JPS6070583A - 磁気バブルメモリ素子及びその作成方法 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子及びその作成方法Info
- Publication number
- JPS6070583A JPS6070583A JP58176924A JP17692483A JPS6070583A JP S6070583 A JPS6070583 A JP S6070583A JP 58176924 A JP58176924 A JP 58176924A JP 17692483 A JP17692483 A JP 17692483A JP S6070583 A JPS6070583 A JP S6070583A
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- Japan
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- pattern
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- magnetic bubble
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は電子計算装置等の記憶装置として用いられる磁
気バブルメモリ装置に関し、特にそのメモリ素子に関す
るものである。
気バブルメモリ装置に関し、特にそのメモリ素子に関す
るものである。
技術の背景
磁気バブルを利用して情報の蓄積７ ｉ１’ｉｉ理演算
等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密
度、低消費電力等積々の特徴をもち、さらには機械的要
素を全く含まない固体素子であることから弗素に高い信
頼性を有している。このような磁気バブルメモリ装置に
おいては最近の情報量の増加、装置の小型化要求などに
より記憶密度の増加がめられている。そのためにはバブ
ルを転送する軟磁性薄膜パターンを小さくする必要があ
るがファンクシロンゲート部分の軟磁性パターンと導体
パターンとの位置合わせを容易とするため、情報を蓄積
するマイナーループ部分には小さし）ツクターンを用い
、情報の書き込み、読み出しを行なうメジャーライン及
びファンクションゲート部分には大きなパターンを用い
る手法が開発されてし）る。この場合小さなパターンと
大きなノ〈ターンとのバブル転送特性を一致させるため
、小さなツクターンのスペーサ厚を大きなパターンのス
ペーサ厚より薄くして結晶との相互作用を大きくしてむ
）る。
等を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密
度、低消費電力等積々の特徴をもち、さらには機械的要
素を全く含まない固体素子であることから弗素に高い信
頼性を有している。このような磁気バブルメモリ装置に
おいては最近の情報量の増加、装置の小型化要求などに
より記憶密度の増加がめられている。そのためにはバブ
ルを転送する軟磁性薄膜パターンを小さくする必要があ
るがファンクシロンゲート部分の軟磁性パターンと導体
パターンとの位置合わせを容易とするため、情報を蓄積
するマイナーループ部分には小さし）ツクターンを用い
、情報の書き込み、読み出しを行なうメジャーライン及
びファンクションゲート部分には大きなパターンを用い
る手法が開発されてし）る。この場合小さなパターンと
大きなノ〈ターンとのバブル転送特性を一致させるため
、小さなツクターンのスペーサ厚を大きなパターンのス
ペーサ厚より薄くして結晶との相互作用を大きくしてむ
）る。
従来技術と問題点
第１図は従来の大きいパターンと小さいパターンを有す
る磁気バブルメモリ素子の層構成を説明するための図で
ある。この層構成はバブル結晶１の全面に第１のスペー
サ層２を作成し、その上にコンダクタ材料を蒸着又はス
バ・ツタし、このコンダクタ材料をホトリソグラフィー
とイオンエ・ノチングによりコンダクタパターン３を形
成し、次Ｇ）で全面にＰｕＯ２（ポリラダーオルガノシ
ロキサン樹脂）を塗布・熱硬化して第２のスペーサ層４
を形成したのち、スペーサ薄部の第１．第２スペーサ層
をＣＦ４のガスプラズマエツチングで除去し、次いで第
３スペーサ層５を全面に作成した後、パーマロイを蒸着
・パターニングしてパーマロイパターン６を形成したも
のである。このような層構成ではスペーサの薄い部分と
厚い部分との境界が急峻となりこの部分にパーマロイパ
ターン作成時にパーマロイ残渣７が残存するという欠点
があった。
る磁気バブルメモリ素子の層構成を説明するための図で
ある。この層構成はバブル結晶１の全面に第１のスペー
サ層２を作成し、その上にコンダクタ材料を蒸着又はス
バ・ツタし、このコンダクタ材料をホトリソグラフィー
とイオンエ・ノチングによりコンダクタパターン３を形
成し、次Ｇ）で全面にＰｕＯ２（ポリラダーオルガノシ
ロキサン樹脂）を塗布・熱硬化して第２のスペーサ層４
を形成したのち、スペーサ薄部の第１．第２スペーサ層
をＣＦ４のガスプラズマエツチングで除去し、次いで第
３スペーサ層５を全面に作成した後、パーマロイを蒸着
・パターニングしてパーマロイパターン６を形成したも
のである。このような層構成ではスペーサの薄い部分と
厚い部分との境界が急峻となりこの部分にパーマロイパ
ターン作成時にパーマロイ残渣７が残存するという欠点
があった。
発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、スペーサ層に急
峻な段差を生ぜしめない磁気バブルメモリ素子及びその
作成方法を提供することを目的とするものである。
峻な段差を生ぜしめない磁気バブルメモリ素子及びその
作成方法を提供することを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル結晶の上
にバブル運送路として大きさの異なる軟磁性パターンを
持ち、大きなパターンと結晶との間のスペーサ厚を小さ
なパターンと結晶との間のスペーサ厚より厚くした層構
成を持つ磁気バブルメモリ素子において、大きなパター
ンと小さな、＜ターンとのスペーサの境界部を耐熱性樹
脂を用いて平坦化したことを特徴とする磁気バブルメモ
リ素子を提供することによって達成される。
にバブル運送路として大きさの異なる軟磁性パターンを
持ち、大きなパターンと結晶との間のスペーサ厚を小さ
なパターンと結晶との間のスペーサ厚より厚くした層構
成を持つ磁気バブルメモリ素子において、大きなパター
ンと小さな、＜ターンとのスペーサの境界部を耐熱性樹
脂を用いて平坦化したことを特徴とする磁気バブルメモ
リ素子を提供することによって達成される。
また磁気バブル結晶の上に第１のスペーサ層（絶縁Ｎ）
を作成し、次いでその上にコンダクタパターンを作成し
、次いで第２のスペーサ層を作成し、次いで第１及び第
２スペーサ層の一部をエツチング除去し、次いで全面に
耐熱性樹脂をコーティングすることを特徴とする磁気バ
ブルメモリ素子の作成方法を提供することによって達成
される。
を作成し、次いでその上にコンダクタパターンを作成し
、次いで第２のスペーサ層を作成し、次いで第１及び第
２スペーサ層の一部をエツチング除去し、次いで全面に
耐熱性樹脂をコーティングすることを特徴とする磁気バ
ブルメモリ素子の作成方法を提供することによって達成
される。
発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第２図は本発明による磁気バブルメモリ素子及びその作
成方法を説明するための図である。同図において、１０
はバブル結晶、１１は第１のスペーサ層、１２はコンダ
クタパターン、１３は第２のスペーサ層、１４は耐熱性
樹脂層、１５は小さいパーマロイパターン、１６は大き
いパーマロイパターンをそれぞれ示す。
成方法を説明するための図である。同図において、１０
はバブル結晶、１１は第１のスペーサ層、１２はコンダ
クタパターン、１３は第２のスペーサ層、１４は耐熱性
樹脂層、１５は小さいパーマロイパターン、１６は大き
いパーマロイパターンをそれぞれ示す。
本実施例の磁気バブルメモリ素子の作成方法は先ずバブ
ル結晶１０の全面に第１のスペーサ層１１となる５ｉ０
２膜を作成し、次いでその上にコンダクタパターン１２
を形成し、次いで第２のスペーサ層１３トナル５ｉ０２
膜（Ｉｖす約２０００人）を作成したのち、第１及び第
２のスペーサ層となる５ｉ０２膜の一部をエツチング除
去して第１のスペーサ層１１と第２のスペーサ層１３と
を形成する。
ル結晶１０の全面に第１のスペーサ層１１となる５ｉ０
２膜を作成し、次いでその上にコンダクタパターン１２
を形成し、次いで第２のスペーサ層１３トナル５ｉ０２
膜（Ｉｖす約２０００人）を作成したのち、第１及び第
２のスペーサ層となる５ｉ０２膜の一部をエツチング除
去して第１のスペーサ層１１と第２のスペーサ層１３と
を形成する。
次いで全面にＰｕＯ２（ポリラダーオルガノシロキサン
樹脂）等の耐熱性樹脂を塗布・硬化させて耐熱樹脂層１
４を形成する。その後この樹脂層１４の上に軟磁性薄膜
を用いて小さいパターン１５を、第１及び第２のスペー
サ１１ 、１３の上の樹脂層１４の上に大きなパターン
１６をそれぞれ形成して図の如き構成の磁気バブルメモ
リ素子が得られる。
樹脂）等の耐熱性樹脂を塗布・硬化させて耐熱樹脂層１
４を形成する。その後この樹脂層１４の上に軟磁性薄膜
を用いて小さいパターン１５を、第１及び第２のスペー
サ１１ 、１３の上の樹脂層１４の上に大きなパターン
１６をそれぞれ形成して図の如き構成の磁気バブルメモ
リ素子が得られる。
このように作成された本実施例の磁気バブルメモリ素子
は小さなパターン１５と大きなパターン１６との境界部
のスペーサは耐熱性樹脂層１４であるため、第１．第２
のスペーサ１１ 、１３にエツチングで生じた段差を平
坦化しており、パーマロイパターン１５，１６の作成時
にエツチング残渣が残るようなことはない。
は小さなパターン１５と大きなパターン１６との境界部
のスペーサは耐熱性樹脂層１４であるため、第１．第２
のスペーサ１１ 、１３にエツチングで生じた段差を平
坦化しており、パーマロイパターン１５，１６の作成時
にエツチング残渣が残るようなことはない。
次に第２の実施例を第３図を用いて説明する。
同図において、第２図と同一部分は同一符号を付して示
した。本実施例が前実施例と異なるところは第１のスペ
ーサ層１１の５ｉ０２膜の厚さを厚く（２５００人）す
ることにより第２のスペーサ層１３の作成を省略したこ
とである。本実施例の効果は前実施例と同様の効果があ
る上工程が簡単化されるという利点がある。
した。本実施例が前実施例と異なるところは第１のスペ
ーサ層１１の５ｉ０２膜の厚さを厚く（２５００人）す
ることにより第２のスペーサ層１３の作成を省略したこ
とである。本実施例の効果は前実施例と同様の効果があ
る上工程が簡単化されるという利点がある。
なお両実施例ともスペーサの厚さは薄い部分が２０００
人、厚い部分（コンダクタ上を除く）は４５００人とな
り、大小のパーマロイパターン１５ 、１６のバブル転
送特性を一致させることができる。また第２図に示した
実施例では第１のスペーサ層１１ば必ずしも必要ではな
い。またこの５ｉ０２をＡ１２０ｇ（等第２のスペーサ
層の５ｉ０２と選択エツチング性の高い物質とし、薄ス
ペーサ部作成時に残すことも可能である。
人、厚い部分（コンダクタ上を除く）は４５００人とな
り、大小のパーマロイパターン１５ 、１６のバブル転
送特性を一致させることができる。また第２図に示した
実施例では第１のスペーサ層１１ば必ずしも必要ではな
い。またこの５ｉ０２をＡ１２０ｇ（等第２のスペーサ
層の５ｉ０２と選択エツチング性の高い物質とし、薄ス
ペーサ部作成時に残すことも可能である。
発明の効果
以上、詳細に説明し゛たように本発明による磁気バブル
メモリ素子及びその作成方法は、大きさの異なるパーマ
ロイパターンを有し、そのスペーサ厚も異なる磁気バブ
ルメモリ素子おいて、大、小パーマロイパターンの境界
部のスペーサの段差を耐熱性樹脂によって平坦化し、パ
ーマロイパターン作成時のエツチング残渣の発生を防止
し、且つ作成プロセスも簡単化し得るといった効果大な
るものである。
メモリ素子及びその作成方法は、大きさの異なるパーマ
ロイパターンを有し、そのスペーサ厚も異なる磁気バブ
ルメモリ素子おいて、大、小パーマロイパターンの境界
部のスペーサの段差を耐熱性樹脂によって平坦化し、パ
ーマロイパターン作成時のエツチング残渣の発生を防止
し、且つ作成プロセスも簡単化し得るといった効果大な
るものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子を説明するための
図、第２図は本発明による磁気バブルメモリ素子及びそ
の作成方法を説明するだめの図、第３図は他の実施例を
説明するための図である。 図面において、１０はバブル結晶、１１は第１のスペー
サ層、１２はコンダクタパターン、１３は第２のスペー
サ層、１４は耐熱性樹脂層、１５は小さいパーマロイパ
ターン、１６は大きいパーマロイパター７をそれぞれ示
す。 第２図 １日 第３図 ６
図、第２図は本発明による磁気バブルメモリ素子及びそ
の作成方法を説明するだめの図、第３図は他の実施例を
説明するための図である。 図面において、１０はバブル結晶、１１は第１のスペー
サ層、１２はコンダクタパターン、１３は第２のスペー
サ層、１４は耐熱性樹脂層、１５は小さいパーマロイパ
ターン、１６は大きいパーマロイパター７をそれぞれ示
す。 第２図 １日 第３図 ６
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気バブル結晶の上にバブル転送路として大きさの
異なる軟磁性パターンを持ち、大きなパターンと結晶と
の間のスペーサ厚を小さなパターンと結晶との間のスペ
ーサ厚より厚くした層構成を持つ磁気バブルメモリ素子
において、大きなパターンと小さなパターンとのスペー
サの境界部を耐熱性樹脂を用いて平坦化したことを特徴
とする磁気バブルメモリ素子。 ２、磁気バブル結晶の上に第１のスペーサ層（絶縁Ｎ）
を作成し、次いでその上にコンダクタパターンを作成し
、次いで第２のスペーサ層を作成し、次いで愼１及び第
２スペーサ層の一部をエツチング除去し、次いで全面に
耐熱性樹脂をコーティングすることを特徴とする磁気バ
ブルメモリ素子の作成方法。 ３、前記磁気バブルメモリ素子の作成方法において、第
２のスペーサ層の作成を省略したことを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の磁気バブルメモリ素子の作成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176924A JPS6070583A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子及びその作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176924A JPS6070583A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子及びその作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070583A true JPS6070583A (ja) | 1985-04-22 |
Family
ID=16022133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176924A Pending JPS6070583A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 磁気バブルメモリ素子及びその作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070583A (ja) |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58176924A patent/JPS6070583A/ja active Pending
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