出力線路LTの結合部COと、
半同軸空胴共振器CVの内部導体CDとの距離Xが
変化する。
以上の実施例では、出力線路LIをカツトオフ
導波管WAの中で管軸方向に移動して距離xを変
えているが、逆に出力線路LIを固定して半同軸
空胴共振器CVを移動させ距離xを変えてもよい。
又発振出力の取り出しは電界結合による外、磁界
結合としてもよいことはいうまでもない。
導波管WAの中で管軸方向に移動して距離xを変
えているが、逆に出力線路LIを固定して半同軸
空胴共振器CVを移動させ距離xを変えてもよい。
又発振出力の取り出しは電界結合による外、磁界
結合としてもよいことはいうまでもない。
以上設明したように、この考案のマイクロ波発
振器は、半同軸空胴共振器に出力線路を包囲する
ようにカツトオフ導波管を固定することにより、
カツトオフ導波管の機能を付加して従来一定にし
ていた半同軸空胴共振器の内部導体と、前記出力
線路の先端の結合部との距離を積極的に変えるよ
うにしたので、発振周波数の変動もなく発振出力
がdBリニアに変化するようにできた。そのため
別個独立のカツトオフ減衰器が不要となり、さら
に従来2個必要であつたアイソレータを発振器と
負荷の出力インピーダンスの整合をとるときに必
要な1個だけで済むので、全体的に小形化が可能
になる利点を有するものである。
振器は、半同軸空胴共振器に出力線路を包囲する
ようにカツトオフ導波管を固定することにより、
カツトオフ導波管の機能を付加して従来一定にし
ていた半同軸空胴共振器の内部導体と、前記出力
線路の先端の結合部との距離を積極的に変えるよ
うにしたので、発振周波数の変動もなく発振出力
がdBリニアに変化するようにできた。そのため
別個独立のカツトオフ減衰器が不要となり、さら
に従来2個必要であつたアイソレータを発振器と
負荷の出力インピーダンスの整合をとるときに必
要な1個だけで済むので、全体的に小形化が可能
になる利点を有するものである。
第1図は従来の発振器とカツトオフ減衰器との
接続構成図、第2図はこの考案の実施例を示す回
路図、第3図は距離xと出力レベルとの関係およ
びそのときの発振周波数の変動を示す特性図、第
4図はこの考案の他の実施例を示す回路図、第5
図はこの考案のカツトオフ導波管の具体的な構成
例を示す断面図である。 図中、TRはトランジスタ、R1,R2,R3は抵抗
器、DIはガン・ダイオード、CVは半同軸空胴共
振器、TEは励振用入力端子、LIは出力線路、
WAはカツトオフ導波管、COは出力線路の結合
部、CDは内部導体である。
接続構成図、第2図はこの考案の実施例を示す回
路図、第3図は距離xと出力レベルとの関係およ
びそのときの発振周波数の変動を示す特性図、第
4図はこの考案の他の実施例を示す回路図、第5
図はこの考案のカツトオフ導波管の具体的な構成
例を示す断面図である。 図中、TRはトランジスタ、R1,R2,R3は抵抗
器、DIはガン・ダイオード、CVは半同軸空胴共
振器、TEは励振用入力端子、LIは出力線路、
WAはカツトオフ導波管、COは出力線路の結合
部、CDは内部導体である。
Claims (1)
- 内部導体を有する半同軸空胴共振器と、前記空
胴共振器に結合された励振用入力端子と、先端に
前記空胴共振器との結合部を有する出力線路とを
備えたマイクロ波発振器において、前記空胴共振
器の出力線路を包囲するように前記空胴共振器に
固定されたカツトオフ導波管を設け、前記カツト
オフ導波管内で前記結合部と前記内部導体との距
離が可変できる調整機構を備えていることを特徴
とするマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12806881U JPS5834410U (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12806881U JPS5834410U (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | マイクロ波発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834410U JPS5834410U (ja) | 1983-03-05 |
| JPS6320183Y2 true JPS6320183Y2 (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=29921779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12806881U Granted JPS5834410U (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834410U (ja) |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP12806881U patent/JPS5834410U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5834410U (ja) | 1983-03-05 |
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