JPS63201979A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS63201979A JPS63201979A JP62033645A JP3364587A JPS63201979A JP S63201979 A JPS63201979 A JP S63201979A JP 62033645 A JP62033645 A JP 62033645A JP 3364587 A JP3364587 A JP 3364587A JP S63201979 A JPS63201979 A JP S63201979A
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- JP
- Japan
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- pattern
- soft magnetic
- magnetic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔概 要〕
Ｐｉ差のある軟磁性体層から形成された軟磁性体パター
ンは肩に“だれ”や“かぺ”を生じる。そこで軟磁性体
パターン形成工程を分割することによって、“だれ”や
“かべ”の発生を皆無にし磁気バブルの伝播特性向、Ｆ
を図ったものである。 〔産業上の利用分野〕 本発明は軟磁性体で構成された転送路を有する磁気バブ
ルメモリ素子に関する。 軟磁性体転送路を有する磁気バブルメモリ素子において
、パーマロイ等から形成された軟磁性体パターンの断面
形状は、磁気バブルを円滑に転送するため明確な稜線を
具えていることが要求される。しかし磁気バブルメモリ
素子の層構成や軟磁性体パターンの形成技術に欠陥があ
ると、肩部断面が円弧状になって稜線が不明確になる現
象（だれと称する）や、肩部断面が隆起する現象（かべ
と称する）が発生し磁気バブルの円滑な転送を阻害する
。 そこで磁気バブルの円滑な転送を阻害する“だれ”や“
かべ”を発生させることの無い、磁気バブルメモリ素子
の層構成やその製造技術の開発が望まれている。 〔従来の技術〕 第２図は従来の磁気バブルメモリ素子の層構成を示す図
、第３図は従来の軟磁性体パターン形成工程を示す図で
ある。 軟磁性体転送路型の従来の磁気バブルメモリ素子は第２
図に示す如く、ＧＧＧ （ガドリニウム・ガリウム・ガ
ーネット）基板上に生成された磁性ガーネット等の磁性
薄膜１、パーマロイ等の軟磁性体で形成された軟磁性体
転送路２、機能ゲートを制御する制御用導体３等で構成
されており、軟磁性体転送路２は機能ゲートバタニン２
１や情報格納パターン２２と、それ等の間を結合する接
続パターン２３等を包含している。 またそれ等の金ｆＥ［の間には、例えば磁性Ｗｔ膜ｌと
制御用導体３とを絶縁する第１の絶縁層４１、制御用導
体３により生じた四部に形成されるスペーサ層４２、軟
磁性体転送路２の下に形成され制御用導体３と機能ゲー
トパターン２１との間、或いは磁性薄ｆｉｉ １と情報
格納パターン２２との間を絶縁する第２の絶縁層４３等
、各種の絶縁層が形成されている。 なお機能ゲートパターン２１と情報格納パターン２２の
間には図示の如く大きい段差があり、軟磁性体転送路を
形成する際の軟磁性体の残存を防止すると共に、磁気バ
ブルを機能ゲートパターン２１から情報格納パターン２
２へ、或いは情報格納パターン２２から機能ゲートパタ
ーン２１へ円滑に転送するため、接続パターン２３は機
能ゲートパターン２１と情報格納パターン２２の中間に
形成されている。 かかる軟磁性体パターンの形成工程を第３図により説明
する。 ■ レジスト膜形成：第３図（ａ）に示す如く軟磁性体
ＦｉＩ２０の上に感光性を有する樹脂を塗布しレジスト
膜５を形成する。 ■ レジストパターン形成：第３図山）に示す如くフォ
トリソグラフィ技術によって、軟磁性体層２０の上にレ
ジストパターン５１を形成する。 ■ 軟磁性体パターン形成：第３図（Ｃ）に示す如くレ
ジストパターン５１と露出している軟磁性体層２０を、
イオンミリング加工によって最上面から順次削り取り、
レジストパターン５１で被覆されている軟磁性体層２０
を、残すことによって軟磁性体パターン２１．２２．２
３等を形成する。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしイオンミリング加工は最上面から順次削り取るた
め、レジストパターンの膜厚に差があると薄い部分のレ
ジストパターンが早く無くなり、厚い部分のレジストパ
ターンを除去している間に軟磁性体層まで削り取られる
。その結果レジストパターンの膜厚が薄い部分では肩部
に“だれ”を生じ、レジストパターンの膜厚が厚い部分
では肩部に“かべ”を生じることが多い。 第２図に示す如く軟磁性体転送路型の磁気バブルメモリ
素子は、機能ゲートパターンと接続パターンとの間、お
よび接続パターンと情報格納パターンとの間に段差があ
り、段差に近い部分ではレジスト膜を形成する際に膜厚
に差ができるため、第３図（Ｃ）に示す如くこの部分に
“だれ”や“かべ”が発生しやすいという問題があうた
。 〔問題点を解決するための手段〕 第１図は本発明になる磁気バブルメモリ素子の層構成を
示す図である。なお全図を通し同じ対象物は同一記号で
表している。 上記問題点は少なくとも機能ゲートパターン２１や情報
格納パターン２２と、それ等の間を結合する接続パター
ン２３を含む転送路２を、軟磁性体パターンで構成して
なる磁気バブルメモリ素子であって、軟磁性体パターン
形成工程をスペーサ層形成工程の前後に２分割し、スペ
ーサ層形成、１程の前に行う軟磁性体パターン形成では
情報格納パターン２２を、またスペーサ層形成工程の後
に行う軟磁性体パターン形成では機能ゲートパターン２
１や接続パターン２３を形成し、情報格納パターン２２
を構成する軟磁性体パターンと、機能ゲートパターン２
１や接続パターン２３を構成する軟磁性体パターンの間
に、スペーサ層４２を介在せしめてなる本発明の磁気バ
ブルメモリ素子によって解決される。 〔作用〕 第１図において軟磁性体パターン形成工程をスペーサ層
形成工程の前後に２分割し、スペーサ層形成工程の前に
行う軟磁性体パターン形成では情報格納パターン２２を
、スペーサ層形成工程の後に行う軟磁性体パターン形成
では機能ゲートパターン２１や接続パターン２３を形成
し、機能ゲートパターン２１や接続パターン２３を構成
する軟磁性体パターンと、情報格納パターン２２を構成
する軟磁性体パターンの間にスペーサＭ４２を介在せし
めることによって、それぞれの軟磁性体パターンを形成
する際の段差が小さくなり、磁気バブルの円滑な転送を
阻害する“だれ”や“かぺ”が皆無になって、磁気バブ
ルメモリ素子における磁気バブルの伝播特性向上を図る
ことができる。 〔実施例〕 以下添付図により本発明の実施例について詳細に説明す
る。なお第４図および第５図は本発明の軟磁性体パター
ン形成工程を示す図である。 本発明になる磁気バブルメモリ素子は第１図に示す如く
、軟磁性体転送路形成時の下地になる部分と軟磁性体転
送路部分に大別され、下地になる部分はＧＧＧ基板上に
生成された磁性ガーネット等の磁性薄Ｍ １ 、軟磁性
体転送路の機能ゲートを制御する制御用導体３、磁性薄
膜１と制御用導体３とを絶縁する第１の絶縁層４１、お
よび制御用導体３と第１の絶縁層４１の上に被着された
第２の絶縁層４３で構成されＣいる。 また軟磁性体転送路部分は軟磁性体パターン形成の第１
工程において、第２の絶縁層４３の上に形成された情報
格納パターン２２と、制御用導体３および情報格納パタ
ーン２２により生じた凹部に形成されるスペーサ層４２
と、軟磁性体パターン形成の第２工程においてスペーサ
層４２の上に形成された、機能ゲートパターン２１や接
続パターン２３等で構成されている。 かかる磁気バブルメモリ素子は第４図および第５図に示
す工程により形成される。
ンは肩に“だれ”や“かぺ”を生じる。そこで軟磁性体
パターン形成工程を分割することによって、“だれ”や
“かべ”の発生を皆無にし磁気バブルの伝播特性向、Ｆ
を図ったものである。 〔産業上の利用分野〕 本発明は軟磁性体で構成された転送路を有する磁気バブ
ルメモリ素子に関する。 軟磁性体転送路を有する磁気バブルメモリ素子において
、パーマロイ等から形成された軟磁性体パターンの断面
形状は、磁気バブルを円滑に転送するため明確な稜線を
具えていることが要求される。しかし磁気バブルメモリ
素子の層構成や軟磁性体パターンの形成技術に欠陥があ
ると、肩部断面が円弧状になって稜線が不明確になる現
象（だれと称する）や、肩部断面が隆起する現象（かべ
と称する）が発生し磁気バブルの円滑な転送を阻害する
。 そこで磁気バブルの円滑な転送を阻害する“だれ”や“
かべ”を発生させることの無い、磁気バブルメモリ素子
の層構成やその製造技術の開発が望まれている。 〔従来の技術〕 第２図は従来の磁気バブルメモリ素子の層構成を示す図
、第３図は従来の軟磁性体パターン形成工程を示す図で
ある。 軟磁性体転送路型の従来の磁気バブルメモリ素子は第２
図に示す如く、ＧＧＧ （ガドリニウム・ガリウム・ガ
ーネット）基板上に生成された磁性ガーネット等の磁性
薄膜１、パーマロイ等の軟磁性体で形成された軟磁性体
転送路２、機能ゲートを制御する制御用導体３等で構成
されており、軟磁性体転送路２は機能ゲートバタニン２
１や情報格納パターン２２と、それ等の間を結合する接
続パターン２３等を包含している。 またそれ等の金ｆＥ［の間には、例えば磁性Ｗｔ膜ｌと
制御用導体３とを絶縁する第１の絶縁層４１、制御用導
体３により生じた四部に形成されるスペーサ層４２、軟
磁性体転送路２の下に形成され制御用導体３と機能ゲー
トパターン２１との間、或いは磁性薄ｆｉｉ １と情報
格納パターン２２との間を絶縁する第２の絶縁層４３等
、各種の絶縁層が形成されている。 なお機能ゲートパターン２１と情報格納パターン２２の
間には図示の如く大きい段差があり、軟磁性体転送路を
形成する際の軟磁性体の残存を防止すると共に、磁気バ
ブルを機能ゲートパターン２１から情報格納パターン２
２へ、或いは情報格納パターン２２から機能ゲートパタ
ーン２１へ円滑に転送するため、接続パターン２３は機
能ゲートパターン２１と情報格納パターン２２の中間に
形成されている。 かかる軟磁性体パターンの形成工程を第３図により説明
する。 ■ レジスト膜形成：第３図（ａ）に示す如く軟磁性体
ＦｉＩ２０の上に感光性を有する樹脂を塗布しレジスト
膜５を形成する。 ■ レジストパターン形成：第３図山）に示す如くフォ
トリソグラフィ技術によって、軟磁性体層２０の上にレ
ジストパターン５１を形成する。 ■ 軟磁性体パターン形成：第３図（Ｃ）に示す如くレ
ジストパターン５１と露出している軟磁性体層２０を、
イオンミリング加工によって最上面から順次削り取り、
レジストパターン５１で被覆されている軟磁性体層２０
を、残すことによって軟磁性体パターン２１．２２．２
３等を形成する。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしイオンミリング加工は最上面から順次削り取るた
め、レジストパターンの膜厚に差があると薄い部分のレ
ジストパターンが早く無くなり、厚い部分のレジストパ
ターンを除去している間に軟磁性体層まで削り取られる
。その結果レジストパターンの膜厚が薄い部分では肩部
に“だれ”を生じ、レジストパターンの膜厚が厚い部分
では肩部に“かべ”を生じることが多い。 第２図に示す如く軟磁性体転送路型の磁気バブルメモリ
素子は、機能ゲートパターンと接続パターンとの間、お
よび接続パターンと情報格納パターンとの間に段差があ
り、段差に近い部分ではレジスト膜を形成する際に膜厚
に差ができるため、第３図（Ｃ）に示す如くこの部分に
“だれ”や“かべ”が発生しやすいという問題があうた
。 〔問題点を解決するための手段〕 第１図は本発明になる磁気バブルメモリ素子の層構成を
示す図である。なお全図を通し同じ対象物は同一記号で
表している。 上記問題点は少なくとも機能ゲートパターン２１や情報
格納パターン２２と、それ等の間を結合する接続パター
ン２３を含む転送路２を、軟磁性体パターンで構成して
なる磁気バブルメモリ素子であって、軟磁性体パターン
形成工程をスペーサ層形成工程の前後に２分割し、スペ
ーサ層形成、１程の前に行う軟磁性体パターン形成では
情報格納パターン２２を、またスペーサ層形成工程の後
に行う軟磁性体パターン形成では機能ゲートパターン２
１や接続パターン２３を形成し、情報格納パターン２２
を構成する軟磁性体パターンと、機能ゲートパターン２
１や接続パターン２３を構成する軟磁性体パターンの間
に、スペーサ層４２を介在せしめてなる本発明の磁気バ
ブルメモリ素子によって解決される。 〔作用〕 第１図において軟磁性体パターン形成工程をスペーサ層
形成工程の前後に２分割し、スペーサ層形成工程の前に
行う軟磁性体パターン形成では情報格納パターン２２を
、スペーサ層形成工程の後に行う軟磁性体パターン形成
では機能ゲートパターン２１や接続パターン２３を形成
し、機能ゲートパターン２１や接続パターン２３を構成
する軟磁性体パターンと、情報格納パターン２２を構成
する軟磁性体パターンの間にスペーサＭ４２を介在せし
めることによって、それぞれの軟磁性体パターンを形成
する際の段差が小さくなり、磁気バブルの円滑な転送を
阻害する“だれ”や“かぺ”が皆無になって、磁気バブ
ルメモリ素子における磁気バブルの伝播特性向上を図る
ことができる。 〔実施例〕 以下添付図により本発明の実施例について詳細に説明す
る。なお第４図および第５図は本発明の軟磁性体パター
ン形成工程を示す図である。 本発明になる磁気バブルメモリ素子は第１図に示す如く
、軟磁性体転送路形成時の下地になる部分と軟磁性体転
送路部分に大別され、下地になる部分はＧＧＧ基板上に
生成された磁性ガーネット等の磁性薄Ｍ １ 、軟磁性
体転送路の機能ゲートを制御する制御用導体３、磁性薄
膜１と制御用導体３とを絶縁する第１の絶縁層４１、お
よび制御用導体３と第１の絶縁層４１の上に被着された
第２の絶縁層４３で構成されＣいる。 また軟磁性体転送路部分は軟磁性体パターン形成の第１
工程において、第２の絶縁層４３の上に形成された情報
格納パターン２２と、制御用導体３および情報格納パタ
ーン２２により生じた凹部に形成されるスペーサ層４２
と、軟磁性体パターン形成の第２工程においてスペーサ
層４２の上に形成された、機能ゲートパターン２１や接
続パターン２３等で構成されている。 かかる磁気バブルメモリ素子は第４図および第５図に示
す工程により形成される。
【１】軟磁性体パターン形成の第１工程軟磁性体パター
ン形成の第１工程では第４図に示す如く情報格納パター
ンを形成する。 ■ レジスト膜形成：第４図（ａ）に示す如く軟磁性体
層２４の上に感光性を有する樹脂を塗布しレジスト膜５
を形成する。 ■ レジストパターン形成：第４図中）に示す如くフォ
トリソグラフィ技術によって、軟磁性体層２４の上にレ
ジストパターン５２を形成する。 ■ 情報格納パターン形成：第４図（Ｃ）に示す如くレ
ジストパターン５２と露出している軟磁性体層２４を、
イオンミリング加工によって最上面から順次削り取り、
レジストパターン５２で被覆されている軟磁性体層２４
を残すことによって情報格納パターン２２を形成する。
ン形成の第１工程では第４図に示す如く情報格納パター
ンを形成する。 ■ レジスト膜形成：第４図（ａ）に示す如く軟磁性体
層２４の上に感光性を有する樹脂を塗布しレジスト膜５
を形成する。 ■ レジストパターン形成：第４図中）に示す如くフォ
トリソグラフィ技術によって、軟磁性体層２４の上にレ
ジストパターン５２を形成する。 ■ 情報格納パターン形成：第４図（Ｃ）に示す如くレ
ジストパターン５２と露出している軟磁性体層２４を、
イオンミリング加工によって最上面から順次削り取り、
レジストパターン５２で被覆されている軟磁性体層２４
を残すことによって情報格納パターン２２を形成する。
【２】スペーサ層形成工程
制御用導体３および情報格納パターン２２により一生じ
た凹部に、第４図（ｄ）に示す如く絶縁性の樹脂を充填
してスペーサ層４２を形成する。
た凹部に、第４図（ｄ）に示す如く絶縁性の樹脂を充填
してスペーサ層４２を形成する。
【３】軟磁性体パターン形成の第２工程軟磁性体パター
ン形成の第２工程では第５図に示す如く、機能ゲートパ
ターンや接続パターン等を形成する。 ■ レジス）ｌｌｆｆ形成：第５図（ａ）に示す如く軟
磁性体層２５の上に感光性を有する樹脂を塗布しレジス
ト膜５を形成する。 ■ レジストパターン形成：第５図（ｂ）に示す如くフ
ォトリソグラフィ技術によって、軟磁性体層２５の上に
レジストパターン５３を形成する。 ■ 機能ゲートパターンや接続パターンの形成：第５図
（Ｃ）に示す如（レジストパターン５３と露出している
軟磁性体層２５を、イオンミリング加工によって最上面
から順次削り取り、レジストパターン５３で被覆されて
いる軟磁性体層２５を残すごとによって、機能ゲートパ
ターン２１や接続パターン２３を形成する。 第４図に示す如く第２の絶縁層４３の上に形成された軟
磁性体層２４は、少なくとも情報格納パターン２２を形
成する領域では平坦で、軟磁性体層２４の上に形成され
たレジストパターン５２の膜厚が一様になるため、軟磁
性体パターンを形成する際の軟磁性体の残存が無く“だ
れ”や“かべ”は全く発生しない。また第５図に示す如
くスペーサ層４２の上に形成された軟磁性体層２５は、
従来の磁気バブルメモリ素子に比べて段差が小さいため
、軟磁性体層２５の上に形成されたレジストパターン５
３の膜厚変動が小さく、機能ゲートパターン２１や接続
パターン２３を形成する際の“だれ”や“かべ”の発生
が皆無になる。 このように軟磁性体パターン形成工程をスペーサ層形成
工程の前後に２分割し、スペーサ層形成工程の前に行う
軟磁性体パターン形成では情報格納パターン２２を、ス
ペーサ層形成工程の後に行う軟磁性体パターン形成では
機能ゲートパターン２１や接続パターン２３を形成し、
機能ゲートパターン２１や接続バクーン２３を構成する
軟磁性体パターンと、情報格納パターン２２を構成する
軟磁性体パターンの間にスペーサ層４２を介在せしめる
ことによって、それぞれの軟磁性体パターンを形成する
際の段差が小さくなり、磁気バブルの円滑な転送を阻害
する“だれ”や“かべ”が皆無になっ′ζ、磁気バブル
メモリ素子における磁気バブルの伝播特性向上を図るこ
とができる。 〔発明の効果〕 上述の如く本発明によれば“だれ”や“かべ”の発生を
皆無にし、磁気バブルの伝播特性向−ヒを図った磁気バ
ブルメモリ素子を提供することができる。
ン形成の第２工程では第５図に示す如く、機能ゲートパ
ターンや接続パターン等を形成する。 ■ レジス）ｌｌｆｆ形成：第５図（ａ）に示す如く軟
磁性体層２５の上に感光性を有する樹脂を塗布しレジス
ト膜５を形成する。 ■ レジストパターン形成：第５図（ｂ）に示す如くフ
ォトリソグラフィ技術によって、軟磁性体層２５の上に
レジストパターン５３を形成する。 ■ 機能ゲートパターンや接続パターンの形成：第５図
（Ｃ）に示す如（レジストパターン５３と露出している
軟磁性体層２５を、イオンミリング加工によって最上面
から順次削り取り、レジストパターン５３で被覆されて
いる軟磁性体層２５を残すごとによって、機能ゲートパ
ターン２１や接続パターン２３を形成する。 第４図に示す如く第２の絶縁層４３の上に形成された軟
磁性体層２４は、少なくとも情報格納パターン２２を形
成する領域では平坦で、軟磁性体層２４の上に形成され
たレジストパターン５２の膜厚が一様になるため、軟磁
性体パターンを形成する際の軟磁性体の残存が無く“だ
れ”や“かべ”は全く発生しない。また第５図に示す如
くスペーサ層４２の上に形成された軟磁性体層２５は、
従来の磁気バブルメモリ素子に比べて段差が小さいため
、軟磁性体層２５の上に形成されたレジストパターン５
３の膜厚変動が小さく、機能ゲートパターン２１や接続
パターン２３を形成する際の“だれ”や“かべ”の発生
が皆無になる。 このように軟磁性体パターン形成工程をスペーサ層形成
工程の前後に２分割し、スペーサ層形成工程の前に行う
軟磁性体パターン形成では情報格納パターン２２を、ス
ペーサ層形成工程の後に行う軟磁性体パターン形成では
機能ゲートパターン２１や接続パターン２３を形成し、
機能ゲートパターン２１や接続バクーン２３を構成する
軟磁性体パターンと、情報格納パターン２２を構成する
軟磁性体パターンの間にスペーサ層４２を介在せしめる
ことによって、それぞれの軟磁性体パターンを形成する
際の段差が小さくなり、磁気バブルの円滑な転送を阻害
する“だれ”や“かべ”が皆無になっ′ζ、磁気バブル
メモリ素子における磁気バブルの伝播特性向上を図るこ
とができる。 〔発明の効果〕 上述の如く本発明によれば“だれ”や“かべ”の発生を
皆無にし、磁気バブルの伝播特性向−ヒを図った磁気バ
ブルメモリ素子を提供することができる。
第１図は本発明になる磁気バブルメモリ素子の層構成を
示す図、 第２図は従来の磁気バブルメモリ素子の層構成を示す図
、 第３図は従来の軟磁性体パターン形成工程を示す図、 第４図、第５図は本発明の軟磁性体パターン形成工程を
示す図、 である。図において ｌは磁性薄膜、 ２は転送路、 ３は制御用導体、 ５はレジスト欣、２１は機能
ゲートパターン、 ２２は情報格納パターン、２３は接続パターン、２４．
２５は軟磁性体層、 ４１．４３は絶縁層、４２ハスペ
一サ層、５２．５３はレジストパターン、をそれぞれ表
す。
示す図、 第２図は従来の磁気バブルメモリ素子の層構成を示す図
、 第３図は従来の軟磁性体パターン形成工程を示す図、 第４図、第５図は本発明の軟磁性体パターン形成工程を
示す図、 である。図において ｌは磁性薄膜、 ２は転送路、 ３は制御用導体、 ５はレジスト欣、２１は機能
ゲートパターン、 ２２は情報格納パターン、２３は接続パターン、２４．
２５は軟磁性体層、 ４１．４３は絶縁層、４２ハスペ
一サ層、５２．５３はレジストパターン、をそれぞれ表
す。
Claims (1)
- 少なくとも機能ゲートパターン（２１）や情報格納パタ
ーン（２２）と、それ等の間を結合する接続パターン（
２３）を含む転送路（２）を、軟磁性体パターンで構成
してなる磁気バブルメモリ素子であって、軟磁性体パタ
ーン形成工程をスペーサ層形成工程の前後に２分割して
、スペーサ層形成工程の前に行う軟磁性体パターン形成
では該情報格納パターン（２２）を、またスペーサ層形
成工程の後に行う軟磁性体パターン形成では、該機能ゲ
ートパターン（２１）や該接続パターン（２３）を形成
し、該情報格納パターン（２２）を構成する軟磁性体パ
ターンと、該機能ゲートパターン（２１）や該接続パタ
ーン（２３）を構成する軟磁性体パターンの間に、スペ
ーサ層（４２）を介在せしめてなることを特徴とする磁
気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033645A JPS63201979A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033645A JPS63201979A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201979A true JPS63201979A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12392179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033645A Pending JPS63201979A (ja) | 1987-02-17 | 1987-02-17 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63201979A (ja) |
-
1987
- 1987-02-17 JP JP62033645A patent/JPS63201979A/ja active Pending
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