JPS63201984A - 磁気バブルメモリパツケ−ジ実装方法 - Google Patents

磁気バブルメモリパツケ−ジ実装方法

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Publication number
JPS63201984A
JPS63201984A JP62033434A JP3343487A JPS63201984A JP S63201984 A JPS63201984 A JP S63201984A JP 62033434 A JP62033434 A JP 62033434A JP 3343487 A JP3343487 A JP 3343487A JP S63201984 A JPS63201984 A JP S63201984A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bubble memory
magnetic bubble
memory package
package
metal film
Prior art date
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Pending
Application number
JP62033434A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Tochigi
義則 都知木
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS63201984A publication Critical patent/JPS63201984A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 磁気バブルメモリパッケージの実装法であって、磁気バ
ブルメモリパッケージを搭載するプリント基板に、搭載
部品間の絶縁をそこなわないように空白部を設けたベタ
の金属膜を形成しておき、該金属膜の上に磁気バブルメ
モリパッケージを搭載することにより、該金属膜を放熱
板に利用して磁気バブルメモリパッケージの温度上昇を
抑制可能とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子計算装置等の記憶装置として用いられる磁
気バブルメモリパッケージのプリント基板への実装法に
関するものである。
近年、磁気バブルメモリは一般メモリと同様に高速化、
高密度化、小型化が計られているが、それに伴い磁気バ
ブルメモリ素子の動作時の温度上昇が問題となる。
〔従来の技術〕
磁気バブルメモリは第２図に示すようにケース１の中に
磁気バブルメモリ素子２と、該素子にバイアス磁界を印
加するための永久磁石３．３′と、バブルを駆動する回
転磁界を発生させるためのコイル４等が収容され、また
プリント基板５に搭載されたとき、そのパターン６に素
子及びコイルを接続するための端子７が設けられている
。そして上記磁気バブルメモリ素子２は、例えば、ガド
リニウム・ガリウム・ガーネットの単結晶基板の上に液
相エピタキシャル成長法により磁性ガーネットの薄膜を
形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いたハ
ーフディスク型等のパターンを行列させたバブル転送路
を形成し、バブル発生器より情報に従って発生させたバ
ブルを転送路に導き、そのパターンにバブルがある場合
を１″、ない場合を“０”として情報を記憶し、情報の
読み出しは磁気抵抗効果を利用したバブル検出器により
読み出すようになっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来の磁気バブルメモリでは、高速化、高密度化に
伴いバブルを駆動するための駆動磁界の周波数は高くな
り、またその電力も大となってきているためパッケージ
の発熱量が大きくなっている。この発熱量の増大による
温度上昇を抑えるためパンケージ外部に放熱フィンを設
けたり、強制空冷を行うなどの対策が講じられているが
、今後ますます上昇しつつある温度に対応することば困
難となっている。
本発明はこのような点にかんがみて創作されたもので、
磁気バブルメモリパッケージの温度上昇を抑えることが
できるプリント基板への実装法を提供することを目的と
している。
〔問題点を解決するための手段〕
このため本発明においては、第１図に例示するように、
プリント基板１５上に、その上に搭載される部品１６間
の絶縁をそこなうことがないように空白部を設けたベタ
の金属膜１２を形成し、該金属膜１２上に磁気バブルメ
モリパッケージ１０を搭載し、該金属膜１２を磁気バブ
ルメモリパッケージ１０の放熱板に利用したことを特徴
としている。
〔作　用〕
プリント基板１５上にベタの金属膜１２を形成し、その
上に磁気バブルメモリパッケージＩＯを搭載することに
より、前記金属膜１２が放熱板の作用をなし、磁気バブ
ルメモリパッケージ１０の温度上昇を抑制することが可
能となる。
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例を示す断面図である。
同図において、１０は磁気バブルメモリパッケージ、１
１は放熱フィンを有する磁気バブルメモリパッケージの
ケース、１２はベタの金属膜、１３は端子、１４は絶縁
層、１５はプリント基板、１６は部品（ＩＣ等）である
。
本実施例は第１図に示すようにプリント基板１５の上に
樹脂等の絶縁層１４を介してベタの金属膜（例えばＡｌ
　、Ｃｕ等）１２を形成し、その上に磁気バブルメモリ
パッケージ１０を密着させ実装したものである。なお金
属膜１２には部品１６間の絶縁を確保するためにその周
囲部分、および磁気バブルメモリパッケージ１０の端子
１３が通る部分の金属膜を除去し空白部を設けておく。
また絶縁Ｍ１４は、プリント基板表面の配線パターンと
金属膜１２との間の絶縁を行うものであり、前記配線パ
ターンが無ければ絶縁層１４は不要である。
このように構成された本実施例は磁気バブルメモリパッ
ケージの放熱面積を大きくすることが可能となり、パッ
ケージから発生した熱をすみやかに放出して温度上昇を
抑制し素子を安定動作させることが可能となる。
〔発明の効果〕
以上述べできたように、本発明によれば、極めて簡易な
構成で磁気バブルメモリパッケージの温度上昇を抑制で
き、実用的には極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す図、 第２図は従来の磁気バブルメモリパッケージを示す断面
図である。 第１図において、 １０は磁気バブルメモリパッケージ、 ゛　　１１は放熱フィンを有するケース、１２は金属膜
、　　　１３は端子、 １４は絶縁層、　　　１５はプリント基板、１６は部品
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、プリント基板（１５）上に、その上に搭載される部
    品（１６）間の絶縁をそこなうことがないように空白部
    を設けたベタの金属膜（１２）を形成し、該金属膜（１
    ２）上に磁気バブルメモリパッケージ（１０）を搭載し
    、該金属膜（１２）を磁気バブルメモリパッケージ（１
    ０）の放熱板に利用したことを特徴とした磁気バブルメ
    モリパッケージ実装法。
JP62033434A 1987-02-18 1987-02-18 磁気バブルメモリパツケ−ジ実装方法 Pending JPS63201984A (ja)

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JP62033434A JPS63201984A (ja) 1987-02-18 1987-02-18 磁気バブルメモリパツケ−ジ実装方法

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JPS63201984A true JPS63201984A (ja) 1988-08-22

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