JPS63201926A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
- Publication number
- JPS63201926A JPS63201926A JP62032397A JP3239787A JPS63201926A JP S63201926 A JPS63201926 A JP S63201926A JP 62032397 A JP62032397 A JP 62032397A JP 3239787 A JP3239787 A JP 3239787A JP S63201926 A JPS63201926 A JP S63201926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- semiconductor laser
- recording
- recording medium
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
本発明は、半導体レーザーで追記可能でかつ必要に応じ
て消去可能な有機光記録媒体に関する。
て消去可能な有機光記録媒体に関する。
［発明の背景］
従来、半導体レーザーによる追記型高密度光記録法とし
ては、例えば、テルル等の低融点金属薄膜にレーザー光
を照射して、ピットを形成し、反射率等の光学的変化を
読み取る方法が知られている。しかしながらこれらの媒
体は、腐蝕性や毒性等の致命的な欠点を有する。かかる
観点から、最近低融点金属の代りに有機色素を用いた記
録媒体が提案されている。これらは、色素がレーザーエ
ネルギーを吸収することにより、昇華、熱分解等を起こ
し、ビットを形成する性質を利用している。
ては、例えば、テルル等の低融点金属薄膜にレーザー光
を照射して、ピットを形成し、反射率等の光学的変化を
読み取る方法が知られている。しかしながらこれらの媒
体は、腐蝕性や毒性等の致命的な欠点を有する。かかる
観点から、最近低融点金属の代りに有機色素を用いた記
録媒体が提案されている。これらは、色素がレーザーエ
ネルギーを吸収することにより、昇華、熱分解等を起こ
し、ビットを形成する性質を利用している。
しかしながら、一般に半導体レーザー発振波長域（８Ｇ
Ｏｎ−近傍の近赤外領域）に吸収を示し、かつ熱的にも
環境的にも安定な色素は極めて少い、しかも近赤外域に
吸収を示す色素は、有機溶媒に対する溶解性に乏しく塗
工が困難であるばかりでなく、十分な強度の塗膜が得に
＜＜、丈夫な均質膜を得るためには、蒸着等による膜形
成が考えられるが、有機物であるため分解しやすく困難
である等の欠点を有する。その上、昇華、熱分解による
ビット形成には、大きいエネルギーを必要とするため、
低出力の小型半導体レーザーで記録することが困難であ
ったり、記録出来ても感度が低い等の欠点・を有する。
Ｏｎ−近傍の近赤外領域）に吸収を示し、かつ熱的にも
環境的にも安定な色素は極めて少い、しかも近赤外域に
吸収を示す色素は、有機溶媒に対する溶解性に乏しく塗
工が困難であるばかりでなく、十分な強度の塗膜が得に
＜＜、丈夫な均質膜を得るためには、蒸着等による膜形
成が考えられるが、有機物であるため分解しやすく困難
である等の欠点を有する。その上、昇華、熱分解による
ビット形成には、大きいエネルギーを必要とするため、
低出力の小型半導体レーザーで記録することが困難であ
ったり、記録出来ても感度が低い等の欠点・を有する。
一般にはこれらの問題点を内包する有機色素の中でも、
フタロシアニン類は、熱的にも、環境的にも極めて、安
定で蒸着等に耐え、その種類によっては近赤外に吸収を
示すものや、結晶多糸を示しかつ、加熱により相転移を
起すものは知られている０例えば、特開昭６０−４８３
９６号公報では、アルミニウムフタロシアニン、スズフ
タロシアニン。
フタロシアニン類は、熱的にも、環境的にも極めて、安
定で蒸着等に耐え、その種類によっては近赤外に吸収を
示すものや、結晶多糸を示しかつ、加熱により相転移を
起すものは知られている０例えば、特開昭６０−４８３
９６号公報では、アルミニウムフタロシアニン、スズフ
タロシアニン。
ゲルマニウムフタロシアニンが半導体レーザー（発振波
長８３０ｎＩＭ）照射により酸化されて、吸収スペクト
ルが変化することを利用した記録媒体や、特開昭６０−
１５４０９８号公報では無金属フタロシアニン、銅フタ
ロシアニン、コバルトフタロシアニン。
長８３０ｎＩＭ）照射により酸化されて、吸収スペクト
ルが変化することを利用した記録媒体や、特開昭６０−
１５４０９８号公報では無金属フタロシアニン、銅フタ
ロシアニン、コバルトフタロシアニン。
アルミニウムフタロシアニンクロリドが、５５０〜７Ｇ
０ｎｉに吸収を示し、ヘリウムネオンレーザ−（発振波
長６３２．４０１ ）光照射により、結晶型がα型から
β型に変化することを利用した記録媒体が提案されてい
る。
０ｎｉに吸収を示し、ヘリウムネオンレーザ−（発振波
長６３２．４０１ ）光照射により、結晶型がα型から
β型に変化することを利用した記録媒体が提案されてい
る。
しかしながら、前者の場合は、非可逆の酸化反応を利用
しているために書き込まれた記録を可逆的に消去するこ
とが出来ないばかりか、記録には高エネルギーを要する
等の欠点を有する。また、後者の場合は、媒体の吸収波
長域が５５０〜７００ ｎｓであるため、ガスレーザー
であるＨｅ−Ｎｅレーザー（発振波長域６３３ｎｍ ）
による記録には適するが小型半導体レーザーによる記録
には適当でない。
しているために書き込まれた記録を可逆的に消去するこ
とが出来ないばかりか、記録には高エネルギーを要する
等の欠点を有する。また、後者の場合は、媒体の吸収波
長域が５５０〜７００ ｎｓであるため、ガスレーザー
であるＨｅ−Ｎｅレーザー（発振波長域６３３ｎｍ ）
による記録には適するが小型半導体レーザーによる記録
には適当でない。
従って、小型軽量性を要求される光記録システムには不
適当である。
適当である。
本発明者らは以、Ｌの問題点に鑑み鋭意検討の結果、特
定の溶媒で処理したマグネシウムフタロシアニンがα型
とも、β型とも異なる結晶系になり、かつ半導体レーザ
ー発振波長域に極めて近接した８２０ｎｌ近傍に最大吸
収波長（λ−ａＸ）を示すばかりか、加熱により容易に
相転移をし、溶媒によりもとにもどる驚くべき性質を見
出し本発明に到達した。
定の溶媒で処理したマグネシウムフタロシアニンがα型
とも、β型とも異なる結晶系になり、かつ半導体レーザ
ー発振波長域に極めて近接した８２０ｎｌ近傍に最大吸
収波長（λ−ａＸ）を示すばかりか、加熱により容易に
相転移をし、溶媒によりもとにもどる驚くべき性質を見
出し本発明に到達した。
［発明のｌ的］
本発明の［１的は、従来技術の問題点に鑑み、小型半導
体レーザーで記録可能で、必要に応じて消去も可能な、
高感度・無毒・安定な光記録媒体を提供することにある
。
体レーザーで記録可能で、必要に応じて消去も可能な、
高感度・無毒・安定な光記録媒体を提供することにある
。
［発明の概要］
本媒体による記録原理は、次の通りである。半導体レー
ザー光を記録層に照射すると、記録層中のフタロシアニ
ン会合体は効率よくレーザー光を吸収し、吸収した光エ
ネルギーにより結晶相変化を起す、そして、変化した部
分（記録部）と未変化の部分（非記録部）との光の透過
率の差を弱い半導体レーザー光により読み取る０ｇＸ体
の構成によっては、図１に示すように透過型の読み取り
も可能であるし、図２に示すように記録層の背後に反射
層を設ければ反射型の読み取りも可能である。
ザー光を記録層に照射すると、記録層中のフタロシアニ
ン会合体は効率よくレーザー光を吸収し、吸収した光エ
ネルギーにより結晶相変化を起す、そして、変化した部
分（記録部）と未変化の部分（非記録部）との光の透過
率の差を弱い半導体レーザー光により読み取る０ｇＸ体
の構成によっては、図１に示すように透過型の読み取り
も可能であるし、図２に示すように記録層の背後に反射
層を設ければ反射型の読み取りも可能である。
本発明においては、８００〜８５０ｎ−に最大吸収波長
（λｌ１ａＸ）を有するマグネシウムフタロシアニン結
晶相から成る薄膜は、基板上に蒸着法やスパッタリング
法によりマグネシウムフタロシアニンのｆｉｌ！を形成
した後、特定の有機溶媒により処理することとにより得
られる。有機溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレ
ン、四塩化炭素、ジクロルエタン、ジブロモエタン、テ
トラクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素が好適に用
いられる。
（λｌ１ａＸ）を有するマグネシウムフタロシアニン結
晶相から成る薄膜は、基板上に蒸着法やスパッタリング
法によりマグネシウムフタロシアニンのｆｉｌ！を形成
した後、特定の有機溶媒により処理することとにより得
られる。有機溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレ
ン、四塩化炭素、ジクロルエタン、ジブロモエタン、テ
トラクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素が好適に用
いられる。
溶媒処理を行う前ノｒｉｌ！は、＾Ｊ、Ｈｏｒ、Ｒ，０
，１ｏｕｔｆｙ。
，１ｏｕｔｆｙ。
Ｔｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｅｓ、 １０６２９１−
３０１（１９８３）で報告されているようにα型結晶で
あり６９５および６４０ｎｌにλ−ａＸを示す、また、
ゲニン・チャン・ケー。
３０１（１９８３）で報告されているようにα型結晶で
あり６９５および６４０ｎｌにλ−ａＸを示す、また、
ゲニン・チャン・ケー。
相沢政男、 １１本化学会誌胆並（３） ０３９３〜４
０１に報告されているようにβ型結晶は６８Ｇおよび６
２５ｎｌｌにλｌａＸを示ず、それに対して、該有機溶
媒で処理した薄膜は、Ｒ，Ｑ、Ｌｏｕｔｆｙ、＾、Ｉ４
．ＩＩｏｒ、 Ｇ、Ｄｉｐａｏｌａ−Ｂａｒａｎｙｉ、
Ｃ，に、ｔｌｓｉａｏ、Ｊ、Ｉｍａｕ、Ｓｃｉ、、２９
（３）１１６−１２１（１９８５）に示されているよう
にα型でもβ型でもない結晶相であり約８２０ｎｉにλ
ｌａＸを示す０本発明で用いられる薄膜は、半導体レー
ザー発振波長域に強い吸収を示す為に０．０５〜１．０
μｍの薄膜が好適である。
０１に報告されているようにβ型結晶は６８Ｇおよび６
２５ｎｌｌにλｌａＸを示ず、それに対して、該有機溶
媒で処理した薄膜は、Ｒ，Ｑ、Ｌｏｕｔｆｙ、＾、Ｉ４
．ＩＩｏｒ、 Ｇ、Ｄｉｐａｏｌａ−Ｂａｒａｎｙｉ、
Ｃ，に、ｔｌｓｉａｏ、Ｊ、Ｉｍａｕ、Ｓｃｉ、、２９
（３）１１６−１２１（１９８５）に示されているよう
にα型でもβ型でもない結晶相であり約８２０ｎｉにλ
ｌａＸを示す０本発明で用いられる薄膜は、半導体レー
ザー発振波長域に強い吸収を示す為に０．０５〜１．０
μｍの薄膜が好適である。
本発明に於て用いられる基板としては、ガラスや金属の
ほか、ポリエステル、ポリカーボネート。
ほか、ポリエステル、ポリカーボネート。
ポリメチルメタアクリレート、ポリビニルクロリド、エ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース系樹脂等の有
機高分子材料のフィルムや板が好適に用いられる。また
、反射光を利用して読み取る場合には、反射層を設ける
必要がある０反射層としては、ＡＮ 、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｓｎ、Ａｇ。
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース系樹脂等の有
機高分子材料のフィルムや板が好適に用いられる。また
、反射光を利用して読み取る場合には、反射層を設ける
必要がある０反射層としては、ＡＮ 、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐ
ｔ、Ｓｎ、Ａｇ。
Ｂｉ等のレーザー発振波長域で高い反射率を有する金属
が好ましい。
が好ましい。
以下、実施例により本発明を詳述する。但し、本発明は
、これに限定されない。
、これに限定されない。
実施例１
ガラス基板上に、膜厚０．１８μｍのマグネシウムフタ
ロシアニン薄膜を真空蒸着により形成し、丈夫な青色の
透明均質膜を得た。これをクロロホルム中に、常温で１
０分間浸漬し、乾燥することにより媒体を作成した。得
られた塗膜を１５０℃で５分間加熱した０図３に、溶媒
処理前、溶媒処理後、加熱後の可視スペクトルを示す０
図から明らかなように、溶媒処理前の塗膜のスペクトル
は、６９２および６３８ｎｉにλ１ｌａＸを示し、α型
結晶を示した。
ロシアニン薄膜を真空蒸着により形成し、丈夫な青色の
透明均質膜を得た。これをクロロホルム中に、常温で１
０分間浸漬し、乾燥することにより媒体を作成した。得
られた塗膜を１５０℃で５分間加熱した０図３に、溶媒
処理前、溶媒処理後、加熱後の可視スペクトルを示す０
図から明らかなように、溶媒処理前の塗膜のスペクトル
は、６９２および６３８ｎｉにλ１ｌａＸを示し、α型
結晶を示した。
また溶媒処理後の塗膜のスペクトルは、処理前と異なり
、８２０ｎｍに、吸光度２．２の強い吸収を示した。そ
れに対して、熱処理後の塗膜の吸収スペクトルは、８２
０ｎｍの吸収ピークは全く消失した。熱処理後、この塗
膜をクロロホルム中に浸漬すると８２０ ｒｖの吸収は
完全に回復し、可逆的であることが示された。
、８２０ｎｍに、吸光度２．２の強い吸収を示した。そ
れに対して、熱処理後の塗膜の吸収スペクトルは、８２
０ｎｍの吸収ピークは全く消失した。熱処理後、この塗
膜をクロロホルム中に浸漬すると８２０ ｒｖの吸収は
完全に回復し、可逆的であることが示された。
溶媒処理後の塗膜のＸ線回折スペクトルを測定したとこ
ろ、図４に示したように結晶であることがわかった。そ
して、その塗膜を顕微鏡で４００倍に拡大して観察した
が、均一であり、この結晶が極めて微細であることがわ
かった。
ろ、図４に示したように結晶であることがわかった。そ
して、その塗膜を顕微鏡で４００倍に拡大して観察した
が、均一であり、この結晶が極めて微細であることがわ
かった。
次に、クロロホルム処理後の塗膜を種々の温度で加熱し
た場合の８２０ｎｍにおける吸光度の経時変化を図５に
示ず。
た場合の８２０ｎｍにおける吸光度の経時変化を図５に
示ず。
図から明らかな様に、１５０℃で加熱した場合は、吸光
度は急激に低下した。言い代えれば透過率が急激に増大
した。それに対して１００℃では、１時間では殆ど変化
せず、８０℃では、１００時間放置しても全く変化しな
かった。このことは、この相転移は極めて、鋭敏な温度
の閾値を有し、それ以上では、極めてすみやかに変化す
るがそれ以下では極めて変化しにくいことを示している
。即ち一般に行われているように記録の際に用いた半導
体レーザー光より弱いパワーの半導体レーザー光を照射
して読み取っても、未記録部に何ら影響を与えることが
ないため、高いＳ／Ｎ比が得られることを意味している
。
度は急激に低下した。言い代えれば透過率が急激に増大
した。それに対して１００℃では、１時間では殆ど変化
せず、８０℃では、１００時間放置しても全く変化しな
かった。このことは、この相転移は極めて、鋭敏な温度
の閾値を有し、それ以上では、極めてすみやかに変化す
るがそれ以下では極めて変化しにくいことを示している
。即ち一般に行われているように記録の際に用いた半導
体レーザー光より弱いパワーの半導体レーザー光を照射
して読み取っても、未記録部に何ら影響を与えることが
ないため、高いＳ／Ｎ比が得られることを意味している
。
この塗膜に２μｍ、パワー２０ｍ Ｗの半導体レーザー
（波長８３０ｎ１１）で書き込みを行うことにより、未
照射部に比べて、照射部分の透過率は著しく増加しな。
（波長８３０ｎ１１）で書き込みを行うことにより、未
照射部に比べて、照射部分の透過率は著しく増加しな。
実施例２
ガラス基板上に膜厚０．１８μｍのマグネシウムフタロ
シアニン薄膜を真空蒸着により形成した９次いで、この
薄膜をジクロルメタン、ジクロルエタン、ジブロモエタ
ン、トリクロルエチレン、四塩化炭素のいずれかに、常
温で１０分間浸漬し、乾燥し媒体を作成した。溶媒処理
前後の吸収スペクトルを図６に示す０図より明らかなよ
うに、いずれのハロゲン系溶媒の場合も、８２０ｎ１１
近傍にピークを示した。そして、このピークは、１５０
℃で１０分間加熱処理することにより、完全に消失する
ことが分った。
シアニン薄膜を真空蒸着により形成した９次いで、この
薄膜をジクロルメタン、ジクロルエタン、ジブロモエタ
ン、トリクロルエチレン、四塩化炭素のいずれかに、常
温で１０分間浸漬し、乾燥し媒体を作成した。溶媒処理
前後の吸収スペクトルを図６に示す０図より明らかなよ
うに、いずれのハロゲン系溶媒の場合も、８２０ｎ１１
近傍にピークを示した。そして、このピークは、１５０
℃で１０分間加熱処理することにより、完全に消失する
ことが分った。
図１は、本発明の透過型ａ体の構成例を示す断面図であ
り、１は記録層、２は基板を示す０図２は反射型媒体の
構成例を示す断面図であり、３は反射層、４は記録層、
５は透明基板を示す１図３は実施例１の溶媒処理前及び
後、および加熱後の媒体の可視吸収スペクトルを示す０
図中ａは、溶媒処理前、ｂは溶媒処理後、Ｃはｂの熱処
理後のスペクトルにそれぞれ対応している０図４は溶媒
処理後の塗膜のＸ！１回折スペクトルを示す。図５は溶
媒処理後の塗膜を種々の温度で加熱した場合の８２０ｎ
ｇｇにおける吸光度の経時変化を示す。図６は実施例２
の溶媒処理前及び後の媒体の可視吸収スペクトルを示す
０図中ａは、溶媒処理前、ｂはジクロルエタン、Ｃはジ
ブロモエタン、ｄはジクロルメタン、ｅはテトラクロル
エチレン、ｆは四塩化炭素で処理後のスペクトルに、そ
れぞれ対応している。 ｌ２ 胆４ 熱九理時間（分） 酊 日６
り、１は記録層、２は基板を示す０図２は反射型媒体の
構成例を示す断面図であり、３は反射層、４は記録層、
５は透明基板を示す１図３は実施例１の溶媒処理前及び
後、および加熱後の媒体の可視吸収スペクトルを示す０
図中ａは、溶媒処理前、ｂは溶媒処理後、Ｃはｂの熱処
理後のスペクトルにそれぞれ対応している０図４は溶媒
処理後の塗膜のＸ！１回折スペクトルを示す。図５は溶
媒処理後の塗膜を種々の温度で加熱した場合の８２０ｎ
ｇｇにおける吸光度の経時変化を示す。図６は実施例２
の溶媒処理前及び後の媒体の可視吸収スペクトルを示す
０図中ａは、溶媒処理前、ｂはジクロルエタン、Ｃはジ
ブロモエタン、ｄはジクロルメタン、ｅはテトラクロル
エチレン、ｆは四塩化炭素で処理後のスペクトルに、そ
れぞれ対応している。 ｌ２ 胆４ 熱九理時間（分） 酊 日６
Claims (1)
- ８００〜８５０ｎｍに最大吸収波長（λｍａｘ）を有す
るマグネシウムフタロシアニン結晶相から主として成る
ことを特長とする相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032397A JP2555050B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032397A JP2555050B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201926A true JPS63201926A (ja) | 1988-08-22 |
| JP2555050B2 JP2555050B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=12357819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032397A Expired - Lifetime JP2555050B2 (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555050B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003074282A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-12 | Sony Corporation | Rewritable optical information recording medium and recording/reproducing method, recording/reproducing device |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62032397A patent/JP2555050B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003074282A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-12 | Sony Corporation | Rewritable optical information recording medium and recording/reproducing method, recording/reproducing device |
| EP1484191A4 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-02 | Sony Corp | Rewritable optical data recording medium and logging / reproducing method, logging / retrofusion device |
| CN100401400C (zh) * | 2002-02-15 | 2008-07-09 | 索尼株式会社 | 可再书写光学信息记录介质、记录/再现方法及记录/再现设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2555050B2 (ja) | 1996-11-20 |
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