JPS63202082A - 半導体磁気センサ− - Google Patents

半導体磁気センサ−

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Publication number
JPS63202082A
JPS63202082A JP62033920A JP3392087A JPS63202082A JP S63202082 A JPS63202082 A JP S63202082A JP 62033920 A JP62033920 A JP 62033920A JP 3392087 A JP3392087 A JP 3392087A JP S63202082 A JPS63202082 A JP S63202082A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
permanent magnet
magnetic sensor
magnetic
detection ring
case
Prior art date
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Pending
Application number
JP62033920A
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English (en)
Inventor
Yoshimoto Fujioka
藤岡 良基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fanuc Corp
Original Assignee
Fanuc Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、6u気抵抗素子を用いたビルトインタイブの
半導体磁気センサーに係り、特にその取付機構を改善し
た半導体磁気センサーに関する。
(従来の技術) 回転機内部に速度検出器を設けるビルトインタイブのセ
ンサーに、磁束の変化を利用する半導体磁気センサーが
ある。この半導体磁気センサーは、半導体の物性がその
周囲の磁界の変化により影7を受け、磁気信号から電気
信号への変換を行なうものであり、ビルトインタイブの
半導体磁気センサーにおいては、均一な磁束密度が得ら
れ、温度変化に対しても磁束密度が変化しないようにす
るために、回転軸に固定される検出リングには磁性鉄粉
を焼結した焼結合金を使用し、また出力電圧を大きくと
るために磁気抵抗素子としてInSb(インジウムアン
チモン)を用いる場合がある。
(発明が解決しようとする間厘点) しかしながら、磁気センサーと永久磁石との製造時に寸
法のアンバランスが生ずると、それらを収容しているケ
ースと検出リングとのギャップ長を正確に設定して静止
側に固定しても、軸の回転による永久磁石の磁束密度へ
の影晋が変動し、正確に回転体の速度が検出できないと
いう問題があった。
本発明はこのような従来技術の問題点に鑑みてなされて
おり、検出リングと静止側の永久磁石との距離を一定に
保持することで正確に回転軸の速度を検出できるように
したビルトインセンサーを提供することを目的としてい
る。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、回転軸に固定され表面に凹凸状ギヤを形成し
た磁性体の検出リングと対向近接して配置され、磁束の
変化を検出して該回転軸の回転状態を検知する半導体磁
気センサーにおいて、静止側に固定される永久磁石と、
この永久磁石の前記回転軸との対向面側に配置されるI
nSb(インジウムアンチモン)で形成された磁気抵抗
素子と、これら永久磁石および磁気抵抗素子を収容する
ケースとを具備し、前記検出リングに対向するケースの
外面から前記永久磁石までの距離を調整して、この検出
リングとのギャップ長にかかわらずその凸面部から永久
磁石までの距離を一定に保持することを特徴とする半導
体磁気センサーである。
(作用) 本発明の半導体磁気センサーは、静止側に固定される永
久磁石に出力電圧を大きくとれるInSb(インジウム
アンチモン)よりなる磁気センサーを取付け、これをケ
ース内に収容する際に、ケースと永久磁石の磁気抵抗素
子取付面との間に介挿される例えばスペーサとケースの
厚みとを調整して、回転軸に取付けられる検出リングの
外表面からの距離を一定に保持するものである。
(実施例) 以下、図により本発明の実施例について説明する。
第2図は、ビルトインタイブの、磁束の変化を利用する
半導体磁気センサーの一例である。図において、磁性体
からなる検出リングAはシャフトDにはめ込まれ、静止
側には磁気センサーBと永久磁石Cを配置する。検出リ
ングAの外面にはギヤが形成されており、シャフトDの
回転により、永久磁石Cと検出リングAにおける磁性体
のギヤとによる磁束の変化を磁気センサーBで検出し、
回転速度などを検知している。
第1図は、本発明の一実施例の速度検出器を示す概略構
成図である。図において、インジウムアンチモン(In
Sb)よりなる磁気センサーBは、永久磁石Cに取付け
られ、検出リングAと対向するようにケースFの内部に
スペーサEを介して収容されている。本発明においては
、ケースFの外面と検出リングAのギヤ凸部とのギャッ
プ長をG。、ケース外面から永久磁石Cの表面までの長
さを61とすると、G=Go+01の長さを一定とする
ことを特徴とするものである。
即ち、磁気センサーBおよび永久磁石Cの静止側速度検
出器の寸法に合わせて、ケースFおよびスペーサEの厚
みを補正し、G=Go+GLの値が一定となるようにし
て、速度検出器の寸法差により磁束密度が変動し、回転
速度の検出に誤差が生じるのを防止するものである。
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明の
精神から逸れないかぎりで、種々の異なる実施例は容易
に達成できるから、本発明は前記特許請求の範囲におい
て記載した限定以外、特定の実施例に制約されるもので
はない。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、磁気センサーを
高出力電圧が得られるInSbにより形成して永久磁石
と共に静止側の半導体磁気センサーを構成し、かつ回転
軸に取付けられる検出リングとのギャップをケース外面
から永久磁石までの距離を調整することで一定とするよ
うに構成してしているので、磁気抵抗素子および永久磁
石の寸法のバラツキに拘らず一定の磁束密度が得られ、
正確に回転体の回転状態を検出できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の概略構成図、第2図は速度検出器の概
略説明図である。 A・・・検出リング、B・・・磁気センサー、C・・・
永久磁石、D・・・シャフト、E・・・スペーサ、F・
・・ケース。 特許出願人  ファナック株式会社 代  理  人   弁理士  辻        實
第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  回転軸に固定され表面に凹凸状ギヤを形成した磁性体
    の検出リングと対向近接して配置され、磁束の変化を検
    出して該回転軸の回転状態を検知する半導体磁気センサ
    ーにおいて、静止側に固定される永久磁石と、この永久
    磁石の前記回転軸との対向面側に配置されるInSb(
    インジウムアンチモン)で形成された磁気抵抗素子と、
    これら永久磁石および磁気抵抗素子を収容するケースと
    を具備し、前記検出リングに対向するケースの外面から
    前記永久磁石までの距離を調整して、この検出リングと
    のギャップ長にかかわらずその凸面部から永久磁石まで
    の距離を一定に保持することを特徴とする半導体磁気セ
    ンサー。
JP62033920A 1987-02-17 1987-02-17 半導体磁気センサ− Pending JPS63202082A (ja)

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JP62033920A JPS63202082A (ja) 1987-02-17 1987-02-17 半導体磁気センサ−

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JP62033920A JPS63202082A (ja) 1987-02-17 1987-02-17 半導体磁気センサ−

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JPS63202082A true JPS63202082A (ja) 1988-08-22

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JP62033920A Pending JPS63202082A (ja) 1987-02-17 1987-02-17 半導体磁気センサ−

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